JP2011145659A - 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、表面層が、シルセスキオキサンが結合しているポリシロキサンを有することを特徴とする帯電部材である。
【選択図】なし
Description
下記式(1)で示される化合物のR101〜R106、
下記式(2)で示される化合物のR201〜R208、
下記式(3)で示される化合物のR301〜R310、
下記式(4)で示される化合物のR401〜R412、
下記式(5)で示される化合物のR501〜R514および下記式(6)で示される化合物のR601〜R616から選ばれる少なくとも1つの基とが形成してなる連結基によって下記式(1)〜(6)で示される化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つの化合物が結合しているポリシロキサンを含む帯電部材が提供される。
下記式(1)のR101〜R106、
下記式(2)のR201〜R208、
下記式(3)のR301〜R310、
下記式(4)のR401〜R412、
下記式(5)のR501〜R514および下記式(6)のR601〜R616から選ばれる少なくとも1つの基とは、互いに反応して連結基を形成可能である基を示す。
下記式(1)で示される化合物のR101〜R106、
下記式(2)で示される化合物のR201〜R208、
下記式(3)で示される化合物のR301〜R310、
下記式(4)で示される化合物のR401〜R412、
下記式(5)で示される化合物のR501〜R514および下記式(6)で示される化合物のR601〜R616から選ばれる少なくとも1つの基とが形成してなる連結基によって下記式(1)〜(6)で示される化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つの化合物が結合しているポリシロキサンを含んでいる。
下記式(1)のR101〜R106、
下記式(2)のR201〜R208、
下記式(3)のR301〜R310、
下記式(4)のR401〜R412、
下記式(5)のR501〜R514および下記式(6)のR601〜R616から選ばれる少なくとも1つの基とは、互いに反応して連結基を形成可能である基を示す。
(II)上記化合物(1)〜(6)から選ばれる少なくとも1つを工程(I)により得られた加水分解性縮合物に加える混合工程、
(III)カチオン重合可能な基を開裂させることにより、工程(II)により得られた混合物を架橋させる架橋工程。
(11−1)フェニルトリメトキシシラン
(11−2)フェニルトリエトキシシラン
(11−3)フェニルトリプロポキシシラン
前記カチオン重合可能な基を有する加水分解性シラン化合物としては下記式(12)で示される構造を有する加水分解性シラン化合物が好適である。
(12−1)グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
(12−2)グリシドキシプロピルトリエトキシシラン
(12−3)エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン
(12−4)エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシラン
また、前記工程(I)において、アリール基を有する加水分解性シラン化合物及びカチオン重合可能な基を有する加水分解性シラン化合物だけでなく、さらに下記式(13)で示される構造を有する加水分解性シラン化合物を併用することが好ましい。これにより、製造される帯電部材の表面の離型性を向上させることができる。下記式(13)で示される構造を有する加水分解性シラン化合物を用いることによって、得られるポリシロキサンは、フッ化アルキル基(パーフルオロアルキル基)を有するポリシロキサンとなる。
(13−1)CF3−(CH2)2−Si−(OR)3
(13−2)CF3−(CF2)−(CH2)2−Si−(OR)3
(13−3)CF3−(CF2)3−(CH2)2−Si−(OR)3
(13−4)CF3−(CF2)5−(CH2)2−Si−(OR)3
(13−5)CF3−(CF2)7−(CH2)2−Si−(OR)3
(13−6)CF3−(CF2)9−(CH2)2−Si−(OR)3
前記(13−1)〜(13−6)中のRはメチル基又はエチル基を示す。
(414−1)メチルトリメトキシシラン
(414−2)メチルトリエトキシシラン
(414−3)メチルトリプロポキシシラン
(414−4)エチルトリメトキシシラン
(414−5)エチルトリエトキシシラン
(414−6)エチルトリプロポキシシラン
(414−7)プロピルトリメトキシシラン
(414−8)プロピルトリエトキシシラン
(414−9)プロピルトリプロポキシシラン
(414−10)ヘキシルトリメトキシシラン
(414−11)ヘキシルトリエトキシシラン
(414−12)デシルトリメトキシシラン
(414−13)デシルトリエトキシシラン
(414−14)デシルトリプロポキシシラン
また、前記シラン化合物以外にも、任意の樹脂を合わせて用いることも可能である。例えば、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
基体101としては鉄、銅、ステンレス、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケルなどの金属製(合金製)の基体を用い得る。
<弾性層>
導電性の弾性層を構成する材料として、従来の帯電部材の弾性層(導電性弾性層)に用いられているゴムや熱可塑性エラストマーなどの弾性体を1種又は2種以上用いることができる。ゴムの具体例を以下に挙げる。ウレタンゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、エチレン−プロピレンゴム、ポリノルボルネンゴム、スチレン−ブタジエン−スチレンゴム、アクリロニトリルゴム、エピクロルヒドリンゴム及び又はアルキルエーテルゴムなど。
・アリール基の含有量 :2質量%以上30質量%以下
・アルキル基の含有量 :2質量%以上30質量%以下
・オキシアルキレン基の含有量 :5質量%以上50質量%以下
・シロキサン部分の含有量 :30質量%以上60質量%以下
前記アリール基、アルキル基、オキシアルキレン基の含有量総計は、20〜40質量%とすることが好ましく、25〜35質量%とすることがより好ましい。アリール基を有する加水分解性シラン化合物を全加水分解性シラン化合物に対して10〜50mol%の範囲になるように配合することがより好ましい。
・アリール基の含有量 :2質量%以上30質量%以下
・アルキル基の含有量 :2質量%以上30質量%以下
・オキシアルキレン基の含有量 :5質量%以上50質量%以下
・フッ化アルキル基の含有量 :2質量%以上30質量%以下
・シロキサン部分の含有量 :30質量%以上70質量%以下
前記アリール基、アルキル基、オキシアルキレン基、フッ化アルキル基及びシロキサン部分の含有量総計は、ポリシロキサンの全質量に対して、10〜60質量%とすることが好ましく、20〜50質量%とすることがより好ましい。また、カチオン重合可能な基を有する加水分解性シラン化合物とフッ化アルキル基を含有する加水分解性シラン化合物とのモル比は10:1〜1:10の範囲になるように配合することがより好ましい。
前記活性エネルギー線としては紫外線が好ましい。架橋反応に紫外線を用いた場合、短時間(15分以内)に加水分解性縮合物を架橋することができる。加えて、熱の発生も少なく、表面層のシワやクラックが発生しにくい。また、架橋反応を熱の発生が少ない紫外線によって行えば、導電性弾性層と表面層との密着性が高まり、導電性弾性層の膨張・収縮に表面層が十分に追従できるようになるため、環境の温湿度の変化による表面層のシワやクラックを抑制できる。また、架橋反応を紫外線によって行えば、熱履歴による導電性弾性層の劣化を抑制することができるため、導電性弾性層の電気的特性の低下を抑制することもできる。紫外線の照射には、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、低圧水銀ランプ、エキシマUVランプなどを用いることができ、これらのうち、紫外線の波長が150〜480nmの光を豊富に含む紫外線源が好ましく用いられる。
紫外線の積算光量の調節は、照射時間や、ランプ出力や、ランプと被照射体との距離などで行うことが可能である。また、照射時間内で積算光量に勾配をつけてもよい。低圧水銀ランプを用いる場合、紫外線の積算光量は、ウシオ電機(株)製の紫外線積算光量計「UIT−150−A」(商品名)や「UVD−S254」(商品名)を用いて測定することができる。エキシマUVランプを用いる場合、紫外線の積算光量は、ウシオ電機(株)製の紫外線積算光量計「UIT−150−A」(商品名)や「VUV−S172」(商品名)を用いて測定することができる。
〈実施例1〉
(帯電部材の作製)
下記表1に示した原材料を、6リットル加圧ニーダー「TD6−15MDX」(商品名、株式会社トーシン製)にて、充填率70vol%、ブレード回転数30rpmで16分混合して、A練りゴム組成物を得た。
〈実施例2〜6〉
実施例1のシルセスキオキサンNo.1を下記表4に示すシルセスキオキサンNo.2〜6に変更した以外は実施例1と同様の方法で帯電ローラ2〜6を作製した。
実施例1のシルセスキオキサン1を以下の合成例1で合成して得られたシルセスキオキサン7に変更した以外は実施例1と同様の方法で帯電ローラ7を作製した。
≪合成例1≫
撹拌機、滴下ロート、温度計を備えた反応容器に、溶媒としてアセトン1.2Lと、下記式(17)で示される出発物質1を0.300mol(70.90g)を装入した。滴下ロートに水320mLを入れ、反応溶液を撹拌しながら、室温で30分かけて滴下した。滴下終了後、加熱することなく2時間撹拌した。その後、約1ヶ月放置することにより生成する結晶をシルセスキオキサンNo.7として得た。
29Si CP/MAS 核磁気共鳴スペクトル(日本電子社製 以下、29Si−NMRという)、
フーリエ変換赤外吸収スペクトル(日本分光(株)製 以下、FT−IRという)、
高速液体クロマトグラフィー分離後の質量分析((株)島津製作所製 以下、LC−MSという)。
〈実施例8〜9〉
実施例1のシルセスキオキサンNo.1を下記表5に示すシルセスキオキサンNo.8〜9に変更した以外は実施例1と同様の方法で帯電ローラ8〜9を作製した。
実施例1のシルセスキオキサン1を以下の合成例2で合成して得られたシルセスキオキサン10に変更した以外は、実施例1と同様の方法で帯電ローラ14を作製した。
≪合成例2≫
撹拌機、滴下ロート、温度計を備えた反応容器に、溶媒として2−プロパノール(以下、IPAという)120mlと、塩基性触媒として5%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(以下、TMAH水溶液という)9.40gを装入した。滴下ロートにIPA45mlと、出発物質1を0.150mol(35.45g)入れ、反応溶液を撹拌しながら、室温で30分かけて滴下した。滴下終了後、加熱することなく2時間撹拌した。2時間撹拌後、溶媒を減圧下で除去し、トルエン250mlで溶解した。反応溶液を飽和食塩水で中性になるまで水洗した後、無水硫酸マグネシウムで脱水した。無水硫酸マグネシウムをろ別し、濃縮することでシルセスキオキサンNo.10を得た。
〈実施例11〉
実施例1のシルセスキオキサン1を、実施例10にてシルセスキオキサンNo.10を合成したときに同時に得られたシルセスキオキサンNo.11に変更した以外は実施例1と同様の方法で帯電ローラ11を作製した。
〈実施例12〉
実施例1のシルセスキオキサンNo.1をMEKで10質量%に希釈した溶液を、前記シラン化合物の添加量の合計0.320molに対するシルセスキオキサン1のmol比が40.0molになるように、1712.52g添加した。それ以外は、実施例1と同様の方法で、帯電ローラ12を作製した。
〈実施例13〉
実施例1のシルセスキオキサンNo.1をMEKで10質量%に希釈した溶液を、前記シラン化合物の添加量の合計0.320molに対するシルセスキオキサン1のmol比が0.5molになるように21.41g添加した。それ以外は実施例1と同様の方法で帯電ローラ13を作製した。
〈実施例14〉
実施例1のシルセスキオキサンNo.1をMEKで10質量%に希釈した溶液を、前記シラン化合物の添加量の合計0.320molに対するシルセスキオキサン1のmol比が60.0molになるように、2753.25g添加した。それ以外は実施例1と同様の方法で帯電ローラ14を作製した。
(Si原子数=8、分子量=1337.904)
R201〜R208のすべてが下記構造式(18)で示される基である。
(Si原子数=8、分子量=1931.168)
R201〜R208のすべてが下記式(19)で示される基である。
(Si原子数=8、分子量=1482.672)
R201〜R208が下記式(20)で示される基である。
(Si原子数=8、分子量=931.652)
R201〜R207の全てが下記式(21)で示される基である。
(Si原子数=8、分子量=1007.826)
R201〜R207の全てが下記式(23)で示される基である。
(Si原子数=8、分子量=1071.568)
R201〜R207の全てがフェニル基である。
(Si原子数=6、分子量=1003.428)
R101〜R106の全てが下記式(26)で示される基である。
(Si原子数=10、分子量=1672.380)
R301〜R310の全てが下記式(27)で示される基である。
(Si原子数=12、分子量=2006.856)
R401〜R412の全てが下記式(28)で示される基である。
(Si原子数=14、分子量=2341.332)
R501〜R514の全てが下記式(29)で示される基である。
(Si原子数=16、分子量=2675.101)
R601〜R616の全てが下記式(30)で示される基である。
下記表8に示す原料を混合した後、室温で攪拌し、次いで24時間加熱還流(100℃)を行うことによって、加水分解性シラン化合物の縮合物含有溶液C1を得た。その後、縮合物C1を160℃1時間で熱硬化することにより表面層を形成したこと以外は実施例1と同様にして、帯電ローラC1を得て、物性を測定した。
シリカフィラー(商品名:アドマファイン アドマテックス社製 平均粒子径=1.0μm 比表面積=3.6m2/g)を比較例1で用いた縮合物含有溶液C1に対して0.5質量%添加した。それ以外は実施例1と同様にして帯電ローラC2を得、それの物性を測定した。
(帯電ローラの物性の測定)
前記実施例及び比較例の帯電ローラの物性を、以下に示す方法で測定した。
(1)表面層の弾性率;
帯電ローラの表面層の弾性率は、表面皮膜物性試験機(商品名:「フィッシャースコープH100V」、フィッシャーインストルメンツ社製)を用いて測定した。圧子を測定対象の表面から1μm/7sの速度で進入させたときの値を弾性率とした。なお、弾性率測定用のサンプルには、アルミシート上に前記表面層用塗布液を、硬化後の膜厚が10μm以上になるように塗布し、前記実施例又は比較例における帯電ローラと同条件でUV硬化又は熱硬化させたものを使用した。得られた結果は表9に示した。
(2)表面層の層厚;
帯電ローラの表面層の層厚は、帯電ローラの表面層付近を基層から採取したものをサンプル片として、表面層の断面側から白金蒸着を施したのち、走査型電子顕微鏡(商品名:「S−4800」、(株)日立ハイテクノロジーズ)に組み込んで観察・計測を行った。得られた結果は表9に示した。
(3)表面層の十点平均粗さ;
帯電ローラの表面層の十点平均粗さ(Rzjis)はJIS B 0601:2001に準拠して測定した。得られた結果を表9に示す。
10〜1000倍の光学顕微鏡下、光学顕微鏡に設置した3次元粗微動マイクロマニピュレーター((株)ナリシゲ製)を用い、帯電ローラの表面層から1mg程度の試料を採取した。採取した試料を、TG−MS法(TG装置にMS装置を直結)により、加熱時に発生する気体の質量数ごとの濃度変化を、重量変化と同時に、温度の関数として追跡した。測定の条件を表10に示す。
・質量数(m/z)31、43、58、59 オキシアルキレン基由来のピーク
・質量数(m/z)78(ベンゼン)、91(トルエン)など アリール基由来のピーク・質量数(m/z)16、41など アルキル基由来のピーク
前記ピークから、前記400〜500℃の各温度で分解されポリシロキサンから発生した前記の各基に由来する気体成分の濃度を求めた。また、これらの各基に由来する気体成分の濃度と測定された重量減少率から、各温度で発生した前記の各基に由来する気体成分による重量減少率を求めた。これを前記400℃〜500℃にわたって積算し、ポリシロキサン中のオキシアルキレン基、アリール基及びアルキル基の含有量を求めた。
(5)シルセスキオキサン由来のカゴ状構造の含有量;
10〜1000倍の光学顕微鏡下、光学顕微鏡に設置した3次元粗微動マイクロマニピュレーター((株)ナリシゲ製)を用い、帯電ローラの表面層から300mg程度の試料を採取した。採取した試料を、固体29Si CP/MAS 核磁気共鳴スペクトル(日本電子社製 以下、固体29Si−NMRという)により測定した。その結果、−55、−65、−90〜−100ppmに、シルセスキオキサンのカゴ状構造に特有のピークが確認された。
(6)シルセスキオキサンの置換基由来のオキシアルキレン、シロキサン含有量;
10〜1000倍の光学顕微鏡下、光学顕微鏡に設置した3次元粗微動マイクロマニピュレーター((株)ナリシゲ製)を用い、帯電ローラの表面層から300mg程度の試料を採取した。採取した試料を、固体13C CP/MAS 核磁気共鳴スペクトル(日本電子社製 以下、固体13C−NMRという)および固体29Si−NMRにより測定した。その結果、固体13C−NMRでは、−72〜−85ppmに、シルセスキオキサンの置換基由来のオキシアルキレンに特有のピークが確認された。なお、グリシドキシプロピルトリエトキシシランがカチオン重合した後に生成するオキシアルキレンは、−65〜−70ppmに表れることが、同様の分析により確認されている。さらに固体29Si−NMRでは、−107〜−110ppmに、カゴ状構造のSiに−O−Siが結合した場合に特有のピーク(SiO2)が確認された。上記オキシアルキレンまたはシロキサン由来のピーク面積%を、それぞれ、表面層に含まれるシルセスキオキサンの置換基由来のオキシアルキレン、シロキサンのmol%として算出した。
前記実施例及び比較例の帯電ローラを用いて、以下に示す評価を行った。
(1)表面層の耐摩耗性
表面層の耐摩耗性の指標として、初期の表面層の層厚(nm)に対する、10000枚出力後の表面層の層厚(nm)の比率を保持率として算出した。保持率が小さくなるほど摩耗しているものとした。表面層の層厚は、上述の方法により測定して比較した。
(2)画像評価
画像評価は、表層膜の摩耗に起因するトナーの濃度差として現れるスジ状の画像不良(以下「縦スジ」と呼ぶ。)の発生を観察した。観察に使用した画像として、A4紙に、電子写真感光体の回転方向と垂直方向に幅1ドット、間隔2ドットの横線を描く画像(ハーフトーン画像)を用いた。この画像の1枚目(初期)から10000枚目までの毎1000枚出力時に得られた出力画像を目視することによって行った。
1:縦スジが全く出ていない
2:縦スジがごく少量発生した
3:縦スジが大量に発生した
102 導電性弾性層
103 表面層
Claims (3)
- 基体および表面層を有する帯電部材であって、該表面層は下記式で示されるユニットA1〜ユニットA3からなる群から選ばれる少なくとも1つのユニットを有し、かつ、該ユニット中のR1、R4およびR6から選ばれる少なくとも1つと、
下記式(1)で示される化合物のR101〜R106、
下記式(2)で示される化合物のR201〜R208、
下記式(3)で示される化合物のR301〜R310、
下記式(4)で示される化合物のR401〜R412、
下記式(5)で示される化合物のR501〜R514および下記式(6)で示される化合物のR601〜R616から選ばれる少なくとも1つの基とが形成してなる連結基によって下記式(1)〜(6)で示される化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つの化合物が結合しているポリシロキサンを含むことを特徴とする帯電部材:
下記式(1)のR101〜R106、
下記式(2)のR201〜R208、
下記式(3)のR301〜R310、
下記式(4)のR401〜R412、
下記式(5)のR501〜R514および下記式(6)のR601〜R616から選ばれる少なくとも1つの基とは、互いに反応して連結基を形成可能である基を示す。
R1、R4及びR6のうち式(1)〜(6)からなる群から選ばれる何れの化合物との結合にも関与しない基は各々独立に置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を示す。R2、R3及びR5は各々独立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基を示す。
R101〜R106、R201〜R208、R301〜R310、R401〜R412、R501〜R514およびR601〜R616のうち、該ユニットA1〜A3からなる群から選ばれる何れのユニットとの結合にも関与していない基は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基および置換もしくは無置換のアリール基から選ばれる何れかである)。
- 請求項1に記載の帯電部材と該帯電部材と接触配置されている電子写真感光体とを有することを特徴とする電子写真装置。
- 請求項1に記載の帯電部材と、電子写真感光体、現像手段、転写手段及びクリーニング手段から選ばれる少なくとも1つの部材とを一体に保持し、
電子写真装置の本体に着脱自在に装着可能に構成されてなることを特徴とするプロセスカートリッジ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010267040A JP5729988B2 (ja) | 2009-12-15 | 2010-11-30 | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009283902 | 2009-12-15 | ||
JP2009283902 | 2009-12-15 | ||
JP2010267040A JP5729988B2 (ja) | 2009-12-15 | 2010-11-30 | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011145659A true JP2011145659A (ja) | 2011-07-28 |
JP2011145659A5 JP2011145659A5 (ja) | 2014-01-23 |
JP5729988B2 JP5729988B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=44166992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010267040A Active JP5729988B2 (ja) | 2009-12-15 | 2010-11-30 | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8870728B2 (ja) |
EP (1) | EP2515178B1 (ja) |
JP (1) | JP5729988B2 (ja) |
KR (1) | KR101461766B1 (ja) |
CN (1) | CN102667635B (ja) |
WO (1) | WO2011074220A1 (ja) |
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Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4717959B1 (ja) * | 2009-12-14 | 2011-07-06 | キヤノン株式会社 | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
JP5264873B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
KR101512574B1 (ko) * | 2010-07-20 | 2015-04-15 | 캐논 가부시끼가이샤 | 대전 부재, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 |
JP4948666B2 (ja) | 2010-08-17 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 帯電部材及びその製造方法 |
KR101454135B1 (ko) * | 2010-08-20 | 2014-10-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | 대전 부재 |
CN103154827B (zh) | 2010-09-27 | 2015-07-01 | 佳能株式会社 | 充电构件、处理盒和电子照相设备 |
WO2012042755A1 (ja) | 2010-09-27 | 2012-04-05 | キヤノン株式会社 | 帯電部材、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
JP4942233B2 (ja) | 2010-09-27 | 2012-05-30 | キヤノン株式会社 | 帯電部材、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
JP4954344B2 (ja) | 2010-09-27 | 2012-06-13 | キヤノン株式会社 | 帯電部材及びその製造方法 |
CN103380403B (zh) | 2011-02-15 | 2015-06-10 | 佳能株式会社 | 充电构件、其生产方法、处理盒和电子照相设备 |
CN103502894B (zh) | 2011-04-27 | 2015-11-25 | 佳能株式会社 | 充电构件、处理盒、电子照相设备和充电构件的生产方法 |
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-
2010
- 2010-11-30 JP JP2010267040A patent/JP5729988B2/ja active Active
- 2010-12-10 EP EP10837254.1A patent/EP2515178B1/en active Active
- 2010-12-10 WO PCT/JP2010/007200 patent/WO2011074220A1/ja active Application Filing
- 2010-12-10 KR KR1020127017594A patent/KR101461766B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-10 CN CN201080056833.XA patent/CN102667635B/zh active Active
-
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- 2011-04-05 US US13/080,610 patent/US8870728B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP2515178B1 (en) | 2017-10-18 |
EP2515178A1 (en) | 2012-10-24 |
US20110182618A1 (en) | 2011-07-28 |
WO2011074220A1 (ja) | 2011-06-23 |
CN102667635A (zh) | 2012-09-12 |
EP2515178A4 (en) | 2015-05-06 |
US8870728B2 (en) | 2014-10-28 |
KR101461766B1 (ko) | 2014-11-13 |
CN102667635B (zh) | 2015-06-17 |
KR20120099482A (ko) | 2012-09-10 |
JP5729988B2 (ja) | 2015-06-03 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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