CN103457585A - Rf开关及rf开关系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种RF开关的电容补偿电路，改善RF开关关于RF开关系统中的电压振幅分配，以确保RF开关关于关闭时刻保持预期的关闭状态，提高动作准确度及设计效率。该RF开关包含一晶体管及一电容补偿电路，该电容补偿电路包含容值相等的一第一补偿电容及一第二补偿电容，用以改善该晶体管的控制端及第一端之间和该晶体管的控制端及第二端之间的电压分配。

Description

RF开关及RF开关系统

技术领域

本发明系有关于一种RF(Radio frequency)开关的电容补偿电路，尤指一种可改善RF开关的电压分配的电容补偿电路。

背景技术

请参照图1及图2，图1为先前技术RF开关100的示意图。RF开关100包含一晶体管102。晶体管102的闸极与汲极之间具有一第一寄生电容Cgd，晶体管102的闸极与源极之间具有一第二寄生电容Cgs。晶体管102的井极与汲极之间具有一第三寄生电容Cdb，晶体管102的井极与源极之间具有一第四寄生电容Csb。

图2为先前技术RF开关100关闭时的电压讯号时序示意图。-VR_DC为晶体管102的源极对汲极的直流电压，BVdss为晶体管102源极对汲极的击穿电压，Vth为晶体管102的临界电压，Vgs为晶体管102的闸极对源极间的电压差，其以实线的波形表示；Vgd为晶体管102的闸极对汲极间的电压差，其以虚线的波形表示。晶体管102的源极对汲极的电压除上述直流电压外另包含一相对于该直流电压上下变动的具有一电压振幅的电压。

图2所示为理想状况下，当RF开关100关闭时，晶体管102的第一寄生电容Cgd及第二寄生电容Cgs的容值相同，因此晶体管102的闸极及源极间和晶体管102的闸极及汲极间阻抗相同，RF电压讯号振幅平均分配在Vgs及Vgd，也就是于图2中A时间点处Vgs的电压振幅和B时间点处Vgd的电压振幅会相同。举例来说，-VR_DC为-3V，晶体管102的源极相对于汲极的电压振幅为±3V，若Vgs及Vgd分配到相同的电压振幅，则Vgs的电压振幅为±1.5V，而Vgd的电压振幅亦为±1.5V，且Vgs和Vgd电压相位差180度。因此在图2中A时间点处Vgs的电压为-1.5V，Vgd的电压为-4.5V；B时间点Vgs的电压为-4.5V，Vgd的电压为-1.5V。只要Vgs或Vgd的电压振幅保持在不大于Vth或是小于BVdss，则晶体管102会维持关闭状态。

然而实际上，第一寄生电容Cgd的容值相关于晶体管102的闸极及汲极间的偏压，第二寄生电容Cgs的容值相关于晶体管102的闸极及源极间的偏压，例如在图2中A时间点处晶体管102的闸极及汲极间的偏压为-4.5V，而晶体管102的闸极及源极间的偏压为-1.5V，因此晶体管102的第一及第二寄生电容Cgd及Cgs的容值并不相同。而Vgd分配到的电压振幅系与第一寄生电容Cgd的容值呈反比关系，Vgs分配到的电压振幅系与第二寄生电容Cgs的容值呈反比关系，因此Vgd及Vgs的电压振幅不若理想状态下的平均分配而是依据Cgd及Cgs的比例分配。若寄生电容Cgd及Cgs容值的比例差异过大，则可能造成Vgs或Vgd其中之一分配到的电压振幅大于Vth或小于BVdss，晶体管102不会维持关闭状态，造成RF开关误导通。

同上所述原理，理想状况下，晶体管102的第三寄生电容Cdb及第四寄生电容Csb的容值相同，因此晶体管102的井极及源极间和晶体管102的井极及汲极间阻抗相同，RF电压讯号振幅平均分配在Vdb及Vsb，其中Vdb为晶体管102的井极对汲极间的电压差，Vsb为晶体管102的井极对源极间的电压差。但实际上，晶体管102的第三及第四寄生电容Cdb及Csb的容值不相同。因此Vdb及Vsb的电压振幅分配的比例亦不同。若Vdb或Vsb分配到的电压振幅大于Vth或小于BVdss，晶体管102不会保持关闭状态，造成RF开关误导通。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种开关的电容补偿电路,以确保RF开关于关闭时可保持预期的关闭状态，提高动作准确度及设计效率。

为了解决以上技术问题，本发明提供了如下技术方案：

本发明提供了一种RF开关，该RF开关包含一晶体管、一第一补偿电容及一第二补偿电容。该第一补偿电容耦接于该晶体管的控制端及该晶体管的第一端之间。该第二补偿电容耦接于该晶体管的控制端及该晶体管的第二端之间。该第一补偿电容的容值实质上等于该第二补偿电容的容值。

本发明的另一实施例揭露一种RF开关系统。该RF开关系统包含复数个串接的晶体管、一第一补偿电容、一第二补偿电容。该第一补偿电容耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的控制端及该晶体管的第一端之间。该第二补偿电容耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的控制端及该晶体管的第二端之间。该第一补偿电容的容值实质上等于该第二补偿电容的容值。

本发明的另一实施例揭露一种RF开关。该RF开关包含一晶体管、一第一补偿电容及一第二补偿电容。该第一补偿电容耦接于该晶体管的井极及该晶体管的第一端之间。该第二补偿电容耦接于该晶体管的井极及该晶体管的第二端之间。该第一补偿电容的容值实质上等于该第二补偿电容的容值。

本发明的另一实施例揭露一种RF开关系统。该RF开关系统包含复数个串接的晶体管、一第一补偿电容、一第二补偿电容。该第一补偿电容耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的井极及该晶体管的第一端之间。该第二补偿电容耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的井极及该晶体管的第二端之间。该第一补偿电容的容值实质上等于该第二补偿电容的容值。

本发明的另一实施例揭露了一种RF开关系统。该RF开关包含一晶体管；一第一补偿电容，耦接于该晶体管之控制端及该晶体管之第一端之间；一第二补偿电容，耦接于该晶体管之控制端及该晶体管之第二端之间；一第三补偿电容，耦接于该晶体管之井极及该晶体管之第一端之间；及一第四补偿电容，耦接于该晶体管之井极及该晶体管之第二端之间；其中该第一补偿电容之容值实质上等于该第二补偿电容之容值，该第三补偿电容之容值实质上等于该第四补偿电容之容值。

藉由并联补偿电容调整RF开关的等效电容可改善RF开关中的电压振幅分配且进一步改善RF开关于RF开关系统中的电压振幅分配，以确保RF开关于关闭时可保持预期的关闭状态，提高动作准确度及设计效率。

为了能更进一步了解本发明特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的附图说明与具体实施方式，然而所附图式仅提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为先前技术RF开关的示意图。

图2为先前技术RF开关关闭时的电压讯号时序示意图。

图3系为本发明第一实施例RF开关的示意图。

图4A及图4B系为本发明第二实施例RF开关的示意图。

图5系为本发明第三实施例RF开关的示意图。

图6A及图6B系为本发明第四实施例RF开关的示意图。

图7系为本发明第五实施例RF开关的示意图。

图8系为本发明第六实施例RF开关的示意图。

图9为本发明实施例RF装置的示意图

【主要组件符号说明】

本发明附图中所包含的各组件列示如下：

100、300、400、500、600、700、800               RF开关

102、302、502、702、802                         晶体管

-VR_DC                                          晶体管源极对汲极的直流电压

BVdss                                           晶体管源极对汲极的击穿电压

Vth                                             晶体管临界电压

Vgs                                             晶体管闸极对源极间的电压差

Vgd                                             晶体管闸极对汲极间的电压差

A、B                                            时间点

C1                                              第一补偿电容

C2                                              第二补偿电容

C3                                              第三补偿电容

C4                                              第四补偿电容

Cgd、Cgs、Cdb、Csb、Cbe、Cbc、Cprx、Cptx        寄生电容

900                                             RF装置

902、904                                        RF开关系统

906                                             RF天线

Rx                                              接收端

Tx                                              发送端

具体实施方式

以下的说明将举出本发明的数个较佳的示范实施例，熟悉本领域者应可理解，本发明可采用各种可能的方式实施，并不限于下列示范的实施例或实施例中的特征。另外，众所知悉的细节不再重复显示或赘述，以避免模糊本发明的重点。

请参照图3，图3系为本发明第一实施例RF开关300的示意图。RF开关300包含一NMOS晶体管(N型金属氧化物半导体晶体管)302、一第一补偿电容C1及一第二补偿电容C2。第一补偿电容C1耦接于NMOS晶体管302的闸极与汲极之间，第二补偿电容C2耦接于NMOS晶体管302的闸极与源极之间。第一补偿电容C1的容值实质上等于第二补偿电容C2的容值。第一补偿电容C1及第二补偿电容C2可以为电容特性适用于RF电路的MIM(金属-绝缘-金属)电容。因此，NMOS晶体管302的闸极与汲极间除了具有第一寄生电容Cgd，还耦接第一补偿电容C1；NMOS晶体管302的闸极与源极间除了具有第二寄生电容Cgs，还耦接第二补偿电容C2。

当RF开关300关闭时，由于实际上第一及第二寄生电容Cgd及Cgs的容值不相同，因此藉由并联容值相同的第一补偿电容C1于寄生电容Cgd及第二补偿电容C2于寄生电容Cgs可调整NMOS晶体管302的闸极与汲极间等效电容(Cgd+C1)以及NMOS晶体管302的闸极及源极间等效电容(Cgs+C2)的容值比例在一可接受的范围，进而改善Vgd或Vgs分配到的电压振幅，使Vgd或Vgs分配到的电压振幅不大于Vth或小于BVdss，以维持NMOS晶体管302在关闭状态，也就是确保RF开关300为关闭状态。

举例来说，假设寄生电容Cgd容值为0.5pF，Cgs容值为0.1pF，比例为0.5pF/0.1pF=5:1，Vgd及Vgs的电压振幅比例为1:5。若并联容值均为0.1pF的第一补偿电容C1及第二补偿电容C2于寄生电容Cgd及Cgs，则等效电容值的比例变为(0.5+0.1)pF/(0.1+0.1)pF=3:1，容值比例缩小后，Vgd及Vgs的电压振幅亦比例减少为1:3，更易于将Vgd或Vgs分配到的电压振幅控制在预定范围内。

请参照图4A及图4B，图4A及图4B系为本发明第二实施例RF开关400的示意图。于图4A中，RF开关400为RF开关300另包含一第三补偿电容C3及一第四补偿电容C4。第三补偿电容C3耦接于NMOS晶体管302的井极与汲极之间，第四补偿电容C4耦接于NMOS晶体管302的井极与源极之间。第三补偿电容C3的容值实质上等于第四补偿电容C4的容值。第三补偿电容C3及第四补偿电容C4可以为电容特性适用于RF电路的MIM（金属-绝缘-金属）电容。NMOS晶体管302的井极与汲极之间具有一第三寄生电容Cdb，NMOS晶体管302的井极与源极之间具有一第四寄生电容Csb。因此，NMOS晶体管302的井极与汲极间除了具有第三寄生电容Cdb，还耦接第三补偿电容C3；NMOS晶体管302的井极与源极间除了具有第四寄生电容Csb，还耦接第四补偿电容C4。

当RF开关400关闭时，由于实际上第三及第四寄生电容Cdb及Csb的容值不相同，因此藉由并联容值相同的第三补偿电容C3于寄生电容Cdb及第四补偿电容C4于寄生电容Csb可调整NMOS晶体管302的井极与汲极间等效电容(Cdb+C3)以及NMOS晶体管302的井极及源极间等效电容(Csb+C4)的容值比例在一可接受的范围，进而改善Vdb或Vsb分配到的电压振幅。使Vdb或Vsb分配到的电压振幅不大于Vth或小于BVdss，以保持晶体管302在关闭状态，也就是确保RF开关400为关闭状态。

举例来说，假设寄生电容Cdb容值为0.5pF，Csb容值为0.1pF，比例为0.5pF/0.1pF=5:1，Vdb及Vsb的电压振幅比例为1:5。若并联容值均为0.1pF的第三补偿电容C3及第四补偿电容C4于寄生电容Cdb及Csb，则等效电容值的比例变为(0.5+0.1)pF/(0.1+0.1)pF=3:1，容值比例缩小后，Vdb及Vsb的电压振幅亦比例减少为1:3，更易于将Vdb或Vsb分配到的电压振幅控制在预定范围内。

上述第二实施例中，NMOS晶体管302可耦接第一补偿电容C1、第二补偿电容C2、第三补偿电容C3及第四补偿电容C4，以改善Vgd、Vgs、Vdb或Vsb分配到的电压振幅；或如图4B所示，NMOS晶体管302仅耦接第三补偿电容C3及第四补偿电容C4以改善Vdb或Vsb分配到的电压振幅，而不耦接第一补偿电容C1及第二补偿电容C2，如此亦可改善Vdb或Vsb分配到的电压振幅，使Vdb或Vsb分配到的电压振幅不大于Vth或小于BVdss，以保持晶体管302在关闭状态，也就是确保RF开关400为关闭状态。

请参照图5，图5系为本发明第三实施例RF开关500的示意图。RF开关500包含一PMOS晶体管(P型金属氧化物半导体晶体管)502、一第一补偿电容C1及一第二补偿电容C2。第一补偿电容C1耦接于PMOS晶体管502的闸极与汲极之间，第二补偿电容C2耦接于PMOS晶体管502的闸极与源极之间。第一补偿电容C1的容值实质上等于第二补偿电容C2的容值。第一补偿电容C1及第二补偿电容C2可以为电容特性适用于RF电路的MIM电容。因此，PMOS晶体管502的闸极与汲极间除了具有第一寄生电容Cgd，还耦接第一补偿电容C1；PMOS晶体管502的闸极与源极间除了具有第二寄生电容Cgs，还耦接第二补偿电容C2。

当RF开关500关闭时，由于实际上第一及第二寄生电容Cgd及Cgs的容值不相同，因此藉由并联容值相同的第一补偿电容C1于寄生电容Cgd及第二补偿电容C2于寄生电容Cgs可调整PMOS晶体管502的闸极与汲极间等效电容(Cgd+C1)以及PMOS晶体管502的闸极及源极间等效电容(Cgs+C2)的容值比例在一可接受的范围，进而改善Vgd或Vgs分配到的电压振幅，更易于将Vgd或Vgs分配到的电压振幅控制在预定范围内以保持PMOS晶体管502在关闭状态，也就是确保RF开关500为关闭状态。

请参照图6A及图6B，图6A及图6B系为本发明第四实施例RF开关600的示意图。于图6A中，RF开关600为RF开关500另包含一第三补偿电容C3及一第四补偿电容C4。第三补偿电容C3耦接于PMOS晶体管502的井极与汲极之间，第四补偿电容C4耦接于PMOS晶体管502的井极与源极之间。第三补偿电容C3的容值实质上等于第四补偿电容C4的容值。第三补偿电容C3及第四补偿电容C4可以为电容特性适用于RF电路的MIM电容。PMOS晶体管502的井极与汲极之间具有一第三寄生电容Cdb，晶体管502的井极与源极之间具有一第四寄生电容Csb。因此，PMOS晶体管502的井极与汲极间除了具有第三寄生电容Cdb，还耦接第三补偿电容C3；PMOS晶体管502的井极与源极间除了具有第四寄生电容Csb，还耦接第四补偿电容C4。

当RF开关600关闭时，由于实际上第三及第四寄生电容Cdb及Csb的容值不相同，因此藉由并联容值相同的第三补偿电容C3于寄生电容Cdb及第四补偿电容C4于寄生电容Csb可调整PMOS晶体管502的井极与汲极间等效电容(Cdb+C3)以及PMOS晶体管502的井极及源极间等效电容(Csb+C4)的容值比例在一可接受的范围，进而改善Vdb或Vsb分配到的电压振幅，更易于将Vdb或Vsb分配到的电压振幅控制在预定范围内以保持PMOS晶体管502在关闭状态，也就是确保RF开关600为关闭状态。

上述第四实施例中，PMOS晶体管502可耦接第一补偿电容C1、第二补偿电容C2、第三补偿电容C3及第四补偿电容C4，以改善Vgd、Vgs、Vdb或Vsb分配到的电压振幅；或如图6B所示，PMOS晶体管502仅耦接第三补偿电容C3及第四补偿电容C4以改善Vdb或Vsb分配到的电压振幅，而不耦接第一补偿电容C1及第二补偿电容C2，如此亦可改善Vdb或Vsb分配到的电压振幅，更易于将Vdb或Vsb分配到的电压振幅控制在预定范围内以保持PMOS晶体管502在关闭状态，也就是确保RF开关600为关闭状态。

请参照图7，图7系为本发明第五实施例RF开关700的示意图。RF开关700包含一NPN双极接面晶体管（双极性晶体管，Bipolar Junction Transistor）702、一第一补偿电容C1及一第二补偿电容C2。第一补偿电容C1耦接于NPN双极接面晶体管702的基极与集极之间，第二补偿电容C2耦接于NPN双极接面晶体管702的基极与射极之间。第一补偿电容C1的容值实质上等于第二补偿电容C2的容值。第一补偿电容C1及第二补偿电容C2可以为电容特性适用于RF电路的MIM电容。因此，NPN双极接面晶体管702的基极与集极间除了具有第一寄生电容Cbc，还耦接第一补偿电容C1；NPN双极接面晶体管702的基极与射极间除了具有第二寄生电容Cbe，还耦接第二补偿电容C2。

当RF开关700关闭时，由于实际上第一及第二寄生电容Cbc及Cbe的容值不相同，因此藉由并联容值相同的第一补偿电容C1于寄生电容Cbc及第二补偿电容C2于寄生电容Cbe可调整NPN双极接面晶体管702的基极与集极间等效电容(Cbc+C1)以及NPN双极接面晶体管702的基极与射极间等效电容(Cbe+C2)的容值比例在一可接受的范围，进而改善分配到NPN双极接面晶体管702的基极对集极间的电压Vbc或NPN双极接面晶体管702的基极对射极间的电压Vbe的电压振幅，更易于将Vbc或Vbe分配到的电压振幅控制在预定范围内以保持NPN双极接面晶体管702在关闭状态，也就是确保RF开关700为关闭状态。

请参照图8，图8系为本发明第六实施例RF开关800的示意图。RF开关800包含一PNP双极接面晶体管802、一第一补偿电容C1及一第二补偿电容C2。第一补偿电容C1耦接于PNP双极接面晶体管802的基极与集极之间，第二补偿电容C2耦接于PNP双极接面晶体管802的基极与射极之间。第一补偿电容C1的容值实质上等于第二补偿电容C2的容值。第一补偿电容C1及第二补偿电容C2可以为电容特性适用于RF电路的MIM电容。因此，PNP双极接面晶体管802的基极与集极间除了具有第一寄生电容Cbc，还耦接第一补偿电容C1；PNP双极接面晶体管802的基极与射极间除了具有第二寄生电容Cbe，还耦接第二补偿电容C2。

当RF开关800关闭时，由于实际上第一及第二寄生电容Cbc及Cbe的容值不相同，因此藉由并联容值相同的第一补偿电容C1于寄生电容Cbc及第二补偿电容C2于寄生电容Cbe可调整PNP双极接面晶体管802的基极与集极间等效电容(Cbc+C1)以及PNP双极接面晶体管802的基极与射极间等效电容(Cbe+C2)的容值比例在一可接受的范围。进而改善分配到Vbc或Vbe的电压振幅，更易于将Vbc或Vbe分配到的电压振幅控制在预定范围内以保持PNP双极接面晶体管802在关闭状态，也就是确保RF开关800为关闭状态。

请参照图9，图9为本发明实施例RF装置900的示意图。RF装置900包含二RF开关系统902、904及一RF天线906。当RF装置900接收讯号时，介于RF天线906及接收端Rx之间由复数个串接的RF开关组成的RF开关系统902导通以接收讯号，而介于RF天线906及发送端Tx之间由复数个串接的RF开关组成的RF开关系统904关闭以停止发送讯号。反之当RF装置900发送讯号时，RF开关系统904导通以发送讯号，而RF开关系统902关闭以停止接收讯号。

图9中RF开关系统902及904中的复数个串接的RF开关可以实施例中的RF开关300、400、500、600、700、800的任意组合取代。使用本发明实施例的RF开关300、400、500、600、700、800除了可以改善以上实施例中RF开关的等效电容比例及电压振幅分配的比例，亦可进一步改善RF开关系统902及904中串接的RF开关之间的等效电容比例及电压振幅分配的比例。由于在RF开关系统902中的一RF开关分配到的电压振幅系相关于接收端Rx接收端及一地端的寄生电容Cprx的容值对该RF开关的等效电容值的比例；在RF开关系统904中的一RF开关分配到的电压振幅系相关于发送端Tx发送端及地端之间的寄生电容Cptx的容值对该RF开关的等效电容值的比例。在RF开关中加上如以上实施例的补偿电容可增加每一RF开关的等效容值，以减少该RF开关的等效容值对寄生电容Cprx或寄生电容Cptx的比例使每一RF开关分配到的电压振幅更接近理想状况下的平均分配，确保RF开关及RF开关系统保持预期的关闭状态。

综上所述，藉由并联补偿电容调整RF开关的等效电容可改善RF开关中的电压振幅分配且进一步改善RF开关于RF开关系统中的电压振幅分配，以确保RF开关于关闭时可保持预期的关闭状态，提高动作准确度及设计效率。

以上所述仅为本发明之较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做之均等变化与修饰，皆应属本发明之涵盖范围。

Claims (11)

1.一种RF开关，其特征在于，包含：

一晶体管；

一第一补偿电容，耦接于该晶体管的控制端及该晶体管的第一端之间；及

一第二补偿电容，耦接于该晶体管的控制端及该晶体管的第二端之间；

其中该第一补偿电容的容值等于该第二补偿电容的容值。

2.如权利要求1所述的RF开关，其特征在于，该晶体管之控制端为闸极，该晶体管之第一端为汲极，该晶体管之第二端为晶体管之源极，且其中该晶体管为一N型金属氧化半导体场效晶体管或一P型金属氧化半导体场效晶体管。

3.如权利要求1所述的RF开关，其特征在于，该晶体管为一双极接面晶体管，该双极接面晶体管之控制端为该双极接面晶体管之基极，该双极接面晶体管之第一端为该双极接面晶体管之集极，该双极接面晶体管之第二端为该双极接面晶体管之射极，且其中该晶体管为一PNP双极接面晶体管或一NPN双极接面晶体管。

4.如权利要求1所述的RF开关，其特征在于，其中该第一补偿电容及该第二补偿电容为MIM电容。

5.一种RF开关系统，其特征在于，包含：

复数个串接的晶体管；

一第一补偿电容，耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的控制端及该晶体管的第一端之间；及

一第二补偿电容，耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的控制端及该晶体管的第二端之间；

其中该第一补偿电容的容值等于该第二补偿电容的容值。

6.一种RF开关，其特征在于，包含：

一晶体管；

一第一补偿电容，耦接于该晶体管的井极及该晶体管的第一端之间；及

一第二补偿电容，耦接于该晶体管的井极及该晶体管的第二端之间；

其中该第一补偿电容的容值等于该第二补偿电容的容值。

7.如权利要求6所述的RF开关，其特征在于，该晶体管为一N型金属氧化半导体场效晶体管或一P型金属氧化半导体场效晶体管。

8.如权利要求6所述的RF开关，其特征在于，该晶体管为一PNP双极接面晶体管或一NPN双极接面晶体管。

9.如权利要求6所述的RF开关，其特征在于，该第一补偿电容及该第二补偿电容为MIM(金属-絶缘-金属)电容。

10.一种RF开关系统，其特征在于，包含：

复数个串接的晶体管；

一第一补偿电容，耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的井极及该晶体管的第一端之间；及

一第二补偿电容，耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的井极及该晶体管的第二端之间；

其中该第一补偿电容的容值等于该第二补偿电容的容值。

11.一种RF开关，其特征在于，包含：

一晶体管；

一第一补偿电容，耦接于该晶体管之控制端及该晶体管之第一端之间；

一第二补偿电容，耦接于该晶体管之控制端及该晶体管之第二端之间；

一第三补偿电容，耦接于该晶体管之井极及该晶体管之第一端之间；及

一第四补偿电容，耦接于该晶体管之井极及该晶体管之第二端之间；

其中该第一补偿电容之容值实质上等于该第二补偿电容之容值，该第三补偿电容之容值实质上等于该第四补偿电容之容值。

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