JP2011138102A - ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011138102A JP2011138102A JP2010218020A JP2010218020A JP2011138102A JP 2011138102 A JP2011138102 A JP 2011138102A JP 2010218020 A JP2010218020 A JP 2010218020A JP 2010218020 A JP2010218020 A JP 2010218020A JP 2011138102 A JP2011138102 A JP 2011138102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- resist composition
- negative resist
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title abstract description 3
- -1 amine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 96
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 57
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 36
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 34
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 25
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 112
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 60
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 12
- 125000005041 acyloxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000006350 alkyl thio alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 10
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 7
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 5
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 5
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 3
- 125000005156 substituted alkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 79
- 239000010408 film Substances 0.000 description 62
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- 239000002585 base Substances 0.000 description 54
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 46
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 33
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 19
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical group OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C=C)C=C1 UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 11
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 10
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 10
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 8
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 8
- KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-ethenylbenzene Chemical compound ClC1=CC=C(C=C)C=C1 KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N acetnaphthylene Natural products C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 5
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FMFHUEMLVAIBFI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=CC1=CC=CC=C1 FMFHUEMLVAIBFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 150000003440 styrenes Chemical group 0.000 description 4
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 4
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethenylbenzene Chemical group ClC=CC1=CC=CC=C1 SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HSVJMWXLGNHXNV-UHFFFAOYSA-N 4-(dibutylamino)benzoic acid Chemical compound CCCCN(CCCC)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 HSVJMWXLGNHXNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 3
- WYGWHHGCAGTUCH-ISLYRVAYSA-N V-65 Substances CC(C)CC(C)(C#N)\N=N\C(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 108010001861 pregnancy-associated glycoprotein 1 Proteins 0.000 description 3
- 108010001843 pregnancy-associated glycoprotein 2 Proteins 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- USMVHTQGEMDHKL-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfanium;2,4,6-tri(propan-2-yl)benzenesulfonate Chemical compound CC(C)C1=CC(C(C)C)=C(S([O-])(=O)=O)C(C(C)C)=C1.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USMVHTQGEMDHKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)-3a,6a-dihydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5-dione Chemical compound COCN1C(=O)N(COC)C2C1N(COC)C(=O)N2COC XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YHGKEORTCHVBQH-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tri(propan-2-yl)benzenesulfonic acid Chemical compound CC(C)C1=CC(C(C)C)=C(S(O)(=O)=O)C(C(C)C)=C1 YHGKEORTCHVBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CELJCEYSUZCXHF-UHFFFAOYSA-M 2,5-dimethylbenzenesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound CC1=CC=C(C)C(S([O-])(=O)=O)=C1.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CELJCEYSUZCXHF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTKFSQKHCMEMO-UHFFFAOYSA-N 2-(methoxymethoxy)-n,n-bis[2-(methoxymethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound COCOCCN(CCOCOC)CCOCOC NRTKFSQKHCMEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPDGWMLCUHULJF-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCN1CCCCC1 LPDGWMLCUHULJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNYTUARMNSFFBE-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylazaniumyl)benzoate Chemical compound CCN(CC)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 LNYTUARMNSFFBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 2
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GVEHJMMRQRRJPM-UHFFFAOYSA-N chromium(2+);methanidylidynechromium Chemical compound [Cr+2].[Cr]#[C-].[Cr]#[C-] GVEHJMMRQRRJPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 2
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006574 non-aromatic ring group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 2
- JAMNSIXSLVPNLC-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl) acetate Chemical compound CC(=O)OC1=CC=C(C=C)C=C1 JAMNSIXSLVPNLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 *N(*)c1c(C*IC(O)=O)cccc1 Chemical compound *N(*)c1c(C*IC(O)=O)cccc1 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKALZGSIEJZJCZ-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(methoxymethyl)urea Chemical compound COCNC(=O)NCOC XKALZGSIEJZJCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]propan-2-yl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)COC(C)(C)C JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGMDYIYCKWMWLY-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(F)(F)F XGMDYIYCKWMWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropan-1-one Chemical group CC(C)(C)[C]=O YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKMBXKGUMLSBOT-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F IKMBXKGUMLSBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGNLYPIUWLWKRG-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tributylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCC1=CC(CCCC)=C(S(O)(=O)=O)C(CCCC)=C1 FGNLYPIUWLWKRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIKWDNCQFDKMDL-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tripentylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCC1=CC(CCCCC)=C(S(O)(=O)=O)C(CCCCC)=C1 AIKWDNCQFDKMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONUHTGXMVOIXDC-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tripropylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCC1=CC(CCC)=C(S(O)(=O)=O)C(CCC)=C1 ONUHTGXMVOIXDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPNPUBFSJREOEV-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(3-methylbutyl)benzenesulfonic acid Chemical compound CC(C)CCC1=CC(CCC(C)C)=C(S(O)(=O)=O)C(CCC(C)C)=C1 PPNPUBFSJREOEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OELXVOWLYGEQDP-UHFFFAOYSA-M 2,4,6-tritert-butylbenzenesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.CC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)C)=C(S([O-])(=O)=O)C(C(C)(C)C)=C1 OELXVOWLYGEQDP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IRLYGRLEBKCYPY-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(C)C(S(O)(=O)=O)=C1 IRLYGRLEBKCYPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBBXNOYRIIDDIA-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-5-hydroxybenzoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=C(O)C=C1C(O)=O UBBXNOYRIIDDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVVXXHVHGGWWPE-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)benzoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1C(O)=O DVVXXHVHGGWWPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPNFUBAIQZJEPO-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dibutylamino)-2-hydroxybenzoyl]benzoic acid Chemical compound OC1=CC(N(CCCC)CCCC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O QPNFUBAIQZJEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMOLHINGTIUDQR-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dimethylamino)phenyl]-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=C(C(O)(CC(O)=O)C(O)=O)C=C1 BMOLHINGTIUDQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQGHTOZUPICELS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dimethylamino)phenyl]acetic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=C(CC(O)=O)C=C1 KQGHTOZUPICELS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCAXQLFSRNOHAK-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dimethylamino)phenyl]benzoic acid Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C1=CC=CC=C1C(O)=O NCAXQLFSRNOHAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOCONOTVDYHSS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dimethylamino)phenyl]butanoic acid Chemical compound CCC(C(O)=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 RUOCONOTVDYHSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLFOCZZNJVZGKW-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dimethylamino)phenyl]propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 QLFOCZZNJVZGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFNSAOSWJSCHID-UHFFFAOYSA-N 2-butylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O QFNSAOSWJSCHID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBJPNXSMLSIWTC-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-piperidin-1-ylbutanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(O)C(C(O)=O)N1CCCCC1 UBJPNXSMLSIWTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZLHDXHQEFQDKK-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-piperidin-1-ylpropanoic acid Chemical compound OC(=O)C(O)CN1CCCCC1 SZLHDXHQEFQDKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTHJQRHPNQEPAB-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethenylbenzene Chemical group COC=CC1=CC=CC=C1 CTHJQRHPNQEPAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCN(COC)C1=NC(N(COC)COC)=NC(N(COC)COC)=N1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SELMDBJLWINBND-UHFFFAOYSA-N 2-oxo-3-piperidin-1-ylpropanoic acid Chemical compound OC(=O)C(=O)CN1CCCCC1 SELMDBJLWINBND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEGFNJRAUMCZMY-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)benzoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 NEGFNJRAUMCZMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKIMCXNVTFWYGD-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(dimethylamino)phenyl]-2-oxopropanoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=C(CC(=O)C(O)=O)C=C1 KKIMCXNVTFWYGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 3-chloroperbenzoic acid Chemical compound OOC(=O)C1=CC=CC(Cl)=C1 NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKEWDMHIDJWKDP-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylamino)-2-methoxybenzoic acid Chemical compound CCN(CC)C1=CC=C(C(O)=O)C(OC)=C1 SKEWDMHIDJWKDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFGAZEMSGFEFGF-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylamino)-2-methylbenzoic acid Chemical compound CCN(CC)C1=CC=C(C(O)=O)C(C)=C1 BFGAZEMSGFEFGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFSILWPEYUZTCM-UHFFFAOYSA-N 4-(dihexylamino)benzoic acid Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 HFSILWPEYUZTCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDIYEOMDOWUDTJ-UHFFFAOYSA-N 4-(dimethylamino)benzoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 YDIYEOMDOWUDTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDUINJZCAHJFQQ-UHFFFAOYSA-N 4-(dipentylamino)benzoic acid Chemical compound CCCCCN(CCCCC)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 SDUINJZCAHJFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQLBFVMSEWIEJW-UHFFFAOYSA-N 4-(dipropylamino)benzoic acid Chemical compound CCCN(CCC)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 SQLBFVMSEWIEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWXVEXLYWWGQPK-UHFFFAOYSA-N 4-[di(propan-2-yl)amino]benzoic acid Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 SWXVEXLYWWGQPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical group OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGAVZPPPWLEAKZ-UHFFFAOYSA-N 4-piperidin-1-ylbutanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCN1CCCCC1 BGAVZPPPWLEAKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTXUPXHVXSDML-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-2-(dimethylamino)benzoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=C(Br)C=C1C(O)=O CYTXUPXHVXSDML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYTDINDFLWOUBN-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-2-(dimethylamino)benzoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=C(Cl)C=C1C(O)=O TYTDINDFLWOUBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 5-nonyl-7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-ol Chemical compound C(CCCCCCCC)C1=C2C(=C(C=C1)O)O2 RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 6-chloro-2-n,2-n-diethylpyrimidine-2,4-diamine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(N)=CC(Cl)=N1 XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001213 Polysorbate 20 Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N Sorbitan monopalmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N 0.000 description 1
- HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N Sorbitan monostearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 238000005903 acid hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010933 acylation Effects 0.000 description 1
- 238000005917 acylation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005904 alkaline hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- BLBKTJIPOBRUGU-UHFFFAOYSA-M benzenesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BLBKTJIPOBRUGU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical group CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000004063 butyryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004979 cyclopentylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005508 decahydronaphthalenyl group Chemical group 0.000 description 1
- CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N diazo(sulfonyl)methane Chemical compound [N-]=[N+]=C=S(=O)=O CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000006351 ethylthiomethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])SC([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000005567 fluorenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 125000004092 methylthiomethyl group Chemical group [H]C([H])([H])SC([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004998 naphthylethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)CC* 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005562 phenanthrylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 1
- 235000010486 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000249 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 235000010483 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001816 polyoxyethylene sorbitan tristearate Substances 0.000 description 1
- 235000010988 polyoxyethylene sorbitan tristearate Nutrition 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003139 primary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005767 propoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[#8]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005548 pyrenylene group Chemical group 0.000 description 1
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000005619 secondary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940035044 sorbitan monolaurate Drugs 0.000 description 1
- 239000001570 sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 235000011071 sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 229940031953 sorbitan monopalmitate Drugs 0.000 description 1
- 239000001587 sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000011076 sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035048 sorbitan monostearate Drugs 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)(C)C JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000004862 thiobutyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004014 thioethyl group Chemical group [H]SC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004055 thiomethyl group Chemical group [H]SC([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004035 thiopropyl group Chemical group [H]SC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N trans-but-2-ene Chemical group C\C=C\C IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- PHYFQTYBJUILEZ-IUPFWZBJSA-N triolein Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCC(OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PHYFQTYBJUILEZ-IUPFWZBJSA-N 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
【解決手段】ネガ型レジスト組成物であって、ベース樹脂は、スチレン系繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜10,000であり、塩基性成分として窒素を含有する化合物は、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を有しないアミン化合物の1種以上を含むものであることを特徴とするネガ型レジスト組成物。
【選択図】なし
Description
化学増幅ネガ型レジスト組成物は、通常、水性アルカリ性現像液に溶解する高分子化合物と、露光光により分解して酸を発生する酸発生剤、及び酸を触媒として高分子化合物間に架橋を形成して高分子化合物を現像液に不溶化させる架橋剤(場合によっては高分子化合物と架橋剤は一体化している)を含有しており、更に通常露光で発生した酸の拡散を制御するための塩基性化合物が加えられる。
(A)アルカリ可溶性であり、酸の作用によりアルカリ不溶性となるベース樹脂、及び/又は、アルカリ可溶性であり、酸の作用により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になるベース樹脂と架橋剤の組み合わせ、
(B)酸発生剤、
(C)塩基性成分として窒素を含有する化合物
を含むネガ型レジスト組成物であって、
前記ベース樹脂は、少なくとも、下記一般式(1)及び下記一般式(2)
で示される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜10,000であり、
前記塩基性成分として窒素を含有する化合物は、少なくとも、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を有しないアミン化合物の1種以上を含むものであることを特徴とするネガ型レジスト組成物を提供する。
で表わされる化合物のうち1種以上を含むものであることが好ましい。
で表わされる化合物のうち1種以上を含有するものであることが好ましい。
で示されるアミン化合物のうち、少なくとも1種以上を含有するものであることが好ましい。
また、本発明によりフォトマスクブランクの表面を構成する材料がクロム系材料のような、ネガ型レジストパターンを形成した際にアンダーカットを生じやすく、パターン倒れ等を引き起こしやすい基板上であっても、アンダーカットの発生を防止し、かつ高い解像度で安定してパターンを得ることができる。
上述のように、微細パターンを形成した場合にも、ブリッジが発生しにくく、また、基板依存性が小さく、解像性に優れたパターンを形成することができるネガ型レジスト組成物が求められていた。
で示される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜10,000である。
特に、アルキル基、アルコキシ基、チオアルキル基は効果が高く、本発明の効果を有利に得ることができる。より具体的な好ましいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基およびその構造異性体、シクロペンチル基、シクロへキシル基等が挙げられる。炭素数が10以下であると、ベース樹脂としてのアルカリ性現像液に対する溶解性を落とす効果が強くなりすぎず、スカム(現像欠陥)の原因になる恐れがない。また、好ましいアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、へキシルオキシ基およびその炭化水素部の構造異性体、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基等が挙げられる。更に、チオアルキル基としては、チオメチル基、チオエチル基、チオプロピル基、チオブチル基、チオペンチル基、チオへキシル基およびその炭化水素部の構造異性体、チオシクロペンチル基、チオシクロへキシル基等が挙げられる。
重量平均分子量が1、000未満であればレジスト材料の耐熱性が不十分となり、10,000より大きいと、現像後レジストパターンの解像性の低下や、あるいは欠陥を生じやすくなる欠点がある。また、重量平均分子量は5000以下であればライネッジラフネスを小さくすることができるために好ましい。
特に放射線照射用や電子線照射用のレジスト膜とする場合には、酸発生剤の添加による膜中での照射線のエネルギー減衰が問題にならない一方、高感度が得難いため、酸発生剤の添加量はエキシマレーザー光を使用する場合に比べて高濃度に添加され、2.0〜20質量部程度加えられることが好ましい。
また、アンダーカットを低減させるためには拡散を抑えた方が良いことがわかっているが、反応性が悪くなるため架橋密度を上げにくい欠点がある。このため、拡散の大きい2,5−ジメチルベンゼンスルフォン酸を有する酸発生剤と拡散を抑えた2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルフォン酸を有する酸発生剤を混合して使用することが一般的であった。
トリフェニルスルフォニウムカチオン部のベンゼン核にアルキル基を導入するとレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性が低下することがわかっているので、酸発生剤によりレジスト膜のアルカリ溶解性を制御することが出来る。ベース樹脂の溶解速度が高い場合にはアルキル基が導入されたトリフェニルスルフォニウム系酸発生剤が有効である。
また、2−キノリンカルボン酸やニコチン酸のような塩基性中心が芳香環に含まれる窒素であるアミン化合物は、塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を含まないが、弱塩基であるためカルボキシル基が基板側にうまく配列されないと考えられる。このため、発生酸が基板へ拡散して失活することを防止することが出来ない。
しかし、本発明のネガ型レジスト組成物を用いた場合には、クロム系化合物(クロム化合物膜)が最表面である基板上でも良好な形状を持つパターンを形成することができ、フォトマスクブランクの加工等において有利に使用できる。
のアミン化合物を挙げることができるが、これに限られない。
o−ジメチルアミノ安息香酸、p−ジメチルアミノ安息香酸、m−ジメチルアミノ安息香酸、p−ジエチルアミノ安息香酸、p−ジプロピルアミノ安息香酸、p−ジイソプロピルアミノ安息香酸、p−ジブチルアミノ安息香酸、p−ジペンチルアミノ安息香酸、p−ジヘキシルアミノ安息香酸、p−ジエタノールアミノ安息香酸、p−ジイソプロパノールアミノ安息香酸、p−ジメタノールアミノ安息香酸、2−メチル−4−ジエチルアミノ安息香酸、2−メトキシ−4−ジエチルアミノ安息香酸、3−ジメチルアミノ−2−ナフタレン酸、3−ジエチルアミノ−2−ナフタレン酸、2−ジメチルアミノ−5−ブロモ安息香酸、2−ジメチルアミノ−5−クロロ安息香酸、2−ジメチルアミノ−5−ヨード安息香酸、2−ジメチルアミノ−5−ヒドロキシ安息香酸、4−ジメチルアミノフェニル酢酸、4−ジメチルアミノフェニルプロピオン酸、4−ジメチルアミノフェニル酪酸、4−ジメチルアミノフェニルリンゴ酸、4−ジメチルアミノフェニルピルビン酸、4−ジメチルアミノフェニル乳酸、2−(4−ジメチルアミノフェニル)安息香酸、2−(4−(ジブチルアミノ)−2−ヒドロキシベンゾイル)安息香酸
1−ピペリジンプロピオン酸、1−ピペリジン酪酸、1−ピペリジンリンゴ酸、1−ピペリジンピルビン酸、1−ピペリジン乳酸
で示されるアミン化合物は組み合わせる際に有用な化合物である。
これらの界面活性剤は単独あるいは2種以上の組み合わせで用いることができる。
さらに、上記の方法で得られたレジスト膜は、膜中に残存する過剰の溶剤を除去するため、プリベークが行われる。プリベークの条件は、ホットプレート上で行った場合、通常80〜130℃で1〜10分間、より好ましくは90〜110℃で3〜5分間行われる。
さらに、上記の方法で得られたレジスト膜は、膜中に残存する過剰の溶剤を除去するため、プリベークが行われる。プリベークの条件は、ホットプレート上で行った場合、通常80〜130℃で4〜20分間、より好ましくは90〜110℃で8〜12分間行われる。
3Lのフラスコに4−アセトキシスチレン238.0g、4−メトキシスチレン22.6g、インデン189.4g、溶媒としてトルエンを675g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル):V−65(和光純薬製)を40.5g加え、45℃まで昇温後20時間反応させ、次に55℃まで昇温後、更に20時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール15.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体311gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。分画工程として反応溶液を濃縮後、メタノール548gとアセトン112gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを10分間かけて滴下投入した。この混合白濁溶液に対し静置分液を行い、下層(ポリマー層)を取り出し、濃縮した。更に再び濃縮されたポリマーをメタノール548gとアセトン112gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを用いる分散、分液操作を行い、得られた下層(ポリマー層)を濃縮した。この濃縮液を酢酸エチル870gに溶解し、水250gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水225gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン250gに溶解し、水15Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体187gを得た。
得られた重合体を13C,1H−NMR、及び、GPC測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−メトキシスチレン:インデン=76.7:12.5:10.8
重量平均分子量(Mw)=4200
分子量分布(Mw/Mn)=1.59
これを(polymer−1)とする。
合成例1における4−メトキシスチレン22.6gを4−メチルスチレン11.0gに代えて、同じ合成方法でポリマーを合成した。
得られた重合体を13C,1H−NMR、及び、GPC測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−メチルスチレン:インデン=76.9:12.9:10.2
重量平均分子量(Mw)=4100
分子量分布(Mw/Mn)=1.58
これを(polymer−2)とする。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン222.0g、4−メトキシスチレン32.6g、アセナフチレン30.0g、溶媒としてトルエンを675g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル):V−65(和光純薬製)を40.1g加え、45℃まで昇温後20時間反応させ、次に55℃まで昇温後、更に20時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール15.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体299gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。分画工程として反応溶液を濃縮後、メタノール548gとアセトン112gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを10分間かけて滴下投入した。この混合白濁溶液に対し静置分液を行い、下層(ポリマー層)を濃縮した。更に再び濃縮されたポリマーをメタノール548gとアセトン112gに溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを用いる分散、分液操作を行い、得られた下層(ポリマー層)を濃縮した。この濃縮液を酢酸エチル870gに溶解し、水250gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水225gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン250gに溶解、水15Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体165gを得た。
得られた重合体を13C,1H−NMR、及び、GPC測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−メトキシスチレン:アセナフチレン=77.0:12.5:10.5
重量平均分子量(Mw)=4700
分子量分布(Mw/Mn)=1.63
これを(polymer−3)とする。
合成例3における4−メトキシスチレン32.6gを4−メチルスチレン26.5gに代えて、同じ合成方法でポリマーを合成した。
得られた重合体を13C,1H−NMR、及び、GPC測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−メチルスチレン:アセナフチレン=76.5:13.0:10.5
重量平均分子量(Mw)=5000
分子量分布(Mw/Mn)=1.61
これを(polymer−4)とする。
合成例3における4−メトキシスチレン32.6gをスチレン23.5gに代えて、同じ合成方法でポリマーを合成した。
得られた重合体を13C,1H−NMR、及び、GPC測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:スチレン:アセナフチレン=76.5:12.8:10.7
重量平均分子量(Mw)=5000
分子量分布(Mw/Mn)=1.61
これを(polymer−5)とする。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン354.4g、4−メトキシスチレン95.6g、溶媒としてトルエンを1500g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBN(和光純薬製)を23.6g加え、65℃まで昇温後40時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール20.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体420gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。分画工程として反応溶液を濃縮後、メタノール822gとアセトン168gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン1485gを10分間かけて滴下投入した。この混合白濁溶液に対し静置分液を行い、下層(ポリマー層)を濃縮した。更に再び濃縮されたポリマーをメタノール822gとアセトン168gに溶解し、この溶解溶液にヘキサン1485gを用いる分散、分液操作を行い、得られた下層(ポリマー層)を濃縮した。この濃縮液を酢酸エチル1300gに溶解し、水375gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水375gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン375gに溶解、水20Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体280gを得た。
得られた重合体を13C,1H−NMR、及び、GPC測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−メトキシスチレン=75.8:24.2
重量平均分子量(Mw)=5200
分子量分布(Mw/Mn)=1.62
これを(polymer−6)とする。
合成例6における4−メトキシスチレン95.6gを4−メチルスチレン84.2gに代えて、同じ合成方法でポリマーを合成した。
得られた重合体を13C,1H−NMR、及び、GPC測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−メチルスチレン=76.6:23.4
重量平均分子量(Mw)=4700
分子量分布(Mw/Mn)=1.88
これを(polymer−7)とする。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン354.4g、4−クロルスチレン94.6g、溶媒としてトルエンを1500g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBN(和光純薬製)を23.6g加え、65℃まで昇温後40時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール20.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体420gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。分画工程として反応溶液を濃縮後、メタノール822gとアセトン168gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン1485gを10分間かけて滴下投入した。この混合白濁溶液に対し静置分液を行い、下層(ポリマー層)を濃縮した。更に再び濃縮されたポリマーをメタノール822gとアセトン168gに溶解し、この溶解溶液にヘキサン1485gを用いる分散、分液操作を行い、得られた下層(ポリマー層)を濃縮した。この濃縮液を酢酸エチル1300gに溶解し、水375gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水375gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン375gに溶解、水20Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体280gを得た。
得られた重合体を13C,1H−NMR、及び、GPC測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−クロルスチレン=76.8:23.2
重量平均分子量(Mw)=5200
分子量分布(Mw/Mn)=1.62
これを(polymer−8)とする。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン238.0g、4−クロルスチレン22.6g、インデン189.4g、溶媒としてトルエンを675g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル):V−65(和光純薬製)を40.5g加え、45℃まで昇温後20時間反応させ、次に55℃まで昇温後、更に20時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール15.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体311gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。分画工程として反応溶液を濃縮後、メタノール548gとアセトン112gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを10分間かけて滴下投入した。この混合白濁溶液に対し静置分液を行い、下層(ポリマー層)を取り出し、濃縮した。更に再び濃縮されたポリマーをメタノール548gとアセトン112gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを用いる分散、分液操作を行い、得られた下層(ポリマー層)を濃縮した。この濃縮液を酢酸エチル870gに溶解し、水250gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水225gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン250gに溶解し、水15Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体187gを得た。
得られた重合体を13C,1H−NMR、及び、GPC測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−クロルスチレン:インデン=76.0:6.5:17.5
重量平均分子量(Mw)=4200
分子量分布(Mw/Mn)=1.59
これを(polymer−9)とする。
以下のように、ベース樹脂、酸発生剤、塩基性成分、架橋剤、界面活性剤、及び溶剤を表1の割合で配合し、実施例及び比較例のネガ型レジスト組成物を調整した。
以下実施例で使用するベース樹脂は上記合成例1から合成例7で得られたPolymer−1からPolymer−7である。比較例で使用したベース樹脂は比較合成例1及び比較合成例2で得られたPolymer−8及びPolymer−9である。
PAG−1がトリフェニルスルフォニウム−2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルフォン酸
PAG−2がトリフェニルスルフォニウム−2,4,6−トリターシャリブチルベンゼンスルフォン酸
である。
溶剤(A)プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
溶剤(B)乳酸エチル(EL)
である。
Quencher−1:p−ジエチルアミノベンゾイックアシッド
Quencher−2:p−ジブチルアミノベンゾイックアシッド
Quencher−3:p−ジブチルアミノベンゾイックアシッドの酸化物
Quencher−4:1−ピペリジンプロピオン酸
Quencher−5:トリス(2−(メトキシメトキシ)エチル)アミン*
Quencher−6:トリス(2−(メトキシメトキシ)エチル)アミンの酸化物*
Quencher−7:N−2−(アセトキシ)エチル−イミダゾール*
*カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物ではない塩基性成分
膜厚の測定は光学式測定器ナノスペック(ナノメトリックス社製)を用いて行った。測定はブランク外周から10mm内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内81ケ所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。
200nmのライン・アンド・スペースのトップとボトムを1:1で解像する露光量を最適露光量(感度:Eop)として、この露光量における分離しているライン・アンド・スペースの最小線幅を評価レジストの解像度とした。また、解像したレジストパターンの形状は、特に基板界面におけるアンダーカットの有無を走査型電子顕微鏡を用いてレジスト断面を観察した。
Prees:250mJ,RF Power:800W,Gas:1)CHF3 20sccm 2)CF4 20sccm 3)Ar 400sccm,エッチング時間:2分30秒
比較例1で用いたポリマーにインデンユニットを加えた比較例2のポリマーは60nmのパターンとなった。比較例1及び比較例2のクロルスチレンユニットは架橋効率が低いため、感度が35μCと非常に低い結果となった。
一方、実施例1〜実施例7の電子供与基が導入されたスチレンユニットからなるポリマは架橋効率が高いため、スチレンユニットが15μC、メチルスチレンユニッットが14μCそしてメトキシスチレンユニットが13μCであった。また、いずれも45nm以下のパターンがアンダーカットもブリッジもなく解像できた。
インデンユニットが導入されたポリマーを使用した実施例1と実施例2はインデンユニットを導入されないポリマーを用いた実施例6と実施例7より更に高解像性であり、アセナフチレンユニットを導入したポリマーを使用した実施例3〜実施例5はこれらより更に高解像性のパターンが得られ、40nmのパターンがアンダーカットもブリッジもなく解像できた。
アセナフチレンユニットが導入されたポリマーは剛直性で現像時にパターン変形を起こさないと考えられる。
実施例1のインデンユニットをアセナフチレンユニットに代えた実施例3は、比較例1に比べエッチング後の膜厚減少量が0.7倍であり、アセナフチレンユニットはエッチング耐性に優れることが分かる。
本発明のネガ型レジスト組成物について、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を有しないアミン化合物およびカルボキシ基を含有しないアミン化合物を下記表3の割合で配合して調整し、実施例1〜7と同様にして、ネガ型パターンを形成した。その解像性及びパターン形状の評価を行った。
カルボキシル基を有し、かつ活性な水素を含有しないアミン化合物(Quencher−1〜Quencher−4)とカルボキシ基含有しないアミン化合物(Quencher−5〜Quencher−7)の何れ組み合わせの実施例においてもアンダーカットの無い40nmのパターンが形成できた。
本発明のネガ型レジスト材料について、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を有しないアミン化合物およびカルボキシ基含有しないアミン化合物を配合した下記表4に示すネガ型レジスト組成物を調製し、実施例1から7と同様にして、ネガ型パターンを形成した。その解像性及びパターン形状の評価を行った。
アミン化合物が増加した場合、感度は多少低下するが、解像性を損なうことはない。いずれの実施例においてもアンダーカットの無い40nmのパターンが形成できた。電子線感度は表4に最下行に示した。プロセスで要求される感度をアミン化合物の量で調整できる。
実施例及び比較例として、酸発生剤としてPAG−1に代えてPAG−2を使用して下記表5に示すネガ型レジスト組成物を調製し、実施例1〜実施例7と同様にして、ネガ型パターンを形成した。その解像性及びパターン形状の評価を行った結果を下記表6に示す。
いずれの実施例においてもアンダーカットもブリッジもない45nm以下のパターンが形成できた。一方、比較例3は、クロルスチレンユニットが起因して、架橋効率がひくいため、感度が39μCと非常に低い結果となり、解像度は70nmであった。
尚、PAG−2はPAG−1と比較して発生する酸の拡散が小さいため、架橋効率が低く実施例1から実施例7と比較して若干(2μC)低感度である。エッチング耐性は酸発生剤により違いは認められなかった。
実施例及び比較例として、前述の実施例1〜実施例7、比較例1及び比較例2の溶媒量を増加させた下記表7に示すネガ型レジスト組成物を調製し、実施例1〜実施例7、比較例1及び比較例2と同様にして、ネガ型パターンを形成した。膜厚は溶媒量が増加したため、同じ塗付条件で60nmであった。
その解像性及びパターン形状の評価を行った結果を下記表8に示す。
膜厚が薄くなったため、感度は1μC低感度となったが、解像性は向上した。エッチング耐性は膜厚により変化は認められない。
いずれの実施例においてもアンダーカットもブリッジもない40nm以下のパターンが形成できた。比較例4及び比較例5は、感度が36μCと非常に低い結果となり、ブリッジのため45nm以下の解像度を得ることができなかった。
Claims (12)
- 少なくとも、
(A)アルカリ可溶性であり、酸の作用によりアルカリ不溶性となるベース樹脂、及び/又は、アルカリ可溶性であり、酸の作用により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になるベース樹脂と架橋剤の組み合わせ、
(B)酸発生剤、
(C)塩基性成分として窒素を含有する化合物
を含むネガ型レジスト組成物であって、
前記ベース樹脂は、少なくとも、下記一般式(1)及び下記一般式(2)
で示される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜10,000であり、
前記塩基性成分として窒素を含有する化合物は、少なくとも、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を有しないアミン化合物の1種以上を含むものであることを特徴とするネガ型レジスト組成物。 - 前記Xで表される電子供与基は、水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、及び炭素数1〜10のチオアルキル基より選ばれる1以上の基であることを特徴とする請求項1に記載のネガ型レジスト組成物。
- 前記Xで表される電子供与基は、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基より選ばれる1以上の基であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のネガ型レジスト組成物。
- 前記ベース樹脂の重量平均分子量が1,000〜5,000であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のネガ型レジスト組成物。
- 前記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を有しないアミン化合物は、下記一般式(6)〜(8)
で表わされる化合物のうち1種以上を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のネガ型レジスト組成物。 - 前記(C)成分の塩基性成分は、更に、下記一般式(9)及び(10)
で示されるアミン化合物のうち、少なくとも1種以上を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のネガ型レジスト組成物。 - リソグラフィーによりレジストパターンを形成する方法であって、少なくとも、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のネガ型レジスト組成物を用いて被加工基板上にレジスト膜を成膜し、該レジスト膜に高エネルギー線を露光し、その後水性アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得ることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
- 前記レジスト膜の膜厚は10nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項9に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記被加工基板として、フォトマスクブランクを用いることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記フォトマスクブランクの最表層上に、クロム化合物膜が成膜されていることを特徴とする請求項11に記載のレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010218020A JP5584573B2 (ja) | 2009-12-01 | 2010-09-29 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009273683 | 2009-12-01 | ||
JP2009273683 | 2009-12-01 | ||
JP2010218020A JP5584573B2 (ja) | 2009-12-01 | 2010-09-29 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011138102A true JP2011138102A (ja) | 2011-07-14 |
JP5584573B2 JP5584573B2 (ja) | 2014-09-03 |
Family
ID=43742407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010218020A Active JP5584573B2 (ja) | 2009-12-01 | 2010-09-29 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8470509B2 (ja) |
EP (1) | EP2330463B1 (ja) |
JP (1) | JP5584573B2 (ja) |
KR (1) | KR101617893B1 (ja) |
CN (1) | CN102081304B (ja) |
TW (1) | TWI494692B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5439030B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2014-03-12 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調製方法 |
JP5054089B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2012-10-24 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5472072B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2014-04-16 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5598350B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-10-01 | 信越化学工業株式会社 | 電子線用又はeuv用化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5598351B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-10-01 | 信越化学工業株式会社 | 電子線用又はeuv用化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5793399B2 (ja) * | 2011-11-04 | 2015-10-14 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及びその方法に用いる架橋層形成用組成物 |
JP5723854B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2015-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002365802A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2002372783A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2003122011A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JP2009223297A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-10-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG98433A1 (en) * | 1999-12-21 | 2003-09-19 | Ciba Sc Holding Ag | Iodonium salts as latent acid donors |
JP3796568B2 (ja) | 2001-02-21 | 2006-07-12 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4645789B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2011-03-09 | Jsr株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
JP4769410B2 (ja) | 2002-09-05 | 2011-09-07 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP4056332B2 (ja) * | 2002-09-06 | 2008-03-05 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物 |
CN1788239A (zh) | 2003-05-16 | 2006-06-14 | 东京应化工业株式会社 | 负性光致抗蚀剂组合物 |
JP3710795B2 (ja) | 2003-05-16 | 2005-10-26 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型ホトレジスト組成物 |
JP3828128B2 (ja) | 2003-05-16 | 2006-10-04 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型ホトレジスト組成物 |
JP4642452B2 (ja) | 2004-12-14 | 2011-03-02 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP4396849B2 (ja) | 2005-01-21 | 2010-01-13 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4478589B2 (ja) | 2005-02-02 | 2010-06-09 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7358025B2 (en) * | 2005-03-11 | 2008-04-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist undercoat-forming material and patterning process |
JP4682824B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-05-11 | 住友化学株式会社 | 着色感光性樹脂組成物 |
JP4883278B2 (ja) | 2006-03-10 | 2012-02-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
JP4631808B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2011-02-16 | 住友化学株式会社 | 着色感光性樹脂組成物 |
US7655378B2 (en) * | 2006-07-24 | 2010-02-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Negative resist composition and patterning process using the same |
JP2008085175A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、基板処理システム、プログラム及び記憶媒体。 |
JP4671046B2 (ja) | 2006-10-12 | 2011-04-13 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
JP4784760B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4678383B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2011-04-27 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP4386200B2 (ja) | 2007-03-30 | 2009-12-16 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR20100088673A (ko) | 2007-11-05 | 2010-08-10 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 네가티브형 레지스트 조성물 및 상기 네가티브형 레지스트 조성물을 사용한 패턴 형성 방법 |
US8168367B2 (en) * | 2008-07-11 | 2012-05-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
JP5439030B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2014-03-12 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調製方法 |
JP4955732B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2012-06-20 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5054089B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2012-10-24 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5472072B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2014-04-16 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
-
2010
- 2010-09-29 JP JP2010218020A patent/JP5584573B2/ja active Active
- 2010-10-12 US US12/902,868 patent/US8470509B2/en active Active
- 2010-11-23 CN CN201010559623.4A patent/CN102081304B/zh active Active
- 2010-11-29 EP EP10015092.9A patent/EP2330463B1/en active Active
- 2010-11-30 KR KR1020100120309A patent/KR101617893B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-30 TW TW099141501A patent/TWI494692B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002365802A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2002372783A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2003122011A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JP2009223297A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-10-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5584573B2 (ja) | 2014-09-03 |
TW201140241A (en) | 2011-11-16 |
EP2330463A1 (en) | 2011-06-08 |
KR20110061488A (ko) | 2011-06-09 |
US20110129765A1 (en) | 2011-06-02 |
US8470509B2 (en) | 2013-06-25 |
CN102081304A (zh) | 2011-06-01 |
EP2330463B1 (en) | 2015-02-11 |
CN102081304B (zh) | 2013-03-20 |
TWI494692B (zh) | 2015-08-01 |
KR101617893B1 (ko) | 2016-05-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101585699B1 (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
JP5054089B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
KR101862462B1 (ko) | 네가티브형 레지스트 조성물의 검사 방법 및 제조 방법 | |
JP4955732B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP5584573B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
US8597868B2 (en) | Negative resist composition and patterning process |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120827 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131008 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140708 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140718 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5584573 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |