JP2011135052A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フィルタ102(1)は、円筒形の外導体110の中にコイル104(1)を同軸に収容し、コイル104(1)と外導体110との間にリング部材122を同軸に設ける。リング部材122は、好ましくは外導体110の軸方向と直交する平面上で円環状に延びる板体として構成され、好ましくは銅、アルミニウム等の導体からなり、外導体110に電気的に接続され、コイル104(1)とは電気的に絶縁されている。
【選択図】 図15
Description
[フィルタの実施例1]
λ=2π/(ω√(LC) ・・・・(1)
[フィルタの実施例2]
[フィルタの実施例3]
[フィルタの実施例(その他)]
[給電棒の実施例]
[他の実施形態]
12 サセプタ
24 排気装置
28 (プラズマ生成用)高周波電源
30 (イオン引き込み用)高周波電源
32 マッチングユニット
40(IN) 内側の発熱線
40(OUT) 外側の発熱線
54(IN),54(OUT) フィルタユニット
58(IN),58(OUT) ヒータ電源
100(1) 第1の給電ライン
100(2) 第2の給電ライン
102(1) 第1のフィルタ
102(2) 第2のフィルタ
104(1),104(2) コイル
106(1),106(2) コンデンサ
110 外導体
120(1),120(2) 分布定数線路
122 リング部材(インピーダンス局所可変部材)
Claims (55)
- プラズマ処理が行われる処理容器内に配設された高周波電極に高周波電源を電気的に接続し、前記高周波電極に設けられる発熱体とヒータ電源とを電気的に接続するための給電ライン上に前記発熱体を介して入ってくる所定周波数の高周波ノイズを減衰させ、または阻止するためのフィルタを設けているプラズマ処理装置であって、
前記フィルタが、
前記給電ラインの一部を構成する1個のコイルと、
前記コイルを収容または包囲し、前記コイルと対になって特性インピーダンスが一定の分布定数線路を形成する筒形の外導体と
を有し、
前記分布定数線路が、前記コイルの巻線長に応じた規則的な複数の周波数で並列共振をなして、それら複数の並列共振周波数の1つが前記高周波ノイズの周波数に一致または近似し、それによって前記高周波ノイズの周波数に対して十分高いインピーダンスを与える、
プラズマ処理装置。 - 前記フィルタは、前記処理容器内の処理空間側から見て前記高周波電極の背後に配置される、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ処理が行われる処理容器内に被処理体を保持する第1の電極とこれと対向する第2の電極とを配設し、第1の高周波を出力する第1の高周波電源を前記第1の電極に電気的に接続するとともに、第2の高周波を出力する第2の高周波電源を前記第1の電極または前記第2の電極に電気的に接続し、前記第1の電極に設けられる発熱体とヒータ電源とを電気的に接続するための給電ライン上に前記発熱体を介して入ってくる所定周波数の高周波ノイズを減衰させ、または阻止するためのフィルタを設けているプラズマ処理装置であって、
前記フィルタが、
前記給電ラインの一部を構成する1個のコイルと、
前記コイルを収容または包囲し、前記コイルと対になって特性インピーダンスが一定の分布定数線路を形成する筒形の外導体と
を有し、
前記分布定数線路が、前記コイルの巻線長に応じた規則的な複数の周波数で並列共振をなして、それら複数の並列共振周波数の1つが前記高周波ノイズの周波数に一致または近似し、それによって前記高周波ノイズの周波数に対して十分高いインピーダンスを与える、
プラズマ処理装置。 - 前記複数の並列共振周波数の1つが、前記第1の高周波または前記第2の高周波のどちらかの周波数に一致または近似する、請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の並列共振周波数の1つが前記第1の高周波の周波数に一致または近似し、他の1つが前記第2の高周波の周波数に一致または近似する、請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の高周波は、主として前記処理容器内で処理ガスのプラズマを生成するのに寄与し、
前記第1の高周波は、主として前記プラズマから前記第1の電極上に保持される被処理体へのイオンの引き込みに寄与する、
請求項3〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記フィルタは、前記処理容器内の処理空間側から見て前記第1の電極の背後に配置される、請求項3〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記発熱体が並列に複数設けられ、それら複数の前記発熱体にそれぞれ対応する複数の前記フィルタが方位角方向で均一な距離間隔を空けて配置される、請求項2または請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記給電ラインが、前記発熱体の両端にそれぞれ接続される第1および第2の給電導線を有し、
前記コイルが、前記第1の給電導線の一部を構成する第1のコイル単体と、前記第2の給電導線の一部を構成する第2のコイル単体とを含み、
前記外導体の内側で、前記第1および第2のコイル単体をそれぞれ構成する第1および第2のコイル導線が並進しながら略等しい巻線長で螺旋状に巻かれている、
請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記コイルおよび前記筒形外導体のそれぞれの横断面の形状およびサイズは、前記分布定数線路に沿って略一定である、請求項1〜9のいずれか一項記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルと前記筒形外導体との間のギャップは、前記分布定数線路に沿って略一定である、請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルと前記筒形外導体との間の空間には、前記分布定数線路に沿って前記高周波ノイズの波長の1/4より大きな凹凸が存在しない、請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ処理が行われる処理容器内に配設された高周波電極に高周波電源を電気的に接続し、前記高周波電極に設けられる発熱体とヒータ電源とを電気的に接続するための給電ライン上に前記発熱体を介して入ってくる所定周波数の高周波ノイズを減衰させ、または阻止するためのフィルタを設けているプラズマ処理装置であって、
前記フィルタが、
前記給電ラインの一部を構成する1個のコイルと、
前記コイルを収容または包囲し、前記コイルと対になって複数の周波数で並列共振をなす分布定数線路を形成する筒形の外導体と、
前記複数の並列共振周波数の少なくとも1つをずらして調節するための並列共振周波数調節部と
を有し、
前記複数の並列共振周波数の1つが前記高周波ノイズの周波数に一致または近似し、それによって前記高周波ノイズの周波数に対して十分高いインピーダンスを与える、
プラズマ処理装置。 - 前記フィルタは、前記処理容器内の処理空間側から見て前記高周波電極の背後に配置される、請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ処理が行われる処理容器内に被処理体を保持する第1の電極とこれと対向する第2の電極とを配設し、第1の高周波を出力する第1の高周波電源を前記第1の電極に電気的に接続するとともに、第2の高周波を出力する第2の高周波電源を前記第1の電極または前記第2の電極に電気的に接続し、前記第1の電極に設けられる発熱体とヒータ電源とを電気的に接続するための給電ライン上に前記発熱体を介して入ってくる所定周波数の高周波ノイズを減衰させ、または阻止するためのフィルタを設けているプラズマ処理装置であって、
前記フィルタが、
前記給電ラインの一部を構成する1個のコイルと、
前記コイルを包囲または収容し、前記コイルと対になって複数の周波数で並列共振をなす分布定数線路を形成する筒形の外導体と
前記複数の並列共振周波数の少なくとも1つをずらして調節するための並列共振周波数調節部と
を有し、
前記複数の並列共振周波数の1つが前記高周波ノイズの周波数に一致または近似し、それによって前記高周波ノイズの周波数に対して十分高いインピーダンスを与える、
プラズマ処理装置。 - 前記複数の並列共振周波数の1つが、前記第1の高周波または前記第2の高周波のどちらかの周波数に一致または近似する、請求項15に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の並列共振周波数の1つが前記第1の高周波の周波数に一致または近似し、他の1つが前記第2の高周波の周波数に一致または近似する、請求項15に記載のプラズマ処理装置。
- 前記並列共振周波数調節部は、前記コイルと前記外導体との間に配置され、各々の配置位置で前記分布定数線路の特性インピーダンスに局所的な変化を与える1個または複数個の特性インピーダンス局所可変部材を有する、請求項15〜17のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記特性インピーダンス局所可変部材は、前記分布定数線路の特性インピーダンスに10%以上の変化を与える、請求項18に記載のプラズマ処理装置。
- 前記特性インピーダンス局所可変部材は、前記外導体の内側に前記コイルと同軸に設けられるリング状の部材からなる、請求項18または請求項19記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング部材は、導体からなり、前記外導体または前記コイルの一方に電気的に接続され、他方とは電気的に絶縁されている、請求項20に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング部材は誘電体からなる、請求項20に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング部材は、前記外導体の軸方向と直交する平面上で円環状に延びる板体である、請求項20〜22のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外導体の軸方向で前記コイルに対する前記リング部材の相対的な位置を調節するためのリング部材位置調節部を有する、請求項20〜23のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記フィルタは、前記処理容器内の処理空間側から見て前記第1の電極の背後に配置される、請求項15〜24のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記発熱体が並列に複数設けられ、それら複数の前記発熱体にそれぞれ対応する複数の前記フィルタが方位角方向で均一な距離間隔を空けて配置される、請求項14または請求項25に記載のプラズマ処理装置。
- 前記給電ラインが、前記発熱体の両端にそれぞれ接続される第1および第2の給電導線を有し、
前記コイルが、前記第1の給電導線の一部を構成する第1のコイル単体と、前記第2の給電導線の一部を構成する第2のコイル単体とを含み、
前記外導体の内側で、前記第1および第2のコイル単体をそれぞれ構成する第1および第2のコイル導線が並進しながら略等しい巻線長で螺旋状に巻かれている、
請求項13〜26のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記処理容器側から見て、前記コイルが前記フィルタの初段に設けられ、前記コイルの出力側の端子がコンデンサを介して接地電位の導電性部材に電気的に接続される、請求項1〜27のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外導体が電気的に接地される、請求項1〜28のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ヒータ電源は、前記給電ラインを介して商用周波数の交流電力または直流電力を前記発熱体に供給する、請求項1〜29のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記筒形外導体の一端面に、前記コイルと前記発熱体とを結ぶ前記給電ラインを通すための開口が設けられ、
前記開口の周りで前記筒形外導体の内径が前記コイルの外径と同一またはそれよりも大きい、
請求項1〜30のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記コイルは空芯コイルである、請求項1〜31のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ処理が行われる処理容器内の高周波電極に高周波電源より給電棒を介して高周波を印加するプラズマ処理装置であって、
前記給電棒を包囲し、前記給電棒と対になって分布定数線路を形成する筒形の外導体と、
前記給電棒と前記外導体との間に配置され、前記分布定数線路のインピーダンス特性が前記高周波電極側から前記給電棒に入ってくる可能性のある所定周波数の高周波ノイズに対して十分高いインピーダンスを与えるように、各々の配置位置で前記分布定数線路の特性インピーダンスに局所的な変化を与える1個または複数個の特性インピーダンス局所可変部材と
を有する、プラズマ処理装置。 - 前記特性インピーダンス局所可変部材は、前記分布定数線路の特性インピーダンスに10%以上の変化を与える、請求項33に記載のプラズマ処理装置。
- 前記特性インピーダンス局所可変部材は、前記外導体の内側に前記給電棒と同軸に設けられるリング状の部材からなる、請求項33または請求項34記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング部材は、導体からなり、前記外導体または前記給電棒の一方に電気的に接続され、他方とは電気的に絶縁されている、請求項35に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング部材は誘電体からなる、請求項35に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング部材は、前記外導体の軸方向と直交する平面上で円環状に延びる板体である、請求項35〜37のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外導体の軸方向で前記給電棒に対する前記リング部材の配置位置を調節するためのリング部材位置調節部を有する、請求項35〜38のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波ノイズは、前記処理容器内のプラズマで発生した高調波または相互変調歪である、請求項33〜39のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ処理が行われる処理容器内の所定の電気的部材に線路を介して電気的に接続される電力系または信号系の外部回路を有し、前記電気的部材から前記外部回路に向かって前記線路に入ってくる所定周波数の高周波ノイズを前記線路上に設けたフィルタによって減衰させ、または阻止するプラズマ処理装置であって、
前記フィルタが、
前記線路の一区間を構成し、一定の軸に沿って一様な空間的プロファイルで延びる第1の導体と、
前記第1の導体を収容または包囲し、前記第1の導体と対になって特性インピーダンスが一定の分布定数線路を形成する筒形の第2の導体と
を有し、
前記分布定数線路が、前記第1または第2の導体の長さに応じた規則的な複数の周波数で並列共振をなして、それら複数の並列共振周波数の1つが前記高周波ノイズの周波数に一致または近似し、それによって前記高周波ノイズの周波数に対して十分高いインピーダンスを与える、
プラズマ処理装置。 - プラズマ処理が行われる処理容器内の所定の電気的部材に線路を介して電気的に接続される電力系または信号系の外部回路を有し、前記電気的部材から前記外部回路に向かって前記線路に入ってくる所定周波数の高周波ノイズを前記線路上に設けたフィルタによって減衰させ、または阻止するプラズマ処理装置であって、
前記フィルタが、
前記線路の一区間を構成し、一定の軸に沿って一様な空間的プロファイルで延びる第1の導体と、
前記第1の導体を収容または包囲し、前記第1の導体と対になって複数の周波数で並列共振をなす分布定数線路を形成する筒形の第2の導体と
前記複数の並列共振周波数の少なくとも1つをずらして調節するための並列共振周波数調節部と
を有し、
前記複数の並列共振周波数の1つが前記高周波ノイズの周波数に一致または近似し、それによって前記高周波ノイズの周波数に対して十分高いインピーダンスを与える、
プラズマ処理装置。 - 前記並列共振周波数調節部は、前記第1の導体と前記第2の導体との間に配置され、各々の配置位置で前記分布定数線路の特性インピーダンスに局所的な変化を与える1個または複数個の特性インピーダンス局所可変部材を有する、請求項42に記載のプラズマ処理装置。
- 前記特性インピーダンス局所可変部材は、前記分布定数線路の特性インピーダンスに10%以上の変化を与える、請求項43に記載のプラズマ処理装置。
- 前記特性インピーダンス局所可変部材は、前記第2の導体の内側に前記第1の導体と同軸に設けられるリング状の部材からなる、請求項43または請求項44に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング部材は、導体からなり、前記第1の導体または前記第2の導体の一方に電気的に接続され、他方とは電気的に絶縁されている、請求項45記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング部材は誘電体からなる、請求項45に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング部材は、前記第2の導体の軸方向と直交する平面上で円環状に延びる板体である、請求項45〜47のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の導体の軸方向で前記第1の導体に対する前記リング部材の相対的な位置を調節するためのリング部材位置調節部を有する、請求項45〜48のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器側から見て、前記第1の導体が前記フィルタの初段に設けられ、前記第1の導体の出力側の端子がコンデンサを介して接地電位の導電性部材に電気的に接続される、請求項41〜49のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の導体が電気的に接地される、請求項41〜50のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外部回路より前記線路を介して前記電気的部材に商用周波数の交流電力または直流電力が供給される、請求項41〜51のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記筒形の第2の導体の一端面に、前記第1の導体と前記電気的部材とを結ぶ前記線路を通すための開口が設けられ、
前記開口の周りで前記第2の導体の内径が前記第1の導体の外径と同一またはそれよりも大きい、
請求項41〜52のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1の導体がコイルである、請求項41〜53のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルは空芯コイルである、請求項54に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010252645A JP5643062B2 (ja) | 2009-11-24 | 2010-11-11 | プラズマ処理装置 |
TW099140277A TWI519214B (zh) | 2009-11-24 | 2010-11-23 | Plasma processing device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009265881 | 2009-11-24 | ||
JP2009265881 | 2009-11-24 | ||
JP2010252645A JP5643062B2 (ja) | 2009-11-24 | 2010-11-11 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011135052A true JP2011135052A (ja) | 2011-07-07 |
JP5643062B2 JP5643062B2 (ja) | 2014-12-17 |
Family
ID=44034449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010252645A Active JP5643062B2 (ja) | 2009-11-24 | 2010-11-11 | プラズマ処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9275837B2 (ja) |
JP (1) | JP5643062B2 (ja) |
KR (1) | KR101687566B1 (ja) |
CN (2) | CN102076162B (ja) |
TW (1) | TWI519214B (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013190805A1 (ja) * | 2012-06-19 | 2013-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
WO2014041792A1 (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
KR20140050560A (ko) | 2012-10-19 | 2014-04-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
JP2014099585A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
CN104094677A (zh) * | 2012-02-17 | 2014-10-08 | 国立大学法人东北大学 | 等离子处理装置和等离子处理方法 |
WO2014188681A1 (ja) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2014188696A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
KR20150106366A (ko) | 2014-03-11 | 2015-09-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
US9646867B2 (en) | 2013-10-22 | 2017-05-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, power supply unit and mounting table system |
JP2017228968A (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタを設計する方法 |
JP2019029346A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | Rf環境内で加熱される構成要素のための高電力ケーブル |
JP2020065033A (ja) * | 2018-10-19 | 2020-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013149790A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2013243218A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 |
JP6013113B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 発熱体の製造方法 |
CN103811261B (zh) * | 2012-11-13 | 2016-08-24 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 降低晶圆漏电流的结构及设置该结构的等离子体处理室 |
US9337000B2 (en) * | 2013-10-01 | 2016-05-10 | Lam Research Corporation | Control of impedance of RF return path |
JP2015109249A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9338829B2 (en) * | 2014-02-14 | 2016-05-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Heated platen with improved temperature uniformity |
US20150243483A1 (en) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Lam Research Corporation | Tunable rf feed structure for plasma processing |
JP6219227B2 (ja) * | 2014-05-12 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法 |
JP6219229B2 (ja) * | 2014-05-19 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構 |
JP6265841B2 (ja) * | 2014-06-11 | 2018-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運用方法 |
JP6373160B2 (ja) * | 2014-10-15 | 2018-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN106463393B (zh) * | 2015-01-16 | 2018-04-13 | 株式会社爱发科 | 等离子体处理装置 |
JP6483546B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2019-03-13 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ化学気相成長装置 |
JP2018056333A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 日本発條株式会社 | 基板載置台、および基板載置台の作製方法 |
CN108257840B (zh) * | 2016-12-29 | 2021-03-30 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子处理装置 |
JP6723660B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2020-07-15 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | ウェハ保持装置及びウェハ着脱方法 |
JP7029340B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2022-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタ装置及びプラズマ処理装置 |
US11447868B2 (en) * | 2017-05-26 | 2022-09-20 | Applied Materials, Inc. | Method for controlling a plasma process |
JP6865128B2 (ja) * | 2017-07-19 | 2021-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11456160B2 (en) * | 2018-03-26 | 2022-09-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP7061511B2 (ja) * | 2018-05-10 | 2022-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタ装置及びプラズマ処理装置 |
US11322336B2 (en) * | 2018-10-05 | 2022-05-03 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
WO2020117594A1 (en) | 2018-12-04 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate supports including metal-ceramic interfaces |
CN111586957B (zh) * | 2019-02-19 | 2021-05-04 | 大连理工大学 | 一种容性耦合等离子体放电装置 |
JP7185762B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2022-12-07 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ及びその製法 |
JP6976279B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2021-12-08 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
KR102278082B1 (ko) * | 2019-05-22 | 2021-07-19 | 세메스 주식회사 | 필터 유닛과 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11676804B2 (en) * | 2019-07-01 | 2023-06-13 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
CN110349830B (zh) * | 2019-09-09 | 2020-02-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体系统以及应用于等离子体系统的过滤装置 |
US20210305017A1 (en) * | 2020-03-31 | 2021-09-30 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma chamber heater for controlling dielectric window temperature |
CN114496692B (zh) * | 2020-11-11 | 2024-03-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 加热组件、基片承载组件及其等离子体处理装置 |
KR20220104955A (ko) * | 2021-01-19 | 2022-07-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 중간 전극을 가진 기판 처리 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006286733A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム |
JP2008198902A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2009123505A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3743966A (en) * | 1972-02-09 | 1973-07-03 | Sperry Rand Corp | Trapatt diode transmission line oscillator using time delayed triggering |
US3936776A (en) * | 1975-03-10 | 1976-02-03 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Interspersed double winding helical resonator with connections to cavity |
US5812361A (en) * | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
US5737177A (en) * | 1996-10-17 | 1998-04-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for actively controlling the DC potential of a cathode pedestal |
DE10046917A1 (de) * | 1999-09-21 | 2001-05-03 | Murata Manufacturing Co | LC-Filter |
US20020100557A1 (en) * | 2001-01-29 | 2002-08-01 | Applied Materials, Inc. | ICP window heater integrated with faraday shield or floating electrode between the source power coil and the ICP window |
JP5150053B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2013-02-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US7777152B2 (en) * | 2006-06-13 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | High AC current high RF power AC-RF decoupling filter for plasma reactor heated electrostatic chuck |
JP5376816B2 (ja) | 2008-03-14 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 |
JP5222598B2 (ja) | 2008-03-25 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び給電棒 |
US8578879B2 (en) * | 2009-07-29 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for VHF impedance match tuning |
-
2010
- 2010-11-11 JP JP2010252645A patent/JP5643062B2/ja active Active
- 2010-11-22 US US12/951,380 patent/US9275837B2/en active Active
- 2010-11-23 TW TW099140277A patent/TWI519214B/zh active
- 2010-11-23 KR KR1020100117013A patent/KR101687566B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-24 CN CN2010105662043A patent/CN102076162B/zh active Active
- 2010-11-24 CN CN201210311612.3A patent/CN102832095B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006286733A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム |
JP2008198902A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2009123505A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104094677A (zh) * | 2012-02-17 | 2014-10-08 | 国立大学法人东北大学 | 等离子处理装置和等离子处理方法 |
KR20150024303A (ko) | 2012-06-19 | 2015-03-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 필터 유닛 |
JP2014003179A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
WO2013190805A1 (ja) * | 2012-06-19 | 2013-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
WO2014041792A1 (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
JP2014056706A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
KR20150054767A (ko) | 2012-09-12 | 2015-05-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 필터 유닛 |
US10074519B2 (en) | 2012-09-12 | 2018-09-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and filter unit |
KR20140050560A (ko) | 2012-10-19 | 2014-04-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
JP2014099585A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US10332728B2 (en) | 2012-10-19 | 2019-06-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP2014229426A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102168961B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2020-10-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
KR20160013002A (ko) | 2013-05-21 | 2016-02-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
WO2014188681A1 (ja) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9754766B2 (en) | 2013-05-21 | 2017-09-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP2014229565A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
WO2014188696A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
KR20160012118A (ko) | 2013-05-24 | 2016-02-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 필터 유닛 |
US9530619B2 (en) | 2013-05-24 | 2016-12-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and filter unit |
US9646867B2 (en) | 2013-10-22 | 2017-05-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, power supply unit and mounting table system |
KR20150106366A (ko) | 2014-03-11 | 2015-09-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
JP2015173027A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US10096454B2 (en) | 2014-03-11 | 2018-10-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
KR102293504B1 (ko) | 2014-03-11 | 2021-08-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
KR102304164B1 (ko) | 2016-06-23 | 2021-09-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 필터를 설계하는 방법 |
JP2017228968A (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタを設計する方法 |
KR20180000685A (ko) | 2016-06-23 | 2018-01-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 필터를 설계하는 방법 |
US10651813B2 (en) | 2016-06-23 | 2020-05-12 | Tokyo Electron Limited | Method for designing filter |
JP2019029346A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | Rf環境内で加熱される構成要素のための高電力ケーブル |
JP7223521B2 (ja) | 2017-07-31 | 2023-02-16 | ラム リサーチ コーポレーション | Rf環境内で加熱される構成要素のための高電力ケーブル |
TWI811228B (zh) * | 2017-07-31 | 2023-08-11 | 美商蘭姆研究公司 | 基板支座、以及用於基板支座的纜線與濾波系統 |
US11837446B2 (en) | 2017-07-31 | 2023-12-05 | Lam Research Corporation | High power cable for heated components in RF environment |
JP2020065033A (ja) * | 2018-10-19 | 2020-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置 |
KR20200044686A (ko) | 2018-10-19 | 2020-04-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 필터 유닛의 조정 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
US11328908B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-05-10 | Tokyo Electron Limited | Adjustment method for filter unit and plasma processing apparatus |
JP7094856B2 (ja) | 2018-10-19 | 2022-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9275837B2 (en) | 2016-03-01 |
KR20110058699A (ko) | 2011-06-01 |
JP5643062B2 (ja) | 2014-12-17 |
CN102832095B (zh) | 2015-08-05 |
TWI519214B (zh) | 2016-01-21 |
CN102832095A (zh) | 2012-12-19 |
KR101687566B1 (ko) | 2016-12-19 |
CN102076162B (zh) | 2013-05-29 |
TW201143553A (en) | 2011-12-01 |
US20110126765A1 (en) | 2011-06-02 |
CN102076162A (zh) | 2011-05-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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