JP2011228372A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011228372A JP2011228372A JP2010094615A JP2010094615A JP2011228372A JP 2011228372 A JP2011228372 A JP 2011228372A JP 2010094615 A JP2010094615 A JP 2010094615A JP 2010094615 A JP2010094615 A JP 2010094615A JP 2011228372 A JP2011228372 A JP 2011228372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- terminal
- side power
- power supply
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/045—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
- H02H9/046—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere responsive to excess voltage appearing at terminals of integrated circuits
Abstract
【解決手段】半導体集積回路装置70には、電源回路1、内部回路2、電流源3、2入力NAND回路4、コンデンサC1、ダイオードD1、出力トランジスタMDT1、端子Pin、端子Pvcc、端子Pvo、及び端子Pvssが設けられる。電流源3、コンデンサC1、及び2入力NAND回路4は、端子PVoに(+)ESDが印加されたとき、2入力NAND回路4の出力側のノードN3の信号レベルを“High”レベルにして、出力トランジスタMDT1をオンさせてESDの電荷を低電位側電源Vss側に逃がす。
【選択図】 図1
Description
2 内部回路
3 電流源
4、9 2入力NAND回路
5、7、8 インバータ
6 ESD保護回路
70〜73、80 半導体集積回路装置
C1 コンデンサ
D1、DN1、DS1〜DS5 ダイオード
MDT1、Q2 出力トランジスタ
Q1、Q3、Q4 NPNトランジスタ
MNT1〜MNT4、MNT11 Nch MOSトランジスタ
MPT1〜MPT4、MPT11 Pch MOSトランジスタ
N1〜N4、N12〜N14、N21、N22、N31 ノード
Pin、PVcc、PVo、PVss 端子
R1〜R5 抵抗
Sin 入力信号
Sout 出力信号
Vcc、Vdd 高電位側電源
Vss 低電位側電源(接地電位)
Claims (5)
- 電源端子から第1の高電位側電源が供給され、前記第1の高電位側電源により動作を開始して第2の高電位側電源を出力する電源回路と、
第1の端子側から出力信号を出力端子に出力する出力トランジスタと、
前記第1の高電位側電源と前記出力端子の間に設けられるダイオードと、
前記第2の高電位側電源と低電位側電源の間に設けられ、縦続接続される電流源及びコンデンサと、
前記電流源と前記コンデンサの間から出力される信号が入力され、前記出力トランジスタのオン・オフ動作を制御する制御信号が入力され、論理演算された信号を前記出力トランジスタの制御端子に出力する論理回路と、
を具備し、前記論理回路は前記出力端子にESDが印加されたときに、イネーブル状態の信号を前記出力トランジスタの制御端子に出力して前記出力トランジスタをオンさせることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記論理回路は2入力NAND回路、2入力NAND回路及び前記2入力NAND回路の出力側に接続されるインバータ、或いはインバータ及び2入力NOR回路から構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記出力トランジスタは、オープンドレイン構成のNch MOSトランジスタ或いはオープンコレクタ構成のNPNトランジスタであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路装置。
- 前記電流源は、カレントミラー回路から構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 電源端子から第1の高電位側電源が供給され、前記第1の高電位側電源により動作を開始して第2の高電位側電源を出力する電源回路と、
ソースが低電位側電源に接続され、ドレイン側から出力信号を出力端子に出力するNch DMOSトランジスタと、
カソードが前記第1の高電位側電源に接続され、アノードが前記出力端子に接続されるダイオードと、
前記第2の高電位側電源と前記低電位側電源の間に設けられ、縦続接続される電流源及びコンデンサと、
前記第2の高電位側電源と前記低電位側電源の間に設けられ、前記電流源と前記コンデンサの間から出力される信号が入力され、前記出力トランジスタのオン・オフ動作を制御する制御信号が入力され、論理演算された信号を前記出力トランジスタの制御端子に出力する2入力NAND回路と、
を具備し、前記2入力NAND回路は前記出力端子にプラスのESDが印加されたときに、イネーブル状態の信号を前記Nch DMOSトランジスタの制御端子に出力して前記Nch DMOSトランジスタをオンさせることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010094615A JP2011228372A (ja) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | 半導体集積回路装置 |
TW099140803A TW201203509A (en) | 2010-04-16 | 2010-11-25 | Semiconductor integrated circuit device |
US13/034,012 US8427798B2 (en) | 2010-04-16 | 2011-02-24 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010094615A JP2011228372A (ja) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011228372A true JP2011228372A (ja) | 2011-11-10 |
Family
ID=44788029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010094615A Pending JP2011228372A (ja) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8427798B2 (ja) |
JP (1) | JP2011228372A (ja) |
TW (1) | TW201203509A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016072349A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9985433B2 (en) | 2014-03-12 | 2018-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Output circuit |
WO2022018823A1 (ja) * | 2020-07-21 | 2022-01-27 | 日本電信電話株式会社 | ドライバ回路 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200937607A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-01 | Elan Microelectronics Corp | Electrostatic discharge (ESD) protection device for high-voltage input-output pad |
JP2012174983A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 集積回路 |
KR101926607B1 (ko) | 2012-09-28 | 2018-12-07 | 삼성전자 주식회사 | 클램핑 회로, 이를 포함하는 반도체 장치 및 반도체 장치의 클램핑 방법 |
CN106571796B (zh) * | 2015-10-09 | 2019-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 上电复位电路和方法 |
US11573268B1 (en) * | 2021-09-14 | 2023-02-07 | Nxp Usa, Inc. | Skew detection system and method to remove unwanted noise due to skewed signals |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11243639A (ja) * | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | 半導体回路 |
JP2004014929A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2005197980A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Asahi Kasei Microsystems Kk | Esd保護機能付き信号出力回路 |
JP2005260143A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Denso Corp | 半導体出力回路 |
JP2007511898A (ja) * | 2003-10-10 | 2007-05-10 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 静電気放電に対する保護回路及びその動作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05122035A (ja) * | 1991-05-10 | 1993-05-18 | Fuji Electric Co Ltd | 駆動電源内蔵型半導体装置 |
JP3222330B2 (ja) * | 1994-09-20 | 2001-10-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体回路及び半導体集積回路 |
US5910738A (en) * | 1995-04-07 | 1999-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Driving circuit for driving a semiconductor device at high speed and method of operating the same |
JP3680036B2 (ja) | 2002-04-05 | 2005-08-10 | 株式会社東芝 | 半導体回路、及び、フォトカップラー |
DE102006047243A1 (de) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Infineon Technologies Ag | Bordnetz mit mindestens einem Leistungstransistor und Verfahren zum Schutz eines Bordnetzes |
JP5403592B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2014-01-29 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 電流駆動回路 |
-
2010
- 2010-04-16 JP JP2010094615A patent/JP2011228372A/ja active Pending
- 2010-11-25 TW TW099140803A patent/TW201203509A/zh unknown
-
2011
- 2011-02-24 US US13/034,012 patent/US8427798B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11243639A (ja) * | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | 半導体回路 |
JP2004014929A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2007511898A (ja) * | 2003-10-10 | 2007-05-10 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 静電気放電に対する保護回路及びその動作方法 |
JP2005197980A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Asahi Kasei Microsystems Kk | Esd保護機能付き信号出力回路 |
JP2005260143A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Denso Corp | 半導体出力回路 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9985433B2 (en) | 2014-03-12 | 2018-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Output circuit |
JP2016072349A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2022018823A1 (ja) * | 2020-07-21 | 2022-01-27 | 日本電信電話株式会社 | ドライバ回路 |
JPWO2022018823A1 (ja) * | 2020-07-21 | 2022-01-27 | ||
JP7420258B2 (ja) | 2020-07-21 | 2024-01-23 | 日本電信電話株式会社 | ドライバ回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201203509A (en) | 2012-01-16 |
US20110255201A1 (en) | 2011-10-20 |
US8427798B2 (en) | 2013-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5955924B2 (ja) | 静電放電保護回路 | |
JP2011228372A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP4504850B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
TWI573248B (zh) | 可承受過度電性應力及避免栓鎖的靜電放電防護電路 | |
US7755870B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP5376641B2 (ja) | 電池装置 | |
JP6623139B2 (ja) | Esd保護回路 | |
JP5767734B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2007166685A (ja) | 逆流防止回路 | |
US11876089B2 (en) | Electrostatic discharge (ESD) protection for CMOS circuits | |
US9373612B1 (en) | Electrostatic discharge protection circuits and methods | |
JP2014207412A (ja) | Esd保護回路 | |
TWI571031B (zh) | 保護裝置、系統及維持閘極驅動器端子上的穩定輸出的方法 | |
JP2013153597A (ja) | 保護回路 | |
JP4479570B2 (ja) | 保護機能付きスイッチング回路および保護回路 | |
JP2001244418A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2016167516A (ja) | 静電気保護回路 | |
JP2004129378A (ja) | 電力用半導体素子のゲート駆動回路 | |
JP6784820B2 (ja) | Esd保護回路 | |
JP5034919B2 (ja) | 温度センサ回路 | |
JP2004350127A (ja) | スイッチ回路及びバススイッチ回路 | |
CN114400993A (zh) | 一种具有双向过压保护的模拟开关电路 | |
JP2017216325A (ja) | 半導体装置 | |
US5654571A (en) | Semiconductor device | |
JP4957916B2 (ja) | 半導体素子駆動回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130911 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140122 |