JP2011233833A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法では、Cu配線上の第2層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のTi膜、TiN膜、第2のTi膜、第1のAl膜、及び第2のAl膜をこの順に形成する。第1のTi膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第1の部分と第2層間絶縁膜上の第2の部分の膜厚の比(第1の部分)/(第2の部分)を0.05以下とする。また、第2のAl膜はアルミ・リフロー法を用いて形成し、この際に第2のTi膜及び第1のAl膜をアルミニウム・チタン合金膜とする。
【選択図】図7
Description
第1層間絶縁膜内に、露出したCu配線を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に、第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜内に、前記Cu配線を露出させるようにコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内壁上及び前記第2層間絶縁膜上に第1のTi膜を形成する第1の工程であって、前記第1のTi膜のうちコンタクトホール底面上の第1の部分と前記第2層間絶縁膜上の第2の部分の膜厚の比(第1の部分)/(第2の部分)を0.05以下とする第1の工程と、
前記コンタクトホール内壁上と前記第2層間絶縁膜上の第1のTi膜上にTiN膜、第2のTi膜、及び第1のAl膜をこの順に形成する第2の工程と、
アルミ・リフロー法を用いて、前記コンタクトホール内を第2のAl膜で埋め込むと共に前記第2層間絶縁膜の上方の前記第1のAl膜上に第2のAl膜を形成する工程であって、前記アルミ・リフロー法を用いる際に前記第2のTi膜及び第1のAl膜をアルミニウム・チタン合金膜とする工程と、
を有する半導体装置の製造方法に関する。
図1に示すように、半導体基板1上に、酸化シリコン(SiO2)や低誘電体材料等を用いて第1層間絶縁膜2を形成する。ダマシン法により、第1層間絶縁膜2に埋め込まれたCu配線3を形成する。第1層間絶縁膜2上に、酸化シリコンや低誘電体材料等により第2層間絶縁膜4を形成する。
{(アニール処理後のシート抵抗)−(アニール処理前のシート抵抗)}/(アニール処理前のシート抵抗)×100(%)
具体的には、1nm以下の膜厚のTi膜、TiN膜からなるバリア層、Al膜を順次、形成したサンプル(第1実施例)と、従来構造に該当する10nm程度の膜厚のTi膜、TiOx(酸化チタン)及びTiN膜からなるバリア層、Al膜を順次、形成した比較例サンプルの2つを準備した。TiN膜のバリア膜厚を変更した複数のサンプルでのシート抵抗測定結果を図8に示す。
2 第1層間絶縁膜
3 Cu配線
4 第2層間絶縁膜
5 コンタクトホール
6 第1のTi膜
7 TiN膜
8 第2のTi膜
9 第1のAl膜
10 第2のAl膜
15 AlxTiy合金
16 AlxTiy膜
20 Al配線
Claims (11)
- 第1層間絶縁膜内に、露出したCu配線を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に、第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜内に、前記Cu配線を露出させるようにコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内壁上及び前記第2層間絶縁膜上に第1のTi膜を形成する第1の工程であって、前記第1のTi膜のうちコンタクトホール底面上の第1の部分と前記第2層間絶縁膜上の第2の部分の膜厚の比(第1の部分)/(第2の部分)を0.05以下とする第1の工程と、
前記コンタクトホール内壁上と前記第2層間絶縁膜上の第1のTi膜上にTiN膜、第2のTi膜、及び第1のAl膜をこの順に形成する第2の工程と、
アルミ・リフロー法を用いて、前記コンタクトホール内を第2のAl膜で埋め込むと共に前記第2層間絶縁膜の上方の前記第1のAl膜上に第2のAl膜を形成する工程であって、前記アルミ・リフロー法を用いる際に前記第2のTi膜及び第1のAl膜をアルミニウム・チタン合金膜とする工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第2の工程において、
前記TiN膜のうちコンタクトホール底面上方の第3の部分と前記第2層間絶縁膜の上方の第4の部分の膜厚の比(第3の部分)/(第4の部分)が0.1以上となるように前記TiN膜を形成する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の工程において、
前記第3の部分の膜厚が3nm以上となるように、前記TiN膜を形成する、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の工程において、
前記第2のTi膜のうちコンタクトホール底面上方の第5の部分と前記第2層間絶縁膜の上方の第6の部分の膜厚の比(第5の部分)/(第6の部分)が0.1以上となるように前記第2のTi膜を形成する、請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の工程において、
前記第5の部分の膜厚が2nm以上となるように、前記第2のTi膜を形成する、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の工程において、
前記第1のAl膜のうちコンタクトホール底面上方の第7の部分と前記第2層間絶縁膜の上方の第8の部分の膜厚の比(第7の部分)/(第8の部分)が0.1以上となるように前記第1のAl膜を形成する、請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の工程において、
前記第7の部分の膜厚が15nm以上となるように、前記第1のAl膜を形成する、請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の工程において、
前記第1の部分の膜厚が1nm以下となるように、前記第1のTi膜を形成する、請求項1〜7の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールを形成する工程において、
直径が250〜400nmのコンタクトホールを形成する、請求項1〜8の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の工程において、
ロングスロー式スパッタ装置、コリメータ式スパッタ装置、又はイオン化スパッタ装置を用いて、前記TiN膜、第2のTi膜、及び第1のAl膜を形成する、請求項1〜9の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記アルミ・リフロー法は、400〜500℃の温度で行う、請求項1〜10の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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