JP2011507141A - 二重機能対応の不揮発性メモリ素子 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている、2007年12月20に出願された米国仮特許出願第61/015,366号の優先権の利益を主張するものである。
12 ホストシステム
14 メモリコントローラ
16-1 不揮発性メモリ素子
16-2 不揮発性メモリ素子
16-3 不揮発性メモリ素子
16-4 不揮発性メモリ素子
18 チャネル
20 直列リング型トポロジメモリシステム
22 メモリコントローラ
24 メモリ素子
26 メモリ素子
28 メモリ素子
30 メモリ素子
40 非同期フラッシュメモリ素子
42 出力バッファ
44 制御バッファ
46 データバッファ
48 コマンドレジスタ
50 アドレスレジスタ
52 状態レジスタ
54 制御回路
56 高電圧発生器
58 行プリデコーダ
60 行デコーダ
62 列プリデコーダ
64 列デコーダ
66 ページバッファ
68 メモリセルアレイ
100 同期直列メモリ
102 制御インタフェース
104 直列インタフェース
106 入力直列/並列レジスタ
108 出力並列/直列レジスタ
110 メモリアレイ
112 感度増幅器およびページバッファ
114 行デコーダ
116 列デコーダ
118 高電圧発生器
130 コマンドレジスタ
132 一時レジスタ
134 直列データレジスタ
136 コマンドインタプリタ
138 スイッチコントローラ
140 スイッチ
142 列アドレスレジスタ
144 行/バンクアドレスレジスタ
146 データレジスタ
200 二重機能メモリ素子
202 ポート
204 コア回路
206 インタフェースおよび制御回路ブロック
208 モード検出器
210 インタフェース回路
212 セレクタ
214 制御ロジック
218 同期回路
220 非同期回路
300 メモリシステム
302 同期フラッシュメモリコントローラ
304 二重機能メモリ素子
310 メモリシステム
312 非同期フラッシュメモリコントローラ
400 VCC検出器
402 モードロジック
402 モード検出器
404 RST#入力バッファ
406 制御バッファブロック
408 データバッファブロック
410 グローバルコマンドデコーダ
412 制御ロジック
414 同期コマンドデコーダ
416 非同期コマンドデコーダ
418 同期制御ロジック
420 非同期制御ロジック
450 コンデンサ
452 PMOSトランジスタ
454 インバータ
456 インバータ
458 インバータ
460 コンデンサ
462 NAND論理ゲート
464 NAND論理ゲート
466 インバータ
480 MODEバッファ
482 制御バッファブロック
500 入力バッファ
502 パスゲート
504 パスゲート
506 CKポート
510 直列入力ブロック
512 電源スイッチ
514 Dnポート
516 直列出力ブロック
518 パスゲート
520 パスゲート
522 電源スイッチ
524 Qnポート
526 パスゲート
528 I/Oバッファ
530 パスゲート
532 電源スイッチ
Claims (34)
- メモリ素子の動作モードを設定するための方法であって、
前記メモリ素子に電源投入するステップと、
前記メモリ素子が電源投入を完了した後、応答を提供するためにポートの電圧に応答するステップと、
前記応答に応じて前記メモリ素子の回路の動作モードを設定するステップと
を含む、方法。 - 前記設定するステップは、
前記メモリ素子の前記回路が使用するための、前記応答に基づく前記動作モードに対応する信号を選択するステップ
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記選択するステップは、
前記応答として電圧応答を提供するために前記電圧がないことを検出するステップであって、前記電圧がないことが検出されない場合、前記電圧応答は前記応答の補数に相当する、検出するステップ
を含む、請求項2に記載の方法。 - 前記設定するステップは、
前記応答の前記補数に応じて、前記回路の前記動作モードを別の動作モードに設定するステップ
をさらに含む、請求項3に記載の方法。 - 前記メモリ素子が少なくとも1つの他のポートを備え、前記設定するステップは、
前記少なくとも1つの他のポートにおいて、情報を含む信号を受け取るステップと、
前記応答および前記応答の前記補数のうちの一方に応じて、前記信号に含まれる前記情報を受け取るように前記少なくとも1つの他のポートを構成するステップであって、前記情報に応じて前記回路が動作する、前記少なくとも1つの他のポートを構成するステップと
をさらに含む、請求項4に記載の方法。 - 前記受け取るステップは、
制御情報およびデータ情報のうちの少なくとも一方に相当する情報を含む前記信号を、前記少なくとも1つの他のポートにおいて受け取るステップ
を含む、請求項5に記載の方法。 - 前記メモリ素子に電源投入するステップは、電源電圧が所定のレベルに達することを検出するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧が、前記電源電圧である、請求項7に記載の方法。
- 前記ポートの前記電圧は、前記電源電圧が前記所定のレベルに達するときに検出される、請求項7に記載の方法。
- 前記ポートには第1の動作モードで使用される既存のポートが含まれ、前記既存のポートは第2の動作モードでは使用されない、請求項7に記載の方法。
- 前記電源電圧が前記所定のレベルに達するときに、前記既存のポートの低論理レベルをラッチする、請求項10に記載の方法。
- 前記既存のポートは、前記低論理レベルをラッチした後、高論理レベルと低論理レベルとを切り替えることができる、請求項11に記載の方法。
- 前記ポートが、第1の動作モードおよび第2の動作モードで使用されない、請求項1に記載の方法。
- 設定するステップは、前記ポート上で前記電圧を検出するときにモード信号を第1の論理レベルに駆動するステップであって、前記ポート上で前記電圧を検出しないときは前記モード信号を第2の論理レベルに駆動する、モード信号を第1の論理レベルに駆動するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 設定するステップは、前記第1の論理レベルの前記モード信号に応じて、前記メモリ素子の制御ポートおよびデータポートを非同期回路に結合するステップと、前記第2の論理レベルの前記モード信号に応じて、前記メモリ素子の前記制御ポートおよびデータポートを同期回路に結合するステップとを含む、請求項14に記載の方法。
- 設定するステップは、前記第1の論理レベルの前記モード信号に応じて前記同期回路から前記電源電圧を切り離すステップと、前記第2の論理レベルの前記モード信号に応じて前記非同期回路から前記電源電圧を切り離すステップとをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記非同期回路は、復号された非同期コマンド信号を提供するための非同期コマンドデコーダと、復号された同期コマンド信号を提供するための同期コマンドデコーダとを含む、請求項15に記載の方法。
- 設定するステップは、前記モード信号に応じて、前記復号された非同期コマンド信号および前記復号された同期コマンド信号のうちの一方を、制御ロジックに選択的に渡すステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記復号された非同期コマンド信号と、前記復号された同期コマンド信号とが互いに同一のものである、請求項18に記載の方法。
- 第1のモードおよび第2のモードで動作するように構成可能なメモリ素子であって、
前記第1のモードに対応する第1の機能割当および前記第2のモードに対応する第2の機能割当のうちの一方を受け取るためのポートと、
前記ポートの少なくとも1つからコマンドを受け取り、前記コマンドを前記第1のモードおよび前記第2のモードのうちの一方で復号するように構成可能なインタフェースおよび制御回路であって、前記コマンドは、前記メモリ素子のコア回路を制御するために復号される、インタフェースおよび制御回路と、
電圧供給を検出するときに前記コマンドを前記第1のモードで復号し、前記電圧供給を検出しないときに前記コマンドを前記第2のモードで復号するように前記インタフェースおよび制御回路を構成するために、前記ポートのうちの選択されたポートに接続されるモード検出器と
を備える、メモリ素子。 - 前記インタフェースおよび制御回路は、
前記コマンドを受け取り、前記モード検出器が前記電圧供給を検出しないときに、復号された同期コマンド信号を生成するために前記ポートに結合される同期回路と、
前記コマンドを受け取り、前記モード検出器が前記電圧供給を検出するときに、復号された非同期コマンド信号を生成するために前記ポートに結合される非同期回路と、
前記復号された同期コマンド信号および前記復号された非同期コマンド信号に応じて、同一の内部制御信号を生成するための制御ロジックと、
検出された前記電圧供給の状態に応じて、前記復号された同期コマンド信号および前記復号された非同期コマンド信号のうちの一方を前記制御ロジックに選択的に渡すためのセレクタと
を含む、請求項20に記載のメモリ素子。 - 前記モード検出器は、
前記電圧供給が所定のレベルに達したときに状態信号を提供するための電圧検出器と、
前記状態信号に応じて、モード信号を第1の論理レベルから第2の論理レベルへと駆動するために、前記選択されたポートに結合されるモードロジックであって、前記選択されたポートは前記電圧供給以外の電圧レベルにバイアスされる、モードロジックと
を含む、請求項21に記載のメモリ素子。 - 前記同期回路は、前記ポートおよび同期コマンドデコーダのそれぞれに結合される同期バッファを含み、前記非同期回路が、前記ポートおよび非同期コマンドデコーダのそれぞれに結合される非同期バッファを含む、請求項22に記載のメモリ素子。
- 前記第1の機能割当および同じタイプの前記第2の機能割当での各ポートは、前記同期バッファおよび前記非同期バッファの両方として機能する共通バッファを有し、前記タイプは、入力タイプおよび出力タイプのうちの一方とすることができる、請求項23に記載のメモリ素子。
- 前記インタフェースおよび制御回路は、前記第1の論理レベルの前記モード信号に応じて、前記ポートのそれぞれを前記同期バッファを介して前記同期コマンドデコーダに選択的に結合し、前記第2の論理レベルの前記モード信号に応じて、前記ポートのそれぞれを前記非同期バッファを介して前記非同期コマンドデコーダに選択的に結合するための信号経路スイッチをさらに含む、請求項24に記載のメモリ素子。
- 前記インタフェースおよび制御回路は、
前記第2の論理レベルの前記モード信号に応じて前記電圧供給を前記同期回路から切り離すための第1の電源スイッチと、
前記第1の論理レベルの前記モード信号に応じて前記電圧供給を前記非同期回路から切り離すための第2の電源スイッチと
をさらに含む、請求項25に記載のメモリ素子。 - 前記モードロジックは、前記状態信号に応じて前記第2の論理レベルの前記モード信号を保持するためのラッチを含む、請求項22に記載のメモリ素子。
- 前記選択されたポートは、前記第1のモードおよび前記第2のモードのうちの一方の通常動作中に使用される機能的ポートである、請求項20に記載のメモリ素子。
- 前記選択されたポートは、前記第1のモードおよび前記第2のモードの両方の通常動作中に使用されない専用ポートである、請求項20に記載のメモリ素子。
- 第1の信号機能割当および第2の信号機能割当を有する制御信号を提供するためのメモリコントローラと、
ポートが電源投入シーケンス中に電源電圧にバイアスされることに応じて、前記第1の信号機能割当および前記第2の信号機能割当のうちの一方を受け取るようにそれぞれ構成可能な複数のメモリ素子であって、前記複数のメモリ素子のそれぞれは、前記ポートが前記電源投入シーケンス中に別の電源電圧にバイアスされるとき、前記第1の信号機能割当および前記第2の信号機能割当のもう一方を受け取るように構成される、複数のメモリ素子と
を備える、メモリシステム。 - 前記ポートは、前記第1の信号機能割当の一部であり、前記第2の機能割当では使用されない、請求項30に記載のメモリシステム。
- 前記ポートは、前記第1の信号機能割当および前記第2の機能割当の両方で使用されない、請求項30に記載のメモリシステム。
- 前記ポートは、前記電源電圧に物理的に結合される、請求項30に記載のメモリシステム。
- 前記ポートは、回路により、前記電源電圧に静的に保たれる、請求項30に記載のメモリシステム。
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