TWI489776B - Ｒｆ開關之電容補償電路 - Google Patents

Ｒｆ開關之電容補償電路 Download PDF

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TWI489776B TW101119505A TW101119505A TWI489776B TW I489776 B TWI489776 B TW I489776B TW 101119505 A TW101119505 A TW 101119505A TW 101119505 A TW101119505 A TW 101119505A TW I489776 B TWI489776 B TW I489776B
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Description

RF開關之電容補償電路
本發明係有關於一種RF開關之電容補償電路，尤指一種可改善RF開關的電壓分配之電容補償電路。
請參照第1圖及第2圖，第1圖為先前技術RF開關100的示意圖。RF開關100包含一電晶體102。電晶體102的閘極與汲極之間具有一第一寄生電容Cgd，電晶體102的閘極與源極之間具有一第二寄生電容Cgs。電晶體102的井極與汲極之間具有一第三寄生電容Cdb，電晶體102的井極與源極之間具有一第四寄生電容Csb。
第2圖為先前技術RF開關100關閉時的電壓訊號時序示意圖。-VR_DC為電晶體102之源極對汲極的直流電壓，BVdss為電晶體102源極對汲極的擊穿電壓，Vth為電晶體102之臨界電壓，Vgs為電晶體102之閘極對源極間的電壓差，其以實線之波形表示；Vgd為電晶體102之閘極對汲極間的電壓差，其以虛線之波形表示。電晶體102之源極對汲極的電壓除上述直流電壓外另包含一相對於該直流電壓上下變動之具有一電壓振幅的電壓。
第2圖所示係為理想狀況下，當RF開關100關閉時，電晶體102之第一寄生電容Cgd及第二寄生電容Cgs的容值相同，因此電 晶體102之閘極及源極間和電晶體102之閘極及汲極間阻抗相同，RF電壓訊號振幅平均分配在Vgs及Vgd，也就是於第2圖中A時間點處Vgs的電壓振幅和B時間點處Vgd的電壓振幅會相同。舉例來說，-VR_DC為-3V，電晶體102之源極相對於汲極的電壓振幅為±3V，若Vgs及Vgd分配到相同的電壓振幅，則Vgs的電壓振幅為±1.5V，而Vgd的電壓振幅亦為±1.5V，且Vgs和Vgd電壓相位差180度。因此在第2圖中A時間點處Vgs的電壓為-1.5V，Vgd的電壓為-4.5V；B時間點Vgs的電壓為-4.5V，Vgd的電壓為-1.5V。只要Vgs或Vgd的電壓振幅保持在不大於Vth或是小於BVdss，則電晶體102會維持關閉狀態。
然而實際上，第一寄生電容Cgd之容值相關於電晶體102之閘極及汲極間的偏壓，第二寄生電容Cgs之容值相關於電晶體102之閘極及源極間的偏壓，例如在第2圖中A時間點處電晶體102之閘極及汲極間的偏壓為-4.5V，而電晶體102之閘極及源極間的偏壓為-1.5V，因此電晶體102之第一及第二寄生電容Cgd及Cgs的容值並不相同。而Vgd分配到的電壓振幅係與第一寄生電容Cgd的容值呈反比關係，Vgs分配到的電壓振幅係與第二寄生電容Cgs的容值呈反比關係，因此Vgd及Vgs的電壓振幅不若理想狀態下的平均分配而是依據Cgd及Cgs的比例分配。若寄生電容Cgd及Cgs容值的比例差異過大，則可能造成Vgs或Vgd其中之一分配到的電壓振幅大於Vth或小於BVdss，電晶體102不會維持關閉狀態，造成RF開關誤導通。
同上所述原理，理想狀況下，電晶體102之第三寄生電容Cdb及第四寄生電容Csb的容值相同，因此電晶體102之井極及源極間和電晶體102之井極及汲極間阻抗相同，RF電壓訊號振幅平均分配在Vdb及Vsb，其中Vdb為電晶體102之井極對汲極間的電壓差，Vsb為電晶體102之井極對源極間的電壓差。但實際上，電晶體102之第三及第四寄生電容Cdb及Csb的容值不相同。因此Vdb及Vsb的電壓振幅分配的比例亦不同。若Vdb或Vsb分配到的電壓振幅大於Vth或小於BVdss，電晶體102不會保持關閉狀態，造成RF開關誤導通。
本發明之一實施例揭露一種RF開關。該RF開關包含一電晶體、一第一補償電容及一第二補償電容。該第一補償電容耦接於該電晶體之控制端及該電晶體之第一端之間。該第二補償電容耦接於該電晶體之控制端及該電晶體之第二端之間。該第一補償電容之容值實質上等於該第二補償電容之容值。
本發明之另一實施例揭露一種RF開關系統。該RF開關系統包含複數個串接之電晶體、一第一補償電容、一第二補償電容。該第一補償電容耦接於該複數個電晶體中之一電晶體之控制端及該電晶體之第一端之間。該第二補償電容耦接於該複數個電晶體中之一電晶體之控制端及該電晶體之第二端之間。該第一補償電容之容值實質上等於該第二補償電容之容值。
本發明之另一實施例揭露一種RF開關。該RF開關包含一電晶體、一第一補償電容及一第二補償電容。該第一補償電容耦接於該電晶體之井極及該電晶體之第一端之間。該第二補償電容耦接於該電晶體之井極及該電晶體之第二端之間。該第一補償電容之容值實質上等於該第二補償電容之容值。
本發明之另一實施例揭露一種RF開關系統。該RF開關系統包含複數個串接之電晶體、一第一補償電容、一第二補償電容。該第一補償電容耦接於該複數個電晶體中之一電晶體之井極及該電晶體之第一端之間。該第二補償電容耦接於該複數個電晶體中之一電晶體之井極及該電晶體之第二端之間。該第一補償電容之容值實質上等於該第二補償電容之容值。
藉由並聯補償電容調整RF開關之等效電容可改善RF開關中之電壓振幅分配且進一步改善RF開關於RF開關系統中的電壓振幅分配，以確保RF開關於關閉時可保持預期的關閉狀態，提高動作準確度及設計效率。
請參照第3圖，第3圖係為本發明第一實施例RF開關300之示意圖。RF開關300包含一NMOS電晶體(N型金氧半導體電晶體)302、一第一補償電容C1及一第二補償電容C2。第一補償電容C1耦接於NMOS電晶體302之閘極與汲極之間，第二補償電容C2 耦接於NMOS電晶體302之閘極與源極之間。第一補償電容C1之容值實質上等於第二補償電容C2之容值。第一補償電容C1及第二補償電容C2可以為電容特性適用於RF電路的MIM(金屬-絶緣-金屬)電容。因此，NMOS電晶體302的閘極與汲極間除了具有第一寄生電容Cgd，還耦接第一補償電容C1；NMOS電晶體302的閘極與源極間除了具有第二寄生電容Cgs，還耦接第二補償電容C2。
當RF開關300關閉時，由於實際上第一及第二寄生電容Cgd及Cgs的容值不相同，因此藉由並聯容值相同的第一補償電容C1於寄生電容Cgd及第二補償電容C2於寄生電容Cgs可調整NMOS電晶體302的閘極與汲極間等效電容(Cgd+C1)以及NMOS電晶體302的閘極及源極間等效電容(Cgs+C2)的容值比例在一可接受的範圍，進而改善Vgd或Vgs分配到的電壓振幅，使Vgd或Vgs分配到的電壓振幅不大於Vth或小於BVdss，以維持NMOS電晶體302在關閉狀態，也就是確保RF開關300為關閉狀態。
舉例來說，假設寄生電容Cgd容值為0.5pF，Cgs容值為0.1pF，比例為0.5pF/0.1pF=5：1，Vgd及Vgs的電壓振幅比例為1：5。若並聯容值均為0.1pF之第一補償電容C1及第二補償電容C2於寄生電容Cgd及Cgs，則等效電容值的比例變為(0.5+0.1)pF/(0.1+0.1)pF=3：1，容值比例縮小後，Vgd及Vgs的電壓振幅亦比例減少為1：3，更易於將Vgd或Vgs分配到的電壓振幅控制在預定範圍內。
請參照第4A及4B圖，第4A及4B圖係為本發明第二實施例RF開關400之示意圖。於第4A圖中，RF開關400為RF開關300另包含一第三補償電容C3及一第四補償電容C4。第三補償電容C3耦接於NMOS電晶體302之井極與汲極之間，第四補償電容C4耦接於NMOS電晶體302之井極與源極之間。第三補償電容C3之容值實質上等於第四補償電容C4之容值。第三補償電容C3及第四補償電容C4可以為電容特性適用於RF電路的MIM電容。NMOS電晶體302的井極與汲極之間具有一第三寄生電容Cdb，NMOS電晶體302的井極與源極之間具有一第四寄生電容Csb。因此，NMOS電晶體302的井極與汲極間除了具有第三寄生電容Cdb，還耦接第三補償電容C3；NMOS電晶體302的井極與源極間除了具有第四寄生電容Csb，還耦接第四補償電容C4。
當RF開關400關閉時，由於實際上第三及第四寄生電容Cdb及Csb的容值不相同，因此藉由並聯容值相同的第三補償電容C3於寄生電容Cdb及第四補償電容C4於寄生電容Csb可調整NMOS電晶體302的井極與汲極間等效電容(Cdb+C3)以及NMOS電晶體302的井極及源極間等效電容(Csb+C4)的容值比例在一可接受的範圍，進而改善Vdb或Vsb分配到的電壓振幅。使Vdb或Vsb分配到的電壓振幅不大於Vth或小於BVdss，以保持電晶體302在關閉狀態，也就是確保RF開關400為關閉狀態。
舉例來說，假設寄生電容Cdb容值為0.5pF，Csb容值為0.1pF， 比例為0.5pF/0.1pF=5：1，Vdb及Vsb的電壓振幅比例為1：5。若並聯容值均為0.1pF之第三補償電容C3及第四補償電容C4於寄生電容Cdb及Csb，則等效電容值的比例變為(0.5+0.1)pF/(0.1+0.1)pF=3：1，容值比例縮小後，Vdb及Vsb的電壓振幅亦比例減少為1：3，更易於將Vdb或Vsb分配到的電壓振幅控制在預定範圍內。
上述第二實施例中，NMOS電晶體302可耦接第一補償電容C1、第二補償電容C2、第三補償電容C3及第四補償電容C4，以改善Vgd、Vgs、Vdb或Vsb分配到的電壓振幅；或如第4B圖所示，NMOS電晶體302僅耦接第三補償電容C3及第四補償電容C4以改善Vdb或Vsb分配到的電壓振幅，而不耦接第一補償電容C1及第二補償電容C2，如此亦可改善Vdb或Vsb分配到的電壓振幅，使Vdb或Vsb分配到的電壓振幅不大於Vth或小於BVdss，以保持電晶體302在關閉狀態，也就是確保RF開關400為關閉狀態。
請參照第5圖，第5圖係為本發明第三實施例RF開關500之示意圖。RF開關500包含一PMOS電晶體(P型金氧半導體電晶體)502、一第一補償電容C1及一第二補償電容C2。第一補償電容C1耦接於PMOS電晶體502之閘極與汲極之間，第二補償電容C2耦接於PMOS電晶體502之閘極與源極之間。第一補償電容C1之容值實質上等於第二補償電容C2之容值。第一補償電容C1及第二補償電容C2可以為電容特性適用於RF電路的MIM電容。因此，PMOS電晶體502的閘極與汲極間除了具有第一寄生電容Cgd，還 耦接第一補償電容C1；PMOS電晶體502的閘極與源極間除了具有第二寄生電容Cgs，還耦接第二補償電容C2。
當RF開關500關閉時，由於實際上第一及第二寄生電容Cgd及Cgs的容值不相同，因此藉由並聯容值相同的第一補償電容C1於寄生電容Cgd及第二補償電容C2於寄生電容Cgs可調整PMOS電晶體502的閘極與汲極間等效電容(Cgd+C1)以及PMOS電晶體502的閘極及源極間等效電容(Cgs+C2)的容值比例在一可接受的範圍，進而改善Vgd或Vgs分配到的電壓振幅，更易於將Vgd或Vgs分配到的電壓振幅控制在預定範圍內以保持PMOS電晶體502在關閉狀態，也就是確保RF開關500為關閉狀態。
請參照第6A及6B圖，第6A及6B圖係為本發明第四實施例RF開關600之示意圖。於第6A圖中，RF開關600為RF開關500另包含一第三補償電容C3及一第四補償電容C4。第三補償電容C3耦接於PMOS電晶體502之井極與汲極之間，第四補償電容C4耦接於PMOS電晶體502之井極與源極之間。第三補償電容C3之容值實質上等於第四補償電容C4之容值。第三補償電容C3及第四補償電容C4可以為電容特性適用於RF電路的MIM電容。PMOS電晶體502的井極與汲極之間具有一第三寄生電容Cdb，電晶體502的井極與源極之間具有一第四寄生電容Csb。因此，PMOS電晶體502的井極與汲極間除了具有第三寄生電容Cdb，還耦接第三補償電容C3；PMOS電晶體502的井極與源極間除了具有第四寄生電容 Csb，還耦接第四補償電容C4。
當RF開關600關閉時，由於實際上第三及第四寄生電容Cdb及Csb的容值不相同，因此藉由並聯容值相同的第三補償電容C3於寄生電容Cdb及第四補償電容C4於寄生電容Csb可調整PMOS電晶體502的井極與汲極間等效電容(Cdb+C3)以及PMOS電晶體502的井極及源極間等效電容(Csb+C4)的容值比例在一可接受的範圍，進而改善Vdb或Vsb分配到的電壓振幅，更易於將Vdb或Vsb分配到的電壓振幅控制在預定範圍內以保持PMOS電晶體502在關閉狀態，也就是確保RF開關600為關閉狀態。
上述第四實施例中，PMOS電晶體502可耦接第一補償電容C1、第二補償電容C2、第三補償電容C3及第四補償電容C4，以改善Vgd、Vgs、Vdb或Vsb分配到的電壓振幅；或如第6B圖所示，PMOS電晶體502僅耦接第三補償電容C3及第四補償電容C4以改善Vdb或Vsb分配到的電壓振幅，而不耦接第一補償電容C1及第二補償電容C2，如此亦可改善Vdb或Vsb分配到的電壓振幅，更易於將Vdb或Vsb分配到的電壓振幅控制在預定範圍內以保持PMOS電晶體502在關閉狀態，也就是確保RF開關600為關閉狀態。
請參照第7圖，第7圖係為本發明第五實施例RF開關700之示意圖。RF開關700包含一NPN雙極接面電晶體702、一第一補 償電容C1及一第二補償電容C2。第一補償電容C1耦接於NPN雙極接面電晶體702之基極與集極之間，第二補償電容C2耦接於NPN雙極接面電晶體702之基極與射極之間。第一補償電容C1之容值實質上等於第二補償電容C2之容值。第一補償電容C1及第二補償電容C2可以為電容特性適用於RF電路的MIM電容。因此，NPN雙極接面電晶體702的基極與集極間除了具有第一寄生電容Cbc，還耦接第一補償電容C1；NPN雙極接面電晶體702的基極與射極間除了具有第二寄生電容Cbe，還耦接第二補償電容C2。
當RF開關700關閉時，由於實際上第一及第二寄生電容Cbc及Cbe的容值不相同，因此藉由並聯容值相同的第一補償電容C1於寄生電容Cbc及第二補償電容C2於寄生電容Cbe可調整NPN雙極接面電晶體702的基極與集極間等效電容(Cbc+C1)以及NPN雙極接面電晶體702的基極與射極間等效電容(Cbe+C2)的容值比例在一可接受的範圍，進而改善分配到NPN雙極接面電晶體702之基極對集極間的電壓Vbc或NPN雙極接面電晶體702之基極對射極間的電壓Vbe的電壓振幅，更易於將Vbc或Vbe分配到的電壓振幅控制在預定範圍內以保持NPN雙極接面電晶體702在關閉狀態，也就是確保RF開關700為關閉狀態。
請參照第8圖，第8圖係為本發明第六實施例RF開關800之示意圖。RF開關800包含一PNP雙極接面電晶體802、一第一補償電容C1及一第二補償電容C2。第一補償電容C1耦接於PNP雙 極接面電晶體802之基極與集極之間，第二補償電容C2耦接於PNP雙極接面電晶體802之基極與射極之間。第一補償電容C1之容值實質上等於第二補償電容C2之容值。第一補償電容C1及第二補償電容C2可以為電容特性適用於RF電路的MIM電容。因此，PNP雙極接面電晶體802的基極與集極間除了具有第一寄生電容Cbc，還耦接第一補償電容C1；PNP雙極接面電晶體802的基極與射極間除了具有第二寄生電容Cbe，還耦接第二補償電容C2。
當RF開關800關閉時，由於實際上第一及第二寄生電容Cbc及Cbe的容值不相同，因此藉由並聯容值相同的第一補償電容C1於寄生電容Cbc及第二補償電容C2於寄生電容Cbe可調整PNP雙極接面電晶體802的基極與集極間等效電容(Cbc+C1)以及PNP雙極接面電晶體802的基極與射極間等效電容(Cbe+C2)的容值比例在一可接受的範圍。進而改善分配到Vbc或Vbe的電壓振幅，更易於將Vbc或Vbe分配到的電壓振幅控制在預定範圍內以保持PNP雙極接面電晶體802在關閉狀態，也就是確保RF開關800為關閉狀態。
請參照第9圖，第9圖為本發明實施例RF裝置900之示意圖。RF裝置900包含二RF開關系統902、904及一RF天線906。當RF裝置900接收訊號時，介於RF天線906及接收端Rx之間由複數個串接的RF開關組成的RF開關系統902導通以接收訊號，而介於RF天線906及發送端Tx之間由複數個串接的RF開關組成的RF開關系統904關閉以停止發送訊號。反之當RF裝置900發送訊號 時，RF開關系統904導通以發送訊號，而RF開關系統902關閉以停止接收訊號。
第9圖中RF開關系統902及904中的複數個串接的RF開關可以實施例中的RF開關300、400、500、600、700、800之任意組合取代。使用本發明實施例的RF開關300、400、500、600、700、800除了可以改善以上實施例中RF開關的等效電容比例及電壓振幅分配的比例，亦可進一步改善RF開關系統902及904中串接的RF開關之間的等效電容比例及電壓振幅分配的比例。由於在RF開關系統902中之一RF開關分配到的電壓振幅係相關於接收端Rx接收端及一地端的寄生電容Cprx的容值對該RF開關之等效電容值的比例；在RF開關系統904中之一RF開關分配到的電壓振幅係相關於發送端Tx發送端及地端之間的寄生電容Cptx的容值對該RF開關之等效電容值的比例。在RF開關中加上如以上實施例之補償電容可增加每一RF開關之等效容值，以減少該RF開關之等效容值對寄生電容Cprx或寄生電容Cptx之比例使每一RF開關分配到的電壓振幅更接近理想狀況下的平均分配，確保RF開關及RF開關系統保持預期的關閉狀態。
綜上所述，藉由並聯補償電容調整RF開關之等效電容可改善RF開關中之電壓振幅分配且進一步改善RF開關於RF開關系統中的電壓振幅分配，以確保RF開關於關閉時可保持預期的關閉狀態，提高動作準確度及設計效率。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100、300、400、500、600、700、800‧‧‧RF開關
102、302、502、702、802‧‧‧電晶體
-VR_DC‧‧‧電晶體源極對汲極的直流電壓
BVdss‧‧‧電晶體源極對汲極的擊穿電壓
Vth‧‧‧電晶體臨界電壓
Vgs‧‧‧電晶體閘極對源極間的電壓差
Vgd‧‧‧電晶體閘極對汲極間的電壓差
A、B‧‧‧時間點
C1‧‧‧第一補償電容
C2‧‧‧第二補償電容
C3‧‧‧第三補償電容
C4‧‧‧第四補償電容
Cgd、Cgs、Cdb、Csb、Cbe、Cbc、Cprx、Cptx‧‧‧寄生電容
900‧‧‧RF裝置
902、904‧‧‧RF開關系統
906‧‧‧RF天線
Rx‧‧‧接收端
Tx‧‧‧發送端
第1圖為先前技術RF開關的示意圖。
第2圖為先前技術RF開關關閉時的電壓訊號時序示意圖。
第3圖係為本發明第一實施例RF開關之示意圖。
第4A及4B圖係為本發明第二實施例RF開關之示意圖。
第5圖係為本發明第三實施例RF開關之示意圖。
第6A及6B圖係為本發明第四實施例RF開關之示意圖。
第7圖係為本發明第五實施例RF開關之示意圖。
第8圖係為本發明第六實施例RF開關之示意圖。
第9圖為本發明實施例RF裝置之示意圖。
400‧‧‧RF開關
302‧‧‧電晶體
C1‧‧‧第一補償電容
C2‧‧‧第二補償電容
C3‧‧‧第三補償電容
C4‧‧‧第四補償電容
Cgd、Cgs、Cdb、Cds‧‧‧寄生電容

Claims (23)

  1. 一種RF開關，包含：一電晶體；一第一補償電容，耦接於該電晶體之控制端及該電晶體之第一端之間；一第二補償電容，耦接於該電晶體之控制端及該電晶體之第二端之間；一第三補償電容，耦接於該電晶體之井極及該電晶體之第一端之間；及一第四補償電容，耦接於該電晶體之井極及該電晶體之第二端之間；其中該第一補償電容之容值實質上等於該第二補償電容之容值，且該第三補償電容之容值實質上等於該第四補償電容之容值。
  2. 如請求項1所述的RF開關，其中該電晶體為一NMOS電晶體(N型金屬氧化半導體電晶體)，該NMOS電晶體之控制端為該NMOS電晶體之閘極，該NMOS電晶體之第一端為該NMOS電晶體之汲極，該NMOS電晶體之第二端為該NMOS電晶體之源極。
  3. 如請求項2所述的RF開關，其中：該第三補償電容係耦接於該NMOS電晶體之P井極及該NMOS 電晶體之汲極之間；及該第四補償電容係耦接於該NMOS電晶體之P井極及該NMOS電晶體之源極之間。
  4. 如請求項1所述的RF開關，其中該電晶體為一PMOS電晶體(P型金屬氧化半導體電晶體)，該PMOS電晶體之控制端為該PMOS電晶體之閘極，該PMOS電晶體之第一端為該PMOS電晶體之汲極，該PMOS電晶體之第二端為該PMOS電晶體之源極。
  5. 如請求項4所述的RF開關，其中：該第三補償電容係耦接於該PMOS電晶體之N井極及該PMOS電晶體之汲極之間；及該第四補償電容係耦接於該PMOS電晶體之N井極及該PMOS電晶體之源極之間。
  6. 如請求項3或5所述的RF開關，其中該第三補償電容及該第四補償電容為MIM(金屬-絕緣-金屬)電容。
  7. 如請求項1所述的RF開關，其中該電晶體為一雙極接面電晶體，該雙極接面電晶體之控制端為該雙極接面電晶體之基極，該雙極接面電晶體之第一端為該雙極接面電晶體之集極，該雙極接面電晶體之第二端為該雙極接面電晶體之射極。
  8. 如請求項7所述的RF開關，其中該雙極接面電晶體為一PNP雙極接面電晶體。
  9. 如請求項7所述的RF開關，其中該雙極接面電晶體為一NPN雙極接面電晶體。
  10. 如請求項1所述的RF開關，其中該第一補償電容及該第二補償電容為MIM(金屬-絕緣-金屬)電容。
  11. 一種RF開關系統，包含：一電晶體；一第一補償電容，耦接於該電晶體之控制端及該電晶體之第一端之間；及一第二補償電容，耦接於該電晶體之控制端及該電晶體之第二端之間；其中該第一補償電容之容值與該第二補償電容之容值係大致相同且介於該電晶體之一第一寄生電容之電容值及該電晶體之一第二寄生電容之電容值之間，該第一寄生電容係耦接於該電晶體之控制端及該電晶體之第一端之間，且該第二寄生電容係耦接於該電晶體之控制端及該電晶體之第二端之間。
  12. 如請求項11所述的RF開關系統，其中該電晶體為一NMOS電晶體(N型金屬氧化半導體電晶體)，該NMOS電晶體之控制端為該NMOS電晶體之閘極，該NMOS電晶體之第一端為該NMOS電晶體之汲極，該NMOS電晶體之第二端為該NMOS電晶體之源極。
  13. 如請求項12所述的RF開關系統，另包含：一第三補償電容，耦接於該NMOS電晶體之P井及該NMOS電晶體之汲極之間；及一第四補償電容，耦接於該NMOS電晶體之P井及該NMOS電晶體之源極之間。
  14. 如請求項11所述的RF開關系統，其中該電晶體為一PMOS電晶體(P型金屬氧化半導體電晶體)，該PMOS電晶體之控制端為該PMOS電晶體之閘極，該PMOS電晶體之第一端為該PMOS電晶體之汲極，該PMOS電晶體之第二端為該PMOS電晶體之源極。
  15. 如請求項14所述的RF開關系統，另包含：一第三補償電容，耦接於該PMOS電晶體之N井及該PMOS電晶體之汲極之間；及一第四補償電容，耦接於該PMOS電晶體之N井及該PMOS電晶體之源極之間。
  16. 如請求項13或15所述的RF開關系統，其中該第三補償電容之容值實質上等於該第四補償電容之容值。
  17. 如請求項13或15所述的RF開關系統，其中該第三補償電容及該第四補償電容為MIM(金屬-絕緣-金屬)電容。
  18. 如請求項11所述的RF開關系統，其中該電晶體為一雙極接面電晶體，該雙極接面電晶體之控制端為該雙極接面電晶體之基極，該雙極接面電晶體之第一端為該雙極接面電晶體之集極，該雙極接面電晶體之第二端為該雙極接面電晶體之射極。
  19. 如請求項18所述的RF開關系統，其中該雙極接面電晶體為一PNP雙極接面電晶體。
  20. 如請求項18所述的RF開關系統，其中該雙極接面電晶體為一NPN雙極接面電晶體。
  21. 如請求項11所述的RF開關系統，其中該第一補償電容及該第二補償電容為MIM(金屬-絕緣-金屬)電容。
  22. 一種RF開關，包含：一電晶體； 一第一補償電容，直接耦接於該電晶體之井極及該電晶體之第一端之間；及一第二補償電容，直接耦接於該電晶體之井極及該電晶體之第二端之間；其中該第一補償電容之容值實質上等於該第二補償電容之容值。
  23. 一種RF開關系統，包含：一電晶體；一第一補償電容，直接耦接於該電晶體之井極及該電晶體之第一端之間；及一第二補償電容，直接耦接於該電晶體之井極及該電晶體之第二端之間；其中該第一補償電容之容值及該第二補償電容之容值係大致相同且介於該電晶體之一第一寄生電容之電容值及該電晶體之一第二寄生電容之電容值之間，該第一寄生電容係耦接於該電晶體之井極及該電晶體之第一端之間，且該第二寄生電容係耦接於該電晶體之井極及該電晶體之第二端之間。
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