JP2011139052A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、第１のゲート電極層と、第２のゲート電極層と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
   前記第２のゲート電極層は、前記チャネル形成領域を介して前記第１のゲート電極層と重なる領域を有し、
   前記第２のゲート電極層は、紫外線を透過する機能を有し、
   前記トランジスタは、前記第２のゲート電極層を介して、前記チャネル形成領域に紫外線を照射されることで、しきい値を変動させる機能を有することを特徴とする半導体装置。
2. トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、第１のゲート電極層と、第２のゲート電極層と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
   前記第２のゲート電極層は、前記チャネル形成領域を介して前記第１のゲート電極層と重なる領域を有し、
   前記第２のゲート電極層は、紫外線を透過する開口部を有し、
   前記トランジスタは、前記第２のゲート電極層を介して、前記チャネル形成領域に紫外線を照射されることで、しきい値を変動させる機能を有することを特徴とする半導体装置。
3. トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、第１のゲート電極層と、第２のゲート電極層と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
   前記第２のゲート電極層は、前記チャネル形成領域を介して前記第１のゲート電極層と重なる領域を有し、
   前記第２のゲート電極層は、紫外線を透過する機能を有し、
   前記トランジスタは、前記第２のゲート電極層を介して、前記チャネル形成領域に紫外線を照射されることで、しきい値を変動させ保持する機能を有することを特徴とする半導体装置。
4. トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、第１のゲート電極層と、第２のゲート電極層と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
   前記第２のゲート電極層は、前記チャネル形成領域を介して前記第１のゲート電極層と重なる領域を有し、
   前記第２のゲート電極層は、紫外線を透過する開口部を有し、
   前記トランジスタは、前記第２のゲート電極層を介して、前記チャネル形成領域に紫外線を照射されることで、しきい値を変動させ保持する機能を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記しきい値の変動の前後で、前記トランジスタの抵抗値が、２桁以上変化するゲート電圧の範囲を有することを特徴とする半導体装置。