JP2011244016A - モジュールの製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13139—Silver [Ag] as principal constituent
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13155—Nickel [Ni] as principal constituent
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/13164—Palladium [Pd] as principal constituent
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
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- H01L2224/812—Applying energy for connecting
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- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/81399—Material
- H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/81401—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/81411—Tin [Sn] as principal constituent
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- H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/81444—Gold [Au] as principal constituent
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- H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
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Abstract
【課題】半導体素子のサイズによらずに気泡の混入確率が低減されたモジュールの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明のモジュールの製造方法は、絶縁層の一の面に導体のパターンが形成された配線板と、導体上にバンプを介してフェイスダウンで実装された機能素子とを備え、配線板の機能素子が実装された位置の、機能素子の投影面よりも小さく、かつ、バンプが導体に接合された部位よりも内側の領域に、絶縁層の厚さ方向に沿って開口部が形成されており、機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とが封止樹脂によって封止されているモジュールの製造方法であって、配線板の導体上に、バンプを介して機能素子を実装する実装工程と;機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とを、封止樹脂によって封止する樹脂封止工程と;を有することを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】本発明のモジュールの製造方法は、絶縁層の一の面に導体のパターンが形成された配線板と、導体上にバンプを介してフェイスダウンで実装された機能素子とを備え、配線板の機能素子が実装された位置の、機能素子の投影面よりも小さく、かつ、バンプが導体に接合された部位よりも内側の領域に、絶縁層の厚さ方向に沿って開口部が形成されており、機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とが封止樹脂によって封止されているモジュールの製造方法であって、配線板の導体上に、バンプを介して機能素子を実装する実装工程と;機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とを、封止樹脂によって封止する樹脂封止工程と;を有することを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、モジュールの製造方法に関し、特に、配線板に機能素子をフェイスダウンで実装し、機能素子と配線板との隙間を封止樹脂で封止したモジュールの製造方法に関する。
本願は、2007年10月03日に、日本国に出願された特願2007−259467号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、2007年10月03日に、日本国に出願された特願2007−259467号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
近年、電子機器システムは、軽量化、薄型化、短小化、小型化、低消費電力化、多機能化、及び高信頼性化の要求がますます高まってきている。さらに、高集積化に伴い、レントの法則にしたがって、超多端子、かつ狭ピッチの半導体素子などの機能素子が出現してきている。
他方、これらの機能素子を実装する工程では、この超高速、超発熱、多端子かつ狭ピッチの機能素子をいかに高密度に実装し、高信頼性を保障するかという問題に直面し、その実装形態は複雑化及び多様化してきている。
特に、電子機器の高機能化の進展に伴い、使用される部品に関しても高機能化に対応できることが求められている。プリント配線板などの配線板や、その上に搭載される半導体素子などの機能素子に関しても、このことは例外ではない。
この要求に対して、配線板に求められる技術は、回路の高密度化である。その代表的な手段としては、回路のファインピッチ化が挙げられる。特に、LCD(Liquid Crystal Display)用COF(Chip On Film)基板では、すでに35μmピッチといった狭ピッチの回路が実用化されている。
また、上述のように、半導体素子に求められる技術としては、多ピン化が挙げられる。この多ピン化に伴い、電極のピッチも狭ピッチ化が求められている。
半導体素子をプリント配線板に実装する技術として、プリント配線板上に半導体素子をフェイスアップで搭載し、金ワイヤーによって両者の電極を接続するワイヤーボンディングがある。しかしながら、狭ピッチの電極同士の接続では、ワイヤーの撚れによってワイヤー同士が接触し、ショートが生じるといった問題がある。また、半導体素子の外周よりも外側で、ワイヤーによりプリント配線板と半導体素子とが電気的に接続されることから、接続には所定のスペースが必要となり、高密度の実装には向いていない。
半導体素子をプリント配線板に実装する他の技術としては、TAB(Tape Automated Bonding)法(フィルムキャリア法とも呼ばれる)がある。この方法は、自動化に適しており、量産に向くが、TABチップの供給体制に問題がある。そのため、限られたチップしか入手できない。
そこで、上記問題を解決する手段として、半導体素子をフェイスダウンでプリント配線板と接続する、フリップチップボンディングが実用化されている。この方法は、プリント配線板の回路と半導体素子の電極とを直接、電気的に接続することから、ショートが生じ難く、ワイヤーボンディングに比べて狭ピッチ化に対応しやすい。また、接合点は半導体素子の外周よりも内側であるため、省スペースでプリント配線板に実装できる。そのため、高密度実装に向いている技術である。特に、COFやTABのプリント配線板と半導体素子との接合には、主にこの方法が用いられている。
フリップチップボンディングの手法としては、ACF(Anisotropic Conductive Film、異方性導電フィルム)によって接続する方法、半導体素子とプリント配線板との電極を、はんだによって接続する方法、半導体素子とプリント配線板との電極を、導電性ペーストで接続する方法、半導体素子の金バンプとプリント配線板上のすずメッキ層とを、熱圧着で接合する方法、半導体素子の金バンプとプリント配線板上の金メッキ層とを、熱圧着、もしくは超音波印加によって接合する方法、などが挙げられる。
ACFは、電気的な接続と、半導体素子及びプリント配線板間の樹脂封止とが同時に実施できる。しかし、上述したその他の手法の場合、上記電極同士を接合した後に、封止樹脂で半導体素子とプリント配線板との隙間を充填する必要がある。図1は、フリップチップボンディング後の樹脂封止の方法(プリント配線板の表面視図)を示す図であり、図2は、この方法で得られるモジュール100を模式的に示した断面図である。この樹脂封止の方法は、図1に示すように、半導体素子105の一側面105a側に封止樹脂107を塗布し、プリント配線板103の回路の間隙に生じる毛細管現象によって、半導体素子105の下に封止樹脂107を流入させ、図2に示すようにプリント配線板103と半導体素子101との間、及びバンプ104の周囲に封止樹脂107を充填する方法である(非特許文献1参照)。
COF実装の高密度化における材料・工法の問題点とその対策 尾崎史郎ら共著 技術情報協会 2003年、第三章第1節 p.143−p.149
しかしながら、上述した方法で半導体素子105とプリント配線板103との隙間を樹脂封止107で封止する際に、しばしば封止樹脂107に気泡が混入することがある。この気泡が、半導体素子105の電極とプリント配線板103の電極との間に配される場合、この気泡によって、導通抵抗が上昇し、導通不良が生じてしまう虞がある。さらに、この気泡からクラックが発生し、電極間の剥離が生じる虞がある。また、半導体素子105、プリント配線板103、及び封止樹脂107の熱膨張係数の差によって、この気泡から次第に剥離が進行し、電極の剥離が生じる虞がある。
気泡が混入することなく封止樹脂107を充填するためには、プリント配線103板上における半導体素子105の投影面積は、できる限り小さいことが好ましい。その理由は、半導体素子105が小さいほど、封止領域も小さくて済むために、気泡が混入する確率を低減できるという点と、半導体素子105の脇に封止樹脂107を塗布して流入させるに当たって、塗布した場所から流入させる必要のある場所までの距離が小さくて済むという点とにある。
しかしながら、特に高機能化が要求されるような半導体素子においては、電極数を多くする必要から、半導体素子を小型化することが難しく、上述のような課題を克服する必要がある。
本発明は、上述の背景技術に鑑みてなされたものであり、半導体素子のサイズによらずに気泡の混入確率が低減されたモジュールの製造方法の提供を目的とする。
本発明は、上記課題を解決して係る目的を達成するために以下の手段を採用した。
(1)本発明に係るモジュールの製造方法は、絶縁層の一の面に導体のパターンが形成された配線板と、前記導体上にバンプを介してフェイスダウンで実装された機能素子とを備え、前記配線板の前記機能素子が実装された位置の、前記機能素子の投影面よりも小さく、かつ、前記バンプが前記導体に接合された部位よりも内側の領域に、前記絶縁層の厚さ方向に沿って開口部が形成されており、前記機能素子及び前記配線板間の隙間と、前記開口部とが封止樹脂によって封止されているモジュールの製造方法であって、前記配線板の前記導体上に、前記バンプを介して前記機能素子を実装する実装工程と;前記機能素子及び前記配線板間の隙間と、前記開口部とを、前記封止樹脂によって封止する樹脂封止工程と;を有する。
(1)本発明に係るモジュールの製造方法は、絶縁層の一の面に導体のパターンが形成された配線板と、前記導体上にバンプを介してフェイスダウンで実装された機能素子とを備え、前記配線板の前記機能素子が実装された位置の、前記機能素子の投影面よりも小さく、かつ、前記バンプが前記導体に接合された部位よりも内側の領域に、前記絶縁層の厚さ方向に沿って開口部が形成されており、前記機能素子及び前記配線板間の隙間と、前記開口部とが封止樹脂によって封止されているモジュールの製造方法であって、前記配線板の前記導体上に、前記バンプを介して前記機能素子を実装する実装工程と;前記機能素子及び前記配線板間の隙間と、前記開口部とを、前記封止樹脂によって封止する樹脂封止工程と;を有する。
上記(1)に記載のモジュールの製造方法によれば、開口部が形成されているため、機能素子と配線板とが重なる領域が小さくなり、気泡が混入する確率を低減させることが可能である。仮に気泡が封止樹脂中に混入した場合でも、この気泡は開口部から除去できる。したがって、歩止りの向上が図れ、封止樹脂中に気泡の存在し難いモジュールを簡便に得ることができる。また、気泡の有無を開口部から確認しながら封止樹脂による封止ができるため、作業性の向上が図れる。
(2)前記樹脂封止工程で、前記開口部から前記絶縁層の他面側に突出し、かつ、前記絶縁層の他面側に、前記開口部よりも広い領域まで拡がった部位を形成するように、前記封止樹脂を注入するのが好ましい。
上記(2)の場合、部位を形成することにより、外的衝撃に対する耐性の向上を図った、モジュールを作製できる。
(3)前記樹脂封止工程で、前記機能素子の、少なくとも一組の対向する両脇から封止樹脂を注入するのが好ましい。
上記(3)の場合、両脇から注入された封止樹脂が機能素子の下で出会う位置で気泡が封入される虞があるが、開口部から、この気泡を取り除くことができる。
(4)前記樹脂封止工程で、前記開口部から封止樹脂を注入するのが好ましい。
上記(4)の場合、開口部から機能素子の四辺に向かって封止樹脂が流れるため、気泡が混入した場合であっても、この気泡を半導体素子の四辺で排出することができる。また、開口部に封止樹脂を配置できるため、封止樹脂を適切な位置に配置する時の位置決めが容易となる。
(5)前記樹脂封止工程で、前記絶縁層の他の面側を前記絶縁層の一の面側よりも陰圧として、前記封止樹脂を注入するのが好ましい。
上記(5)の場合、機能素子の少なくとも一組の対向する両脇から開口部に封止樹脂が流入し、封止樹脂が機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とに充填されるのを助長することができる。そのため、製造時間の短縮化を図ることができる。
(6)前記樹脂封止工程で、前記絶縁層の一の面側を前記絶縁層の他の面側よりも陰圧として、前記封止樹脂を注入するのが好ましい。
上記(6)の場合、封止樹脂が開口部から機能素子の四辺に流入し、機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とが封止樹脂で充填されるのを助長することができる。そのため、製造時間の短縮化を図ることができる。
(7)前記樹脂封止工程は、前記配線板を、前記配線板の他の面側がステージ側になるように、吸引孔が複数設けられた吸着ステージに載置する載置工程と;前記吸引孔から吸引することで前記配線板を前記吸着ステージ上に固定する固定工程と;吸引された状態で、前記機能素子の少なくとも一組の対向する両脇に前記封止樹脂を塗布し、前記機能素子及び前記配線板間の隙間と、前記開口部とを前記封止樹脂で充填する充填工程と;を有するのが好ましい。
上記(7)の場合、吸引することで、簡便に前記絶縁層の他の面側を前記絶縁層の一の面側よりも陰圧とすることができる。また、効果的に気泡を取り除くことができる。
(8)前記ステージの、前記開口部に対向する位置に、凹部が設けられているのが好ましい。
上記(8)の場合、封止樹脂を充填する際に、この封止樹脂がステージに付着することを防止できる。
(9)前記樹脂封止工程は、前記配線板を、前記機能素子がステージ側になるように、吸引孔が複数設けられた吸着ステージに載置する載置工程と;前記吸引孔から吸引することで前記配線板を前記吸着ステージ上に固定する固定工程と; 吸引された状態で前記開口部から封止樹脂を塗布し、前記機能素子及び前記配線板間の隙間と、前記開口部とを前記封止樹脂で充填する充填工程と;を有するのが好ましい。
上記(9)の場合、吸引することで、簡便に絶縁層の一の面側を絶縁層の他の面側よりも陰圧とすることができる。また、効果的に気泡を取り除くことができる。
(10)前記ステージの、前記機能素子に対抗する位置に、凹部が設けられているのが好ましい。
上記(10)の場合、機能素子を凹部内に収納することができ、配線板とステージとの密着性を高めることができる。
本発明によれば、用いる機能素子のサイズによらず、気泡の混入する確率が低減されたモジュール等が得られる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
[モジュール]
<第1実施形態>
図3は、本発明の第1実施形態に係るモジュール10A(10)を模式的に示した断面図である。同モジュール10は、絶縁層1の一の面1aに導体2がパターン形成された配線板3と、導体2上にバンプ4を介してフェイスダウンで実装された機能素子5とから概略構成されている。配線板3の機能素子5が実装される位置の、機能素子5の投影面よりも小さく、かつ、電極4が導体2に接合される部位よりも内側の領域に、開口部6が形成されている。また、機能素子5及び配線板3間の隙間と、開口部6とは、封止樹脂7によって封止されている。
<第1実施形態>
図3は、本発明の第1実施形態に係るモジュール10A(10)を模式的に示した断面図である。同モジュール10は、絶縁層1の一の面1aに導体2がパターン形成された配線板3と、導体2上にバンプ4を介してフェイスダウンで実装された機能素子5とから概略構成されている。配線板3の機能素子5が実装される位置の、機能素子5の投影面よりも小さく、かつ、電極4が導体2に接合される部位よりも内側の領域に、開口部6が形成されている。また、機能素子5及び配線板3間の隙間と、開口部6とは、封止樹脂7によって封止されている。
絶縁層1は、例えば、ポリイミド等の樹脂や、SiO2、BCB、Al2O3、結晶化ガラス等からなる。電気的特性及び機械的特性の信頼性が高くなるという利点からはガラスエポキシが好ましい。ローコストとなる利点からは紙フェノールの片面配線板が好ましい。さらに、高耐熱性からは、BTレジンが好ましい。高速素子実装には、PPEやポリイミドが特に好ましい。
導体2としては、例えば、Cu、Al、Au、及びNiや、これらの合金など様々な材料が適用できる。
配線板3としては、様々な配線板を適用することができる。その例としては、プリント配線板、有機配線板、リジッド配線板、紙基材銅張積層板、ガラス基材銅張積層板、耐熱熱可塑性配線板、コンポジット銅張積層板、フレキシブル基板、ポリエステル銅張フィルム、ガラス布・エポキシ銅張積層板、ポリイミド銅張フィルム、無機配線板、セラミック配線板、アルミナ系配線板、高熱伝導系配線板、低誘電率系配線板、低温焼結配線板、金属配線板、金属ベース配線板、メタルコア配線板、ホーロー配線板、複合配線板、抵抗・コンデンサ内臓配線板、樹脂/セラミック配線板、樹脂/シリコン配線板、ガラス基板、シリコン基板、ダイヤモンド基板、紙フェノール基板、紙エポキシ基板、ガラスコンポジット基板、ガラスエポキシ基板、テフロン(登録商標)基板、アルミナ基板、コンポジット基板、有機材料と無機材料との複合基板等が挙げられる。また、その構造は、片面基板、両面基板、2層基板、多層基板、ビルドアップ基板などでもよい。
機能素子5としては、様々な機能素子を適用することができる。その例としては、半導体素子、集積回路、抵抗器、コンデンサ等の電子部品、半導体集積回路素子、電子機能素子、光機能素子、量子化機能素子、トンネル効果や光のメモリ効果などを利用する電子素子や光素子、分子集合体や人工超格子の量子効果あるいは生体分子構造を利用するスイッチング、記憶、増幅、変換などの回路素子、及び物質検出素子等が挙げられる。また、その構造は、ベアチップ、シングルチップパッケージ、マルチチップパッケージなどでもよい。
機能素子5と導体2とを電気的に接続するバンプ4としては、様々なものが適用できる。その例としては、金バンプや、はんだバンプ等が挙げられ、これらはAg、Ni、Cuなどを材質とするピラーを含んでいてもよい。また、材料は、硬ろう、軟ろうであってもよく、その例として、Mgろう、Alろう、Cu−Pろう、Auろう、Cu−Cu−Znろう、Pdろう、Niろう、Ag−Mnろう、Sn−Pb、Sn−Zn、Sn−Ag、Sn−Sb、Cd−Zn、Pb−Ag、Cd−Ag、Zn−Al、Sn−Bi等が挙げられる。
導体2の表面には、例えば、すずや金等によるメッキが施されていてもよい。この場合、メッキと、機能素子5の電極に配されたバンプ4とが接合される。このメッキは、バンプ4とのぬれ性等に応じて、適宜選択して用いることができる。
樹脂封止7としては、様々なものが適用できる。例えば、クレゾール、ノボラック系、ビスフェノールA型系、及び脂環型系などのエポキシ樹脂等が挙げられる。封止樹脂7には、さらに、硬化剤、 触媒(硬化促進剤)、カップリング材、離型材、難燃助剤、着色剤、低応力添加剤、密着性付与剤、可塑性付与剤、シリカなどのフィラー(充填剤)などが含まれていてもよい。
本発明のモジュール10には、絶縁層1の機能素子5が実装される位置の、機能素子5の投影面よりも小さく、かつ、電極が導体2に接合される部位よりも内側の領域に、開口部6が形成されている。そのため、配線板3と機能素子5とが重なる領域が小さくなり、封止樹脂7に気泡が混入する確率を低減させることができる。ゆえに、気泡による導通抵抗の上昇や、配線板3と機能素子5との剥離の生じ難いモジュール10を提供できる。また、気泡の混入の有無を、開口部6から目視で簡便に確認できる。そのため、保管中や輸送前後のモジュール10、または使用中のモジュール10において、封止樹脂7中の気泡の有無を容易に把握することができる。仮に封止樹脂7中に気泡が混入し、気泡の膨張、及び封止樹脂7の膨張が生じた場合でも、開口部6により、この膨張による応力を緩和することができる。
なお、絶縁層1(例えば、フィルム状の絶縁体(ベースフィルム)等)の一の面1aに接着層を形成し、さらにその上に導体2を形成した構造とし、バンプ4が接合される領域以外は絶縁体により被覆されて保護されるような配線板3であっても、本発明は適用できる。
また、導体2が、機能素子5の下のかなり内側まで伸びている場合には、導体2も貫通する開口部が形成されていることが望ましい。一方、機能素子5の下の外側で止まっている場合には、導体2は貫通しなくてもよい。
<第2実施形態>
図4は、本発明の第2実施形態に係るモジュール10B(10)を模式的に示した断面図である。本実施形態のモジュール10Bが第1実施形態のモジュール10Aと異なる点は、封止樹脂7が、開口部6から絶縁層1の他面1b側に突出し、かつ、開口部6よりも広い領域まで広がった部位7aを有する点である。
図4は、本発明の第2実施形態に係るモジュール10B(10)を模式的に示した断面図である。本実施形態のモジュール10Bが第1実施形態のモジュール10Aと異なる点は、封止樹脂7が、開口部6から絶縁層1の他面1b側に突出し、かつ、開口部6よりも広い領域まで広がった部位7aを有する点である。
このように封止樹脂7が部位7aを有していることで、モジュール10Bに外的衝撃が加わった際には、その衝撃がこの部位7aにより緩和される。そのため、外的衝撃に対する耐性が向上する。ゆえに、本実施形態のモジュール10Bを用いれば、外的衝撃による損傷が生じ難い電子機器等を提供できる。
図5は、本発明の配線板3を模式的に示した断面図である。本発明の配線板3は、絶縁層1の一の面1aに導体2のパターンが形成され、フェイスダウンで機能素子5が実装される。また、機能素子5の投影面よりも小さく、かつ、機能素子5が導体2と電気的に接合される部位よりも内側の領域に、絶縁層1の厚さ方向に沿って開口部6が配されている。
絶縁層1、導体2、及び開口部6は、上述したモジュール10と同様である。
本発明の配線板3によれば、機能素子5が実装される位置の、機能素子5の投影面よりも小さく、かつ、バンプ4が接合される部位よりも内側の領域に、開口部6が絶縁層1に形成されている。そのため、本発明の配線板3に機能素子5を実装し、封止樹脂7で機能素子5及び配線板3間の隙間と、開口部6とを封止する時に、仮に気泡が封止樹脂7中に混入しても、この気泡は開口部6から除去できる。したがって、本発明の配線板3を用いれば、機能素子5と配線板3との間の封止樹脂7中に、気泡の存在し難いモジュールを簡便に得ることができる。また、開口部6から気泡の有無を確認しながら封止樹脂7の封止ができるため、歩止りの向上が図れる。
[モジュールの製造方法]
本発明のモジュールの製造方法について、その工程を説明する。
図6A,6B,6C、図7A,7B、図8A,8B,8C、及び図9は、本発明のモジュールの製造方法(第一の製造方法)を模式的に示す工程図である。図6Aと図7Aは上面図、図6Bと図7Bは、それぞれ図6A,7AにおけるL−L断面図である。
本発明のモジュールの製造方法について、その工程を説明する。
図6A,6B,6C、図7A,7B、図8A,8B,8C、及び図9は、本発明のモジュールの製造方法(第一の製造方法)を模式的に示す工程図である。図6Aと図7Aは上面図、図6Bと図7Bは、それぞれ図6A,7AにおけるL−L断面図である。
まず、図6Aに示すように、絶縁層1の一の面1aに導体2がパターン形成された配線板3と、機能素子5とを準備する。
配線板3は、導体2を、例えばメッキ法、印刷法、フォトリソグラフィー法等、従来公知の方法を用いて、絶縁層1の一の面1aに形成することで得られる。必要に応じて、導体2の表面にメッキ処理を行なう。配線板3の、機能素子5が実装されるエリア外は、ソルダーレジスト8によって導体2を保護してもよい。本実施形態では、ソルダーレジスト8を配した場合について記載する。配線板3(絶縁層1)には、機能素子5が実装される位置の、機能素子5の投影面よりも小さく、かつ、バンプが導体2に接合される部位よりも内側の領域に、開口部6を形成する。図6Cに、配線板3上に機能素子5を投影した場合の、機能素子5の投影面5aの位置を破線で示す。
一方、機能素子5の電極には、バンプを形成する。
配線板3は、導体2を、例えばメッキ法、印刷法、フォトリソグラフィー法等、従来公知の方法を用いて、絶縁層1の一の面1aに形成することで得られる。必要に応じて、導体2の表面にメッキ処理を行なう。配線板3の、機能素子5が実装されるエリア外は、ソルダーレジスト8によって導体2を保護してもよい。本実施形態では、ソルダーレジスト8を配した場合について記載する。配線板3(絶縁層1)には、機能素子5が実装される位置の、機能素子5の投影面よりも小さく、かつ、バンプが導体2に接合される部位よりも内側の領域に、開口部6を形成する。図6Cに、配線板3上に機能素子5を投影した場合の、機能素子5の投影面5aの位置を破線で示す。
一方、機能素子5の電極には、バンプを形成する。
図6Bに示すように、配線板3の断面構造は、下から順に、絶縁層1、導体2、ソルダーレジスト8の多層構造となっている。
次に、図7A及び図7Bに示すように、機能素子5と配線板3(導体2)とが、バンプ4を介して電気的に接続されるように、配線板3上に、機能素子5を実装する。
機能素子5のバンプ4と導体2との電気的な接続は、例えばバンプ4として金バンプ4を用い、導体2の表面をすずメッキした場合、金とすずとが共晶し、両者が接合することで得られる。接合方法については、導体2の表面の処理を金メッキとし、金バンプ4と導体2の金メッキとを熱圧着、もしくは、超音波を印加して接合してもよい。また、金はんだによる接合、C4技術(Controlled Collapse Chip Connection)による接合でもよい。
次に、図8Aに示すように、機能素子5が実装された配線板3を、吸引用の孔(吸引孔)22が複数設けられたステージ21に載置する。ステージ21は、配線板3の開口部6周辺を凹ませた凹部21aを有する。この凹部21aは、その後の封止樹脂の塗布によって、封止樹脂がステージ21に付着することを防止する。
機能素子5が実装された配線板3をステージ21に載置する際、絶縁層1の他の面1bと、ステージ21の凹部21aが形成された面21bとが接するようにする。
その後、図8Aに矢印で示す方向に、吸引孔22から雰囲気ガスを吸引することで、機能素子5が実装された配線板3を、ステージ21上に固定する。このように吸引することで、機能素子5が実装された絶縁層1の一の面1aに対して、絶縁層1の他の面1b側、及びステージ21の凹部21aが陰圧となり、雰囲気ガスの流れは、機能素子5側からステージ21の凹部21a側に向かうことになる。
機能素子5が実装された配線板3をステージ21に載置する際、絶縁層1の他の面1bと、ステージ21の凹部21aが形成された面21bとが接するようにする。
その後、図8Aに矢印で示す方向に、吸引孔22から雰囲気ガスを吸引することで、機能素子5が実装された配線板3を、ステージ21上に固定する。このように吸引することで、機能素子5が実装された絶縁層1の一の面1aに対して、絶縁層1の他の面1b側、及びステージ21の凹部21aが陰圧となり、雰囲気ガスの流れは、機能素子5側からステージ21の凹部21a側に向かうことになる。
次に、図8Bに示すように、機能素子5の配線板3と対向する辺5a,5bの両脇に、封止樹脂7を塗布する。すると、封止樹脂7は、図8Bに示す矢印の方向の気流に従って、機能素子5の下に侵入する。しばらくこの状態で放置することで、図8Cに示すように、機能素子5及び配線板3間の隙間9と、開口部6と、バンプ4の周辺とを、封止樹脂7で充填することができる。
用いる封止樹脂7の粘度としては、例えば、常温での粘度が0.5Pa・s以上、3.0Pa・s以下である。
用いる封止樹脂7の粘度としては、例えば、常温での粘度が0.5Pa・s以上、3.0Pa・s以下である。
次に、図9に示すように、ステージ21の吸引を解除し、ステージ21から機能素子5が実装された配線板3を取り除くことで、本発明のモジュール10が得られる。
本発明のモジュールの第一の製造方法によれば、配線板3(絶縁層1)に開口部6が形成されているため、機能素子5と配線板3とが重なる領域が小さくなり、気泡が混入する確率を低減できる。仮に気泡が封止樹脂7中に混入しても、この気泡は開口部6から除去できる。したがって、歩止りの向上が図れ、封止樹脂7中に気泡の存在し難いモジュール10を簡便に作製できる。また、気泡の有無を開口部6から確認しながら封止樹脂7による封止ができるため、作業性の向上が図れる。
また、封止樹脂7を機能素子5の脇から注入することで、封止樹脂7が機能素子5の下で出会う際に気泡が封入される虞があるが、本発明のモジュールの製造方法によれば、開口部6から、この気泡を取り除くことができる。
さらに吸引した状態で封止樹脂7を充填することで、簡便に絶縁層1の他の面1b側を絶縁層1の一の面1a側よりも陰圧とすることができ、封止樹脂7が機能素子5の両辺5a,5bから開口部6に流入し、機能素子5及び配線板3間の隙間9と、開口部6とが封止樹脂7で充填されるのを助長することができる。ゆえに、封止樹脂7の充填に要する時間の短縮化を図ることができる。特に、吸引することで封止樹脂7を広範囲に効率よく流入させることができる。そのため、機能素子5が大型となった場合においても、本発明の製造方法を適用することで、容易に封止樹脂7中に気泡が混入し難いモジュールを作製することができる。また、真空状態で吸入をし、脱気すれば、より効果的に気泡の除去を行なうことができる。
また、封止樹脂7を機能素子5の脇から注入することで、封止樹脂7が機能素子5の下で出会う際に気泡が封入される虞があるが、本発明のモジュールの製造方法によれば、開口部6から、この気泡を取り除くことができる。
さらに吸引した状態で封止樹脂7を充填することで、簡便に絶縁層1の他の面1b側を絶縁層1の一の面1a側よりも陰圧とすることができ、封止樹脂7が機能素子5の両辺5a,5bから開口部6に流入し、機能素子5及び配線板3間の隙間9と、開口部6とが封止樹脂7で充填されるのを助長することができる。ゆえに、封止樹脂7の充填に要する時間の短縮化を図ることができる。特に、吸引することで封止樹脂7を広範囲に効率よく流入させることができる。そのため、機能素子5が大型となった場合においても、本発明の製造方法を適用することで、容易に封止樹脂7中に気泡が混入し難いモジュールを作製することができる。また、真空状態で吸入をし、脱気すれば、より効果的に気泡の除去を行なうことができる。
図10A〜10Dは、本発明のモジュールの製造方法の他の一例(第二の製造方法)を模式的に示す断面工程図である。
配線板3上に機能素子5を実装する工程は、上述した第一の製造方法と同様であり、図6A,6B,6C及び図7A,7Bに記載されている工程と同様であるため省略する。
配線板3上に機能素子5を実装する工程は、上述した第一の製造方法と同様であり、図6A,6B,6C及び図7A,7Bに記載されている工程と同様であるため省略する。
まず、図10Aに示すように、機能素子5が実装された配線板3を第一の製造方法からは表裏反転し、機能素子5がステージ21側になるように、吸引孔22が複数設けられたステージ21に載置する。ステージ21は、少なくとも機能素子5と対向する部位を凹ませた凹部21aを有する。この凹部21aは、機能素子5を凹部21a内に収納することができ、配線板3とステージ21との密着性を高めることができる。
その後、図10Aに矢印で示す方向に、吸引孔22から雰囲気ガスを吸引することにより、機能素子5が実装された配線板3をステージ21上に固定する。このように吸引することで、絶縁層1の他の面1b側、及び開口部6に対して、絶縁層1の一の面1a側、及びステージ21の凹部21aが陰圧となり、雰囲気ガスの流れは、配線板3の開口部6からステージ21の凹部21a側に向かうことになる。
その後、図10Aに矢印で示す方向に、吸引孔22から雰囲気ガスを吸引することにより、機能素子5が実装された配線板3をステージ21上に固定する。このように吸引することで、絶縁層1の他の面1b側、及び開口部6に対して、絶縁層1の一の面1a側、及びステージ21の凹部21aが陰圧となり、雰囲気ガスの流れは、配線板3の開口部6からステージ21の凹部21a側に向かうことになる。
次に、図10Bに示すように、配線板3の開口部6に封止樹脂7を塗布する。
すると、封止樹脂7は、図中の矢印に示す方向の気流に従って機能素子5と導体2との間に侵入する。しばらくこの状態で放置することで、図10Cに示すように、機能素子5及び配線板3間の隙間と、開口部6と、バンプ4の周辺とを、封止樹脂7で充填することができる。
用いる封止樹脂の粘度としては、例えば、常温での粘度が0.5Pa・s以上、7.0Pa・s以下である。
すると、封止樹脂7は、図中の矢印に示す方向の気流に従って機能素子5と導体2との間に侵入する。しばらくこの状態で放置することで、図10Cに示すように、機能素子5及び配線板3間の隙間と、開口部6と、バンプ4の周辺とを、封止樹脂7で充填することができる。
用いる封止樹脂の粘度としては、例えば、常温での粘度が0.5Pa・s以上、7.0Pa・s以下である。
次に、図10Dに示すように、ステージ21の吸引を解除し、ステージ21から機能素子5が実装された配線板3を取り除くことで、本発明のモジュール10が得られる。
本発明のモジュールの第二の製造方法によれば、開口部6に封止樹脂7を配置できるため、機能素子5の脇に封止樹脂7を置く第一の製造方法に比べ、封止樹脂7を適切な位置に配置する際の位置決めが容易である。また、封止樹脂7を機能素子5よりも鉛直方向で上側に配置して充填するため、気泡が上方向に移動する。そのため、気泡は、バンプ4と導体2との電気的な接続部分から離れた部位に移動し、開口部6から容易に除去できる。したがって、歩止りの向上が図れ、封止樹脂7中に気泡の存在し難いモジュール10を簡便に作製できる。また、気泡の有無を開口部6から確認しながら封止樹脂7による封止ができるため、作業性の向上が図れる。
また、吸引した状態で封止樹脂7を充填することで、簡便に絶縁層1の一の面1a側を絶縁層1の他の面1b側よりも陰圧とすることができる。そのため、封止樹脂7が開口部6から機能素子5の両辺5a,5bに流入し、機能素子5及び配線板3間の隙間9と、開口部6とが封止樹脂7で充填されるのを助長することができる。ゆえに、封止樹脂7の充填に要する時間の短縮化を図ることができる。
また、吸引した状態で封止樹脂7を充填することで、簡便に絶縁層1の一の面1a側を絶縁層1の他の面1b側よりも陰圧とすることができる。そのため、封止樹脂7が開口部6から機能素子5の両辺5a,5bに流入し、機能素子5及び配線板3間の隙間9と、開口部6とが封止樹脂7で充填されるのを助長することができる。ゆえに、封止樹脂7の充填に要する時間の短縮化を図ることができる。
特に、本実施形態の第二の製造方法では、第一の製造方法と比較し、封止樹脂7の塗布時間を低減させることができる。第一の製造方法では、封止樹脂7が機能素子5と導体2との間に侵入した後に、機能素子5上を拡がり、開口部6までの隙間が充填される。そのめ、開口部6までの範囲を充填するのに必要な量の封止樹脂が移動するまで、時間を要する。これに対し、第二の製造方法では、封止樹脂7は、機能素子5上を拡がった後、機能素子5と導体2との間に侵入していく。そのため、第一の製造方法よりも、封止樹脂7の充填時間を短縮させることができる。
また、吸引することで封止樹脂7を広範囲に簡便に流入させることができる。そのため、機能素子5が大型となった場合においても、本発明の製造方法を適用することで、容易に封止樹脂7中に気泡が混入し難いモジュールを作製することができる。また、真空状態で吸入をし、脱気すれば、より効果的に気泡の除去を行なうことができる。
また、吸引することで封止樹脂7を広範囲に簡便に流入させることができる。そのため、機能素子5が大型となった場合においても、本発明の製造方法を適用することで、容易に封止樹脂7中に気泡が混入し難いモジュールを作製することができる。また、真空状態で吸入をし、脱気すれば、より効果的に気泡の除去を行なうことができる。
上述した第一の製造方法、及び第二の製造方法において、樹脂封止工程で、開口部6から絶縁層1の他面1b側に突出し、かつ、絶縁層1の他面1b側に、開口部6よりも広い領域まで拡がった部位7aを形成するように、封止樹脂7を注入するのが好ましい。部位7aは、封止樹脂7を充填する時間や、雰囲気ガスを吸引する強さ等を調節することで、簡便に形成することができる。部位7aを形成することにより、外的衝撃に対する耐性の向上を図った、第2実施形態のモジュール10Bを作製できる。
封止樹脂7を、機能素子5及び配線板3間の隙間と、開口部6とに充填して封止する方法は、上述した方法以外に、様々なものが適用できる。例えば、毛細管現象などを利用して注入する方法や、封止樹脂7を直接埋め込む方法だけでなく、例えば、キャスティング法、コーティング法、ディッピング法、ポッティング法、流動侵漬法等によって封止してもよい。開口部6が設けられていることで、より効果的に気泡の除去が行なる。
[実施例1]
図3に示す本発明のモジュールを作製した。
まず、40μm厚のポリイミドを絶縁層とし、厚さ18μmの導体をパターン形成して回路としたプリント配線板を作製した。次に、絶縁層の機能素子が実装される位置に、14.5mm×14.5mmの開口部を形成した。その後、開口部が形成された配線板上に、高さ15μmの金バンプが電極に形成された、外形15mm×15mmの半導体素子を実装した。次いで、半導体素子が実装された配線板を、図6Aに示すように、吸引孔が複数設けられたステージに載置し、図8Aに矢印で示す方向に吸引孔から吸引することで、配線板をステージ上に固定した。次に、図8Bに示すように、配線板上、及び半導体素子の配線板と対向する辺の両脇に、常温での粘度が1.5Pa・sの封止樹脂を塗布した。すると、封止樹脂は、図8Bに示す矢印の方向の気流に従って、機能素子の下に侵入し、しばらくこの状態で放置することで、図8Cに示すように、機能素子と配線板との間、開口部、及び金バンプの周辺が封止樹脂で充填され、図3に示す実施例のモジュールが得られた。
上記実施例のモジュールを5サンプル作製し、目視によりそれぞれの封止樹脂中における気泡の混入を確認した。その結果、5サンプルとも、封止樹脂内に気泡の混入は観察されなかった。
図3に示す本発明のモジュールを作製した。
まず、40μm厚のポリイミドを絶縁層とし、厚さ18μmの導体をパターン形成して回路としたプリント配線板を作製した。次に、絶縁層の機能素子が実装される位置に、14.5mm×14.5mmの開口部を形成した。その後、開口部が形成された配線板上に、高さ15μmの金バンプが電極に形成された、外形15mm×15mmの半導体素子を実装した。次いで、半導体素子が実装された配線板を、図6Aに示すように、吸引孔が複数設けられたステージに載置し、図8Aに矢印で示す方向に吸引孔から吸引することで、配線板をステージ上に固定した。次に、図8Bに示すように、配線板上、及び半導体素子の配線板と対向する辺の両脇に、常温での粘度が1.5Pa・sの封止樹脂を塗布した。すると、封止樹脂は、図8Bに示す矢印の方向の気流に従って、機能素子の下に侵入し、しばらくこの状態で放置することで、図8Cに示すように、機能素子と配線板との間、開口部、及び金バンプの周辺が封止樹脂で充填され、図3に示す実施例のモジュールが得られた。
上記実施例のモジュールを5サンプル作製し、目視によりそれぞれの封止樹脂中における気泡の混入を確認した。その結果、5サンプルとも、封止樹脂内に気泡の混入は観察されなかった。
[比較例1]
図11A〜11Cに示す方法で、比較例1のモジュール110を作製した。
まず、図11Aに示すように、40μm厚のポリイミドを絶縁層111とし、厚さ18μmの導体112をパターン形成して回路としたプリント配線板113を作製した。次に、このプリント配線板113上に、高さ15μmの金バンプ114が電極に形成された、外形15mm×15mmの半導体素子115を実装した。次いで、図11Bに示すように、半導体素子115の1辺115aの脇に、粘度1.5Pa・sの封止樹脂117を塗布した。
すると、図11Cに示すように、プリント配線板113の導体112間の毛細管現象により、直近のバンプ114a周辺を封止樹脂117により封止することには成功したが、対向するもう片方の1辺115b側までは、封止樹脂117が到達しなかった。
図11A〜11Cに示す方法で、比較例1のモジュール110を作製した。
まず、図11Aに示すように、40μm厚のポリイミドを絶縁層111とし、厚さ18μmの導体112をパターン形成して回路としたプリント配線板113を作製した。次に、このプリント配線板113上に、高さ15μmの金バンプ114が電極に形成された、外形15mm×15mmの半導体素子115を実装した。次いで、図11Bに示すように、半導体素子115の1辺115aの脇に、粘度1.5Pa・sの封止樹脂117を塗布した。
すると、図11Cに示すように、プリント配線板113の導体112間の毛細管現象により、直近のバンプ114a周辺を封止樹脂117により封止することには成功したが、対向するもう片方の1辺115b側までは、封止樹脂117が到達しなかった。
[比較例2]
図12A〜12Cに示す方法で、比較例2のモジュール120を作製した。
まず、図12Aに示すように、比較例1と同様に、プリント配線板123上に、半導体素子125を実装した。121次いで、図12Bに示すように、半導体素子125の対向する両辺125a,125bの脇に、粘度1.5Pa・sの封止樹脂127を塗布した。
すると、図12Cに示すように、導体122間の毛細管現象により、両辺直近のバンプ124周辺を、封止樹脂127により封止することに成功した。しかしながら、半導体素子125とプリント配線板123との間の隙間129が残り、封止樹脂127に空気が封入される形となり、半導体素子125の下方に気泡が混入する結果となった。
図12A〜12Cに示す方法で、比較例2のモジュール120を作製した。
まず、図12Aに示すように、比較例1と同様に、プリント配線板123上に、半導体素子125を実装した。121次いで、図12Bに示すように、半導体素子125の対向する両辺125a,125bの脇に、粘度1.5Pa・sの封止樹脂127を塗布した。
すると、図12Cに示すように、導体122間の毛細管現象により、両辺直近のバンプ124周辺を、封止樹脂127により封止することに成功した。しかしながら、半導体素子125とプリント配線板123との間の隙間129が残り、封止樹脂127に空気が封入される形となり、半導体素子125の下方に気泡が混入する結果となった。
これらの結果から、本発明によれば、機能素子が15mm×15mmと大型であっても、封止樹脂中に気泡が混入することなく、機能素子と配線板との間、開口部、及びバンプ周辺を封止できることが確認された。
本発明によれば、大型の機能素子を搭載した場合であっても、気泡の混入確率が低減されたモジュールが得られる。
1 絶縁層
2 導体
3 配線板
4 バンプ
5 機能素子
6 開口部
7 封止樹脂
8 ソルダーレジスト
10(10A,10B) モジュール
21 ステージ
22 吸引孔
2 導体
3 配線板
4 バンプ
5 機能素子
6 開口部
7 封止樹脂
8 ソルダーレジスト
10(10A,10B) モジュール
21 ステージ
22 吸引孔
Claims (10)
- 絶縁層の一の面に導体のパターンが形成された配線板と、前記導体上にバンプを介してフェイスダウンで実装された機能素子とを備え、前記配線板の前記機能素子が実装された位置の、前記機能素子の投影面よりも小さく、かつ、前記バンプが前記導体に接合された部位よりも内側の領域に、前記絶縁層の厚さ方向に沿って開口部が形成されており、前記機能素子及び前記配線板間の隙間と、前記開口部とが封止樹脂によって封止されているモジュールの製造方法であって、
前記配線板の前記導体上に、前記バンプを介して前記機能素子を実装する実装工程と;
前記機能素子及び前記配線板間の隙間と、前記開口部とを、前記封止樹脂によって封止する樹脂封止工程と;
を有することを特徴とするモジュールの製造方法。 - 請求項1に記載のモジュールの製造方法であって、
前記樹脂封止工程で、前記開口部から前記絶縁層の他面側に突出し、かつ、前記絶縁層の他面側に、前記開口部よりも広い領域まで拡がった部位を形成するように、前記封止樹脂を注入することを特徴とするモジュールの製造方法。 - 請求項1に記載のモジュールの製造方法であって、
前記樹脂封止工程で、前記機能素子の、少なくとも一組の対向する両脇から封止樹脂を注入することを特徴とするモジュールの製造方法。 - 請求項1に記載のモジュールの製造方法であって、
前記樹脂封止工程で、前記開口部から封止樹脂を注入することを特徴とするモジュールの製造方法。 - 請求項3に記載のモジュールの製造方法であって、前記樹脂封止工程で、前記絶縁層の他の面側を前記絶縁層の一の面側よりも陰圧として、前記封止樹脂を注入することを特徴とするモジュールの製造方法。
- 請求項4に記載のモジュールの製造方法であって、前記樹脂封止工程で、前記絶縁層の一の面側を前記絶縁層の他の面側よりも陰圧として、前記封止樹脂を注入することを特徴とするモジュールの製造方法。
- 請求項5に記載のモジュールの製造方法であって、
前記樹脂封止工程は、
前記配線板を、前記配線板の他の面側がステージ側になるように、吸引孔が複数設けられた吸着ステージに載置する載置工程と;
前記吸引孔から吸引することで前記配線板を前記吸着ステージ上に固定する固定工程と;
吸引された状態で、前記機能素子の少なくとも一組の対向する両脇に前記封止樹脂を塗布し、前記機能素子及び前記配線板間の隙間と、前記開口部とを前記封止樹脂で充填する充填工程と;
を有することを特徴とするモジュールの製造方法。 - 請求項7に記載のモジュールの製造方法であって、前記ステージの、前記開口部に対向する位置に、凹部が設けられていることを特徴とするモジュールの製造方法。
- 請求項6に記載のモジュールの製造方法であって、
前記樹脂封止工程は、
前記配線板を、前記機能素子がステージ側になるように、吸引孔が複数設けられた吸着ステージに載置する載置工程と;
前記吸引孔から吸引することで前記配線板を前記吸着ステージ上に固定する固定工程と;
吸引された状態で前記開口部から封止樹脂を塗布し、前記機能素子及び前記配線板間の隙間と、前記開口部とを前記封止樹脂で充填する充填工程と;
を有することを特徴とするモジュールの製造方法。 - 請求項9に記載のモジュールの製造方法であって、前記ステージの、前記機能素子に対抗する位置に、凹部が設けられていることを特徴とするモジュールの製造方法。
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