JP2006119019A - マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スクの欠陥検査に要する時間を短縮することができるマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】マスク領域１３，１４において、上下に隣接している単位移動検査領域Ｗ１，Ｗ２を考える。この場合、従来の検査方法であれば単位移動検査領域Ｗ１、Ｗ２の全領域を検査してしまうが、本実施形態に係る検査方法では、単位移動検査領域Ｗ１，Ｗ２の左半分の領域に関しては、検査領域Ａのみの検査を、例えば、ステージ６をステップ＆スキャンさせることによって行ない、単位移動検査領域Ｗの右半分に関しては、この領域全域が非検査領域Ｂであることから、検査動作を一切行なわず、領域Ｐを検査したのち、領域Ｓに移動し、検査を実施する。
【選択図】図９

Description

本発明は、マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法に関し、特に、パターンが形成された複数の薄膜が平面的に並べて配置され、薄膜の間の領域に厚膜の梁が配置されたマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法に関する。

近年、回路パターンの微細化に伴い、従来の光を用いたパターン形成手段以外の方法が提案されている。この中でも、露光光にＸ線を用いる、Ｘ線リソグラフィや、電子線を用いるＥＰＬ(electron projection lithography)、ＬＥＥＰＬ(low-energy electron-beam proximity-projection lithography) 等の技術は、次世代のパターン形成方法として、注目されている。この理由の一つは、電子線露光方式によれば、従来の露光方式以上の高解像性を達成できるためである。

これらのパターン形成方法は、いずれもメンブレン構造を有するマスクを使用するという共通点を持つ。しかしながら、これらのマスクにおけるメンブレン膜厚は一般に数１０μｍ以下の薄膜で構成されており、機械的強度を維持するため、および、マスクパターンの位置精度の高精度化のため、メンブレンは梁によって支えられていることが多い。これらの梁構造を有するマスクは、パターンが開口部によって形成されるステンシル方式のものとパターン部以外の部分が露光光の散乱体で構成された散乱方式のものとの２方式がある。

露光用マスク内に配置されたパターンに関しては、露光後のパターンに致命的な影響を与えるような欠陥がない事が望まれる。このため、露光用マスクのパターンに関しては、マスク内の全てのパターンの検査を行なうことが一般的である。これは、前述したようなメンブレン構造を有する露光用マスクについてもあてはまる。このような検査を実現する装置として、透過電子型欠陥検査装置がある。

装置は主に真空チャンバー、電子光学系、検出器、マスク搭載ステージ、データ処理系、および装置制御系から構成されている。電子銃から放出された電子は、電子光学系により制御され、マスクへ到達する。ステンシル方式のマスクには前述したように、パターンとして開口部が備わっているため、マスクへ到達した電子の一部は、開口部より透過する。開口部を透過した電子は、電子光学系による制御の後、検出器へ到達する。検出器に到達した電子は、パターン部を透過したものだけであるため、検出器での電子線強度の空間分布から、パターンの透過電子像が形成される。このようにして得られた透過電子像（以下、透過電子像と略記する）と、マスク上に配置されているパターンのマスク描画データ像（以下、データ像と略記する）とを比較する。マスクに欠陥がなければ、透過電子像ならびに、データ像は一致するはずであるが、マスクに欠陥がある場合、両者は異なる。この差異を検出することにより、マスク上の全てのパターンについての欠陥の有無を検査する。

以上は、マスク描画データと実際のマスクパターンを比較する、いわゆるデータベース比較検査の例であるが、他の検査方式の例としては、マスク内のパターンをセル単位で比較するセル比較検査や、マスク内のパターンをダイ毎に比較する、ダイ比較方式の検査装置が存在する。
J. Yamamoto et al., Proc. SPIE 5037, 531 (2003)

近年の回路パターンの微細化に伴い、マスクパターン欠陥検査に要する時間が長くなっている。これは、パターンサイズの縮小に伴う、致命欠陥サイズの縮小に起因する。すなわち、より微細な欠陥を検出する都合上、検査装置の検出画素サイズも従来に比して縮小せざるを得なくなり、この結果、１回の検査動作によって検査可能な領域が縮小してしまう。このことが、検査時間が長くなっている要因であり、１枚のマスクの検査に数時間を要することも珍しくなくなってきている。

これは、前述した、梁つきのメンブレンを有するマスクの欠陥検査に対しても同様である。例えば、非特許文献１によると、先に示した透過電子線を用いたＥＰＬ用ステンシルマスク欠陥検査装置に関し、５０ｎｍといった微細な欠陥を検出できる能力をもつと賞賛する一方で、４時間程度の検査時間を要すると報告されている。

このことは、マスクのコストを増大させることはもちろん、納期にも重大な影響を与える可能性がある。なぜなら、一旦作製したマスクが良品か否かを見極めるまでの時間が長くなってしまうためである。したがって、欠陥検出感度の低下を伴わずに、検査時間を短縮できる検査方法の構築が望まれている。

また、マスクへの帯電を防止する事は、特に電子線露光用マスクにおいては極めて重要である。これは、マスク表面の電位が高い場合、マスク周辺に浮遊する異物を吸着する可能性が高いためである。マスクに異物が付着した場合、パターン欠陥が発生する危険が高まるのはもちろん、マスクの位置精度へも影響を及ぼす可能性がある。なぜなら、静電チャックによってマスクを保持する場合、チャック面とマスク面の間に異物が挟まると、マスクの変形が誘発されるからである。さらに、帯電によって、静電チャックの吸着力が低下し、マスク落下、すなわち破損の危険が高まることもある。この事は、特にＬＥＥＰＬのような近接露光方式の場合には深刻である。なぜなら、近接露光のため、マスクをウェハ側に落下する事を防止する機構を備えることが原理的に困難なためである。

この様に、マスクへの帯電防止が重要であるにも関わらず、従来の検査方法においては、この点が考慮されていなかった。特に、電子ビームを用いる検査方法の場合、帯電の危険は高いにもかかわらず、これを低減させる措置は講じられていないのが実情である。さらに、ＬＥＥＰＬやＥＰＬのようなステンシル方式のマスクにおいては、マスク基材にＳＯＩ(Silicon on Insulator)ウェハと呼ばれる、酸化膜をシリコン基材で両側から挟んだ断面構造を持つウェハを使用することがある。この場合、酸化膜によって、電荷が外部に逃れにくく、通常のウェハに比べ、帯電の危険は一層大きくなる。
よって、上述のようなマスクの欠陥検査においては、帯電を最低限に留めるような欠陥検査が望まれる。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、マスクの欠陥検査に要する時間を短縮することができるマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明のマスク欠陥検査装置は、パターンが形成された複数の薄膜が平面的に並べて配置され、前記薄膜の間の領域に厚膜の梁が配置されたマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、検査用ビームを照射する検査用ビーム照射手段と、マスクを移動させて、前記マスクの面内において前記検査用ビームを走査させるステージと、前記マスクの構造データに基づいて、前記マスクの前記梁の領域を非検査領域として抽出するデータ処理手段と、抽出された前記非検査領域の位置情報に基づいて、前記非検査領域へ前記検査用ビームの照射領域が重なった際に、前記非検査領域をスキップするように前記ステージの動作を制御する制御手段とを有する。

上記の本発明のマスク欠陥検査装置では、まず、データ処理手段によりマスクの構造データに基づいて、マスクの梁の領域が非検査領域として抽出される。
そして、抽出された非検査領域の位置情報に基づいて、制御手段により、非検査領域へ検査用ビームの照射領域が重なった際に、非検査領域をスキップするようにステージの動作が制御される。

上記の目的を達成するため、本発明のマスク欠陥検査方法は、パターンが形成された複数の薄膜が平面的に並べて配置され、前記薄膜の間の領域に厚膜の梁が配置されたマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査方法であって、前記マスクの構造データに基づいて、前記マスクの前記梁の領域を非検査領域として抽出する第１ステップと、前記マスクへ検査用ビームを照射しつつ前記マスクを移動させて、前記マスクを通過した前記検査用ビームの像を検出する第２ステップとを有し、前記第２ステップにおいて、抽出された前記非検査領域の位置へ前記検査用ビームの照射領域が重なった際に、前記検査用ビームの像を検出せずに前記マスクを移動させて前記非検査領域をスキップさせるものである。

上記の本発明のマスク欠陥検査方法では、まず、マスクの構造データに基づいて、マスクの梁の領域を非検査領域として抽出する。そして、マスクへ検査用ビームを照射しつつマスクを移動させて、マスクを通過した検査用ビームの像を検出する。
上記の検査用ビームを照射しつつマスクを移動させる際に、抽出された非検査領域の位置へ検査用ビームの照射領域が差し掛かった場合に、検査用ビームの像を検出せずにマスクを移動させて非検査領域をスキップさせる。

本発明によれば、マスクの欠陥検査に要する時間を短縮することができる。

以下に、本発明のマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。本例では、検査用ビームとして電子ビームを用いる例について説明する。

図１は、本実施形態に係るマスク欠陥検査装置の一例を示す構成図である。

マスク欠陥検査装置は、真空チャンバ１と、電子銃２と、電子光学系３、４と、検出器５と、マスク１０を載置するステージ６と、データ処理部７と、制御部８とを有する。

電子銃２は、検査用ビームとしての電子ビームを出射する。電子光学系３は、たとえば偏向器を備え、電子銃２から出射された電子ビームを走査する。なお、検査用ビームとして、１００ｎｍから１０００ｎｍまでの光線もしくは、Ｘ線もしくは、荷電粒子ビームのいずれかまたはこれらを組み合わせたものを用いてもよい。

電子光学系４は、たとえば偏向器を備え、マスク１０を通過した電子ビームを検出器５へ受光させる。検出器５は、マスク１０を透過（通過）した透過電子像を取り込み、電気信号に変換する。

ステージ６は、マスク１０を保持した状態で、当該マスクを移動させることにより、前記マスクの面内に電子ビームを走査させる。

データ処理部７は、検出器から出力された信号と、マスク上に配置されているパターンのマスク描画データ像（以下、データ像と略記する）とを比較する。マスクに欠陥がなければ、透過電子像とデータ像は一致するはずであるが、マスクに欠陥がある場合、両者は異なる。この差異がある閾値を越えた場合、パターンに欠陥があると判別され、欠陥発生部の座標を保存する。また、データ処理部７は、後述するように、マスクの構造データに基づいて、非検査領域を抽出し、ステージ６の移動シーケンスを設定する。

制御部８は、装置全体の動作を制御する。例えば、制御部８はデータ処理部７により設定された移動シーケンスに基づいてステージ６の動作を制御し、かつ、電子銃２、電子光学系３，４の動作を制御する。

次に、上記の欠陥検査装置を用いた欠陥検査方法について、図２のフローチャートを参照して説明する。なお、ここではデータ比較方式を用いた検査方法について説明する。

実際の検査に先立ち、マスク中における検査が必要な領域（以下、検査領域Ａと称する）を指定する。検査領域Ａの指定については、次のような方法を用いる。まず、検査対象とするマスクの梁構造データ（構造データ）を検査機へ入力する（ステップＳＴ１）。具体的には、梁構造を形成するために用いた、露光用パターンデータを入力し、該パターンデータの矩形領域を検査領域とする。

図３は、パターンデータに含まれるマスク構造の一例を示す図である。
図３に示すマスク１０は、４つのマスク領域１１，１２，１３，１４を有する。マスク領域１１，１３には、ｙ方向に伸びるストライプ状のメンブレン２１が配置され、各メンブレン２１の間には、メンブレン２１よりも厚膜の梁２２が配置されている。パターンは、メンブレン２１に配置される。マスク領域１１とマスク領域１３を重ねた際に、互いの梁２２が重ならないように梁２２が配置されている。

マスク領域１２，１４には、ｘ方向に伸びるストライプ上のメンブレン２１が配置され、各メンブレン２１の間には、メンブレン２１よりも厚膜の梁２２が配置されている。パターンは、メンブレン２１に配置される。マスク領域１２とマスク領域１４を重ねた際に、互いの梁２２が重ならないように梁２２が配置されている。

上記のマスク１０のメンブレン２１の領域に貫通孔からなるパターンが配置されることから、当該領域が実質的な検査領域Ａとなり、梁２２の領域にはパターンが配置されないことから、梁２２の領域は検査の必要のない非検査領域Ｂとなる。

本実施形態では、検査領域Ａのみの検査を行なう。検査領域Ａのみの検査についての説明に先立ち、マスクへの電子ビームの照射方法について説明する。図４は、電子ビームの走査に同期したステージ移動の例について説明するための図である。

図４に示すように、マスク１０へ検査用ビームとして電子ビームを照射する場合には、検出器５の検出領域５aを包含する電子ビーム走査領域３ａ内に電子ビームを走査する。電子ビーム走査領域３ａ内での電子ビームの走査は、電子光学系３により電子ビームを偏向させることにより行われる。

このように、電子ビーム走査領域３ａ内に電子ビームを走査しつつ、ステージを移動させることにより、マスク１０の面内において電子ビームが照射される。

本実施形態における欠陥検査はステージ６を移動させることにより、電子ビーム走査領域３ａをマスク１０の面内において経時的に移動させるものである。このため、やがて電子ビーム走査領域３ａが検査領域Ａ以外の部位にさしかかる。このとき、検査領域Ａ以外の検査を省くために、本例では次のような方法を用いる。

パターン欠陥検査の際には、上記のようなステージ６の移動による電子ビームの走査を考慮して、図５に示すようにマスク１０の領域を包含するステージ走査領域（ステージ移動により電子ビームを照射すべき領域の全体をいう）６ａを設定する。そして、当該ステージ走査領域６ａの全体を矩形状の領域Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３に分割し、この矩形の長辺方向に沿ってステージ動作が行なわれる。このような細分化された領域Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３を単位移動検査領域Ｗと呼ぶ。本発明においては、この単位移動検査領域Ｗ内に含まれる非検査領域Ｂの大きさを計算し、該領域での検査動作を行なわないことによって、非検査領域Ｂ中での検査動作を行なわないようにする。

図６（ａ）および図６（ｂ）は、単位移動検査領域Ｗを基準として非検査領域Ｂの大きさを計算する例を説明するための図である。

まず、図６（ａ）中の単位移動検査領域Ｗ内に含まれる梁２２の領域と単位移動検査領域Ｗとの交点で定められる図形Ｆを抽出する。抽出の方法は、各単位移動検査領域Ｗと梁２２の領域との論理積（ＡＮＤ演算）を求めることで行なえばよい。また、単位移動検査領域Ｗの大きさは、検査時に設定した検出器１画素あたりの検査領域（ピクセルサイズ）に、検出器の画素数を乗じて算出し、この値をデータ処理部７へ入力すればよい。

次に、該図形Ｆの頂点（ｘ１，ｙ１），（ｘ２，ｙ２）よりこの図形Ｆにおける単位移動検査領域Ｗの短辺方向の長さを求める。この長さが単位移動検査領域Ｗの短辺長ｃと等しい場合、当該図形Ｆの領域を非検査領域Ｂとして抽出する（ステップＳＴ２）。反対に、図形Ｆにおける単位移動検査領域Ｗの短辺方向の長さが、単位移動検査領域Ｗの短辺長ｃよりも短い場合には、非検査領域として抽出しない。

以上は梁２２の領域の一部が単位移動検査領域Ｗの短辺と重なる場合であったが、図６（ｂ）のように梁２２の領域全面が単位移動検査領域Ｗを覆っている場合も存在する。このような場合においても図６（ａ）の場合と同様に、単位移動検査領域Ｗの短辺方向と重複すると判断され、非検査領域Ｂとして抽出される（図２のステップＳＴ２）。

以上のようにして、単位移動検査領域ごとに非検査領域を抽出した後に、データ処理部７によりステージ６の移動シーケンスが設定される（図２のステップＳＴ３）。

本実施形態では、抽出された非検査領域の検査はせずに次の検査領域へスキップするような移動シーケンスを設定する。ここで、次の検査領域が同じ単位移動検査領域Ｗ内に存在する場合には、検査時間を短縮させるため、非検査領域Ｂのステージ動作を通常の検査時に比べ高速化して、次の検査領域までスキップさせる。

次の検査領域が隣接する他の単位移動検査領域内に存在する場合には、非検査領域のスキップの方法として２通り存在する。（１）１つ目は単位移動検査領域Ｗの端まで高速でステージ動作を行った後に、隣接する単位移動検査領域における検査領域に移る方法であり、（２）２つ目は直接に隣接する他の単位移動検査領域Ｗにおける検査領域に移る方法がある。高速化の観点からは（２）の方法が好ましく、ステージの移動シーケンスの単純化の観点からは（１）の方法が好ましい。（１）と（２）のどちらを採用してもよい。

ただし、（１）と（２）に共通している点は、いずれも非検査領域の画像を取り込まないことである。すなわち、非検査領域Ｂには電子線を照射しない。これは、例えば電子光学系３により電子ビームの照射先をマスク１０から外すことによって行われる。これによって、必要な箇所のみ電子ビームを照射する事ができ、電子ビーム照射による帯電等のマスクへの悪影響を低減させることができる。

非検査領域Ｂに対するステージ動作の一例について、図７を参照して説明する。

例えば、単位移動検査領域Ｗ毎に設定された非検査領域Ｂ｛座標（ｘ１，ｙ１），（ｘ２，ｙ２）で規定される｝に対し、ステージ座標が該非検査領域Ｂから検出器５による検出領域５ａの幅Ｄだけ余分に移動した場合、すなわち検出領域５ａの右端がｘ＝ｘ１＋Ｄに達した場合、ステージ６をステップ動作し、非検査領域Ｂのスキャンは行なわないようにする。ステップの量は、非検査領域Ｂの右端が検出領域５ａの右端に一致するまで移動する。すなわち、この場合の検出領域５ａの右端はｘ＝ｘ２に位置している。このようなステップ＆スキャン動作を行なうように、移動シーケンスを設定する。

移動シーケンスの設定後、マスク１０への電子ビームの実際の走査が行われる（ステップＳＴ４）。マスク１０への電子ビームの走査は、上記したように、検出器５の検出領域５ａを含む微小な領域（電子ビーム走査領域３ａ）に電子ビームを走査しつつ、移動シーケンスに従ってステージ６を移動させることにより実施される。

以上のような欠陥検査方法を等倍荷電粒子線露光法（いわゆる、ＬＥＥＰＬ）におけるマスクの一つに適用した例について説明する。

図８は、ＬＥＥＰＬに使用されるマスクのうちの１つの梁構造と単位移動検査領域Ｗの一例を示す図である。

図８に示すマスク１０における梁２２の幅は２００μｍから４０００μｍの間であり、現実的な単位移動検査領域Ｗの短辺の長さは１０μｍから２００μｍであるため、単位移動検査領域Ｗと重複する非検査領域は図６（ａ）もしくは図６（ｂ）のいずれかのタイプもしくは、これらの組み合わせである。

一例として、梁２２の幅とメンブレン２１の幅が同一であるとし、各々１０００μｍ、単位移動検査領域Ｗの短辺の長さを１００μｍ、マスク内における実質的なパターン領域を２８０００μｍと仮定してある。

いま、図９に示すようにマスク領域１３，１４において、上下に隣接している単位移動検査領域Ｗ１，Ｗ２を考える。この場合、従来の検査方法であれば単位移動検査領域Ｗ１、Ｗ２の全領域を検査してしまうが、本実施形態に係る検査方法では、単位移動検査領域Ｗ１，Ｗ２の左半分の領域に関しては、検査領域Ａのみの検査を、例えば、ステージ６をステップ＆スキャンさせることによって行ない、単位移動検査領域Ｗの右半分に関しては、この領域全域が非検査領域Ｂであることから、検査動作を一切行なわず、領域Ｐを検査したのち、領域Ｓに移動し、検査を実施する。

このように、本発明における検査では、検査に必要な領域のみ検査を行なうことによって、検査時間の短縮が図れる。ちなみに、上記のような配置のマスクを検査する場合、検査領域は実効的に１／２となることから、検査時間を最大で１／２まで短縮することが可能になる。上述のような非検査領域Ｂに入った場合、検査用ビームは遮断しておく。遮断する方法は、検査光が電子ビームであれば、アパーチャーの遮蔽板で遮ってもよいし、電磁的なポテンシャルによって、ビームを偏向し、マスクへビームが到達しないようにすれば良い。

なお、本例では非検査領域が矩形の場合を記したが、それ以外の図形であっても該非検査領域の頂点の抽出によって、同様の動作をすることが可能である。

上記の本実施形態に係るマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法の効果について説明する。

まず、検査に必要な領域のみを対象に検査を行なうことが出来るため、検査時間の大幅な短縮化が可能である。図８に示す構造を有するマスクを例に取ると、検査領域が１／２となるため、検査時間を最大で従来の半分の時間とする事が出来る。この事は、マスク製造コストの低減化はもちろん、歩留まり向上へも寄与するものである。

また、検査領域Ａ以外に検査用ビームを照射しないことは、マスクの歩留まり向上という点で有効である。特に、検査用ビームに電子ビームを用いた場合、電子ビーム照射による帯電によって、異物付着の可能性が高まる。特にサイズが１μｍを超えるような大きさの異物に関しては、パターン領域以外といえども付着なきことが望ましい。これは、このようなサイズの異物における付着後の可動性によって、パターン領域に再付着を発生する可能性があるためである。

さらに述べると、パターン領域外に異物が付着しないという事は、マスクの位置精度の観点でも有効である。これは、マスクを静電チャックで保持するという機構上、異物の付着が生じた場合、異物によって保持時のマスク変形が生じ、位置精度への影響が出るためである。

これに加え、マスク１０が帯電しないという事は、マスクの破損防止の観点でも有効である。なぜなら、マスクに帯電が生じている場合、静電チャックによる保持力が低下するためである。特に、ＬＥＥＰＬのような近接露光方式では、マスク−ウェハ間の距離が５０μｍ程度と近接しているため、マスク落下を物理的に阻止する機構を導入する事は困難である。この観点から、マスクへの帯電が従来に比べ少なく出来る、本発明によるマスク欠陥検査方式は有効である。

本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
本実施形態では、単位移動検査領域を設定して、当該単位移動検査領域と梁２２の領域との論理積により非検査領域を抽出する例について説明したが、梁の構造データを用いて、梁位置をそのまま非検査領域として抽出してもよい。

また、検査対象となるマスクの梁構造は上記の説明に限定されず、種々の梁構造をもつマスクの検査に本発明は適用可能である。また、検査用ビームとして電子ビームを用いる例について説明したが、Ｘ線などを使用することもできる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

本実施形態に係るマスク欠陥検査装置の一例を示す構成図である。 本実施形態に係る欠陥検査方法のフローチャートである。 パターンデータに含まれるマスク構造の一例を示す図である。 電子ビームの走査に同期したステージ移動の例について説明するための図である。 単位移動検査領域について説明するための図である。 （ａ）および（ｂ）は、単位移動検査領域Ｗを基準として非検査領域Ｂの大きさを計算する例を説明するための図である。 非検査領域Ｂに対するステージ動作の一例について説明するための図である。 ＬＥＥＰＬに使用されるマスクのうちの１つの梁構造と単位移動検査領域Ｗの一例を示す図である。 ＬＥＥＰＬに使用されるマスクに本実施形態に係る欠陥検査方法を適用した例について説明するための図である。

符号の説明

１…真空チャンバ、２…電子銃、３…電子光学系、３ａ…電子ビーム走査領域、４…電子光学系、５…検出器、５ａ…検出領域、６…ステージ、６ａ…ステージ走査領域、７…データ処理部、８…制御部、１０…マスク、１１，１２，１３，１４…マスク領域、２１…メンブレン、２２…梁

Claims (7)

1. パターンが形成された複数の薄膜が平面的に並べて配置され、前記薄膜の間の領域に厚膜の梁が配置されたマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
   検査用ビームを照射する検査用ビーム照射手段と、
   前記マスクを移動させて、前記マスクの面内において前記検査用ビームを走査させるステージと、
   前記マスクの構造データに基づいて、前記マスクの前記梁の領域を非検査領域として抽出するデータ処理手段と、
   抽出された前記非検査領域の位置情報に基づいて、前記非検査領域へ前記検査用ビームの照射領域が重なった際に、前記非検査領域をスキップするように前記ステージの動作を制御する制御手段と
   を有するマスク欠陥検査装置。
2. 前記制御手段は、前記非検査領域をスキップするように前記ステージを動作させる際に、前記検査用ビーム照射手段を制御して前記非検査領域への前記検査用ビームの照射を停止させる
   請求項１記載のマスク欠陥検査装置。
3. 前記制御手段は、前記非検査領域をスキップする際に、検査領域への前記ステージ速度に比べて、高速に前記ステージを動作させる
   請求項１記載のマスク欠陥検査装置。
4. 前記検査用ビーム照射手段は、ビーム走査領域内に前記検査用ビームを走査し、
   前記ステージは、前記マスクを移動させて、前記マスクの面内において前記ビーム走査領域を移動させる
   請求項１記載のマスク欠陥検査装置。
5. パターンが形成された複数の薄膜が平面的に並べて配置され、前記薄膜の間の領域に厚膜の梁が配置されたマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査方法であって、
   前記マスクの構造データに基づいて、前記マスクの前記梁の領域を非検査領域として抽出する第１ステップと、
   前記マスクへ検査用ビームを照射しつつ前記マスクを移動させて、前記マスクを通過した前記検査用ビームの像を検出する第２ステップとを有し、
   前記第２ステップにおいて、抽出された前記非検査領域の位置へ前記検査用ビームの照射領域が重なった際に、前記検査用ビームの像を検出せずに前記マスクを移動させて前記非検査領域をスキップさせる
   マスク欠陥検査方法。
6. 前記非検査領域をスキップさせる際に、前記マスクへ前記検査用ビームを照射しつつ前記マスクを移動させる際の速度に比べて、高速でマスクを移動させる
   請求項５記載のマスク欠陥検査方法。
7. 前記非検査領域をスキップさせる際に、前記非検査領域への前記検査用ビームの照射を停止させる
   請求項５記載のマスク欠陥検査方法。
   

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