JP2011149104A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010038421A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置及びスパッタリング方法
CN102227514B (zh) * 2008-12-26 2014-08-20 佳能安内华股份有限公司 溅射装置、溅射方法和电子器件制造方法
KR20140104045A (ko) * 2011-12-22 2014-08-27 캐논 아네르바 가부시키가이샤 SrRuO3 막 증착 방법
JP5806967B2 (ja) * 2012-03-30 2015-11-10 株式会社クボタ ディーゼルエンジンの排気処理装置
CN103374705B (zh) * 2012-04-11 2015-12-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种磁控溅射装置
US20130327634A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Chang-Beom Eom Misaligned sputtering systems for the deposition of complex oxide thin films
WO2013189935A1 (en) * 2012-06-18 2013-12-27 Oc Oerlikon Balzers Ag Pvd apparatus for directional material deposition, methods and workpiece
JP2014046231A (ja) * 2012-08-29 2014-03-17 Hitachi Chemical Co Ltd カーボンナノチューブ合成用触媒の製造方法
KR101375878B1 (ko) * 2012-09-27 2014-03-17 한국생산기술연구원 미세패턴 형성 방법
US10048157B2 (en) * 2013-07-11 2018-08-14 Android Industries Llc Balancing device, uniformity device and methods for utilizing the same
CN103487311B (zh) * 2013-09-11 2016-04-13 广东省东莞市质量监督检测中心 一种湿浆样品置放装置及其控制方法
US10196734B2 (en) * 2014-03-25 2019-02-05 Iowa State University Research Foundation, Inc. Nanotwinned silver alloy film with controlled architecture
CN105112864B (zh) * 2015-08-13 2019-03-05 江苏时代全芯存储科技有限公司 镀膜装置
WO2017098537A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法および装置
US10431440B2 (en) 2015-12-20 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
JP6498261B1 (ja) * 2017-12-05 2019-04-10 昭和電工株式会社 磁気センサの製造方法及び磁気センサ集合体
JP7120857B2 (ja) * 2018-05-10 2022-08-17 株式会社アルバック 抵抗体膜の製造方法及び抵抗体膜
DE102019200761A1 (de) * 2019-01-22 2020-07-23 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Kompensation von Prozessschwankungen eines Plasmaprozesses und Regler für einen Leistungsgenerator zur Versorgung eines Plasmaprozesses
US11557473B2 (en) * 2019-04-19 2023-01-17 Applied Materials, Inc. System and method to control PVD deposition uniformity
TW202104628A (zh) 2019-04-19 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 用於控制pvd沉積均勻性的系統及方法
WO2020257965A1 (en) 2019-06-24 2020-12-30 Trumpf Huettinger (Shanghai) Co., Ltd. Method of adjusting the output power of a power supply supplying electrical power to a plasma, plasma apparatus and power supply
KR20210006725A (ko) * 2019-07-09 2021-01-19 삼성전자주식회사 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
CN119843228A (zh) * 2019-08-19 2025-04-18 北京北方华创微电子装备有限公司 溅射方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60207270A (ja) * 1984-03-30 1985-10-18 日本航空電子工業株式会社 コネクタ
US4607903A (en) * 1984-03-30 1986-08-26 Japan Aviation Electronics Industry Limited Connector assembly
JPS61250163A (ja) * 1985-04-26 1986-11-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多層薄膜の製造方法および装置
US6491802B2 (en) * 1992-10-28 2002-12-10 Hitachi, Ltd. Magnetic film forming system
US6290824B1 (en) * 1992-10-28 2001-09-18 Hitachi, Ltd. Magnetic film forming system
JP2824001B2 (ja) * 1993-01-07 1998-11-11 株式会社日立製作所 磁性膜形成装置
JPH0969460A (ja) * 1995-09-01 1997-03-11 Kao Corp 磁気記録媒体の製造方法
JP4223614B2 (ja) 1999-01-12 2009-02-12 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法
JP4205294B2 (ja) * 2000-08-01 2009-01-07 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び方法
JP2002069631A (ja) * 2000-08-24 2002-03-08 Hitachi Ltd スパッタ方法及びその装置
JP3505135B2 (ja) * 2000-08-30 2004-03-08 株式会社日鉱マテリアルズ 銅の表面処理方法
JP2002167661A (ja) * 2000-11-30 2002-06-11 Anelva Corp 磁性多層膜作製装置
EP1552544B1 (de) * 2002-10-15 2011-12-21 Oerlikon Trading AG, Trübbach Verfahren zur Herstellung magnetron-sputterbeschichteter Substrate und Anlage hierfür
US20050103620A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Zond, Inc. Plasma source with segmented magnetron cathode
JP4494047B2 (ja) * 2004-03-12 2010-06-30 キヤノンアネルバ株式会社 多元スパッタ成膜装置の二重シャッタ制御方法
JP4473323B2 (ja) * 2007-04-26 2010-06-02 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング成膜方法、電子デバイスの製造方法及びスパッタリング装置
WO2009157341A1 (ja) * 2008-06-25 2009-12-30 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置及びその制御用プログラムを記録した記録媒体
WO2010038421A1 (ja) 2008-09-30 2010-04-08 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置及びスパッタリング方法
CN102227514B (zh) * 2008-12-26 2014-08-20 佳能安内华股份有限公司 溅射装置、溅射方法和电子器件制造方法

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