JP2011507457A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 能動音響素子と、
   前記能動音響素子に取り付けられた受動層と、を有し、
   前記受動層は、フォトレジスト材料の層と、前記フォトレジスト材料の層の中に埋込まれた複数の導電性の柱とを含む、超音波トランスデューサ。
2. 前記能動音響素子は、圧電素子を含む、請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
3. 前記複数の導電性の柱は、前記能動音響素子の音響放射面に対して実質的に垂直に差し向けられる、請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
4. 前記複数の導電性の柱は、金属柱を含む、請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
5. 前記複数の導電性の柱のうちの少なくとも１つは、前記受動層の厚さを横切って延びる、請求項４に記載の超音波トランスデューサ。
6. 前記受動層は、前記能動音響素子からの超音波エネルギを音響的に結合する整合層を形成する、請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
7. 更に、前記受動層の表面上に堆積させた電極を有し、前記電極は、前記複数の導電性の柱のうちの少なくとも１つを介して前記能動音響素子に電気的に結合される、請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
8. 複数の能動音響素子と、
   前記複数の能動音響素子に取付けられた受動層と、を有し、
   前記受動層は、フォトレジスト材料の層と、前記フォトレジスト材料の層の中に埋込まれた複数の導電性の柱とを含む、超音波トランスデューサアレイ。
9. 前記能動音響素子は、圧電素子を含む、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
10. 前記複数の導電性の柱は、前記能動音響素子の音響放射面に対して実質的に垂直に差し向けられる、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
11. 前記複数の導電性の柱は、金属柱を含む、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
12. 前記複数の導電性の柱のうちの少なくとも１つは、前記受動層の厚さを横切って延びる、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
13. 前記受動層は、前記複数の能動音響素子の下における超音波エネルギの伝搬を減衰させるバッキング層を形成する、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
14. 更に、前記受動層の表面上に堆積させた複数の電極を有し、前記電極の各々は、前記導電性の柱のうちの少なくとも１つを介して前記複数の能動音響素子に電気的に結合される、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
15. 前記電極の各々は、前記複数の能動音響素子のうちの異なる１つに電気的に結合される、請求項１４に記載の超音波トランスデューサアレイ。
16. 更に、前記複数の導電性の柱のうちの少なくとも１つを介して前記複数の能動音響素子のうちの少なくとも１つに電気的に結合されたＩＣチップを有する、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
17. 前記ＩＣチップは、前記受動層に結合され、前記受動層及び前記複数の能動音響素子は、前記ＩＣチップの上に配置される、請求項１６に記載の超音波トランスデューサアレイ。
18. 前記ＩＣチップは、複数の電気接点を有し、前記電気接点の各々は、前記複数の導電性の柱のうちの少なくとも１つを介して、前記超音波トランスデューサアレイ内の前記複数の能動音響素子のうちの異なる１つに電気的に結合される、請求項１６に記載の超音波トランスデューサアレイ。
19. トランスデューサを製造する方法であって、
    フォトレジスト層を能動音響素子の上にコーティングする工程と、
    前記フォトレジスト層を、マスクを介して光に露出させ、パターンを前記マスクから前記フォトレジスト層に転写する工程と、
    転写された前記パターンに基づいて前記フォトレジスト層の一部分を除去して、前記フォトレジスト層に複数の凹部を形成する工程と、
    導電性材料を前記凹部に堆積させて、前記フォトレジスト層に埋込まれた導電性の柱を形成する工程と、を有する方法。
20. 更に、前記導電性の柱を形成した後に前記フォトレジスト層を硬化させる工程を有する、請求項１９に記載の方法。