JP7094856B2 - フィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
フィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7094856B2 JP7094856B2 JP2018197855A JP2018197855A JP7094856B2 JP 7094856 B2 JP7094856 B2 JP 7094856B2 JP 2018197855 A JP2018197855 A JP 2018197855A JP 2018197855 A JP2018197855 A JP 2018197855A JP 7094856 B2 JP7094856 B2 JP 7094856B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter unit
- unit
- filter
- capacitance
- metal housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 92
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 92
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 35
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3288—Maintenance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0153—Electrical filters; Controlling thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
- H05H1/36—Circuit arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
- H01J2237/057—Energy or mass filtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/28—Impedance matching networks
- H03H11/30—Automatic matching of source impedance to load impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
- H03H7/40—Automatic matching of load impedance to source impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
[プラズマエッチング装置1の構成]
図1は、本開示の第1の実施形態におけるプラズマエッチング装置1の一例を示す概略断面図である。本実施形態におけるプラズマエッチング装置1は、容量結合型のプラズマ処理装置である。プラズマエッチング装置1は、装置本体2および制御装置3を備える。
図3Aおよび図3Bは、本開示の第1の実施形態におけるフィルタユニット54の一例を示すブロック図である。図3Aには、複数のフィルタユニット54のうち、1つのフィルタユニット54-1が例示されており、図3Bには、他の1つのフィルタユニット54-2が例示されている。フィルタユニット54-1は、配線52-1を介して、ヒータ40-1に接続されており、配線56-1を介して、ヒータ電源58-1に接続されている。フィルタユニット54-2は、配線52-2を介して、ヒータ40-2に接続されており、配線56-2を介して、ヒータ電源58-2に接続されている。
図8は、本開示の第1の実施形態におけるフィルタユニット54の調整方法の一例を示すフローチャートである。本フローチャートに示される調整方法は、例えばプラズマエッチング装置1が組み立てられる際に行われるが、プラズマエッチング装置1が組み立てられた後にも定期的に行われてもよい。
[プラズマエッチング装置1の構成]
図9は、本開示の第2の実施形態におけるプラズマエッチング装置1の一例を示す概略断面図である。なお、以下に説明する点を除き、図9において、図1と同じ符号を付した構成は、図1における構成と同一または同様の機能を有するため説明を省略する。本実施形態におけるプラズマエッチング装置1では、サセプタ12に給電棒34およびマッチングユニット32を介して高周波電源28および高周波電源30が接続されている。
図10は、本開示の第2の実施形態におけるフィルタユニット54の一例を示すブロック図である。本実施形態におけるフィルタユニット54は、第1ユニット54Aおよび第2ユニット54Bを有する。本実施形態において、第1ユニット54Aは、ヒータ40を介してヒータ電源58に流れ込む高周波電力における第1の周波数の成分を減衰させる。また、第2ユニット54Bは、ヒータ40を介してヒータ電源58に流れ込む高周波電力における第2の周波数の成分を減衰させる。これにより、本実施形態におけるフィルタユニット54は、ヒータ40を介してヒータ電源58に流れ込む高周波電力における第1の周波数および第2の周波数の成分を減衰させることができる。なお、他の形態として、第1ユニット54Aは、高周波電力における第2の周波数の成分を減衰させ、第2ユニット54Bは、高周波電力における第1の周波数の成分を減衰させてもよい。
図12は、本開示の第2の実施形態におけるフィルタユニット54の調整方法の一例を示すフローチャートである。本フローチャートに示される調整方法は、例えばプラズマエッチング装置1が組み立てられる際に行われるが、プラズマエッチング装置1が組み立てられた後にも定期的に行われてもよい。
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
W 半導体ウエハ
1 プラズマエッチング装置
2 装置本体
3 制御装置
10 チャンバ
12 サセプタ
14 支持部
16 筒状支持部
18 排気路
20 排気口
22 排気管
24 排気装置
26 ゲートバルブ
28 高周波電源
30 高周波電源
32 マッチングユニット
34 給電棒
35 カバー
36 エッジリング
38 静電チャック
380 領域
40 ヒータ
42 誘電体
44 電極
45 直流電源
46 スイッチ
48 抵抗体
50 配線
52 配線
53 配線
54 フィルタユニット
54A 第1ユニット
54B 第2ユニット
540 金属筐体
5400 分割筐体
5401 分割筐体
541 コイル
542 コンデンサ
543 浮遊容量
545 容量部材
5450 分割部材
5451 分割部材
5452 溝
56 配線
58 ヒータ電源
60 流路
62 配管
64 シャワーヘッド
66 電極板
68 支持体
70 拡散室
70a ガス導入口
72 ガス吐出口
74 処理ガス供給部
76 配管
Claims (7)
- 生成されたプラズマにより被処理体を処理するチャンバ内に設けられた複数の電気部材と、前記チャンバの外部に設けられ、それぞれの前記電気部材にコイルを含むフィルタユニットを介して接続された外部回路とを備え、それぞれの前記フィルタユニットが金属筐体で覆われているプラズマ処理装置における前記フィルタユニットの調整方法であって、
複数の前記フィルタユニットの中で、基準となるフィルタユニットの周波数特性を測定する第1の測定工程と、
複数の前記フィルタユニットの中で、前記基準となるフィルタユニット以外の前記フィルタユニットのそれぞれについて、前記フィルタユニットの周波数特性を調整する調整工程と
を含み、
前記調整工程は、
前記フィルタユニット内の配線の容量を調整するための容量部材を取り付ける取付工程と、
前記容量部材が取り付けられた前記フィルタユニットの周波数特性を測定する第2の測定工程と、
前記容量部材が取り付けられた前記フィルタユニットの周波数特性が、前記基準となるフィルタユニットの周波数特性に近づくように前記容量部材の容量を調整する個別調整工程と
を含むフィルタユニットの調整方法。 - 前記基準となるフィルタユニットは、
複数の前記フィルタユニットの中で、前記コイルと前記金属筐体との間の隙間が最も狭いフィルタユニットである請求項1に記載のフィルタユニットの調整方法。 - 前記容量部材は、
前記フィルタユニット内の配線を覆う誘電体である請求項1または2に記載のフィルタユニットの調整方法。 - 前記個別調整工程では、
前記容量部材の材質、形状、および大きさの少なくともいずれかを変更することにより、前記容量部材の容量が調整される請求項3に記載のフィルタユニットの調整方法。 - 前記フィルタユニットは、
前記電気部材に接続され、前記電気部材から前記外部回路へ流れる高周波電力のうち第1の周波数成分を減衰させる第1のユニットと、
前記第1のユニットと前記外部回路との間に接続され、前記高周波電力のうち前記第1の周波数成分とは異なる第2の周波数成分を減衰させる第2のユニットと
を有し、
前記容量部材は、
前記電気部材と前記第1のユニットとの間、および、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの間の少なくともいずれかに取り付けられる請求項1から4のいずれか一項に記載のフィルタユニットの調整方法。 - 前記電気部材は、前記被処理体が載置されるステージ内に設けられたヒータである請求項1から5のいずれか一項に記載のフィルタユニットの調整方法。
- プラズマが生成され、プラズマにより被処理体を処理するチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた複数の電気部材と、
前記チャンバの外部に設けられ、それぞれの前記電気部材に接続された外部回路と、
それぞれの前記電気部材と前記外部回路とを接続する線路上に設けられ、コイルを含む複数のフィルタユニットと、
それぞれの前記フィルタユニットを覆う金属筐体と、
前記複数のフィルタユニットの中で、基準となるフィルタユニット以外の他の前記フィルタユニットに取り付けられ、当該フィルタユニットの周波数特性が前記基準となるフィルタユニットの周波数特性に近づくように他の前記フィルタユニットの容量を調整するための複数の容量部材と
を備えるプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018197855A JP7094856B2 (ja) | 2018-10-19 | 2018-10-19 | フィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置 |
US16/564,622 US11328908B2 (en) | 2018-10-19 | 2019-09-09 | Adjustment method for filter unit and plasma processing apparatus |
KR1020190111838A KR20200044686A (ko) | 2018-10-19 | 2019-09-10 | 필터 유닛의 조정 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
CN201910858113.8A CN111081518A (zh) | 2018-10-19 | 2019-09-11 | 滤波器单元的调整方法和等离子体处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018197855A JP7094856B2 (ja) | 2018-10-19 | 2018-10-19 | フィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020065033A JP2020065033A (ja) | 2020-04-23 |
JP7094856B2 true JP7094856B2 (ja) | 2022-07-04 |
Family
ID=70280867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018197855A Active JP7094856B2 (ja) | 2018-10-19 | 2018-10-19 | フィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11328908B2 (ja) |
JP (1) | JP7094856B2 (ja) |
KR (1) | KR20200044686A (ja) |
CN (1) | CN111081518A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007114215A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Aisin Aw Co., Ltd. | 自動変速機 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102278082B1 (ko) * | 2019-05-22 | 2021-07-19 | 세메스 주식회사 | 필터 유닛과 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2021163260A (ja) | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 株式会社小松製作所 | 検出システムおよび検出方法 |
KR20220061617A (ko) | 2020-11-06 | 2022-05-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US20220364233A1 (en) * | 2021-05-11 | 2022-11-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetically coupled rf filter for substrate processing chambers |
WO2023157675A1 (ja) * | 2022-02-15 | 2023-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011135052A (ja) | 2009-11-24 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2017228968A (ja) | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタを設計する方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100543944C (zh) * | 2004-04-30 | 2009-09-23 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
JP2006101557A (ja) * | 2005-12-27 | 2006-04-13 | Tdk Corp | 高周波フィルタの調整方法及び調整装置 |
JP4882824B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
JP6001932B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
US10044338B2 (en) * | 2015-10-15 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Mutually induced filters |
US10043636B2 (en) * | 2015-12-10 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatuses and methods for avoiding electrical breakdown from RF terminal to adjacent non-RF terminal |
US11447868B2 (en) * | 2017-05-26 | 2022-09-20 | Applied Materials, Inc. | Method for controlling a plasma process |
-
2018
- 2018-10-19 JP JP2018197855A patent/JP7094856B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-09 US US16/564,622 patent/US11328908B2/en active Active
- 2019-09-10 KR KR1020190111838A patent/KR20200044686A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-09-11 CN CN201910858113.8A patent/CN111081518A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011135052A (ja) | 2009-11-24 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2017228968A (ja) | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタを設計する方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007114215A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Aisin Aw Co., Ltd. | 自動変速機 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200044686A (ko) | 2020-04-29 |
JP2020065033A (ja) | 2020-04-23 |
US11328908B2 (en) | 2022-05-10 |
CN111081518A (zh) | 2020-04-28 |
US20200126772A1 (en) | 2020-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7094856B2 (ja) | フィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置 | |
US11501958B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR102580823B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR101032566B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP6027374B2 (ja) | プラズマ処理装置及びフィルタユニット | |
JP5643062B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6001932B2 (ja) | プラズマ処理装置及びフィルタユニット | |
JP6050722B2 (ja) | プラズマ処理装置及びフィルタユニット | |
US8193097B2 (en) | Plasma processing apparatus and impedance adjustment method | |
US20150262793A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
TWI616947B (zh) | Plasma processing device | |
KR101872076B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR20170002383A (ko) | 히터 급전 기구 및 스테이지의 온도 제어 방법 | |
KR20230022254A (ko) | 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법들 | |
US20200373125A1 (en) | Filter unit, substrate treating apparatus including the same, and substrate treating method | |
KR20160092808A (ko) | 플라즈마 발생 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210709 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220622 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7094856 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |