JP6996302B2 - 窒化物半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示されるように、第1実施形態の窒化物半導体装置1は、nチャネル型のMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)と称される種類の半導体装置であり、窒化物半導体層10、窒化物半導体層10の裏面を被覆するドレイン電極22、窒化物半導体層10の表面を被覆するソース電極24、及び、窒化物半導体層10の表層部に設けられているトレンチゲート部30を備えている。窒化物半導体層10は、n型のドレイン領域11、n型のドリフト領域12、p型のボディ領域13及びn型のソース領域14を備えている。窒化物半導体層10の材料は窒化ガリウム(GaN)である。窒化物半導体層10では、n型不純物としてシリコン(Si)が用いられており、p型不純物としてマグネシウム(Mg)が用いられている。ここで、ドリフト領域12が本願明細書で開示する第1半導体領域の一例であり、ボディ領域13が本願明細書で開示する第2半導体領域の一例であり、ソース領域14が本願明細書で開示する第3半導体領域の一例である。
図3に、第2実施形態の窒化物半導体装置2を示す。図1の第1実施形態の窒化物半導体装置1と共通する構成要素には共通の符号を付し、その説明を省略する。
図4に、第3実施形態の窒化物半導体装置3を示す。図1の第1実施形態の窒化物半導体装置1と共通する構成要素には共通の符号を付し、その説明を省略する。
図6に、第4実施形態の窒化物半導体装置4を示す。図1の第1実施形態の窒化物半導体装置1と共通する構成要素には共通の符号を付し、その説明を省略する。
10:窒化物半導体層
11:ドレイン領域
12:ドリフト領域
12a:突出領域
13:ボディ領域
13A:高濃度領域
13B:低濃度領域
13Ba:下側部分
13Bb:上側部分
14:ソース領域
22:ドレイン電極
24:ソース電極
30:トレンチゲート部
32:ゲート電極
34:ゲート絶縁膜
Claims (8)
- 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の表面から裏面に向けて伸びているトレンチゲート部と、を備えており、
前記窒化物半導体層は、
第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域から突出して前記トレンチゲート部の底面の中央部に接する第1導電型の突出領域と、
前記第1半導体領域の上方に設けられており、前記トレンチゲート部の角部を覆うとともに前記トレンチゲート部の側面に対向している第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上方に設けられているとともに前記第2半導体領域によって前記第1半導体領域から隔てられており、前記トレンチゲート部の側面に対向している第1導電型の第3半導体領域と、を有しており、
前記第2半導体領域は、
前記第1半導体領域側に配置されている高濃度領域と、
前記第3半導体領域側に配置されている低濃度領域と、を有しており、
前記高濃度領域の不純物濃度が前記低濃度領域の不純物濃度よりも濃く、
前記低濃度領域は、前記トレンチゲート部の前記角部を覆うように設けられており、
前記高濃度領域は、前記トレンチゲート部の下方において、前記低濃度領域よりも前記トレンチゲート部の前記底面の前記中央部側に向けて突出している、窒化物半導体装置。 - 前記低濃度領域は、
前記第1半導体領域側に配置されている下側部分と、
前記第3半導体領域側に配置されている上側部分と、を有しており、
前記下側部分の不純物濃度が前記上側部分の不純物濃度よりも薄く、
前記下側部分は、前記トレンチゲート部の前記角部を覆うように設けられている、請求項1に記載の窒化物半導体装置。 - 前記突出領域の不純物濃度は、前記第1半導体領域の不純物濃度よりも濃い、請求項1又は2に記載の窒化物半導体装置。
- 窒化物半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の第1半導体領域と、その第1半導体領域の上方に設けられている第2導電型の第2半導体領域と、を有する窒化物半導体層を用意する工程であって、前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域側に配置されている高濃度領域と、その高濃度領域の上方に配置されている低濃度領域と、を有しており、前記高濃度領域の不純物濃度が前記低濃度領域の不純物濃度よりも濃い、窒化物半導体層を用意する工程と、
前記窒化物半導体層の表面から前記第2半導体領域を貫通して前記第1半導体領域に達する第1トレンチを形成する第1トレンチ形成工程と、
前記第1トレンチを充填するように第1導電型のエピ層を結晶成長する結晶成長工程と、
前記窒化物半導体層の前記表面から前記第2半導体領域よりも浅い第2トレンチを形成する第2トレンチ形成工程であって、前記第2トレンチは、前記第1トレンチに充填されている前記エピ層を含む範囲に形成され、これにより、前記第2トレンチの下方に前記エピ層の一部を残存させる、第2トレンチ形成工程と、
前記第2トレンチ内にトレンチゲート部を形成するトレンチゲート部形成工程と、を備える窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記第2トレンチは、前記第2半導体領域の前記低濃度領域よりも浅い、請求項4に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
- 前記第1トレンチ形成工程は、
前記窒化物半導体層の前記表面から前記第2半導体領域の前記低濃度領域を貫通して前記高濃度領域に達する幅広トレンチを形成する工程と、
前記幅広トレンチの底面から前記高濃度領域を貫通して前記第1半導体領域に達する幅狭トレンチを形成する工程と、を有する、請求項5に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記低濃度領域は、
前記第1半導体領域側に配置されている下側部分と、
前記下側部分よりも上方に配置されている上側部分と、を有しており、
前記下側部分の不純物濃度が前記上側部分の不純物濃度よりも薄く、
前記第2トレンチは、前記上側部分を貫通して前記下側部分に達する、請求項5又は6に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記エピ層の不純物濃度は、前記第1半導体領域の不純物濃度よりも濃い、請求項4~7のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
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