JP2017228968A - フィルタを設計する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フィルタを設計する方法を提供する。【解決手段】一実施形態の方法では、軸方向に沿って互いに等しい複数のピッチを提供する巻線を有する基準コイル、及び、該基準コイルと並列接続されたコンデンサを有する分布定数型の基準フィルタの共振周波数と遮断すべき高周波の周波数との間の差が大きい場合に、当該差を減少させるために基準コイルを直列接続された第１のコイル要素と第２のコイル要素に分割する該基準コイル中の分割位置、及び、第１のコイル要素と第２のコイル要素との間の分割距離が決定される。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、フィルタを設計する方法に関するものである。

半導体デバイスといった電子デバイスの製造においてはプラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置は、一般的に、チャンバ本体、載置台、及び、高周波電源を備えている。チャンバ本体は、その内部空間をチャンバとして提供している。載置台は、チャンバに設けられており、下部電極及び静電チャックを有する。下部電極には、高周波電源が接続されている。プラズマ処理装置では、チャンバに供給された処理ガスが励起され、静電チャック上に載置された被加工物が処理される。

また、プラズマ処理装置は、被加工物の温度を調整するために、載置台内にヒータを内蔵し得る。ヒータには、電源（交流電源）を有するヒータコントローラが接続されている。このプラズマ処理装置では、載置台に供給された高周波がヒータコントローラに流れ込むことを防止するために、ヒータとヒータコントローラの間にはフィルタが設けられる。このようなフィルタとして、分布定数型のフィルタを用いる技術が特許文献１及び特許文献２に記載されている。

特許文献１に記載されたフィルタは、コイル、コンデンサ、及び、筒状導体を有している。コイルは、軸方向において互いに等しい複数のピッチを提供する巻線を有している。即ち、コイルの巻線は等ピッチで巻かれている。このコイルは、コンデンサと並列接続されている。筒状導体は、コイルを囲むように設けられている。このフィルタの周波数−インピーダンス特性では、インピーダンスのピークが周波数方向において一定の間隔で現われる。即ち、このフィルタは、複数の共振周波数を有している。

特許文献２に記載されたフィルタは、特許文献１に記載されたフィルタと同様に、コイル、コンデンサ、及び、筒状導体を有している。特許文献２に記載されたフィルタでは、軸方向においてコイルの巻線によって提供される複数のピッチのうち一以上のピッチが他のピッチと異なっている。即ち、コイルの巻線は不等ピッチで巻かれている。かかる不等ピッチの巻線を有するコイルを用いることにより、特許文献２に記載されたフィルタは、複数の共振周波数のうち特定の共振周波数を所望の周波数に一致させるか、或いは、近づけている。

特開２０１１−１３５０５２号公報 特開２０１５−１７３０２７号公報

上述したように、等ピッチのコイルを不等ピッチのコイルに置き換えることにより、特定の共振周波数を変化させることができるが、等ピッチのコイルから不等ピッチのコイルへの置き換えによって実現可能な共振周波数の変化量の最大値には限界がある。したがって、共振周波数と所望の周波数との差が大きい場合には、不等ピッチのコイルを用いても、共振周波数と所望の周波数との間の差を小さくすることができないことがある。

一態様においては、コイルを設計する方法が提供される。この方法は、（ｉ）軸方向に沿って互いに等しい複数のピッチを提供する巻線を有する基準コイル、及び、該基準コイルと並列接続されたコンデンサを有する分布定数型の基準フィルタの共振周波数と遮断すべき高周波の周波数との間の第１の差を求める工程と、（ｉｉ）第１の差が所定値以下である場合に、該第１の差を減少させるために複数のピッチのうち長さを変更する一以上のピッチを決定する工程と、（ｉｉｉ）第１の差が所定値より大きい場合に、該第１の差を減少させるために基準コイルを直列接続された第１のコイル要素と第２のコイル要素に分割する該基準コイル中の分割位置、及び、第１のコイル要素と第２のコイル要素との間の分割距離を決定する工程と、を含む。

等ピッチの基準コイルの共振周波数は、直列接続された二つのコイル要素に基準コイルを置き換え、これら二つのコイル要素の間の距離を調整することによって変更することが可能である。等ピッチの基準コイルを二つのコイル要素に置き換えることによって実現可能な共振周波数の変化量は、等ピッチの基準コイルを不等ピッチのコイルに置き換えることによって実現可能な共振周波数の変化量よりも大きい。一態様に係る方法によれば、基準フィルタの共振周波数と遮断すべき高周波の周波数との間の第１の差が所定値以下である場合には、当該第１の差を減少させるのに適した一以上のピッチが複数のピッチから決定される。これにより、不等ピッチのコイルを有するフィルタであって、等ピッチの基準コイルを有する基準フィルタに対して共振周波数が微調整されたフィルタが設計される。一方、第１の差が所定値以上である場合には、当該第１の差を減少させるのに適した基準コイル中の分割位置及び分割距離が決定される。これにより、等ピッチの基準コイルを有する基準フィルタに対して共振周波数が大きく調整されたコイルを有するフィルタが設計される。したがって、この方法によれば、共振周波数と所望の周波数との差が大きくても、当該差を小さくすること、或いは、無くすことが可能となる。

一実施形態においては、上記一以上のピッチは、複数のピッチの各々の変化に応じた基準フィルタの複数の共振周波数の変化量が登録されたテーブルを参照して、第１の差を最小化するように決定される。また、分割位置及び分割距離は、第１のコイル要素と第２のコイル要素とに分割される基準コイル中の位置、及び、第１のコイル要素と第２のコイル要素との間の距離に対する、直列接続された第１のコイル要素及び第２のコイル要素、並びに、該第１のコイル要素及び該第２のコイル要素に対して並列接続されたコンデンサを含むフィルタの複数の共振周波数の予め準備された関係を用いて、第１の差を最小化するように決定される。

一実施形態において、方法は、直列接続された第１のコイル要素及び第２のコイル要素、並びに、該第１のコイル要素及び該第２のコイル要素に対して並列接続されたコンデンサを含むフィルタの共振周波数と遮断すべき高周波の周波数との間の第２の差を減少させるために、第１のコイル要素及び第２のコイル要素を含むコイルの巻線によって提供される軸方向の複数のピッチのうち長さを変更する一以上の別のピッチを決定する工程を更に含む。この実施形態によれば、基準コイルを第１のコイル要素及び第２のコイル要素に置き換えたフィルタの共振周波数と所望の周波数との間に微差（即ち、第２の差）があっても、当該微差を小さくすること、或いは、無くすことが可能となる。一実施形態では、一以上の別のピッチは、上記テーブルを参照して第２の差を最小化するように決定され得る。

一実施形態において、高周波はプラズマ処理装置が備える載置台の下部電極に供給される高周波である。この実施形態において設計されるフィルタは、載置台内に設けられたヒータと該ヒータに接続された電源を含むヒータコントローラとの間において高周波を遮断するフィルタであり得る。

以上説明したように、フィルタの共振周波数と所望の周波数との差が大きくても、当該差を小さくすること、或いは、無くすことが可能となる。

一実施形態に係るフィルタを設計する方法を示すフローチャートである。 プラズマ処理装置の一例を概略的に示す図である。 図２に示すプラズマ処理装置の載置台の拡大断面図である。 一実施形態に係るフィルタ装置の外観を示す側面図である。 一実施形態に係るフィルタ装置に内蔵されたフィルタの回路を示す図である。 一実施形態に係るフィルタ装置の第１のコネクタを示す平面図である。 フィルタユニットの断面図である。 フィルタの周波数−インピーダンス特性を例示する図である。 基準フィルタを示す図である。 基準フィルタの基準コイルを示す図である。 コイル中の軸方向の位置と共振周波数の変化との関係の概念の説明のための図である。 テーブルを例示する図である。 第１のコイル要素及び第２のコイル要素を含むコイルを示す図である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

図１は、一実施形態に係るフィルタを設計する方法を示すフローチャートである。図１に示す方法ＭＴは、高周波を遮断するフィルタを設計する方法である。一例として、方法ＭＴによって設計されるフィルタは、プラズマ処理装置に用いられるものであり、ヒータに給電ラインを介して接続されたヒータコントローラに侵入し得る高周波を遮断する用途で用いられる。

図２は、プラズマ処理装置の一例を概略的に示す図である。図２に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型プラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１０は、チャンバ本体１２を備えている。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有しており、その内部空間をチャンバ１２ｃとして提供している。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウム又はステンレス鋼製であり、接地されている。チャンバ本体１２の側壁には、被加工物Ｗの搬入及び搬出のための開口が形成されている。被加工物Ｗは、例えば、シリコンといった素材から形成された円盤形状の板であり得る。チャンバ本体１２の側壁には、当該開口を開閉するためのゲートバルブ２６が取り付けられている。

チャンバ１２ｃには、載置台ＰＤが設けられている。載置台ＰＤ上には、被加工物Ｗが載置される。載置台ＰＤは、支持部１４によって支持されている。支持部１４は、略円筒形状を有しており、チャンバ本体１２の底壁１２ａから上方に延びている。この支持部１４は、セラミックスといった誘電体から構成されている。載置台ＰＤと支持部１４は、チャンバ本体１２内の空間の気密を確保するように結合されている。また、載置台ＰＤの下面と支持部１４の内壁は、チャンバ本体１２の外部の大気空間に通じるスペースＳＰを画成している。

チャンバ本体１２は、支持部１６を提供している。この支持部１６は、チャンバ本体１２の底壁１２ａから支持部１４の外周に沿って上方に延びている。支持部１６とチャンバ本体１２の内壁との間には、排気路１８が形成されている。この排気路１８には、排気管２０が接続しており、当該排気管２０には排気装置２２が接続している。排気装置２２は、チャンバ１２ｃの排気及び減圧のための装置であり、圧力制御器、及び、ターボ分子ポンプといった真空ポンプを有している。

図３は、図２に示すプラズマ処理装置の載置台の拡大断面図である。図３においては、載置台ＰＤと共に、フィルタ装置ＦＤ及びヒータコントローラＨＣが示されている。なお、図３においては、後述する冷媒用の流路は示されていない。以下、図２と共に図３を参照する。載置台ＰＤは、背板２８、下部電極３０、及び、静電チャック３２を有している。背板２８は、略円盤形状を有しており、セラミックスといった絶縁体から形成されている。下部電極３０は、背板２８上に設けられている。下部電極３０は、略円盤形状を有しており、アルミニウムといった導体から形成されている。また、静電チャック３２は、被加工物Ｗを静電力によって吸着するための機構であり、下部電極３０上に設けられている。

下部電極３０には、第１の高周波電源３４及び第２の高周波電源３６が、マッチングユニット３８及び給電棒４０を介して接続されている。第１の高周波電源３４は、主としてプラズマの生成に寄与する第１の高周波を出力する。第１の高周波の周波数は、例えば１００ＭＨｚである。第２の高周波電源３６は、主として被加工物Ｗに対するイオンの引き込みに寄与する第２の高周波を出力する。第２の高周波の周波数は、第１の高周波の周波数よりも低く、例えば１３ＭＨｚである。マッチングユニット３８は、第１の高周波電源３４及び第２の高周波電源３６のそれぞれとプラズマ負荷との間でインピーダンスの整合をとるための整合器を有している。

給電棒４０は、円筒形又は円柱形の導体である。給電棒４０の上端は下部電極３０の下面中央に接続されており、給電棒４０の下端はマッチングユニット３８内の整合器に接続されている。この給電棒４０の周囲には、円筒形の導体カバー４２が設けられている。より詳細には、底壁１２ａには、給電棒４０の直径よりも大きな直径を有する開口が形成されており、導体カバー４２の上端部は、この開口を画成する底壁１２ａの縁に結合されている。また、導体カバー４２は、整合器の接地（帰線）端子に接続されている。

下部電極３０の内部には、流路３０ｆが形成されている。流路３０ｆには、チャンバ本体１２の外部に設けられたチラーユニットから冷媒が供給されるようになっている。流路３０ｆに供給された冷媒はチラーユニットに戻されるようになっている。なお、載置台ＰＤには、被加工物Ｗと静電チャック３２との間にＨｅガスといった伝熱ガスを供給するガスラインが設けられていてもよい。

下部電極３０の上面側には、溝１３が形成されている。溝１３は、軸線Ｚに対して周方向に延在している。この軸線Ｚは、鉛直方向に延びる軸線であり、載置台ＰＤの中心を含んでいる。また、軸線Ｚは、チャンバ本体１２の中心軸線に略一致している。溝１３は、軸線Ｚ中心に延在する環状の溝であってもよい。或いは、溝１３は、周方向において断続的に形成されていてもよい。溝１３は、下部電極３０の上部を、軸線Ｚを含む内側部分３０ａと、内側部分３０ａの外側で延在する外側部分３０ｂとに分割する。内側部分３０ａは平面視では略円形の領域であり、外側部分３０ｂは平面視では略環状の領域である。

下部電極３０の内側部分３０ａは略円形の上面を提供している。内側部分３０ａの上面の上には静電チャック３２が接着材９ｂを介して設けられている。静電チャック３２は、略円盤形状を有しており、セラミックスといった絶縁体から形成された層を有している。静電チャック３２は、絶縁体から形成された層の内層として、電極３２ａを更に有している。電極３２ａには、スイッチ４６を介して電源４５が接続されている。電源４５からの電圧、例えば、直流電圧が電極３２ａに印加されると、静電チャック３２は静電力を発生する。この静電力により、静電チャック３２は被加工物Ｗを吸着する。

下部電極３０の外側部分３０ｂは、略環状の上面を提供している。外側部分３０ｂの上面の上には、スペーサ部材７を介してフォーカスリング５が設けられている。スペーサ部材７は、環状の部材であり、下部電極３０の外側部分３０ｂ上に、接着剤９ａを介して設けられている。スペーサ部材７は、例えばセラミック等の絶縁体から形成されている。フォーカスリング５は、円環状の部材であり、実施されるプロセスに適した材料、例えば、石英又はシリコンから形成される。フォーカスリング５は、静電チャック３２のエッジ及び被加工物Ｗのエッジを囲むように延在する。

載置台ＰＤは、複数のヒータＨＴ、即ち、抵抗発熱体を有している。複数のヒータＨＴは、静電チャック３２内に設けられている。一例では、静電チャック３２は、軸線Ｚに対して同心の複数の領域を有しており、当該複数の領域の各々には一以上のヒータが設けられている。また、複数のヒータＨＴのうち一部は、スペーサ部材７の内部に設けられていてもよい。複数のヒータＨＴはそれぞれ、複数のフィルタ装置ＦＤのうち対応のフィルタ装置を介してヒータコントローラＨＣに接続されている。複数のフィルタ装置ＦＤ及びヒータコントローラＨＣはチャンバ本体１２の外部に設けられている。また、複数のフィルタ装置ＦＤは、チャンバ本体１２の底壁１２ａに取り付けられていてもよい。

図２に示すように、チャンバ本体１２の天井部には、シャワーヘッド６４が設けられている。シャワーヘッド６４は、支持部材６５を介してチャンバ本体１２の天井部に支持されている。このシャワーヘッド６４は、上部電極を兼ねている。

シャワーヘッド６４は、電極板６６及び支持体６８を有している。電極板６６は、略円盤形状を有しており、例えば、Ｓｉ又はＳｉＣから構成されている。電極板６６の下面は、チャンバ１２ｃに面している。支持体６８は、電極板６６を当該電極板６６の上方から支持している。支持体６８は、例えば、アルミニウム材から形成されており、その表面にはアルマイト膜といった被膜が形成されている。支持体６８の内部には、ガス室７０が設けられている。このガス室７０には、支持体６８及び電極板６６を貫通する複数のガス吐出孔７２が接続している。また、ガス室７０には、ガス供給管７６が接続している。このガス供給管７６は、処理ガスを供給するよう構成されたガス供給部７４に接続されている。

また、プラズマ処理装置１０は、制御部７５を備えている。制御部７５は、例えば、マイクロコンピュータを含む。プラズマ処理装置１０の各部、例えば、排気装置２２、第１の高周波電源３４、第２の高周波電源３６、スイッチ４６、ヒータコントローラＨＣ、チラーユニット、ガス供給部７４等は、制御部７５によって制御される。

このプラズマ処理装置１０において、例えばエッチングを行うときには、まず、ゲートバルブ２６が開かれ、被加工物Ｗがチャンバ１２ｃに搬入されて、当該被加工物Ｗが静電チャック３２上に載置される。そして、ガス供給部７４からエッチング用のガスが所定の流量でチャンバ１２ｃに供給される。また、排気装置２２によってチャンバ１２ｃの圧力が減圧される。さらに、第１の高周波電源３４及び第２の高周波電源３６から、第１の高周波及び第２の高周波がそれぞれ下部電極３０に供給される。また、伝熱ガス供給部から、静電チャック３２と被加工物Ｗとの間の接触界面に伝熱ガス（Ｈｅガス）が供給される。また、下部電極３０内の流路３０ｆに冷媒が供給される。また、複数のヒータＨＴにヒータコントローラＨＣからの交流出力が与えられ、載置台ＰＤ内の温度分布が設定された温度分布となるように調整される。そして、シャワーヘッド６４から吐出されたガスが、チャンバ本体１２内の高周波電界によって励起される。これにより発生した活性種によって被加工物Ｗの膜がエッチングされる。

複数のフィルタ装置ＦＤの各々は、下部電極３０に供給された高周波の一部が、対応のヒータＨＴとヒータコントローラＨＣとの間の給電ラインを介して、ヒータコントローラＨＣに侵入することを防止又は抑制するためのフィルタを内蔵している。これら複数のフィルタ装置ＦＤは、略同様の構成を有する。以下、図３と共に、図４〜図６を参照して、一つのヒータＨＴと当該一つのヒータＨＴに接続される一つのフィルタ装置ＦＤについて説明する。図４は、一実施形態に係るフィルタ装置の外観を示す側面図である。図５は、一実施形態に係るフィルタ装置に内蔵されたフィルタの回路を示す図である。図６は、一実施形態に係るフィルタ装置の第１のコネクタを示す平面図である。

図３に示すように、ヒータＨＴは、第１の端子ＥＴａ及び第２の端子ＥＴｂを有している。第１の端子ＥＴａは、第１の給電ラインＨＬａを介して、ヒータコントローラＨＣの第１の出力端子に接続されている。第２の端子ＥＴｂは、第２の給電ラインＨＬｂを介して、ヒータコントローラＨＣの第２の出力端子に接続されている。ヒータコントローラＨＣは、交流出力型の電源を含んでおり、例えば、ソリッドステートリレーを用いて商用周波数のスイッチング（ＯＮ／ＯＦＦ）動作を行う電源を含んでいる。ヒータコントローラＨＣは、ヒータＨＴと閉ループの回路で接続されている。ヒータコントローラＨＣにより出力される電流は、正極性のサイクルでは、第１の給電ラインＨＬａを経由して、ヒータＨＴに流れる。これにより、ヒータＨＴはジュール熱を発生する。正極性のサイクルにおいてヒータＨＴに流された電流は、第２の給電ラインＨＬｂを経由してヒータコントローラＨＣに帰還する。一方、負極性のサイクルでは、ヒータコントローラＨＣにより出力される電流は、第２の給電ラインＨＬｂを経由して、ヒータＨＴに流れる。負極性のサイクルにおいてヒータＨＴに流された電流は、第１の給電ラインＨＬａを経由してヒータコントローラＨＣに帰還する。

図３及び図５に示すように、第１の給電ラインＨＬａは、導体５１ａ、導体５２ａ、フィルタ装置ＦＤのコイル、及び、ケーブル５６ａを含んでいる。導体５１ａは載置台ＰＤ内に設けられており、導体５２ａはスペースＳＰを通っている。ヒータＨＴの第１の端子ＥＴａは、導体５１ａ及び導体５２ａを介してフィルタ装置ＦＤの第１の端子ＦＴａに接続されている。フィルタ装置ＦＤの第１の端子ＦＴａは、当該フィルタ装置ＦＤのコイルを介してケーブル５６ａに接続されている。ケーブル５６ａは、ヒータコントローラＨＣの第１の出力端子に接続されている。

また、第２の給電ラインＨＬｂは、導体５１ｂ、導体５２ｂ、フィルタ装置ＦＤの別のコイル、及び、ケーブル５６ｂを含んでいる。導体５１ｂは載置台ＰＤ内に設けられており、導体５２ｂはスペースＳＰを通っている。ヒータＨＴの第２の端子ＥＴｂは、導体５１ｂ及び導体５２ｂを介してフィルタ装置ＦＤの第２の端子ＦＴｂに接続されている。フィルタ装置ＦＤの第２の端子ＦＴｂは、当該フィルタ装置ＦＤの別のコイルを介してケーブル５６ｂに接続されている。ケーブル５６ｂは、ヒータコントローラＨＣの第２の出力端子に接続されている。

フィルタ装置ＦＤは、一実施形態では、第１のフィルタユニットＦＵａ及び第２のフィルタユニットＦＵｂを有している。第１のフィルタユニットＦＵａは、第１の高周波を遮断するための第１のフィルタＦＣ１ａ及び第２のフィルタＦＣ２ａを含んでいる。第１のフィルタＦＣ１ａは、第１の給電ラインＨＬａに設けられており、第２のフィルタＦＣ２ａは第２の給電ラインＨＬｂに設けられている。

第１のフィルタＦＣ１ａは、コイル８０Ａａ及びコンデンサ８２Ａａを含んでいる。コイル８０Ａａは、第１の給電ラインＨＬａの一部を構成している。コイル８０Ａａの一端は、第１の端子ＦＴａに接続されている。コイル８０Ａａの他端は、コンデンサ８２Ａａの一端に接続されている。コンデンサ８２Ａａの他端は、グランドに接続されている。後述する方法ＭＴによる設計の結果に依存するが、コイル８０Ａａは、第１のコイル要素８４Ａ及び第２のコイル要素８６Ａを含み得る。第１のコイル要素８４Ａ及び第２のコイル要素８６Ａは、第１の端子ＦＴａとフィルタＦＣ１ｂとの間で直列接続されており、コンデンサ８２Ａａと並列接続されている。

第２のフィルタＦＣ２ａは、コイル８０Ｂａ及びコンデンサ８２Ｂａを含んでいる。コイル８０Ｂａは、第２の給電ラインＨＬｂの一部を構成している。コイル８０Ｂａの一端は、第２の端子ＦＴｂに接続されている。コイル８０Ｂａの他端は、コンデンサ８２Ｂａの一端に接続されている。コンデンサ８２Ｂａの他端は、グランドに接続されている。後述する方法ＭＴによる設計の結果に依存するが、コイル８０Ｂａは、第１のコイル要素８４Ｂ及び第２のコイル要素８６Ｂを含み得る。第１のコイル要素８４Ｂ及び第２のコイル要素８６Ｂは、第２の端子ＦＴｂとフィルタＦＣ２ｂとの間で直列接続されており、コンデンサ８２Ｂａと並列接続されている。

第２のフィルタユニットＦＵｂは、第２の高周波を遮断するための第１のフィルタＦＣ１ｂ及び第２のフィルタＦＣ２ｂを含んでいる。第１のフィルタＦＣ１ｂは第１の給電ラインＨＬａに設けられており、第２のフィルタＦＣ２ｂは第２の給電ラインＨＬｂに設けられている。

第１のフィルタＦＣ１ｂは、コイル８０Ａｂ及びコンデンサ８２Ａｂを含んでいる。コイル８０Ａｂは、第１の給電ラインＨＬａの一部を構成している。コイル８０Ａｂの一端は、コイル８０Ａａとコンデンサ８２Ａａとの間のノードに接続されている。コイル８０Ａｂの他端は、コンデンサ８２Ａｂの一端に接続されている。コンデンサ８２Ａｂの他端は、グランドに接続されている。また、コイル８０Ａｂの他端は、ヒータコントローラＨＣの第１の出力端子に接続されている。なお、後述する方法ＭＴによる設計の結果に依存して、コイル８０Ａｂも、直列接続された第１のコイル要素及び第２のコイル要素を含んでいてもよい。

第２のフィルタＦＣ２ｂは、コイル８０Ｂｂ及びコンデンサ８２Ｂｂを含んでいる。コイル８０Ｂｂは、第２の給電ラインＨＬｂの一部を構成している。コイル８０Ｂｂの一端は、コイル８０Ｂａとコンデンサ８２Ｂａとの間のノードに接続されている。コイル８０Ｂｂの他端は、コンデンサ８２Ｂｂの一端に接続されている。コンデンサ８２Ｂｂの他端は、グランドに接続されている。また、コイル８０Ｂｂの他端は、ヒータコントローラＨＣの第２の出力端子に接続されている。なお、後述する方法ＭＴによる設計の結果に依存して、コイル８０Ｂｂも、直列接続された第１のコイル要素及び第２のコイル要素を含んでいてもよい。

図４に示すように、第１のフィルタユニットＦＵａは、フレームＦＨａ及びコンデンサボックスＣＢａを含んでいる。フレームＦＨａは、導電性を有し、グランドに接続されている。フレームＦＨａは、その内部にコイル８０Ａａ及びコイル８０Ｂａを収容している。コンデンサボックスＣＢａは、フレームＦＨａに結合されており、その内部にコンデンサ８２Ａａ及びコンデンサ８２Ｂａを収容している。また、フレームＦＨａには、第１のコネクタＣＮ１が結合されている。図６に示すように、第１のコネクタＣＮ１は、第１の端子ＦＴａ及び第２の端子ＦＴｂを提供している。

また、第２のフィルタユニットＦＵｂは、フレームＦＨｂ及びコンデンサボックスＣＢｂを含んでいる。フレームＦＨｂは、導電性を有し、グランドに接続されている。フレームＦＨｂは、その内部にコイル８０Ａｂ及びコイル８０Ｂｂを収容している。コンデンサボックスＣＢｂは、フレームＦＨｂに結合されており、その内部にコンデンサ８２Ａｂ及びコンデンサ８２Ｂｂを収容している。

以下、第１のフィルタユニットＦＵａ及び第２のフィルタユニットＦＵｂの双方又は一方として採用され得るフィルタユニットＦＵの物理的構成について説明する。図７は、フィルタユニットの断面図である。図７に示すフィルタユニットＦＵは、コイル８０Ａ及びコイル８０Ｂを有している。コイル８０Ａは、第１のフィルタユニットＦＵａのコイル８０Ａａ及び第２のフィルタユニットＦＵｂのコイル８０Ａｂに対応するコイルである。コイル８０Ｂは、第１のフィルタユニットＦＵａのコイル８０Ｂａ及び第２のフィルタユニットＦＵｂのコイル８０Ｂｂに対応するコイルである。

フィルタユニットＦＵは、フレームＦＨ、コンデンサボックスＣＢ、第１のコネクタＣＮ１、及び、第２のコネクタＣＮ２を更に有している。フレームＦＨは、第１のフィルタユニットＦＵａのフレームＦＨａ及び第２のフィルタユニットＦＵｂのフレームＦＨｂに対応するフレームである。フレームＦＨは、導電性を有し、例えば、アルミニウムから形成されている。フレームＦＨは、例えば、略円筒形状を有している。フレームＦＨの中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。このフレームＦＨは、コイル８０Ａ及びコイル８０Ｂを収容している。

コイル８０Ａの一端及びコイル８０Ｂの一端は、第１のコネクタＣＮ１によって支持されている。コイル８０Ａの他端及びコイル８０Ｂの他端は、第２のコネクタＣＮ２によって支持されている。コイル８０Ａの一端は、第１のコネクタＣＮ１によって提供される端子（第１のフィルタユニットＦＵａにおいては第１の端子ＦＴａ）に接続されている。コイル８０Ｂの一端は、第１のコネクタＣＮ１によって提供される別の端子（第１のフィルタユニットＦＵａにおいては第２の端子ＦＴｂ）に接続されている。

コンデンサボックスＣＢは、第１のフィルタユニットＦＵａのコンデンサボックスＣＢａ及び第２のフィルタユニットＦＵｂのコンデンサボックスＣＢｂに対応するコンデンサボックスである。コンデンサボックスＣＢは、フレームＦＨに結合されている。コンデンサボックスＣＢ内には二つのコンデンサが収容されている。二つのコンデンサのうち一方は、第１のフィルタユニットＦＵａのコンデンサ８２Ａａ及び第２のフィルタユニットＦＵｂのコンデンサ８２Ａｂに対応するコンデンサであり、コイル８０Ａの他端とグランドとの間に接続されている。二つのコンデンサのうち他方は、第１のフィルタユニットＦＵａのコンデンサ８２Ｂａ及び第２のフィルタユニットＦＵｂのコンデンサ８２Ｂｂに対応するコンデンサであり、コイル８０Ｂの他端とグランドとの間に接続されている。

コイル８０Ａ及びコイル８０Ｂの各々は、空芯コイルであり、巻線を有する。コイル８０Ａ及びコイル８０Ｂの各々の巻線は、例えば平角形状、即ち、矩形の断面形状を有し得る。コイル８０Ａ及びコイル８０Ｂの各々の巻線は、裸線であってもよく、或いは、巻線導体の表面を覆う絶縁性の皮膜を有していてもよい。

コイル８０Ａ及びコイル８０Ｂは、軸線ＡＸに対して同軸に設けられている。コイル８０Ａの巻線は、軸線ＡＸの周りで螺旋状に巻かれており、軸方向（軸線ＡＸが延びる方向）に沿って複数のターンを提供している。コイル８０Ａは、軸方向において巻線間（又はターン間）に複数のピッチを提供している。また、コイル８０Ｂの巻線は、軸線ＡＸの周りで螺旋状に、且つ、コイル８０Ａの巻線と交互に巻かれている。コイル８０Ｂの巻線も、軸方向に沿って複数のターンを提供している。コイル８０Ｂも、軸方向において巻線間（又はターン間）に複数のピッチを提供している。

コイル８０Ａ及びコイル８０Ｂは、上述したように、フレームＦＨによって囲まれている。コイル８０Ａ及びコイル８０Ｂの各々とフレームＦＨとは、分布定数線路を構成している。また、コイル８０Ａと上述した二つのコンデンサのうち一方は一つのフィルタを構成しており、コイル８０Ｂと上述した二つのコンデンサのうち他方は別の一つのフィルタを構成している。即ち、フィルタユニットＦＵは、二つの分布定数型のフィルタを有している。フィルタユニットＦＵの二つのフィルタの各々は、複数の共振周波数を含む周波数−インピーダンス特性を有する。即ち、フィルタユニットＦＵの二つのフィルタの各々は、複数の共振周波数においてインピーダンスのピークを有している。

複数の共振周波数は、コイル（コイル８０Ａ又はコイル８０Ｂ）の単位長さ当りのインダクタンス、及び、単位長さ当りの静電容量によって規定される。単位長さ当りの線間容量は、コイルに接続されたコンデンサの静電容量、フレームＦＨとコイルとの間の静電容量、及び、コイルの巻線間（又はターン間）の静電容量によって規定される。

図８は、フィルタの周波数−インピーダンス特性を例示する図である。コイルの複数のピッチが同一であれば、図８において実線で示すように、複数の共振周波数は、周波数方向において一定の間隔を有する。また、コイルの複数のピッチのうち一以上のピッチの長さが他のピッチの長さと異なる場合には、図８において破線で示すように、複数の共振周波数のうち特定の共振周波数が、周波数方向において一定の間隔を有する複数の共振周波数のうちの対応の共振周波数とは異なる周波数になる。また、コイルを直列接続された二つのコイル要素に分割し、これら二つのコイル要素の間に距離（分割距離）を設けた場合には、図８において二点鎖線で示すように、複数の共振周波数のうち特定の共振周波数が、周波数方向において一定の間隔を有する複数の共振周波数のうちの対応の共振周波数とは大きく異なる周波数になる。後述するように、方法ＭＴは、特定の共振周波数と遮断すべき高周波の周波数との差を減少させるために、コイルの複数のピッチのうち長さを変更する一以上のピッチ、及び／又は、コイルの分割位置と二つのコイル要素間の分割距離を決定するものである。

図７に示すように、フィルタユニットＦＵは、方法ＭＴによって決定された複数のピッチ、及び／又は、分割位置と分割距離を有するコイル（コイル８０Ａ及びコイル８０Ｂ）を構成するために、複数の櫛歯部材９０を有している。図７に示す例では、フィルタユニットＦＵは、二つの櫛歯部材９０を有している。櫛歯部材９０は、絶縁体、例えばＰＥＥＫ又はＰＣＴＦＥといった樹脂から形成され得る。櫛歯部材９０の各々は、柱状部９０ａ及び複数の櫛歯９０ｂを有している。柱状部９０ａは、軸線ＡＸに略平行に延在している。柱状部９０ａの一端は第１のコネクタＣＮ１に固定されており、柱状部９０ａの他端は第２のコネクタＣＮ２に固定されている。櫛歯９０ｂは、薄板形状を有しており、柱状部９０ａよりも軸線ＡＸの側において、軸線ＡＸに交差又は略直交する方向に延在している。櫛歯部材９０は、軸方向において隣り合う櫛歯９０ｂの間に、スロットを提供している。即ち、櫛歯部材９０は、軸方向に沿って配列された複数のスロットを提供している。コイル８０Ａの巻線及びコイル８０Ｂの巻線は、櫛歯部材９０によって提供された複数のスロットに挿入されている。これにより、コイル８０Ａの複数のピッチ及びコイル８０Ｂの複数のピッチ、並びに／又は、コイル８０Ａ及びコイル８０Ｂの各々の分割位置と分割距離が規定される。

以下、再び図１を参照して、方法ＭＴについて詳細に説明する。なお、フィルタユニットＦＵの二つのフィルタは略同一の構成を有するので、一つのフィルタに関する設計に関して方法ＭＴについて説明する。

方法ＭＴでは、まず、工程ＳＴ１において、基準フィルタＦＣｒの設計が行われる。図９は、基準フィルタを示す図である。図１０は、基準フィルタの基準コイルを示す図である。図９に示すように基準フィルタＦＣｒは、ＬＣフィルタであって、基準コイル８０ｒと当該基準コイル８０ｒに並列接続されたコンデンサ８２を有する。図１０に示すように、基準コイル８０ｒは、軸線ＡＸの周りで螺旋状に巻かれた巻線を有する。基準コイル８０ｒの巻線によって軸方向（軸線ＡＸが延びる方向）に提供される複数のピッチＰ（１），．．．，Ｐ（Ｎ）は、互いに同一の長さ（基準長さ）を有する。なお、Ｎは、複数のピッチの個数を示す１より大きい整数である。

工程ＳＴ１においては、遮断すべき高周波の周波数（以下、「使用周波数」という）に応じて基準フィルタＦＣｒの設計が行われる。基準フィルタＦＣｒは、ＬＣフィルタであるので、基準フィルタＦＣｒの静電容量が固定されれば、基準コイル８０ｒのインダクタンスは、ｆ＝１／（２π√（ＬＣ））の関係から、使用周波数に応じて決定される。なお、ｆは、１次の共振周波数であり得る。また、Ｃは基準フィルタＦＣｒの静電容量であり、Ｌは基準コイル８０ｒのインダクタンスである。

また、方法ＭＴによって設計されるフィルタがプラズマ処理装置１０のフィルタユニットのフィルタとして用いられる場合には、工程ＳＴ１において、使用周波数、フィルタ装置ＦＤの個数、及び、フィルタ装置ＦＤを配置する空間のサイズに応じて、基準コイル８０ｒが選定される。具体的には、使用周波数、フィルタ装置ＦＤの個数、及び、フィルタ装置ＦＤを配置する空間のサイズに応じて、基準コイル８０ｒの直径、ターン数、及び、巻線間のギャップの軸方向の長さが決定される。なお、プラズマ処理装置１０では、フィルタのコイルには高いＶｐｐ（ピーク・ツー・ピーク電圧）が印加される。したがって、巻線間のギャップの長さは、耐圧条件を満たすように決定される。

続く工程ＳＴ２では、基準フィルタＦＣｒの特性が最適か否かが判定される。例えば、基準フィルタＦＣｒが、使用周波数において必要な、即ち、仕様を満たすインピーダンスを有しているか否かが判定される。基準フィルタＦＣｒの特性が最適であると判定される場合、例えば、基準フィルタＦＣｒが使用周波数において必要なインピーダンスを有している場合には、方法ＭＴは終了し、基準フィルタＦＣｒと同じフィルタが、フィルタユニットＦＵの二つのフィルタとして採用される。一方、基準フィルタＦＣｒの特性が最適でないと判定される場合には、方法ＭＴは工程ＳＴ３に進む。

工程ＳＴ３では、基準フィルタＦＣｒの特定の共振周波数と使用周波数との第１の差Ｄｉｆ１（絶対値）が求められる。続く工程ＳＴ４では、差Ｄｉｆ１が所定値Ｔｈ以下であるか否かが判定される。工程ＳＴ４において、差Ｄｉｆ１が所定値Ｔｈ以下であると判定されると、方法ＭＴは工程ＳＴ５に進む。一方、差Ｄｉｆ１が所定値Ｔｈよりも大きければ、方法ＭＴは工程ＳＴ６に進む。

工程ＳＴ５では、差Ｄｉｆ１を減少させるために、基準コイル８０ｒの複数のピッチＰ（１），．．．，Ｐ（Ｎ）のうち長さを変更する一以上のピッチが決定される。一方、工程ＳＴ６では、基準コイル８０ｒを直列接続された第１のコイル要素及び第２のコイル要素に分割する基準コイル８０ｒ中の位置（分割位置）、及び、第１のコイル要素と第２のコイル要素の間の距離（分割距離）が決定される。なお、一以上のピッチの長さの変更に応じて基準フィルタＦＣｒの特定の共振周波数が変化する量（変化量ΔｆＰ。図８を参照）は、大きくても５ＭＨｚ程度である。一方、基準コイル８０ｒの分割に応じて基準フィルタＦＣｒの特定の共振周波数が変化する量（変化量ΔｆＤ。図８を参照）は、より大きな量である。したがって、上述の所定値Ｔｈは、例えば５ＭＨｚ程度に設定される。

ここで、コイル中の軸方向の位置と共振周波数の変化との関係について説明する。図１１は、コイル中の軸方向の位置と共振周波数の変化との関係の概念の説明のための図である。図１１では、複数の共振周波数のそれぞれの次数に対応付けて腹と節とを有する波形が示されている。図１１において、各次数の波形の縦方向の長さはコイルの全長に対応している。図１１に示す各次数の波形の腹に対応する位置においてコイルのピッチが広げられると、その次数の共振周波数は高周波側にシフトする。また、図１１に示す各次数の波形の節に対応する位置においてコイルのピッチが広げられると、その次数の共振周波数は低周波側にシフトする。一方、図１１に示す各次数の波形の腹に対応する位置においてコイルのピッチが狭められると、その次数の共振周波数は低周波側にシフトする。また、図１１に示す各次数の波形の節に対応する位置においてコイルのピッチが狭められると、その次数の共振周波数は高周波側にシフトする。例えば、コイルの全長の中間位置においてコイルのピッチが広げられると、図８に示すように、２次の共振周波数は低周波側にシフトする。また、コイルの全長の中間位置においてコイルのピッチが広げられると、４次及び６次の共振周波数は低周波側にシフトし、１次、３次、５次、及び、７次の共振周波数は高周波側にシフトする。

同様に、図１１に示す各次数の波形の腹に対応する位置においてコイルが二つのコイル要素に分割されると、その次数の共振周波数は高周波側にシフトする。また、図１１に示す各次数の波形の節に対応する位置においてコイルが二つのコイル要素に分割されると、その次数の共振周波数は低周波側にシフトする。例えば、コイルの全長の中間位置においてコイルが二つのコイル要素に分割されると、図８に示すように、２次の共振周波数は低周波側にシフトする。また、コイルの全長の中間位置においてコイルが二つのコイル要素に分割されると、４次及び６次の共振周波数は低周波側にシフトし、１次、３次、５次、及び、７次の共振周波数は高周波側にシフトする。

図１に戻り、工程ＳＴ５では、図１１を参照して説明した関係に基づいて、差Ｄｉｆ１を減少させるために、基準コイル８０ｒの複数のピッチＰ（１），．．．，Ｐ（Ｎ）のうち長さを変更する一以上のピッチが決定される。一実施形態の工程ＳＴ５では、一以上のピッチは、テーブルを参照して決定される。図１２は、テーブルを例示する図である。図１２に示すテーブルＴＢは、複数のピッチＰ（１），．．．，Ｐ（Ｎ）のそれぞれの順番を特定するピッチ番号（ピッチＮｏ．）に対応付けて、複数の共振周波数の変化量が登録されている。図１２に示す例では、１次〜４次の共振周波数の変化量がテーブルＴＢに登録されている。

テーブルＴＢは、工程ＳＴ５の実行の前に予め準備されている。具体的に、テーブルＴＢの準備では、基準コイル８０ｒの複数のピッチＰ（１），．．．，Ｐ（Ｎ）の長さを個別に基準長さから変更しつつ、ピッチの長さの変更前後の複数の共振周波数それぞれの変化量を求めて、当該変化量をテーブルＴＢに登録する。これにより、テーブルＴＢが準備される。なお、テーブルＴＢの個数は一つに限定されるものではなく、基準長さからのピッチの長さの変化量ごとにテーブルＴＢが準備されていてもよい。

一実施形態の工程ＳＴ５では、上述のように準備されたテーブルＴＢを参照して、差Ｄｉｆ１を最小化するよう、複数のピッチＰ（１），．．．，Ｐ（Ｎ）のうち長さが変更される一以上のピッチが決定される。また、基準長さからのピッチの長さの変化量ごとにテーブルＴＢが準備されている場合には、差Ｄｉｆ１を最小化するよう、複数のピッチＰ（１），．．．，Ｐ（Ｎ）のうち長さが変更される一以上のピッチ、及び、当該一以上のピッチの各々の長さの変化量が決定される。なお、複数のピッチＰ（１），．．．，Ｐ（Ｎ）のうち二以上のピッチの長さが変更される場合には、各次数の共振周波数の変化量は、変更された二以上のピッチをそれぞれ特定する番号にテーブルＴＢにおいて対応付けられている、その次数の共振周波数の変化量の加算値となる。

一実施形態において、一以上のピッチの変更後の長さは、下記の（１）式を満たすように決定される。（１）式において、φは基準コイル８０ｒの直径であり、Ｌ_Ｐは一以上のピッチ各々の変更後の長さである。
φ≧４×Ｌ_Ｐ …（１）
（１）式に示す関係が満たされない場合には、一以上のピッチの変更前の一つの共振周波数が変更後には二つの共振周波数へと変化する事態が生じ得る。一方、（１）式に満たす関係を満たすことにより、安定した周波数−インピーダンス特性が得られる。

工程ＳＴ６では、図１１を参照して説明した関係に基づいて、差Ｄｉｆ１を減少させるために、基準コイル８０ｒを、直列接続された第１のコイル要素８４ｒと第２のコイル要素８６ｒに分割する基準コイル８０ｒ中の分割位置、及び、第１のコイル要素８４ｒと前記第２のコイル要素８６ｒとの間の分割距離が決定される。一実施形態においては、分割位置及び分割距離は、第１のコイル要素８４ｒと第２のコイル要素８６ｒとに分割される基準コイル８０ｒ中の位置、及び、第１のコイル要素８４ｒと第２のコイル要素８６ｒとの間の距離に対する、直列接続された第１のコイル要素８４ｒ及び第２のコイル要素８６ｒ、並びに、第１のコイル要素８４ｒ及び第２のコイル要素８６ｒに対して並列接続されたコンデンサを含むフィルタの複数の共振周波数の予め準備された関係を用いて、差Ｄｉｆ１を最小化するように決定される。

一実施形態では、工程ＳＴ６で用いられる上述の関係は、予め準備された関数Ｆ（ｍ，Ｚ_Ｄ，Ｌ_Ｄ）として保持される。ここで、ｍは共振周波数の次数である。Ｚ_Ｄは、第１のコイル要素８４ｒと第２のコイル要素８６ｒとに分割される基準コイル８０ｒ中の位置であり、Ｌ_Ｄは、第１のコイル要素８４ｒと第２のコイル要素８６ｒとの間の軸方向の距離である（図１３参照）。また、関数Ｆ（ｍ，Ｚ_Ｄ，Ｌ_Ｄ）の出力は、直列接続された第１のコイル要素８４ｒ及び第２のコイル要素８６ｒ、並びに、第１のコイル要素８４ｒ及び第２のコイル要素８６ｒに対して並列接続されたコンデンサ８２を含むフィルタ（分割フィルタ）の共振周波数であり、基準コイル８０ｒが当該基準コイル８０ｒ中の位置Ｚ_Ｄにおいて第１のコイル要素８４ｒと第２のコイル要素８６ｒとに分割され、第１のコイル要素８４ｒと第２のコイル要素８６ｒとの間の距離Ｌ_Ｄであるときの次数ｍの共振周波数である。

一実施形態では、関数Ｆ（ｍ，Ｚ_Ｄ，Ｌ_Ｄ）は、下記の（２）式に示すように、一次関数であり得る。
Ｆ（ｍ，Ｚ_Ｄ，Ｌ_Ｄ）＝ａ（ｍ，Ｚ_Ｄ）×Ｌ_Ｄ＋ｂ（ｍ，Ｚ_Ｄ，Ｌ_Ｄ） …（２）
式（２）において、ａ（ｍ，Ｚ_Ｄ）は次数ｍ及び位置Ｚ_Ｄに依存する一次関数の傾きを表す定数である。また、ｂ（ｍ，Ｚ_Ｄ，Ｌ_Ｄ）は、次数ｍ、位置Ｚ_Ｄ、及び、距離Ｌ_Ｄに依存する一次関数の定数である。

工程ＳＴ６に続く工程ＳＴ７では、工程ＳＴ６において決定された分割位置及び分割距離に従って設定された第１のコイル要素８４ｒ、第２のコイル要素８６ｒ、及び、コンデンサ８２を含む分割フィルタの特性が最適であるか否かが判定される。例えば、分割フィルタが、使用周波数において必要なインピーダンスを有しているか否かが判定される。分割フィルタの特性が最適であると判定される場合、例えば、分割フィルタが使用周波数において必要なインピーダンスを有している場合には、方法ＭＴは終了し、当該分割フィルタと同様のフィルタが、フィルタユニットＦＵの二つのフィルタとして採用される。一方、分割フィルタの特性が最適でないと判定される場合には、方法ＭＴは工程ＳＴ８に進む。

工程ＳＴ８では、分割フィルタの特定の共振周波数と使用周波数との間の第２の差を減少させるために、第１のコイル要素８４ｒ及び第２のコイル要素８６ｒを含むコイル（分割コイル８０Ｄ）の複数のピッチのうち長さを変更する一以上のピッチが決定される。分割コイル８０Ｄにおいては、基準コイル８０ｒの複数のピッチのうち分割位置のピッチ以外は維持されている。分割コイル８０Ｄの複数のピッチのうち長さを変更する一以上のピッチの決定は、工程ＳＴ５と同様に行われる。また、一実施形態では、工程ＳＴ８においても、工程ＳＴ５と同様にテーブルＴＢが用いられる。この工程ＳＴ８の実行の後、方法ＭＴは終了する。そして、工程ＳＴ８において設計された分割フィルタと同様のフィルタが、フィルタユニットＦＵの二つのフィルタとして採用される。

以上説明した方法ＭＴによれば、基準フィルタＦＣｒの共振周波数と使用周波数との間の差Ｄｉｆ１が所定値以下である場合には、差Ｄｉｆ１を減少させるのに適した一以上のピッチが基準コイル８０ｒの複数のピッチから決定される。これにより、不等ピッチのコイルを有するフィルタであって、等ピッチの基準コイル８０ｒを有する基準フィルタＦＣｒに対して特定の共振周波数が微調整されたフィルタが設計される。一方、差Ｄｉｆ１が所定値以上である場合には、差Ｄｉｆ１を減少させるのに適した基準コイル８０ｒ中の分割位置及び分割距離が決定される。これにより、等ピッチの基準コイル８０ｒを有する基準フィルタＦＣｒに対して特定の共振周波数が大きく調整されたコイルを有する分割フィルタが設計される。したがって、かかる方法ＭＴによれば、特定の共振周波数と所望の周波数（使用周波数）との差が大きくても、当該差を小さくすること、或いは、無くすことが可能となる。

また、方法ＭＴによれば、分割フィルタの特定の共振周波数と使用周波数との間に微差があっても、分割フィルタに含まれる分割コイル８０Ｄの複数のピッチのうち一以上のピッチの長さを変更することにより、当該微差を小さくすること、或いは、無くすことが可能となる。

１０…プラズマ処理装置、１２…チャンバ本体、ＰＤ…載置台、３０…下部電極、３２…静電チャック、３４…第１の高周波電源、３６…第２の高周波電源、ＨＣ…ヒータコントローラ、ＨＴ…ヒータ、ＦＤ…フィルタ装置、ＦＵａ…第１のフィルタユニット、ＦＣ１ａ…第１のフィルタ、８０Ａａ…コイル、８４Ａ…第１のコイル要素、８６Ａ…第２のコイル要素、８２Ａａ…コンデンサ、ＦＨａ…フレーム、ＦＣ２ａ…第２のフィルタ、８０Ｂａ…コイル、８４Ｂ…第１のコイル要素、８６Ｂ…第２のコイル要素、８２Ｂａ…コンデンサ、ＦＵｂ…第２のフィルタユニット、ＦＣ１ｂ…第１のフィルタ、８０Ａｂ…コイル、８２Ａｂ…コンデンサ、ＦＣ２ｂ…第２のフィルタ、８０Ｂｂ…コイル、８２Ｂｂ…コンデンサ、ＦＨｂ…フレーム、ＦＵ…フィルタユニット、８０Ａ…コイル、８０Ｂ…コイル、９０…櫛歯部材、ＦＨ…フレーム、ＦＣｒ…基準フィルタ、８０ｒ…基準コイル、８２…コンデンサ、８４ｒ…第１のコイル要素、８６ｒ…第２のコイル要素、ＡＸ…軸線。

Claims (5)

1. フィルタを設計する方法であって、
   軸方向に沿って互いに等しい複数のピッチを提供する巻線を有する基準コイル、及び、該基準コイルと並列接続されたコンデンサを有する分布定数型の基準フィルタの共振周波数と遮断すべき高周波の周波数との間の第１の差を求める工程と、
   前記第１の差が所定値以下である場合に、該第１の差を減少させるために前記複数のピッチのうち長さを変更する一以上のピッチを決定する工程と、
   前記第１の差が前記所定値より大きい場合に、該第１の差を減少させるために前記基準コイルを直列接続された第１のコイル要素と第２のコイル要素に分割する該基準コイル中の分割位置、及び、前記第１のコイル要素と前記第２のコイル要素との間の分割距離を決定する工程と、
   を含む方法。
2. 前記一以上のピッチは、前記複数のピッチの各々の変化に応じた前記基準フィルタの複数の共振周波数の変化量が登録されたテーブルを参照して、前記第１の差を最小化するように決定され、
   前記分割位置及び前記分割距離は、前記第１のコイル要素と前記第２のコイル要素とに分割される前記基準コイル中の位置、及び、前記第１のコイル要素と前記第２のコイル要素との間の距離に対する、直列接続された該第１のコイル要素及び該第２のコイル要素、並びに、該第１のコイル要素及び該第２のコイル要素に対して並列接続された前記コンデンサを含むフィルタの複数の共振周波数の予め準備された関係を用いて、前記第１の差を最小化するように決定される、
   請求項１に記載の方法。
3. 直列接続された前記第１のコイル要素及び前記第２のコイル要素、並びに、該第１のコイル要素及び該第２のコイル要素に対して並列接続された前記コンデンサを含むフィルタの共振周波数と前記高周波の前記周波数との間の第２の差を減少させるために前記第１のコイル要素及び第２のコイル要素を含むコイルの巻線によって提供される前記軸方向の複数のピッチのうち長さを変更する一以上の別のピッチを決定する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
4. 直列接続された前記第１のコイル要素及び前記第２のコイル要素、並びに、該第１のコイル要素及び該第２のコイル要素に対して並列接続された前記コンデンサを含むフィルタの共振周波数と前記高周波の前記周波数との間の第２の差を減少させるために前記第１のコイル要素及び第２のコイル要素を含むコイルの巻線によって提供される前記軸方向の複数のピッチのうち長さを変更する一以上の別のピッチを決定する工程を更に含み、
   前記一以上の別のピッチは、前記テーブルを参照して前記第２の差を最小化するように決定される、
   請求項２に記載の方法。
5. 前記高周波はプラズマ処理装置が備える載置台の下部電極に供給される高周波であり、
   該方法によって設計されるフィルタは、前記載置台内に設けられたヒータと該ヒータに接続された電源を含むヒータコントローラとの間において前記高周波を遮断するフィルタである、
   請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。

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