JP2011228894A - 高周波スイッチ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる高周波スイッチ回路は、共通端子と第1の端子との間に配置された第1のスイッチ(T11〜T14)と、共通端子と第2の端子との間に配置された第2のスイッチ(T21〜T24)と、を少なくとも備える。第1のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第1のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量(Cdb11〜Cdb14)がドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。また、第2のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第2のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量(Cdb21〜Cdb24)が、ドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。
【選択図】図1
Description
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図1は実施の形態1にかかる高周波スイッチ回路の回路図である。本実施の形態にかかる高周波スイッチ回路は、共通端子(ANT端子)と第1の端子(ポート1端子)との間に配置された第1のスイッチと、共通端子と第2の端子(ポート2端子)との間に配置された第2のスイッチとを少なくとも備える。なお、本実施の形態では例としてSPDT(Single Pole Double Throw)スイッチについて説明するが、SP4T(Single Pole 4 Throw)やSP10T等のその他の高周波スイッチ回路においても同様に適用することができる。すなわち、本実施の形態にかかる高周波スイッチ回路は、n個(nは整数)の入力端子、m個(mは整数)の出力端子間の間に配置されたスイッチの中から、任意のスイッチの導通、非導通を選択する高周波スイッチ回路に適用することができる。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態にかかる高周波スイッチ回路は、補償容量の形成の方法が実施の形態1の場合と異なること以外は、実施の形態1と同様であるので重複した説明は省略する。
13 埋め込み酸化膜層
14 素子分離層
15 ゲート酸化膜
16、16a、16b ボディ領域(SOI層)
21 ソース電極
22 ドレイン電極
23 ゲート電極
Cdb11〜Cdb14、Cdb21〜Cdb24 補償容量
Claims (9)
- 共通端子と第1の端子との間に配置された第1のスイッチと、
前記共通端子と第2の端子との間に配置された第2のスイッチと、を少なくとも備え、
前記第1のスイッチおよび第2のスイッチはそれぞれ、ボディ、ソース、ドレイン、およびゲートを備えた、直列に接続された複数の電界効果トランジスタを有し、
前記第1のスイッチが備える前記電界効果トランジスタの少なくとも1つには、前記第1のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量が、前記ドレインと前記ボディとの間、または前記ソースと前記ボディとの間に形成されており、
前記第2のスイッチが備える前記電界効果トランジスタの少なくとも1つには、前記第2のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量が、前記ドレインと前記ボディとの間、または前記ソースと前記ボディとの間に形成されている、
高周波スイッチ回路。 - 前記電界効果トランジスタの単位素子は、ボディ領域と、当該ボディ領域の両側にそれぞれ配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ボディ領域上に配置されたゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極とをそれぞれ複数備えたマルチフィンガー型の電界効果トランジスタである、請求項1に記載の高周波スイッチ回路。
- 前記補償容量は、前記ボディ領域と前記ドレイン電極との接触面積を増加させることで、または前記ボディ領域と前記ソース電極との接触面積を増加させることで形成される、請求項2に記載の高周波スイッチ回路。
- 前記補償容量は、前記マルチフィンガー型の電界効果トランジスタの少なくとも1つに、両側にドレイン電極が配置されたボディ領域を形成することで、または両側にソース電極が配置されたボディ領域を形成することで形成される、請求項2または3に記載の高周波スイッチ回路。
- 前記電界効果トランジスタは埋め込み酸化膜上に形成されている、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の高周波スイッチ回路。
- 前記電界効果トランジスタは埋め込み酸化膜上に配置されており、当該埋め込み酸化膜と前記ドレイン電極との間および前記埋め込み酸化膜と前記ソース電極との間には前記ボディ領域が配置されており、
前記補償容量は、前記マルチフィンガー型の電界効果トランジスタの前記ドレイン電極の幅を前記ソース電極よりも広くすることで、または前記ソース電極の幅を前記ドレイン電極の幅よりも広くすることで形成される、請求項2乃至5のいずれか一項に記載の高周波スイッチ回路。 - 前記補償容量は、前記電界効果トランジスタがオフ状態の時に前記ボディと接地との間に生成される寄生容量を相殺することで、ドレイン−ソース間容量をドレイン−ソース間電圧の関数で表現した際に生成される奇関数成分を低減する、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の高周波スイッチ回路。
- 前記補償容量は、前記第1のスイッチが備える各々の電界効果トランジスタ、および前記第2のスイッチが備える各々の電界効果トランジスタに形成されている、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の高周波スイッチ回路。
- 高周波スイッチ回路は、n個(nは整数)の入力端子、m個(mは整数)の出力端子間の間に配置されたスイッチの中から、任意のスイッチの導通、非導通を選択する、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の高周波スイッチ回路。
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