JP2011222916A - 描画装置、描画方法および描画装置の異常診断方法 - Google Patents
描画装置、描画方法および描画装置の異常診断方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011222916A JP2011222916A JP2010093471A JP2010093471A JP2011222916A JP 2011222916 A JP2011222916 A JP 2011222916A JP 2010093471 A JP2010093471 A JP 2010093471A JP 2010093471 A JP2010093471 A JP 2010093471A JP 2011222916 A JP2011222916 A JP 2011222916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- predetermined
- abnormality
- value
- comparison
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31796—Problems associated with lithography affecting resists
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】基板2に電子ビーム54を照射して発生した反射・散乱電子を検出部19で検出する。描画データから得られた所定単位におけるN番目のショットの面積(SN)と照射時間(tN)の積を演算部25aにて演算する。所定単位毎に指示相当値を累積した値と、検出部19からの信号(DN)を所定単位で積分した値とを、比較部24にて、比較・判定して、電子ビーム54の照射量に異常が起きているか否かを判定する。
【選択図】図1
Description
試料にエネルギービームが照射されて発生した反射・散乱荷電粒子または反射・散乱光を検出する検出部と、
描画データから得られた所定単位毎の指示照射量相当値(累計値)を演算する演算部と、
検出部からの信号を所定単位毎に積分する積分部と、
演算部で得られた値と積分部で得られた値とを比較する比較部とを有することを特徴とするものである。
試料にエネルギービームが照射されて発生した反射・散乱荷電粒子または反射・散乱光を検出する検出部と、
描画データから得られた所定単位毎の指示照射量相当値を演算する演算部と、
検出部からの信号を所定単位毎に積分する積分部と、
所定単位毎に、演算部で得られた指示照射量相当値と積分部で得られた検出値の積分値とを比較、異常判定を行う比較部と、
描画データから得られたショット単位での指示照射量相当値を照射の時系列データとして記憶する第1の記憶部と、
検出部からの時系列信号を記憶する第2の記憶部と、
必要に応じて、第1の記憶部に記憶された照射指示相当量の時系列データと第2の記憶部に記憶された検出部で検出された時系列データを比較・診断する異常診断部とを有することを特徴とするものである。
試料にエネルギービームが照射されて発生した反射・散乱荷電粒子または反射・散乱光を検出する検出工程と、
描画データから得られた所定単位毎の指示照射量相当値を演算する演算工程と、
検出工程で得られた信号を所定単位毎に積分する積分工程と、
所定単位毎に、演算工程で得られた値と積分工程で得られた値とを比較、異常判定する比較・判定工程とを有し、
比較・判定工程で異常が起きていると判断された場合には、比較・判定工程における情報を蓄積して所定の処理を行うことを特徴とするものである。
試料にエネルギービームが照射されて発生した反射・散乱荷電粒子または反射・散乱光を検出する検出工程と、
描画データから得られた所定単位毎の指示照射量相当値を演算する演算工程と、
検出工程で得られた信号を所定単位毎に積分する積分工程と、
演算工程で得られた値と積分工程で得られた値とを比較、異常判定する比較・判定工程とを有し、
比較・判定工程で異常が起きていると判断された場合には、指示照射量相当値の時系列データと、反射・散乱荷電粒子または反射・散乱光の検出信号の時系列データとを比較して、異常原因の推定を行うことを特徴とするものである。
図1は、本実施の形態における代表的なエネルギービーム描画装置の一つである、可変成形ビーム(VSB:Variable Shaped Beam)方式電子ビーム描画装置の構成図である。この電子ビーム描画装置100は、試料に電子ビームが照射されて発生した反射・反射・散乱電子を検出する検出部19と、描画データから得られた所定単位における指示照射量相当値を演算する演算部25aと、検出部からの信号を所定単位毎に積分する積分部23と、演算部25aで得られた値と積分部23で得られた値とを比較する比較部24とを有する。
Σ(SN×tN)=αΣDN (α:比例係数)
しかしながら、何らかの原因で照射量異常が起こるとこの関係は成立しなくなる。したがって、積分部23からの信号(ΣDN)と、指示値積分部23’からのデータ(Σ(SN×tN))とを比較することにより、照射量異常が起きているか否かを判定することができる。
図2は、本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。尚、図1と同じ符号を付した部分は同じものであることを示している。
この電子ビーム描画装置100’は、試料に電子ビームが照射されて発生した反射・散乱電子を検出する検出部19と、描画データから得られた所定単位毎の指示照射量相当値を演算する演算部25aと、検出部19からの信号を所定単位毎に積分する積分部23aと、所定単位毎に、演算部25aで得られた指示照射量相当値と積分部23aで得られた検出値の積分値とを比較、異常判定を行う比較部24と、描画データから得られたショット単位での指示照射量相当値を照射の時系列データとして記憶する第1の記憶部22aと、検出部からの時系列信号を記憶する第2の記憶部22bと、必要に応じて、第1の記憶部に記憶された照射指示相当量の時系列データと第2の記憶部に記憶された検出部で検出された時系列データを比較・診断する異常診断部31とを有する。
A/D変換器21で変換されたデジタル信号は、第2の記憶部22bに送られる。第2の記憶部22bは、一時的には時間軸を含めた検出部19からの信号(DN)の信号波形の履歴を記録するものである。積分部23aは、第2の記憶部22bからの信号を所定の単位毎に積分し、その積分値(ΣDN)を比較部24へ送る。
Σ(SN×tN)=αΣDN (α:比例係数)
しかしながら、何らかの原因で照射量異常が起こるとこの関係は成立しなくなる。したがって、検出部からの信号(ΣDN)と、照射量演算部からの信号(Σ(SN×tN))とを比較することにより、照射量異常が起きているか否かを判定することができる。
フローチャートには記載していないが、同時に、描画データに対する指示照射量相当値(SN×tN)の時系列データの第1の記憶部22aへの記録、累積値の算出も実施される。
Σ(SN×tN)=αΣDN (α:比例係数)
の関係が成立しない場合、または、Σ(SN×tN)とαΣDNの差が所定の範囲内でない場合には、S107に進み、その情報を制御計算機27内に設けられた異常診断部31へ送信する。また、第1および第2の記憶部22a、b内に格納されている信号(DN)および照射量指示相当量の時系列データも異常診断部31へ転送する。異常診断部31では、後の解析や検証のため、磁気ディスクなどに情報が記録される。その後、S108に進んで、第1および第2の記憶部22a、bに一次格納されたデータを消去する。一方、上式の関係が成立する場合にもS108に進んで、同様の処理を行う。
異常診断部31は、一時異常診断で、時系列(データ信号(DN)および照射量指示相当量の時系列データ)の受領を完了すると、異常個所の特定、異常原因の推定・特定等の異常診断を行い、結果をユーザに通知する。その間、描画装置は、次の所定単位の描画をすすめている。
以上では、説明を分かり易くするために、逐次的に描画および診断のフローを記載したが、描画を行う中で、所定単位の境界情報の伝達、時系列データの抽出、積分、比較等の診断工程を、描画と並行して実施することは可能である。
Σ(SN×tN)=αΣDN (α:比例係数)
図5(c)と(d)を比較すると、上記関係が成立することが分かる。したがって、この場合には照射量は正常であると判断される。
Σ(SN×tN)=αΣDN (α:比例係数)
の関係は成立しない。図6(b)の反射電子量は、図6(a)の指示照射量相当値に対して増加している。この所定単位で異常が発生していると判断され、その関連情報が比較部24から異常診断部31へ送られる。また、第1および第2の記憶部22a、b内に格納されている時系列データ、すなわち、図6(a)および(b)のデータも異常診断部31へ転送される。異常診断部31では、比較部24からの情報、第1および第2の記憶部22a、bからの時系列データに基づき、不良個所の特定と異常原因の推定を含む異常診断を行う。図6(b)の例では、電子ビーム描画装置100’内の高圧電源に異常が起きていることが推測される。こうした診断結果は、制御計算機27を通じてユーザに通知される。
Σ(SN×tN)=αΣDN (α:比例係数)
の関係は成立しない。図7(b)の反射電子量は、図7(a)の指示照射量相当値に対して減少しており、また、反射・散乱電子量は1ショット内で変化している。この所定単位で異常が発生していると判断され、その関連情報が比較部24から異常診断部31へ送られる。また、第1および第2の記憶部22a、b内に格納されている信号、すなわち、図7(b)のデータも異常診断部31へ転送される。異常診断部31では、比較部24からの情報、第1および第2の記憶部22a、bからの時系列データに基づき、不良個所の特定と異常の診断を行う。図7(b)の例では、電子ビーム描画装置100’内で電子銃6のアライメントコイルに異常が生じている結果、電子ビーム54にアライメントずれなどが起きていることが推測される。こうした診断結果は、制御計算機27を通じてユーザに通知される。
Σ(SN×tN)=αΣDN (α:比例係数)
の関係は成立しない。図8(b)の反射電子量は、図8(a)の指示照射量相当値に対して増加したり、減少したりしている。また、1ショット内での反射電子量にも変化が見られる。この所定単位で異常が発生していると判断され、その関連情報が比較部24から異常診断部31へ送られる。また、第1の記憶部22a内に格納されている信号、すなわち、図8(b)のデータも異常診断部31へ転送される。異常診断部31では、比較部24からの情報、第1および第2の記憶部22a、bからの時系列データに基づき、不良個所の特定と異常の診断を行う。図8(b)の例では、電子ビーム描画装置100’内での電子銃6にカソード放電などの異常が起きていることが推測される。こうした診断結果は、制御計算機27を通じてユーザに通知される。尚、比較は、N個のショット毎ではなく1ショット毎に行うことも可能である。
Σ(SN×tN)=αΣDN (α:比例係数)
の関係は成立しない。図9(b)では、1ショットの照射時間が図9(a)より長くなっている。この所定単位で異常が発生していると判断され、その関連情報が比較部24から異常診断部31へ送られる。また、第1の記憶部22a内に格納されている信号、すなわち、図9(b)のデータも異常診断部31へ転送される。異常診断部31では、比較部24からの情報、第1および第2の記憶部22a、bからの時系列データに基づき、不良個所の特定と異常の診断を行う。図9(b)の例では、電子ビーム描画装置100’内でブランキングアンプ33などに異常が生じている結果、ブランキング制御不良などが起きていることが推測される。こうした診断結果は、制御計算機27を通じてユーザに通知される。
2 基板
3 ステージ
4 ステージ駆動回路
5 位置回路
6 電子銃
7、8、9、11、12 各種レンズ
10 電子光学鏡筒
13 ブランキング用偏向器
14 成形偏向器
15 副偏向器
16 主偏向器
17、18 アパーチャ
19 検出部
20 増幅器
21 A/D変換器
22a 第1の記憶部
22b 第2の記憶部
23 積分部
23’ 指示値積分部
24 比較部
25a 演算部
25’ 指示値演算部
26 入力部
27 制御計算機
28 ショットデータ生成部
29 偏向演算部
30 積分部
31 異常診断部
33 ブランキングアンプ
34 成形偏向アンプ
35 副偏向アンプ
36 主偏向アンプ
51 描画されるパターン
52 フレーム領域
53 副偏向領域
54 電子ビーム
100 電子ビーム描画装置
Claims (5)
- 描画室内に載置される試料にエネルギービームを照射して、前記試料の上に描画データに基づく所定のパターンを描画する描画装置において、
前記試料にエネルギービームが照射されて発生した反射・散乱荷電粒子または反射・散乱光を検出する検出部と、
前記描画データから得られた所定単位毎の指示照射量相当値を演算する演算部と、
前記検出部からの信号を前記所定単位毎に積分する積分部と、
前記演算部で得られた値と前記積分部で得られた値とを比較する比較部とを有することを特徴とする描画装置。 - 前記比較部では、前記所定単位毎に、前記演算部で得られた値と、前記積分部で得られた値に所定の係数を乗じた値との比較が行われ、
両者の差が所定の閾値以下であれば前記エネルギービームの照射量は正常と判断し、両者の差が前記所定の閾値より大きければ前記エネルギームの照射量は異常と判断してその旨の通知を行うことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。 - 描画室内に載置される試料にエネルギービームを照射して、前記試料の上に描画データに基づく所定のパターンを描画する描画装置において、
前記試料にエネルギービームが照射されて発生した反射・散乱荷電粒子または反射・散乱光を検出する検出部と、
前記描画データから得られた所定単位毎の指示照射量相当値を演算する演算部と、
前記検出部からの信号を前記所定単位毎に積分する積分部と、
前記演算部で得られた値と前記積分部で得られた値とを比較する比較部と、
前記描画データから得られたショット単位での指示照射量相当値を照射の時系列データとして記憶する第1の記憶部と、
前記検出部からの時系列信号を記憶する第2の記憶部と、
必要に応じて、前記第1の記憶部に記録された照射指示相当量と照射の時系列データとを比較・診断する異常診断部とを有することを特徴とする描画装置。 - 試料にエネルギービームを照射して、前記試料の上に描画データに基づく所定のパターンを描画する描画方法において、
前記試料にエネルギービームが照射されて発生した反射・散乱荷電粒子または反射・散乱光を検出する検出工程と、
前記描画データから得られた所定単位毎の指示照射量相当値を演算する演算工程と、
前記検出工程で得られた信号を前記所定単位毎に積分する積分工程と、
前記演算工程で得られた値と前記積分工程で得られた値とを比較、異常判定する比較・判定工程とを有し、
前記比較・判定工程で異常が起きていると判断された場合には、前記比較工程における情報を蓄積して所定の処理を行うことを特徴とする描画方法。 - 試料にエネルギービームを照射して、前記試料の上に描画データに基づく所定のパターンを描画する描画装置の異常診断方法において、
前記試料にエネルギービームが照射されて発生した反射・散乱荷電粒子または反射・散乱光を検出する検出工程と、
前記描画データから得られた所定単位毎の指示照射量相当値を演算する演算工程と、
前記検出工程で得られた信号を前記所定単位毎に積分する積分工程と、
前記演算工程で得られた値と前記積分工程で得られた値とを比較する比較工程とを有し、
前記比較工程で異常が起きていると判断された場合には、前記指示照射量相当値の時系列データと、前記反射・散乱荷電粒子または前記反射・散乱光の検出信号の時系列データとを比較して、前記異常原因の推定を行うことを特徴とする描画装置の異常診断方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010093471A JP5554620B2 (ja) | 2010-04-14 | 2010-04-14 | 描画装置、描画方法および描画装置の異常診断方法 |
US13/084,870 US8427919B2 (en) | 2010-04-14 | 2011-04-12 | Pattern writing system and method and abnormality diagnosing method |
KR1020110033990A KR101273805B1 (ko) | 2010-04-14 | 2011-04-13 | 묘화 장치, 묘화 방법 및 묘화 장치의 이상 진단 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010093471A JP5554620B2 (ja) | 2010-04-14 | 2010-04-14 | 描画装置、描画方法および描画装置の異常診断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011222916A true JP2011222916A (ja) | 2011-11-04 |
JP5554620B2 JP5554620B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=44788108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010093471A Expired - Fee Related JP5554620B2 (ja) | 2010-04-14 | 2010-04-14 | 描画装置、描画方法および描画装置の異常診断方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8427919B2 (ja) |
JP (1) | JP5554620B2 (ja) |
KR (1) | KR101273805B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10534115B1 (en) * | 2017-09-22 | 2020-01-14 | Facebook Technologies, Llc | Gray-tone electron-beam lithography |
US11220028B1 (en) | 2018-03-08 | 2022-01-11 | Facebook Technologies, Llc | Method of manufacture for thin, multi-bend optics by compression molding |
US10976483B2 (en) | 2019-02-26 | 2021-04-13 | Facebook Technologies, Llc | Variable-etch-depth gratings |
US11709422B2 (en) | 2020-09-17 | 2023-07-25 | Meta Platforms Technologies, Llc | Gray-tone lithography for precise control of grating etch depth |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0283914A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置 |
JPH05267144A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
JPH10229035A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-25 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置 |
JP2006332457A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画装置のアパーチャマスク交換判定方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2007019243A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Canon Inc | 電子ビーム装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59195825A (ja) | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Jeol Ltd | 荷電粒子線露光装置 |
JPH01102930A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
JPH06103756B2 (ja) | 1989-06-22 | 1994-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ダイヤモンド電子装置の作製方法 |
JPH0574404A (ja) | 1991-09-10 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線露光装置 |
JP3216474B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2001-10-09 | 株式会社日立製作所 | 走査型電子顕微鏡 |
US6225637B1 (en) * | 1996-10-25 | 2001-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus |
AU6853698A (en) * | 1997-04-18 | 1998-11-13 | Nikon Corporation | Method and device for exposure control, method and device for exposure, and method of manufacture of device |
JP2000314710A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
JP2003022961A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Nikon Corp | アライメントマーク、荷電粒子線露光装置用レチクル及び荷電粒子線露光方法 |
JP4528308B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-08-18 | パイオニア株式会社 | ビーム記録方法及び装置 |
JP4751617B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2011-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP4988223B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2007200595A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 荷電粒子線装置、荷電粒子線の焦点調整方法、微細構造の測定方法、微細構造の検査方法および半導体装置の製造方法 |
KR100792687B1 (ko) * | 2006-11-06 | 2008-01-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 패턴 결함 검출 방법 및 장치 |
-
2010
- 2010-04-14 JP JP2010093471A patent/JP5554620B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-12 US US13/084,870 patent/US8427919B2/en active Active
- 2011-04-13 KR KR1020110033990A patent/KR101273805B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0283914A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置 |
JPH05267144A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
JPH10229035A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-25 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置 |
JP2006332457A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画装置のアパーチャマスク交換判定方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2007019243A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Canon Inc | 電子ビーム装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110115090A (ko) | 2011-10-20 |
JP5554620B2 (ja) | 2014-07-23 |
KR101273805B1 (ko) | 2013-06-11 |
US8427919B2 (en) | 2013-04-23 |
US20110255388A1 (en) | 2011-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100199276B1 (ko) | 하전입자빔 노광장치 및 하전입자빔 노광방법 | |
US7608845B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and method thereof, and method for resizing dimension variation due to loading effect | |
JP6750966B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
US20140166869A1 (en) | Charged particle beam writing method, computer-readable recording medium, and charged particle beam writing apparatus | |
KR101442080B1 (ko) | 하전 입자빔 묘화 방법, 하전 입자빔 묘화 프로그램을 저장한 기억 매체 및 하전 입자빔 묘화 장치 | |
JP5554620B2 (ja) | 描画装置、描画方法および描画装置の異常診断方法 | |
US7900185B2 (en) | Pattern writing circuit self-diagnosis method for charged beam photolithography apparatus and charged beam photolithography apparatus | |
TWI727258B (zh) | 電子束檢查裝置及電子束檢查方法 | |
JP4747112B2 (ja) | パターン形成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
CN110517954B (zh) | 电子束照射方法、电子束照射装置及记录有程序的计算机可读的非易失性存储介质 | |
WO2020095743A1 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム | |
TW201944062A (zh) | 圖案檢查方法及圖案檢查裝置 | |
JP2010073732A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置の評価方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6581835B2 (ja) | 半導体デバイスの評価条件設定方法、及び評価条件設定装置 | |
JP6294758B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームのドーズ量異常検出方法 | |
US20240175829A1 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
KR20170107898A (ko) | 블랭킹 플레이트의 검사 방법 | |
JP2010073909A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
US20190043692A1 (en) | Charged particle beam writing apparatus, charged particle beam writing method, and pattern forming method | |
JP2022177801A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム | |
JP2014041862A (ja) | 荷電粒子ビーム補正方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2006119019A (ja) | マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法 | |
CN115373228A (zh) | 带电粒子射束描绘方法、装置及计算机可读取的记录介质 | |
JP2014038945A (ja) | ビームドリフトの補正間隔パターンの設定方法、荷電粒子ビーム描画装置の部品メンテナンスの実施時期判定方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2020170792A (ja) | 電子ビーム検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140520 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5554620 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |