JP7119422B2 - 縦型半導体装置及び縦型半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
- H01L29/0873—Drain regions
- H01L29/0886—Shape
Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2009-278067号公報
[特許文献2] 特開平8-204179号公報
[項目1]
第1導電型の窒化ガリウム基板と、前記窒化ガリウム基板上に設けられた窒化ガリウム層とを有する縦型半導体装置であって、
トランジスタ領域と、
前記トランジスタ領域に隣接するショットキーダイオード領域と、
を備え、
前記縦型半導体装置は、前記ショットキーダイオード領域における前記窒化ガリウム層において、
第2導電型の第1のウェル領域と、
前記トランジスタ領域と前記ショットキーダイオード領域とが配列される配列方向において前記第1のウェル領域に隣接し、前記窒化ガリウム層の上面から前記第1のウェル領域の底部よりも浅い位置まで設けられる、ダイオードトレンチ部と、
前記ダイオードトレンチ部の底部に接続する第1導電型の第1の上方ドリフト領域と、
前記第1のウェル領域および前記第1の上方ドリフト領域の各底部に接続する、第1導電型の下方ドリフト領域と、
前記ダイオードトレンチ部内に設けられ、前記第1の上方ドリフト領域の上部に接続する導電部と、
を有する、縦型半導体装置。
[項目2]
前記縦型半導体装置は、前記トランジスタ領域における前記窒化ガリウム層において、
前記配列方向において前記ダイオードトレンチ部から離間し、前記第1のウェル領域に隣接し、且つ、前記窒化ガリウム層の上面から前記第1のウェル領域の底部よりも浅い位置まで設けられる、ゲートトレンチ部と、
前記ゲートトレンチ部の底部に接続する第1導電型の第2の上方ドリフト領域と、
を有し、
前記下方ドリフト領域は、前記第2の上方ドリフト領域の底部にも接続する、
請求項1に記載の縦型半導体装置。
[項目3]
前記窒化ガリウム層の深さ方向において、前記ダイオードトレンチ部の底部は、前記ゲートトレンチ部の底部よりも前記窒化ガリウム層の前記上面に近い位置に設けられる、請求項2に記載の縦型半導体装置。
[項目4]
前記窒化ガリウム層の深さ方向において、前記ダイオードトレンチ部の底部は、前記ゲートトレンチ部の底部と同じ位置に設けられる、請求項2に記載の縦型半導体装置。
[項目5]
前記配列方向において、前記ダイオードトレンチ部の幅は、前記ゲートトレンチ部の幅よりも大きい、請求項2から4のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。
[項目6]
前記配列方向において、前記ゲートトレンチ部の底部に接続する前記第2の上方ドリフト領域の幅は、前記ダイオードトレンチ部の底部に接続する前記第1の上方ドリフト領域の幅よりも小さい、請求項2から5のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。
[項目7]
前記配列方向において、前記ダイオードトレンチ部の幅は、前記ゲートトレンチ部の幅よりも小さい、請求項2から4のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。
[項目8]
前記縦型半導体装置は、少なくとも前記ダイオードトレンチ部および前記窒化ガリウム層の前記上面に接するオーミック電極層をさらに備え、
前記ダイオードトレンチ部内に設けられた前記導電部は、前記オーミック電極層よりも大きな仕事関数を有する金属導電部である、
請求項1から7のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。
[項目9]
前記縦型半導体装置は、前記第1のウェル領域と前記下方ドリフト領域との間に第2導電型の埋め込み領域をさらに有する、請求項2から8のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。
[項目10]
前記縦型半導体装置は、上面視において前記トランジスタ領域および前記ショットキーダイオード領域を囲む様に設けられたエッジ終端領域をさらに備え、
前記エッジ終端領域における前記窒化ガリウム層は、
第2導電型の第2のウェル領域と、
前記配列方向において前記第2のウェル領域に隣接し、前記窒化ガリウム層の上面から前記第2のウェル領域の底部よりも浅い位置まで設けられる、エッジトレンチ部と、
前記エッジトレンチ部の底部に接続する第1導電型の第3の上方ドリフト領域と、
前記エッジトレンチ部内に設けられ、前記第3の上方ドリフト領域に接続する絶縁膜と、
を有し、
前記下方ドリフト領域は、前記第3の上方ドリフト領域の底部にも接続する、
請求項1から9のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。
[項目11]
トランジスタ領域と、前記トランジスタ領域に隣接するショットキーダイオード領域とを有する縦型半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の窒化ガリウム基板上に、第1導電型の第1の窒化ガリウム層と第2導電型の第2の窒化ガリウム層とを少なくとも有する窒化ガリウム層を、エピタキシャル形成する段階と、
前記窒化ガリウム層の上面から前記第2の窒化ガリウム層の底部よりも浅い位置までトレンチを形成するエッチング段階と、
前記トレンチの底部と前記第1の窒化ガリウム層の上部とに接続する第1導電型の上方ドリフト領域を形成するべく、少なくとも前記トレンチと前記第1の窒化ガリウム層との間に第1導電型のドーパントを注入する段階と、
前記トレンチの前記底部において前記上方ドリフト領域に接続する前記ショットキーダイオード領域のダイオード導電部を前記トレンチ内に形成する段階と、
を備える縦型半導体装置の製造方法。
Claims (12)
- 第1導電型の窒化ガリウム基板と、前記窒化ガリウム基板上に設けられた窒化ガリウム層とを有する縦型半導体装置であって、
トランジスタ領域と、
前記トランジスタ領域に隣接するショットキーダイオード領域と、
を備え、
前記縦型半導体装置は、前記ショットキーダイオード領域における前記窒化ガリウム層において、
第2導電型の第1のウェル領域と、
前記トランジスタ領域と前記ショットキーダイオード領域とが配列される配列方向において前記第1のウェル領域に隣接し、前記窒化ガリウム層の上面から前記第1のウェル領域の底部よりも浅い位置まで設けられる、ダイオードトレンチ部と、
前記ダイオードトレンチ部の底部に接続する第1導電型の第1の上方ドリフト領域と、
前記第1のウェル領域および前記第1の上方ドリフト領域の各底部に接続する、第1導電型の下方ドリフト領域と、
前記ダイオードトレンチ部内に設けられ、前記第1の上方ドリフト領域の上部に接続する導電部と、
前記第1のウェル領域と前記下方ドリフト領域との間に設けられた第2導電型の埋め込み領域と、
を有する、縦型半導体装置。 - 上面視において前記トランジスタ領域および前記ショットキーダイオード領域を囲む様に設けられたエッジ終端領域をさらに備え、
前記エッジ終端領域における前記窒化ガリウム層は、
第2導電型の第2のウェル領域と、
前記配列方向において前記第2のウェル領域に隣接し、前記窒化ガリウム層の上面から前記第2のウェル領域の底部よりも浅い位置まで設けられる、エッジトレンチ部と、
前記エッジトレンチ部の底部に接続する第1導電型の第3の上方ドリフト領域と、
前記エッジトレンチ部内に設けられ、前記第3の上方ドリフト領域に接続する絶縁膜と
を有し、
前記下方ドリフト領域は、前記第3の上方ドリフト領域の底部にも接続する、
請求項1に記載の縦型半導体装置。 - 第1導電型の窒化ガリウム基板と、前記窒化ガリウム基板上に設けられた窒化ガリウム層とを有する縦型半導体装置であって、
トランジスタ領域と、
前記トランジスタ領域に隣接するショットキーダイオード領域と、
上面視において前記トランジスタ領域および前記ショットキーダイオード領域を囲む様に設けられたエッジ終端領域と、
を備え、
前記縦型半導体装置は、前記ショットキーダイオード領域における前記窒化ガリウム層において、
第2導電型の第1のウェル領域と、
前記トランジスタ領域と前記ショットキーダイオード領域とが配列される配列方向において前記第1のウェル領域に隣接し、前記窒化ガリウム層の上面から前記第1のウェル領域の底部よりも浅い位置まで設けられる、ダイオードトレンチ部と、
前記ダイオードトレンチ部の底部に接続する第1導電型の第1の上方ドリフト領域と、
前記第1のウェル領域および前記第1の上方ドリフト領域の各底部に接続する、第1導電型の下方ドリフト領域と、
前記ダイオードトレンチ部内に設けられ、前記第1の上方ドリフト領域の上部に接続する導電部と、
を有し、
前記エッジ終端領域における前記窒化ガリウム層は、
第2導電型の第2のウェル領域と、
前記配列方向において前記第2のウェル領域に隣接し、前記窒化ガリウム層の上面から前記第2のウェル領域の底部よりも浅い位置まで設けられる、エッジトレンチ部と、
前記エッジトレンチ部の底部に接続する第1導電型の第3の上方ドリフト領域と、
前記エッジトレンチ部内に設けられ、前記第3の上方ドリフト領域に接続する絶縁膜と
を有し、
前記下方ドリフト領域は、前記第3の上方ドリフト領域の底部にも接続する
縦型半導体装置。 - 前記縦型半導体装置は、前記トランジスタ領域における前記窒化ガリウム層において、
前記配列方向において前記ダイオードトレンチ部から離間し、前記第1のウェル領域に隣接し、且つ、前記窒化ガリウム層の上面から前記第1のウェル領域の底部よりも浅い位置まで設けられる、ゲートトレンチ部と、
前記ゲートトレンチ部の底部に接続する第1導電型の第2の上方ドリフト領域と
を有し、
前記下方ドリフト領域は、前記第2の上方ドリフト領域の底部にも接続する、
請求項1から3のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。 - 前記窒化ガリウム層の深さ方向において、前記ダイオードトレンチ部の底部は、前記ゲートトレンチ部の底部よりも前記窒化ガリウム層の前記上面に近い位置に設けられる、請求項4に記載の縦型半導体装置。
- 前記窒化ガリウム層の深さ方向において、前記ダイオードトレンチ部の底部は、前記ゲートトレンチ部の底部と同じ位置に設けられる、請求項4に記載の縦型半導体装置。
- 前記配列方向において、前記ダイオードトレンチ部の幅は、前記ゲートトレンチ部の幅よりも大きい、請求項4から6のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。
- 前記配列方向において、前記ゲートトレンチ部の底部に接続する前記第2の上方ドリフト領域の幅は、前記ダイオードトレンチ部の底部に接続する前記第1の上方ドリフト領域の幅よりも小さい、請求項4から7のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。
- 前記配列方向において、前記ダイオードトレンチ部の幅は、前記ゲートトレンチ部の幅よりも小さい、請求項4から6のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。
- 前記縦型半導体装置は、少なくとも前記ダイオードトレンチ部および前記窒化ガリウム層の前記上面に接するオーミック電極層をさらに備え、
前記ダイオードトレンチ部内に設けられた前記導電部は、前記オーミック電極層よりも大きな仕事関数を有する金属導電部である、 請求項1から9のいずれか一項に記載の縦型半導体装置。 - トランジスタ領域と、前記トランジスタ領域に隣接するショットキーダイオード領域と
を有する縦型半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の窒化ガリウム基板上に、第1導電型の第1の窒化ガリウム層の上面から第2導電型のドーパントを注入することにより、前記第1の窒化ガリウム層の前記上面にドーパント注入領域を形成する段階と、
前記第1の窒化ガリウム層の前記上面および前記ドーパント注入領域上に、第2導電型の第2の窒化ガリウム層をエピタキシャル形成し、前記第1の窒化ガリウム層と前記第2の窒化ガリウム層とを少なくとも有する窒化ガリウム層を形成する段階と、
前記窒化ガリウム層の上面から前記第2の窒化ガリウム層の底部よりも浅い位置までトレンチを形成するエッチング段階と、
前記トレンチの底部と前記第1の窒化ガリウム層の上部とに接続する第1導電型の上方ドリフト領域を形成するべく、少なくとも前記トレンチと前記第1の窒化ガリウム層との間に第1導電型のドーパントを注入する段階と、
前記トレンチの前記底部において前記上方ドリフト領域に接続する前記ショットキーダイオード領域のダイオード導電部を前記トレンチ内に形成する段階と、
を備える縦型半導体装置の製造方法。 - 前記ドーパント注入領域を形成する段階は、前記第1の窒化ガリウム層の前記上面内の方向において離隔して隣り合う複数のドーパント注入領域を形成する段階であり、
前記エッチング段階は、前記窒化ガリウム基板の上面視において、一の前記ドーパント注入領域と、一の前記ドーパント注入領域に隣り合う他の前記ドーパント注入領域との間に、前記トレンチを形成する段階である、
請求項11に記載の縦型半導体装置の製造方法。
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