JP2011511953A5

JP2011511953A5 -

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Publication number: JP2011511953A5
Application number: JP2010538070A
Authority: JP
Filing date: 2008-12-08
Publication date: 2012-02-02

Claims

電子デバイスの製造方法であって、
第１電極を準備すること、
前記第１電極の表面上に第１導電性ナノ構造グリッドを堆積させることであって、
（ａ）クロモニック層を形成するために前記第１電極の前記表面にコーティング方向で、コーティング組成物を適用することであって、前記コーティング組成物が、クロモニック材料と表面改質された無機ナノ粒子と水とを含む、コーティング組成物を適用することと、
（ｂ）乾燥クロモニック層を形成するために、前記クロモニック層から前記水の少なくとも一部分を除去することと、
（ｃ）前記乾燥クロモニック層内にチャネルパターンを形成する親水性有機溶媒に前記乾燥クロモニック層を曝露することであって、前記チャネルパターンが（ｉ）前記コーティング方向に第１のセットのチャネルと、（ｉｉ）前記第１のセットのチャネルに実質的に垂直である第２のセットのチャネルとを含む、前記乾燥クロモニック層を曝露することと、
（ｄ）前記第１電極の反対側の前記乾燥クロモニック層の表面上に、及び前記第１のセットのチャネルと前記第２のセットのチャネルの両方の内部に、金属含有材料を配置することであって、前記第１のセットのチャネルと前記第２のセットのチャネルの内部の前記金属含有材料が前記第１電極に接触する、金属含有材料を配置することと、
（ｅ）前記乾燥クロモニック層及び前記乾燥クロモニック層上に配置された前記金属含有材料の両方を除去することであって、前記第１のセットのチャネルと前記第２のセットのチャネルの内部に配置された前記金属含有材料が前記第１電極に付着する、前記乾燥クロモニック層及び前記乾燥クロモニック層上に配置された前記金属含有材料の両方を除去することと、を含む第１導電性ナノ構造グリッドを堆積させること、
前記第１導電性ナノ構造グリッドに面する電子応答性層を準備すること、
第２電極を準備すること、並びに
前記第１電極と前記第２電極との間に前記電子応答性層を配置すること、を含む、方法。
第１電極と、
前記第１電極の表面上に堆積させた第１導電性ナノ構造グリッドであって、前記第１導電性ナノ構造グリッドが第１のセットの導電性ナノ構造と第２のセットの導電性ナノ構造とを含み、前記第２のセットの導電性ナノ構造が、前記第１のセットの導電性ナノ構造に実質的に垂直である、第１導電性ナノ構造グリッドと、
前記第１導電性ナノ構造グリッドに面する電子応答性層と、
第２電極と、を含み、
前記電子応答性層が、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される電子デバイス。
電子デバイスの製造方法であって、
基材を準備すること、
前記基材の表面上に第１導電性ナノ構造グリッドを堆積させることであって、
（ａ）クロモニック層を形成するために、前記基材の前記表面にコーティング方向でコーティング組成物を適用することであって、前記コーティング組成物が、クロモニック材料と表面改質された無機ナノ粒子と水とを含む、コーティング組成物を適用することと、
（ｂ）乾燥クロモニック層を形成するために、前記クロモニック層から前記水の少なくとも一部分を除去すること、
（ｃ）前記乾燥クロモニック層内にチャネルパターンを形成する親水性有機溶媒に、前記乾燥クロモニック層を曝露することであって、前記チャネルパターンが（ｉ）前記コーティング方向に第１のセットのチャネルと、（ｉｉ）前記第１のセットのチャネルに実質的に垂直である、第２のセットのチャネルとを含む、前記乾燥クロモニック層を曝露すること、
（ｄ）前記基材の反対側の前記乾燥クロモニック層の表面上に、及び前記第１のセットのチャネルと前記第２のセットのチャネルの両方の内部に、金属含有材料を配置することであって、前記第１のセットのチャネルと前記第２のセットのチャネルの内部の前記金属含有材料が、前記基材に接触する、金属含有材料を配置すること、
（ｅ）前記乾燥クロモニック層、及び前記乾燥クロモニック層上に配置された前記金属含有材料の両方を除去することであって、前記第１のセットのチャネルと前記第２のセットのチャネルの内部に配置された前記金属含有材料が、前記基材に付着する、前記乾燥クロモニック層、及び前記乾燥クロモニック層上に配置された前記金属含有材料の両方を除去することと、を含む第１導電性ナノ構造グリッドを堆積させること、
前記第１導電性ナノ構造グリッド上、及び前記基材の前記表面上に導電性層を堆積させて、第１電極構造を形成すること、
前記第１電極構造の前記導電性層に面する電子応答性層を準備すること、
第２電極を準備すること、並びに
前記第１電極構造と前記第２電極との間に、前記電子応答性層を配置することを含む方法。
基材と、
前記基材の表面上に堆積させた第１導電性ナノ構造グリッドであって、前記第１導電性ナノ構造グリッドが、第１のセットの導電性ナノ構造と第２のセットの導電性ナノ構造とを含み、前記第２のセットの導電性ナノ構造が前記第１のセットの導電性ナノ構造に実質的に垂直である、第１導電性ナノ構造グリッドと、
第１電極構造の、前記第１導電性ナノ構造グリッド上、及び前記基材の前記表面上に堆積させた導電性層と、
前記第１電極構造の前記導電性層に面する電子応答性層と、
第２電極とを含み、
前記電子応答性層が、前記第１電極構造と前記第２電極との間に配置される電子デバイス。