JP2011165777A - 窒化ガリウム半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化ガリウム半導体装置は、p型GaNウエル層7と電子供給層8との界面に形成された2次元電子ガス18を有し、2次元電子ガス18とn型GaNドリフト層6との間に、p型GaNウエル層7の導電型を反転させるMOS型ゲートを有する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。本実施形態の半導体装置は、導電性基板4と、導電性基板4上に順次に堆積された、導電性バッファ層5、ドリフト層となるn型GaN層6、p型GaNウエル層7、及び、AlGaN電子供給層8を含む積層とを有する。導電性基板4は、例えば、GaN、SiC、又は、Siなどの半導体から成る。導電性基板4として、特にSiCやSiを採用する場合には、これらはGaNと結晶が異なることから、良好な結晶を成長させるために、導電性バッファ層5が必要になる。このとき、導電性バッファ層5は、トンネル電流が容易に流れるように、非常に薄く(例えば、10nm以下)に設定するか、又は、高濃度にドープして低抵抗となるように調整する。電子供給層は、AlGaNに限定されず、p型GaNウエル層7よりもバンドギャップエネルギーの大きい材料からなればよく、例えばAlInGaN、AlGaNAs、AlGaNP、AlInGaNAsPであってもよい。
2、58、73:ソース電極
2a:ソース電極の部分
3、62、76:ゲート電極
4、導電性基板
5:導電性バッファ層
6、53、63:n型GaNドリフト層
7、54:p−GaNウエル層
8、55、56、57:AlGaN層
59:n型不純物領域
9、61、72:ゲート絶縁膜
10、66:ショットキー接合部
11:反転層(チャネル)
12:n型GaN領域
13、60、65:トレンチ
16:マスク材
17:不純物イオン
18:2DEG
19:n型GaN領域
20:ゲートパッド
21:ソースパッド
22:高抵抗GaN領域
23:ストッパ電極
24:活性領域
25:耐圧構造部
26:絶縁膜
27:高抵抗層
28:ダイシング面
50:裏面電極
52:GaN基板
64:反転層
58:ソース電極
71:n型不純物領域
80:分極電荷
81:空乏層端
82:空乏層幅
100:正孔電流
101:ウエル抵抗
102:主トランジスタ
103:寄生トランジスタ
Claims (10)
- 導電性基板と、
前記導電性基板の裏面に形成された第1の電極と、
前記導電性基板の表面側に順次に形成されたn型GaNドリフト層、p型GaNウエル層、及び、前記p型GaNウエル層よりもバンドギャップエネルギーが大きい材料からなる電子供給層を含み、前記p型GaNウエル層と前記電子供給層の界面に形成される2次元電子ガスを含む積層構造と、
前記電子供給層とオーミック接続される第2の電極と、
前記電子供給層、p型GaNウエル層、及び、n型GaNドリフト層内に形成されたMOS型ゲート電極構造と、を有する電界効果トランジスタを備え、
前記MOS型ゲート電極構造は、前記2次元電子ガスと前記n型GaNドリフト層とを接続する反転層を前記p型GaNウエル層内に形成して、前記電界効果トランジスタを導通させる機能を有することを特徴とする窒化ガリウム半導体装置。 - 前記MOS型ゲート電極構造が、前記電子供給層及びp型GaNウエル層を貫通して前記n型ドリフト層に達するトレンチと、該トレンチ内を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記トレンチ内に形成されたゲート電極とを含む、請求項1に記載の窒化ガリウム半導体装置。
- 前記MOS型ゲート電極構造が、前記電子供給層を貫通して前記p型GaNウエル層に達するトレンチと、該トレンチ内を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記トレンチ内に形成されたゲート電極とを含み、前記積層構造が、前記n型GaNドリフト層と前記p型GaNウエル層の境界部分に形成され前記トレンチの底部に接するn型GaN領域とを含む、請求項1に記載の窒化ガリウム半導体装置。
- 前記電子供給層を貫通して前記p型GaNウエル層に達するトレンチと、該トレンチ内に形成され前記第2の電極と導通する金属電極とを備え、該金属電極が前記p型GaNウエル層とオーミック接続する、請求項1〜3の何れか一に記載の窒化ガリウム半導体装置。
- 前記p型GaNウエル層と前記n型GaNドリフト層の境界部分に形成され、前記金属電極とショットキー接続するn型不純物領域を更に備える、請求項4に記載の窒化ガリウム半導体装置。
- 前記第2電極の周囲に形成され、前記電子供給層と前記p型GaNウエル層の少なくとも一部とを除去して形成された絶縁層によって前記第1の電極と隔てられたストッパ電極を更に備える、請求項1〜5の何れか一に記載の窒化ガリウム半導体装置。
- 導電性基板の表面にn型GaN層、p型GaNウエル層、前記p型GaNウエル層よりもバンドギャップエネルギーが大きい材料からなる電子供給層を順次に堆積し、前記p型GaNウエル層と前記電子供給層の界面に2次元電子ガスを形成する工程と、
前記電子供給層及びp型GaNウエル層を貫通し前記n型GaN層に達するトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの表面部分にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、
前記導電性基板の裏面に第1の電極を形成する工程と、
前記電子供給層にオーミック接続する第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする窒化ガリウム半導体装置の製造方法。 - 導電性基板の表面にn型GaN層、p型GaNウエル層、前記p型GaNウエル層よりもバンドギャップエネルギーが大きい材料からなる電子供給層を順次に堆積し、前記p型GaNウエル層と前記電子供給層の界面に2次元電子ガスを形成する工程と、
前記電子供給層を貫通し前記p型GaNウエル層に達するトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの底部にn型不純物を注入し、前記p型GaNウエル層と前記n型GaN層の境界部分にn型不純物領域を形成する工程と、
前記トレンチの表面部分に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を介して前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、
前記導電性基板の裏面に第1の電極を形成する工程と、
前記電子供給層にオーミック接続する第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする窒化ガリウム半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチを形成する工程が、前記トレンチとは別のトレンチであって前記電子供給層を貫通し前記p型GaNウエル層に達するトレンチを形成する工程をさらに含み、
前記n型不純物を注入する工程が、前記別のトレンチの底部にn型不純物を注入し、前記p型GaNウエル層と前記n型GaN層の境界部分に別のn型不純物領域を形成する工程をさらに含み、
前記第2の電極を形成する工程が、前記別のトレンチ内に別の電極を形成する工程をさらに含む、請求項8に記載の窒化ガリウム半導体装置の製造方法。 - 導電性基板の表面にn型GaN層、p型GaNウエル層、電子供給層を順次に堆積し、前記p型GaNウエル層と前記電子供給層の界面に2次元電子ガスを形成する工程と、
前記電子供給層及びp型GaNウエル層を貫通し前記n型GaN層に達するトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内に、少なくともp型GaNウエル層に接する高さ位置に達するn型不純物領域を堆積する工程と、
前記トレンチ内のn型不純物領域を前記トレンチの壁部分とともにエッチングして前記トレンチよりも幅が広い広幅トレンチを形成するとともに、前記p型GaNウエル層と前記n型GaN層の境界部分に前記n型不純物領域を残す工程と、
前記広幅トレンチ内にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、
前記導電性基板の裏面に第1の電極を形成する工程と、
前記電子供給層にオーミック接続する第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする窒化ガリウム半導体装置の製造方法。
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