JP2011138841A - 固体撮像装置および撮像システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の固体撮像装置は、光電変換素子および前記光電変換素子からの電荷を転送するための転送ゲート電極とを有する第1の基板と、光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を読み出すための回路を含む周辺回路部を有する第2の基板とを積層し、第1の基板の上部に配されたアルミニウム配線からなる多層配線構造と、第2の基板の上部に配された銅配線からなる多層配線構造と、を有する。
【選択図】 図1
Description
ゲート電極などと第1の配線層128の配線と、第1の配線層128と第2の配線層129との接続は、例えばタングステンからなるプラグによってなされている。そして、第2の基板108には、図11の増幅トランジスタ306を構成する各部位が配されている。なお、説明において、各チップにおいて、基板の主面から裏面に向かう方向を下方向もしくは深い方向とし、裏面から主面に向かう方向を上方向もしくは浅い方向とする。
102 第2のチップ
103 接合面
104 第1の基板
107 多層配線構造
108 第2の基板
111 多層配線構造
112 光電変換素子
124 ウエル
125 増幅トランジスタのソース・ドレイン領域
126 増幅トランジスタのゲート電極
131 拡散防止膜
Claims (11)
- 光電変換素子および前記光電変換素子からの電荷を転送するための転送ゲート電極とを有する第1の基板と、
前記光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を読み出すための回路を含む周辺回路部を有する第2の基板とを積層した固体撮像装置において、
前記第1の基板の上部に配された、アルミニウム配線からなる多層配線構造と、
前記第2の基板の上部に配された、銅配線からなる多層配線構造と、を有する固体撮像装置。 - 前記転送ゲート電極が配された前記第1の基板の主面と、前記周辺回路部のトランジスタが形成された前記第2の基板の主面と、を対向して積層した請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記転送ゲート電極とが配された前記第1の基板の主面と、前記周辺回路部においてトランジスタが形成された前記第2の基板の主面と反対の面である裏面と、が対向して積層された請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の基板の上部に配されたアルミニウム配線からなる多層配線構造は、銅のための拡散防止膜を有していることを特徴とする請求項2あるいは3のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第2の基板に配された周辺回路部には、高融点金属化合物層が配され、
前記銅のための拡散防止膜は、前記高融点金属の拡散防止膜としても機能することを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記銅配線からなる多層配線構造は、前記銅配線の上部に配された銅のための第2の拡散防止膜を有する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記銅のための第2の拡散防止膜は、前記銅配線のパターンに合わせてパターニングされている請求項6に記載の固体撮像装置。
- 前記銅のための第2の拡散防止膜は、シリコンナイトライドあるいはシリコンカーバイドからなる請求項6あるいは7のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1の基板に、前記転送ゲート電極によって前記光電変換素子からの前記電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域とが配され、
前記第2の基板に、前記フローティングディフュージョン領域の電位に基づく信号が入力されるゲート電極を有する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタのゲート電極をリセット電位に設定するためのリセットトランジスタとが配され、前記第2の基板の上部には前記増幅トランジスタのゲート電極に基づく信号が出力される信号線とが配されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の基板に、前記転送ゲート電極によって前記光電変換素子からの前記電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、前記フローティングディフュージョン領域の電位に基づく信号が入力されるゲート電極を有する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタのゲート電極をリセット電位に設定するためのリセットトランジスタとが配され、
前記第2の基板の上部に、前記増幅トランジスタのゲート電極に基づく信号が出力される信号線が配されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部とを有する撮像システム。
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