JP2011132273A - 含フッ素単量体、含フッ素高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
含フッ素単量体、含フッ素高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011132273A JP2011132273A JP2009290054A JP2009290054A JP2011132273A JP 2011132273 A JP2011132273 A JP 2011132273A JP 2009290054 A JP2009290054 A JP 2009290054A JP 2009290054 A JP2009290054 A JP 2009290054A JP 2011132273 A JP2011132273 A JP 2011132273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- acid
- branched
- polymer compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 *C(C(CCCC1)C1I)(C(F)(F)F)O Chemical compound *C(C(CCCC1)C1I)(C(F)(F)F)O 0.000 description 4
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N CC(CO1)OC1=O Chemical compound CC(CO1)OC1=O RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNZBGWULJMGBGP-UHFFFAOYSA-N COCC[O](CCOCCCOCCN1CCOCC1)=C Chemical compound COCC[O](CCOCCCOCCN1CCOCC1)=C CNZBGWULJMGBGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQTVCFCWEPWOQO-UHFFFAOYSA-N OC(C(CC(C1)C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)CC1I)(C(F)(F)F)C(F)(F)F Chemical compound OC(C(CC(C1)C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)CC1I)(C(F)(F)F)C(F)(F)F RQTVCFCWEPWOQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQJWNHCTJBYOLA-UHFFFAOYSA-N OC(C(CC1)CCC1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)I)(C(F)(F)F)C(F)(F)F Chemical compound OC(C(CC1)CCC1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)I)(C(F)(F)F)C(F)(F)F IQJWNHCTJBYOLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRVQIZYZIZNCFH-UHFFFAOYSA-N OC(C(CC1)CCC1I)(C(F)(F)F)C(F)(F)F Chemical compound OC(C(CC1)CCC1I)(C(F)(F)F)C(F)(F)F ZRVQIZYZIZNCFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCSSXBQFJFRDIM-UHFFFAOYSA-N OC(C(CC12)CC1I)(C(F)(F)F)C2(F)F Chemical compound OC(C(CC12)CC1I)(C(F)(F)F)C2(F)F UCSSXBQFJFRDIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRBGEDNASXGYRM-UHFFFAOYSA-N OC(C(CC1C2)C2CC1I)(C(F)(F)F)C(F)(F)F Chemical compound OC(C(CC1C2)C2CC1I)(C(F)(F)F)C(F)(F)F RRBGEDNASXGYRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QROHBDWHPPSLBQ-UHFFFAOYSA-N OC(CC(CC1C2)C2CC1I)(C(F)(F)F)C(F)(F)F Chemical compound OC(CC(CC1C2)C2CC1I)(C(F)(F)F)C(F)(F)F QROHBDWHPPSLBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJKCOQZGLRIPJB-UHFFFAOYSA-N OC(CC1C2)(C2CC1I)C(F)(F)F Chemical compound OC(CC1C2)(C2CC1I)C(F)(F)F LJKCOQZGLRIPJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/62—Halogen-containing esters
- C07C69/65—Halogen-containing esters of unsaturated acids
- C07C69/653—Acrylic acid esters; Methacrylic acid esters; Haloacrylic acid esters; Halomethacrylic acid esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/66—Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety
- C07C69/73—Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety of unsaturated acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/22—Esters containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/22—Esters containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/22—Esters containing halogen
- C08F220/24—Esters containing halogen containing perhaloalkyl radicals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/10—Esters
- C08F222/12—Esters of phenols or saturated alcohols
- C08F222/18—Esters containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C08L33/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/0275—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with dithiol or polysulfide compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C08L33/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
- C08L33/16—Homopolymers or copolymers of esters containing halogen atoms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Description
請求項1:
下記一般式(1)で示される含フッ素単量体。
(式中、R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R2はハロゲン原子又は酸素原子を有していてもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。Aは炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を示す。k1は0〜2の整数である。)
請求項2:
下記一般式(1a)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。
(式中、R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R2はハロゲン原子又は酸素原子を有していてもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。Aは炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を示す。k1は0〜2の整数である。)
請求項3:
(A)下記一般式(1a)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(B)ベース樹脂として、ラクトン環由来の骨格及び/又は水酸基を有する骨格及び/又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(C)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(D)有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト材料。
(式中、R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R2はハロゲン原子又は酸素原子を有していてもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。Aは炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を示す。k1は0〜2の整数である。)
請求項4:
(A)請求項2に記載の一般式(1a)で表される繰り返し単位に加えて、下記一般式(2a)〜(2g)で表される繰り返し単位のうちの1つ又は2つ以上を有する高分子化合物、(B)ベース樹脂として、ラクトン環由来の骨格及び/又は水酸基を有する骨格及び/又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(C)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(D)有機溶剤を含有することを特徴とする請求項3に記載のレジスト材料。
(式中、R1は上記と同様である。R4a及びR4bは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基であり、R4aとR4bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜8の非芳香環を形成することもできる。R5aは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基又はフッ素化1価炭化水素基、又は酸不安定基を示し、1価炭化水素基の場合、構成する−CH2−が−O−又は−C(=O)−に置換されていてもよい。R6a、R6b、及びR6cは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基であり、R6aとR6b、R6aとR6c、R6bとR6cは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜8の非芳香環を形成することもできる。R7aは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基である。R7bは炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基であり、R7aとR7bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜8の非芳香環を形成することもできる。R8aは炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のフッ素化1価炭化水素基である。k2は0又は1を示す。)
請求項5:
(B)成分の高分子化合物が、(メタ)アクリル酸エステル重合体、(α−トリフルオロメチル)アクリル酸エステル−無水マレイン酸共重合体、シクロオレフィン−無水マレイン酸共重合体、ポリノルボルネン、シクロオレフィンの開環メタセシス反応により得られる高分子化合物、シクロオレフィンの開環メタセシス反応により得られる重合体を水素添加して得られる高分子化合物、ヒドロキシスチレンと(メタ)アクリル酸エステル誘導体、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、ヒドロキシビニルナフタレン、ヒドロキシビニルアントラセン、インデン、ヒドロキシインデン、アセナフチレン、ノルボルナジエン類を共重合した高分子化合物、ノボラックの中から選択されることを特徴とする請求項3又は4に記載のレジスト材料。
請求項6:
(B)成分の高分子化合物が、下記一般式(2A)〜(2D)で示される繰り返し単位のいずれか1種以上を含有することを特徴とする請求項3又は4に記載のレジスト材料。
(式中、R1Aは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。XAは酸不安定基を示す。XB、XCはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状の2価の炭化水素基を示す。YAはラクトン構造を有する置換基を示す。ZAは水素原子、又は炭素数1〜15のフルオロアルキル基又は炭素数1〜15のフルオロアルコール含有置換基を示す。k1Aは1〜3の整数を示す。)
請求項7:
高分子化合物(B)100質量部に対して、一般式(1a)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物(A)の添加量が0.1〜50質量部であることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載のレジスト材料。
請求項8:
更に、(E)塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項3乃至7のいずれか1項に記載のレジスト材料。
請求項9:
更に、(F)溶解制御剤を含有することを特徴とする請求項3乃至8のいずれか1項に記載のレジスト材料。
請求項10:
(1)請求項3乃至9のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、(2)加熱処理後、フォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、(3)現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
請求項11:
(1)請求項3乃至9のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、(2)加熱処理後、投影レンズとウエハーの間に液体を挿入させ、フォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、(3)現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
請求項12:
(1)請求項3乃至9のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、(2)フォトレジスト膜の上に保護膜層を形成する工程と、(3)加熱処理後、投影レンズとウエハーの間に液体を挿入させ、フォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、(4)現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
請求項13:
前記露光工程において、投影レンズと基板の間に挿入する液体が水であることを特徴とする請求項11又は12に記載のパターン形成方法。
請求項14:
露光光源として波長180〜250nmの範囲の高エネルギー線を用いることを特徴とする請求項10乃至13のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
請求項15:
(1)請求項3乃至9のいずれか1項に記載のレジスト材料をマスクブランクス上に塗布する工程と、(2)加熱処理後、真空中電子ビームで露光する工程と、(3)現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
本発明の含フッ素単量体は、下記一般式(1)で示されるものである。
(式中、R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R2はハロゲン原子又は酸素原子を有していてもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。Aは炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を示す。k1は0〜2の整数である。)
また、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基として、具体的には下記の基を例示できる。
ここで、破線は結合手を示す(以下、同様)。
(式中、R1、R2、A及びk1は、上記と同様である。R3はハロゲン原子、水酸基又は−OR6を示す。R6はメチル基、エチル基又は下記式(8)
を示す。R4はハロゲン原子を示す。R5はハロゲン原子、水酸基又は−OR7を示す。R7はメチル基、エチル基又は下記式(9)
を示す。MaはLi、Na、K、Mg1/2、Ca1/2又は置換もしくは未置換のアンモニウムを示す。Meはメチル基を示す。)
反応は、常法に従って行うことができる。カルボン酸塩化合物(7)としては、各種カルボン酸金属塩などの市販のカルボン酸塩化合物をそのまま用いてもよいし、メタクリル酸、アクリル酸等の対応するカルボン酸と塩基より反応系内でカルボン酸塩化合物を調製して用いてもよい。カルボン酸塩化合物(7)の使用量は、原料であるハロエステル化合物(6)1モルに対し0.5〜10モル、特に1.0〜3.0モルとすることが好ましい。0.5モル未満の使用では原料が大量に残存するため収率が大幅に低下する場合があり、10モルを超える使用では使用原料費の増加、釜収率の低下などによりコスト面で不利となる場合がある。対応するカルボン酸と塩基より反応系内でカルボン酸塩化合物を調製する場合に用いることができる塩基としては、例えば、アンモニア、トリエチルアミン、ピリジン、ルチジン、コリジン、N,N−ジメチルアニリンなどのアミン類;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムなどの水酸化物類;炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウムなどの炭酸塩類;ナトリウムなどの金属類;水素化ナトリウムなどの金属水素化物;ナトリウムメトキシド、カリウム−t−ブトキシドなどの金属アルコキシド類;ブチルリチウム、臭化エチルマグネシウムなどの有機金属類;リチウムジイソプロピルアミドなどの金属アミド類から選択して単独あるいは2種以上を混合して用いることができる。塩基の使用量は、対応するカルボン酸1モルに対し0.2〜10モル、特に0.5〜2.0モルとすることが好ましい。0.2モル未満の使用では大量のカルボン酸が無駄になるためコスト面で不利になる場合があり、10モルを超える使用では副反応の増加により収率が大幅に低下する場合がある。
本発明で用いるレジスト添加剤用の高分子化合物は、下記一般式(1a)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする。なお、以下では、一般式(1a)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物を高分子化合物(P1)と呼ぶことにする。
(式中、R1、R2、A及びk1は上記と同様である。)
(式中、R1は上記と同様である。R4a及びR4bは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基であり、R4aとR4bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜8の非芳香環を形成することもできる。R5aは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基又はフッ素化1価炭化水素基、又は酸不安定基を示し、1価炭化水素基の場合、構成する−CH2−が−O−又は−C(=O)−に置換されていてもよい。R6a、R6b、及びR6cは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基であり、R6aとR6b、R6aとR6c、R6bとR6cは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜8の非芳香環を形成することもできる。R7aは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基である。R7bは炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基であり、R7aとR7bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜8の非芳香環を形成することもできる。R8aは炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のフッ素化1価炭化水素基である。k2は0又は1を示す。)
(式中、RL01及びRL02は水素原子又は炭素数1〜18、好ましくは1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。RL03は炭素数1〜18、好ましくは炭素数1〜10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができる。RL04は炭素数4〜20、好ましくは炭素数4〜15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基又は上記一般式(L1)で示される基を示す。RL05は炭素数1〜10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。RL06は炭素数1〜10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基である。RL07〜RL16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の1価の非置換又は置換炭化水素基を示す。yは0〜6の整数である。mは0又は1、nは0〜3の整数であり、2m+n=2又は3である。なお、破線は結合手を示す。)
(式中、RL41はそれぞれ独立に炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の1価炭化水素基を示す。破線は結合位置及び結合方向を示す。)
(式中、R11は炭素数1〜15の1価炭化水素基又はフッ素化1価炭化水素基である。R12は密着性基である。R13は酸不安定基である。R14は単結合又は炭素数1〜15の2価の有機基である。R15及びR16は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。)
高分子化合物(P1)を合成する場合、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(以下、AIBNと略記)等の開始剤を用いるラジカル重合、アルキルリチウム等を用いるイオン重合(アニオン重合)等の一般的重合手法を用いることが可能であり、これらの重合はその常法に従って実施することができる。このうち、高分子化合物(P1)の合成はラジカル重合により製造を行うことが好ましい。この場合、重合条件は開始剤の種類と添加量、温度、圧力、濃度、溶媒、添加物等によって支配される。
一般式(1a)の単位に対応するモノマーの総モル数をU1、
一般式(2a)〜(2g)の単位に対応するモノマーの総モル数をU2、
一般式(3a)〜(3e)、(4a)〜(4e)、(5a)〜(5c)、(6a)〜(6c)の単位に対応するモノマーの総モル数をU3、
U1+U2+U3=U(=100モル%)
とした場合、
0<U1/U<1、より好ましくは0.1≦U1/U≦0.8、更に好ましくは0.1≦U1/U≦0.7、
0≦U2/U<1、より好ましくは0.1≦U2/U≦0.8、更に好ましくは0.2≦U2/U≦0.8、
0≦U3/U<1、より好ましくは0≦U3/U≦0.4、更に好ましくは0≦U3/U≦0.2
である。
(式中、R5a及びR13は前記と同様である。Xは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子である。)
本発明のレジスト材料では、高分子化合物(P1)を後述するベース樹脂(B)とブレンドして使用する。高分子化合物(P1)は複数個のフッ素原子を含むためポリマー全体が界面活性剤として機能し、スピンコートの際に高分子化合物(P1)はレジスト膜の上層に局在化する。その結果、レジスト表面の撥水性と滑水性が向上すると共に、レジスト材料中の水溶性化合物のリーチングを抑制することができる。また、上述の通り、高分子化合物(P1)はアルカリ加水分解を受け易い構造を含むため、現像後のレジスト膜表面の親水性を高めることが可能であり、その結果、ブロッブ欠陥の発生を抑えることができる。
(式中、R1Aは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。XAは酸不安定基を示す。XB、XCはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基等の2価の炭化水素基を示す。YAはラクトン構造を有する置換基を示す。ZAは水素原子、又は炭素数1〜15のフルオロアルキル基又は炭素数1〜15のフルオロアルコール含有置換基を示す。k1Aは1〜3の整数を示す。)
(式中、R405、R406、R407はそれぞれ独立に水素原子、又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基、特にアルキル基又はアルコキシ基を示す。R408はヘテロ原子を含んでもよい炭素数7〜30の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。)
次に、本発明のレジスト材料を用いたパターン形成方法について説明する。本発明におけるパターン形成方法では公知のリソグラフィー技術を用いることができるが、少なくとも基板上にレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線を露光する工程と、現像液を用いて現像する工程を含むことが好ましい。
[合成例1−1]モノマー1の合成
2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸メチル113g、トリエチルアミン75.9g、アセトニトリル250mlの溶液にメタクリル酸クロリド67.9g、アセトニトリル3.3gの混合物を20℃以下にて滴下した。室温にて5時間撹拌した後、氷冷下水20gを滴下して反応を停止した。通常の後処理操作を行い、減圧蒸留により目的物125gを得た(収率85%)。
沸点:63℃/1.6kPa。
IR(D−ATR):ν=1778、1759、1638、1458、1440、1261、1237、1123、1047、1002、953cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=1.94(3H,s)、3.93(3H,s)、6.06(1H,s)、6.26(1H,s)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−71.28(6F,s)ppm。
メタクリル酸クロリドの代わりにアクリル酸クロリドを使用した以外は[合成例1−1]と同様な方法でモノマー2を得た(収率87%)。
メタクリル酸クロリドの代わりにα−トリフルオロメチルアクリル酸クロリドを使用した以外は[合成例1−1]と同様な方法でモノマー3を得た(収率73%)。
イソブチルアルコール148g、2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸メチル226g、ベンゼン800ml、ナトリウムメトキシド5gの混合物を、反応により生じたメタノールを徐々に留去しながら10時間加熱還流した。冷却後、氷冷下5質量%塩酸200gを滴下して反応を停止した。通常の後処理操作を行い、常圧蒸留により目的物171gを得た(収率64%)。
沸点:150℃/常圧。
IR(D−ATR):ν=3469、2973、2883、1755、1473、1401、1382、1328、1240、1163、1012、979、939cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=0.89(6H,d)、1.95(1H,sept)、4.14(2H,d)、9.11(1H,s)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−71.28(6F,s)ppm。
2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸メチルの代わりにアルコール1を使用した以外は[合成例1−1]と同様な方法でモノマー4を得た(収率83%)。
沸点:75−76℃/600Pa。
IR(D−ATR):ν=2969、2937、2881、1774、1759、1638、1472、1439、1398、1381、1259、1235、1123、1041、999、952cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=0.86(6H,d)、1.92(1H,sept)、1.93(3H,s)、4.14(2H,d)、6.06(1H,s)、6.26(1H,s)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−71.23(6F,s)ppm。
イソブチルアルコールの代わりにイソアミルアルコールを使用した以外は[合成例1−4−1]と同様な方法でアルコール2を得た(収率82%)。
沸点:115−116℃/19kPa。
IR(D−ATR):ν=3466、2965、2877、1752、1467、1372、1390、1324、1220、1157、1010、977、929cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=0.87(6H,d)、1.52(2H,q)、1.64(1H,sept)、4.36(2H,t)、9.10(1H,s)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−75.06(6F,s)ppm。
2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸メチルの代わりにアルコール2を使用した以外は[合成例1−1]と同様な方法でモノマー5を得た(収率84%)。
沸点:67−68℃/253Pa。
IR(D−ATR):ν=2963、2875、1773、1757、1638、1464、1389、1256、1230、1167、1118、1036、995、951cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=0.86(6H,d)、1.49(1H,q)、1.59(1H,sept)、1.93(3H,s)、4.36(2H,t)、6.06(1H,s)、6.25(1H,s)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−71.23(6F,s)ppm。
2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンタノール100g、2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸メチル487gをベンゼン50gに溶解し、共沸脱水を行った。室温に冷却後、カリウム−t−ブトキシド9.0gを加え、反応により生じたメタノールを徐々に留去しながら30時間加熱還流した。冷却後、5質量%塩酸60g、水440gを室温以下で滴下して反応を停止した。通常の後処理操作を行い、減圧蒸留により目的物104gを得た(収率58%)。
沸点:133℃/20kPa。
IR(D−ATR):ν=3511、1778、1402、1362、1326、1233、1164、1135、1086、1054、1030、979、960、902、864、804、749、749、668-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=5.20(2H,t)、7.05(1H,tt)、9.58(1H,s)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−139.96(1F)、−139.87(1F)、−131.06(2F)、−126.02(2F)、−120.46(2F)、−75.20(6F)ppm。
GC−MS(CI:Methane):(m/z)+=69、95、113、145、167、193、213、233、259、287、309、341、359、379、407、427(M+H)+、467、489。
2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸メチルの代わりにアルコール3を使用した以外は[合成例1−1]と同様な方法でモノマー6を得た(収率79%)。
沸点:78℃/270Pa。
IR(D−ATR):ν=1791、1759、1457、1443、1405、1385、1259、1240、1175、1123、1086、1066、1008、993、971、957、904、852、805、748、731、703、656cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=1.93(3H,s)、5.22(2H,t)、6.09(1H,m)、6.27(1H,m)、7.00(1H,tt)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−140.00(1F)、−139.91(1F)、−131.08(2F)、−125.94(2F)、−120.42(2F)、−71.66(6F)ppm。
GC−MS(CI:Methane):(m/z)+=69、89、109、145、175、213、233、263、299、328、349、371、391、427、451、475、495(M+H)+、522、545。
メタクリル酸クロリドの代わりにメタクリロイルオキシ酢酸クロリドを使用した以外は[合成例1−1]と同様な方法でモノマー7を得た(収率87%)。
沸点:68−69℃/13Pa。
IR(D−ATR):ν=1809、1777、1733、1639、1455、1440、1420、1387、1263、1239、1170、1121、1048、1004、949cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=1.90(3H,s)、3.91(3H,s)、5.12(2H,s)、5.81(1H,d様)、6.13(1H,d様)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−71.44(6F,d様)ppm。
メタクリル酸クロリドの代わりにメタクリロイルオキシ酢酸クロリドを、2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸メチルの代わりにアルコール1を使用した以外は[合成例1−1]と同様な方法でモノマー8を得た(収率86%)。
メタクリル酸クロリドの代わりにメタクリロイルオキシ酢酸クロリドを、2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸メチルの代わりにアルコール2を使用した以外は[合成例1−1]と同様な方法でモノマー9を得た(収率84%)。
沸点:78−79℃/20Pa。
IR(D−ATR):ν=2964、2935、2875、1813、1773、1737、1639、1466、1419、1387、1261、1236、1170、1122、1046、999、946cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=0.88(6H,d)、1.51(2H,q)、1.61(1H,sept)、4.36(2H,t)、5.81(1H,s)、6.12(1H,s)ppm。
メタクリル酸クロリドの代わりにメタクリロイルオキシ酢酸クロリドを、2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸メチルの代わりにアルコール3を使用した以外は[合成例1−1]と同様な方法でモノマー10を得た(収率77%)。
沸点:78℃/9Pa
IR(D−ATR):ν=1792、1737、1639、1455、1420、1405、1388、1256、1242、1174、1124、1064、1011、973、954、903、812、759、748、692、653cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=1.90(3H,s)、5.13(2H,s)、5.24(2H,t)、5.81(1H,m)、6.13(1H,m)、7.05(1H,tt)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−139.96(1F)、−139.87(1F)、−131.03(2F)、−125.94(2F)、−120.42(2F)、−71.46(6F)ppm。
2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンタノールの代わりに3,3,4,4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキサノールを使用した以外は[合成例1−6−1]と同様な方法でアルコール4を得た(収率79%)。
沸点:133−134℃/19.4kPa。
IR(D−ATR):ν=3481、1763、1470、1429、1328、1225、1164、1135、1076、1019、980cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=2.72(2H,dt)、4.63(2H,t)、9.18(1H,s)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−127.22(2F)、−125.75(2F)、−114.84(2F)、−82.27(3F)、−75.38(6F)ppm。
メタクリル酸クロリドの代わりにメタクリロイルオキシ酢酸クロリドを、2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸メチルの代わりにアルコール4を、トリエチルアミンの代わりにピリジンを使用した以外は[合成例1−1]と同様な方法でモノマー11を得た(収率81%)。
沸点:80−81℃/16Pa
IR(D−ATR):ν=1780、1734、1639、1456、1421、1386、1236、1172、1134、1053、1004、950、879cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=1.90(3H,s)、2.74(2H,dt)、4.61(2H,t)、5.09(2H,s)、5.80(1H,s)、6.11(1H,s)ppm。
19F−NMR(565MHz in DMSO−d6 トリフルオロ酢酸標準):δ=−127.22(2F)、−125.74(2F)、−114.82(2F)、−82.15(3F)、−71.60(6F)ppm。
[合成例2−1]ポリマー1の合成
窒素雰囲気下のフラスコに9.63gのモノマー7、5.37gのメタクリル酸4,4,4−トリフルオロ−3−ヒドロキシ−2−メチル−3−トリフルオロメチルブタン−2−イル、0.53gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、15.0gのメチルエチルケトンを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに7.50gのメチルエチルケトンを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま2時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。重合液をナスフラスコに移し、エバポレーターにより濃縮した。次いで、フラスコ中にトルエンを添加し、最終的にトルエン/メチルエチルケトン(混合比9/1)の40質量%溶液となるように調整後、150gのヘキサン中に滴下した。析出した共重合体を濾別後、90gのヘキサンで洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥して、下記式ポリマー1で示される白色粉末固体状の高分子化合物が得られた。収量は12.7g、収率は80%であった。
各単量体の種類、配合比を変えた以外は、上記[合成例2−1]と同様の手順により、表1に示した高分子化合物を製造した。表1中、各単位の構造を表2に示す。なお、導入比はモル比である。
下記レジストポリマーを5g、上記ポリマー1〜20を0.25g、PAG1を0.25g、Quencher1を0.05g用い、これらを75gのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解させ、0.2μmサイズのポリプロピレンフィルターで濾過し、レジスト溶液を作製した。また、比較例1−4として、上記ポリマー1〜20を添加しないレジスト溶液も調製した。
表3において、転落角が低いほどレジスト膜上の水は流動し易く、後退接触角が高いほど高速スキャン露光でも液滴が残りにくい。本発明の高分子化合物を配合したレジスト溶液から形成されたレジスト膜は、配合しないレジスト膜と比較して後退接触角を飛躍的に向上させることができ、かつ転落角は悪化させないことが確認できた。
表3から明らかなように、本発明による高分子化合物を配合したレジスト溶液から形成されたレジスト膜では、レジスト膜から水への光酸発生剤成分の溶出を抑制する効果が認められた。
表3の結果から、露光後に純水リンスを行った場合、本発明の高分子化合物を配合しないレジスト溶液ではパターン形状がT−トップ形状になった。これに対し、本発明の高分子化合物を配合したレジスト溶液を使った場合は矩形形状になることがわかった。
上記パターニング実験で用いたレジスト溶液を0.02μmサイズの高密度ポリエチレンフィルターで精密濾過した。8インチのSi基板上に作製した反射防止膜ARC−29A(日産化学工業(株)製、膜厚:87nm)の上にレジスト溶液を塗布し、120℃で60秒間ベークして膜厚150nmのレジスト膜を作製した。ArFスキャナーS307E((株)ニコン製、NA:0.85、σ:0.93、Crマスク)でウエハー全面を20mm角の面積でオープンフレームの露光部と未露光部を交互に露光するチェッカーフラッグ露光を行った後、ポスト・エクスポジュアー・ベーク(PEB)を行い、2.38質量%のTMAH水溶液で60秒間現像を行った。チェッカーフラッグ未露光部分のブロッブ欠陥数を欠陥検査装置WinWin−50−1200((株)東京精密製)を用いてピクセルサイズ0.125μmで計測した。その結果を表4に示す。
Claims (15)
- (A)下記一般式(1a)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(B)ベース樹脂として、ラクトン環由来の骨格及び/又は水酸基を有する骨格及び/又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(C)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(D)有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト材料。
(式中、R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R2はハロゲン原子又は酸素原子を有していてもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。Aは炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を示す。k1は0〜2の整数である。) - (A)請求項2に記載の一般式(1a)で表される繰り返し単位に加えて、下記一般式(2a)〜(2g)で表される繰り返し単位のうちの1つ又は2つ以上を有する高分子化合物、(B)ベース樹脂として、ラクトン環由来の骨格及び/又は水酸基を有する骨格及び/又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(C)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(D)有機溶剤を含有することを特徴とする請求項3に記載のレジスト材料。
(式中、R1は上記と同様である。R4a及びR4bは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基であり、R4aとR4bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜8の非芳香環を形成することもできる。R5aは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基又はフッ素化1価炭化水素基、又は酸不安定基を示し、1価炭化水素基の場合、構成する−CH2−が−O−又は−C(=O)−に置換されていてもよい。R6a、R6b、及びR6cは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基であり、R6aとR6b、R6aとR6c、R6bとR6cは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜8の非芳香環を形成することもできる。R7aは水素原子、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基である。R7bは炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基であり、R7aとR7bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜8の非芳香環を形成することもできる。R8aは炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のフッ素化1価炭化水素基である。k2は0又は1を示す。) - (B)成分の高分子化合物が、(メタ)アクリル酸エステル重合体、(α−トリフルオロメチル)アクリル酸エステル−無水マレイン酸共重合体、シクロオレフィン−無水マレイン酸共重合体、ポリノルボルネン、シクロオレフィンの開環メタセシス反応により得られる高分子化合物、シクロオレフィンの開環メタセシス反応により得られる重合体を水素添加して得られる高分子化合物、ヒドロキシスチレンと(メタ)アクリル酸エステル誘導体、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、ヒドロキシビニルナフタレン、ヒドロキシビニルアントラセン、インデン、ヒドロキシインデン、アセナフチレン、ノルボルナジエン類を共重合した高分子化合物、ノボラックの中から選択されることを特徴とする請求項3又は4に記載のレジスト材料。
- 高分子化合物(B)100質量部に対して、一般式(1a)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物(A)の添加量が0.1〜50質量部であることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載のレジスト材料。
- 更に、(E)塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項3乃至7のいずれか1項に記載のレジスト材料。
- 更に、(F)溶解制御剤を含有することを特徴とする請求項3乃至8のいずれか1項に記載のレジスト材料。
- (1)請求項3乃至9のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、(2)加熱処理後、フォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、(3)現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- (1)請求項3乃至9のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、(2)加熱処理後、投影レンズとウエハーの間に液体を挿入させ、フォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、(3)現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- (1)請求項3乃至9のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、(2)フォトレジスト膜の上に保護膜層を形成する工程と、(3)加熱処理後、投影レンズとウエハーの間に液体を挿入させ、フォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、(4)現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 前記露光工程において、投影レンズと基板の間に挿入する液体が水であることを特徴とする請求項11又は12に記載のパターン形成方法。
- 露光光源として波長180〜250nmの範囲の高エネルギー線を用いることを特徴とする請求項10乃至13のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- (1)請求項3乃至9のいずれか1項に記載のレジスト材料をマスクブランクス上に塗布する工程と、(2)加熱処理後、真空中電子ビームで露光する工程と、(3)現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009290054A JP5131488B2 (ja) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | 含フッ素単量体及び含フッ素高分子化合物 |
US12/952,304 US8945809B2 (en) | 2009-12-22 | 2010-11-23 | Fluorinated monomer, fluorinated polymer, resist composition, and patterning process |
TW099140550A TWI503310B (zh) | 2009-12-22 | 2010-11-24 | 含氟單體、含氟高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法 |
KR1020100128549A KR101687030B1 (ko) | 2009-12-22 | 2010-12-15 | 불소 함유 단량체, 불소 함유 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009290054A JP5131488B2 (ja) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | 含フッ素単量体及び含フッ素高分子化合物 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012200089A Division JP5403128B2 (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011132273A true JP2011132273A (ja) | 2011-07-07 |
JP5131488B2 JP5131488B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=44151601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009290054A Active JP5131488B2 (ja) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | 含フッ素単量体及び含フッ素高分子化合物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8945809B2 (ja) |
JP (1) | JP5131488B2 (ja) |
KR (1) | KR101687030B1 (ja) |
TW (1) | TWI503310B (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012108495A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-06-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2012141614A (ja) * | 2010-12-30 | 2012-07-26 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 塩基反応性成分を含む組成物およびフォトリソグラフィのための方法 |
JP2013041265A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2013047734A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP2013166919A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 重合性化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2013231163A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-11-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2014219661A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-11-20 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法、レジスト組成物、高分子化合物及び単量体 |
JP5713011B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2015-05-07 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 |
JP2015106089A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物 |
US9086628B2 (en) | 2011-10-04 | 2015-07-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist protective film-forming composition and patterning process |
US9235117B2 (en) | 2012-05-23 | 2016-01-12 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device, and electronic device |
KR20160058060A (ko) | 2014-11-14 | 2016-05-24 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 화합물, 수지, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
KR20160063275A (ko) | 2014-11-26 | 2016-06-03 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 비이온성 화합물, 수지, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
KR20160063276A (ko) | 2014-11-26 | 2016-06-03 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
JP2016126309A (ja) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | Jsr株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 |
KR20160133383A (ko) * | 2015-05-12 | 2016-11-22 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 염, 산 발생제, 수지, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
WO2020066657A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 高分子化合物、液晶組成物、位相差層、光学フィルム、偏光板、および、画像表示装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5170456B2 (ja) * | 2009-04-16 | 2013-03-27 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
TWI457318B (zh) * | 2010-10-05 | 2014-10-21 | Shinetsu Chemical Co | 含氟酯單體及其製造方法、與含氟酯高分子化合物 |
JP6319059B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2018-05-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002169296A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-06-14 | Hynix Semiconductor Inc | フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 |
JP2004101934A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2009192784A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト材料、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法 |
WO2009142182A1 (ja) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及びフォトレジスト膜 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09246173A (ja) | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Canon Sales Co Inc | 塗布方法 |
JP2000336121A (ja) | 1998-11-02 | 2000-12-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
KR100441734B1 (ko) | 1998-11-02 | 2004-08-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 신규한 에스테르 화합물, 고분자 화합물, 레지스트 재료및 패턴 형성 방법 |
ATE438605T1 (de) | 2003-10-31 | 2009-08-15 | Asahi Glass Co Ltd | Fluorverbindung, flourpolymer und verfahren zur herstellung davon |
SE0400084L (sv) | 2004-01-16 | 2005-07-17 | First Aid Card Entpr Ab | Apparatus and method for storing and distributing informaton in an emergency situtation |
JP5301070B2 (ja) | 2004-02-16 | 2013-09-25 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法 |
JP4507891B2 (ja) | 2004-02-20 | 2010-07-21 | ダイキン工業株式会社 | 液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体 |
WO2005081063A1 (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Daikin Industries, Ltd. | 液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体 |
JP4355944B2 (ja) | 2004-04-16 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びこれに用いるレジスト上層膜材料 |
KR100887202B1 (ko) | 2004-04-27 | 2009-03-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 액침 노광 프로세스용 레지스트 보호막 형성용 재료, 및 이보호막을 이용한 레지스트 패턴 형성 방법 |
JP4740666B2 (ja) | 2004-07-07 | 2011-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
TWI368825B (en) | 2004-07-07 | 2012-07-21 | Fujifilm Corp | Positive type resist composition for use in liquid immersion exposure and a method of forming the pattern using the same |
EP1720072B1 (en) | 2005-05-01 | 2019-06-05 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Compositons and processes for immersion lithography |
JP4861767B2 (ja) * | 2005-07-26 | 2012-01-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP4684139B2 (ja) | 2005-10-17 | 2011-05-18 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
JP4717640B2 (ja) | 2005-12-12 | 2011-07-06 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP4548616B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2010-09-22 | 信越化学工業株式会社 | 熱酸発生剤及びこれを含むレジスト下層膜材料、並びにこのレジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法 |
KR101116963B1 (ko) | 2006-10-04 | 2012-03-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
JP4858714B2 (ja) | 2006-10-04 | 2012-01-18 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
KR101242332B1 (ko) | 2006-10-17 | 2013-03-12 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
JP4849267B2 (ja) | 2006-10-17 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
TWI403846B (zh) * | 2008-02-22 | 2013-08-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 正型光阻組成物,光阻圖型之形成方法及高分子化合物 |
JP4569786B2 (ja) * | 2008-05-01 | 2010-10-27 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4650644B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2011-03-16 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
-
2009
- 2009-12-22 JP JP2009290054A patent/JP5131488B2/ja active Active
-
2010
- 2010-11-23 US US12/952,304 patent/US8945809B2/en active Active
- 2010-11-24 TW TW099140550A patent/TWI503310B/zh active
- 2010-12-15 KR KR1020100128549A patent/KR101687030B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002169296A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-06-14 | Hynix Semiconductor Inc | フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 |
JP2004101934A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2009192784A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト材料、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法 |
WO2009142182A1 (ja) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及びフォトレジスト膜 |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9261780B2 (en) | 2010-05-20 | 2016-02-16 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, and polymer and compound |
US9040221B2 (en) | 2010-05-20 | 2015-05-26 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, and polymer and compound |
JP5713011B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2015-05-07 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 |
JP2012108495A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-06-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2012141614A (ja) * | 2010-12-30 | 2012-07-26 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 塩基反応性成分を含む組成物およびフォトリソグラフィのための方法 |
JP2013041265A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2013047734A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
US9086628B2 (en) | 2011-10-04 | 2015-07-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist protective film-forming composition and patterning process |
JP2013166919A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 重合性化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2013231163A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-11-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US9235117B2 (en) | 2012-05-23 | 2016-01-12 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device, and electronic device |
JP2014219661A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-11-20 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法、レジスト組成物、高分子化合物及び単量体 |
JP2015106089A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物 |
US9971241B2 (en) | 2014-11-14 | 2018-05-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Compound, resin, resist composition and method for producing resist pattern |
KR20160058060A (ko) | 2014-11-14 | 2016-05-24 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 화합물, 수지, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
KR102447898B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2022-09-27 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 화합물, 수지, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
JP2016104856A (ja) * | 2014-11-14 | 2016-06-09 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
KR20160063275A (ko) | 2014-11-26 | 2016-06-03 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 비이온성 화합물, 수지, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
US9563125B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-02-07 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition and method for producing resist pattern |
US10073343B2 (en) | 2014-11-26 | 2018-09-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Non-ionic compound, resin, resist composition and method for producing resist pattern |
KR20160063276A (ko) | 2014-11-26 | 2016-06-03 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
JP2016126309A (ja) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | Jsr株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 |
KR20160133383A (ko) * | 2015-05-12 | 2016-11-22 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 염, 산 발생제, 수지, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
KR102658379B1 (ko) | 2015-05-12 | 2024-04-18 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 염, 산 발생제, 수지, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
WO2020066657A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 高分子化合物、液晶組成物、位相差層、光学フィルム、偏光板、および、画像表示装置 |
CN112752773A (zh) * | 2018-09-25 | 2021-05-04 | 富士胶片株式会社 | 高分子化合物、液晶组合物、相位差层、光学膜、偏振片及图像显示装置 |
JPWO2020066657A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2021-08-30 | 富士フイルム株式会社 | 高分子化合物、液晶組成物、位相差層、光学フィルム、偏光板、および、画像表示装置 |
JP7128899B2 (ja) | 2018-09-25 | 2022-08-31 | 富士フイルム株式会社 | 高分子化合物、液晶組成物、位相差層、光学フィルム、偏光板、および、画像表示装置 |
CN112752773B (zh) * | 2018-09-25 | 2022-09-09 | 富士胶片株式会社 | 高分子化合物、液晶组合物、相位差层、光学膜、偏振片及图像显示装置 |
US11820930B2 (en) | 2018-09-25 | 2023-11-21 | Fujifilm Corporation | Polymer compound, liquid crystal composition, phase difference layer, optical film, polarizing plate, and image display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101687030B1 (ko) | 2016-12-15 |
US20110151381A1 (en) | 2011-06-23 |
JP5131488B2 (ja) | 2013-01-30 |
TW201139364A (en) | 2011-11-16 |
KR20110073281A (ko) | 2011-06-29 |
US8945809B2 (en) | 2015-02-03 |
TWI503310B (zh) | 2015-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5131488B2 (ja) | 含フッ素単量体及び含フッ素高分子化合物 | |
JP5170456B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP5375811B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 | |
JP4748331B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP4666190B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP5282781B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP5387605B2 (ja) | 含フッ素単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP4858714B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 | |
JP4614092B2 (ja) | フッ素アルコール化合物の製造方法 | |
KR101438844B1 (ko) | 환상 아세탈 구조를 갖는 불소 함유 단량체, 고분자 화합물, 레지스트 보호막 재료, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 | |
JP5510176B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2009029974A (ja) | 含フッ素単量体、含フッ素高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2008088343A (ja) | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 | |
JP4753056B2 (ja) | アセタール化合物、その製造方法、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2009269845A (ja) | カルボキシル基を有するラクトン化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
KR101265352B1 (ko) | 에스테르 화합물과 그의 제조 방법, 고분자 화합물,레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 | |
JP5403128B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP4998724B2 (ja) | エステル化合物とその製造方法、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120418 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120613 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120801 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121010 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121023 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5131488 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |