JP2011138841A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 光電変換素子および前記光電変換素子からの電荷を転送するための転送ゲート電極を主面側に有する第１の基板と、
   前記光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を読み出すための回路を含む周辺回路部を主面側に有する第２の基板とを積層した固体撮像装置において、
   前記第１の基板の主面側に配された、アルミニウム配線からなる多層配線構造と、
   前記第２の基板の主面側に配された、銅配線からなる多層配線構造と、を有する固体撮像装置。
2. 前記第１の基板の主面と、前記第２の基板の主面と、を対向して積層した請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記第１の基板の主面と、前記第２の基板の主面と反対の面である裏面と、が対向して積層された請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 前記第１の基板の上部に配されたアルミニウム配線からなる多層配線構造は、銅のための拡散防止膜を有していることを特徴とする請求項２あるいは３のいずれかに記載の固体撮像装置。
5. 前記第２の基板に配された周辺回路部には、高融点金属化合物層が配され、
   前記銅のための拡散防止膜は、前記高融点金属の拡散防止膜としても機能することを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
6. 前記銅配線からなる多層配線構造は、前記銅配線の上部に配された銅のための第２の拡散防止膜を有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
7. 前記銅のための第２の拡散防止膜は、前記銅配線のパターンに合わせてパターニングされている請求項６に記載の固体撮像装置。
8. 前記銅のための第２の拡散防止膜は、シリコンナイトライドあるいはシリコンカーバイドからなる請求項６あるいは７のいずれかに記載の固体撮像装置。
9. 前記第１の基板に、前記転送ゲート電極によって前記光電変換素子からの前記電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域が配され、
   前記第２の基板に、前記フローティングディフュージョン領域の電位に基づく信号が入力されるゲート電極を有する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタのゲート電極をリセット電位に設定するためのリセットトランジスタとが配され、前記第２の基板の上部には前記増幅トランジスタのゲート電極に基づく信号が出力される信号線が配されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
10. 前記第１の基板に、前記転送ゲート電極によって前記光電変換素子からの前記電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、前記フローティングディフュージョン領域の電位に基づく信号が入力されるゲート電極を有する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタのゲート電極をリセット電位に設定するためのリセットトランジスタとが配され、
    前記第２の基板の主面側の銅配線からなる多層配線構造に、前記増幅トランジスタのゲート電極に基づく信号が出力される信号線が配されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部とを有する撮像システム。