JP2011129860A - 基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】第3金属層の採用により、加熱によって、キャリア部材を分離し、これにより、キャリア部材分離の際、基板のサイズを変更しなくて基板と製造設備の間に互換性を維持する基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法を提供する。
【解決手段】一面に第1金属層110が積層され、他面に第2金属層130が積層された二つの絶縁層120、及び二つの絶縁層120にそれぞれ積層された二つの第1金属層110を互いに結合させるために、二つの第1金属層110の間に形成され、第1金属層110より低い融点を持つ第3金属層140を含む。
【選択図】図2

Description

本発明は、基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法に関する。
通常、プリント基板は、種々の熱硬化性合成樹脂でなったボードの片面または両面に銅箔で配線を形成し、ボード上にIC(integrated circuit)または電子部品を配置、固定し、これらの間の電気的配線を具現した後、絶縁体でコートしてなるものである。
近年、電子産業の発達につれて、電子部品の高機能化、軽薄短小化に対する要求が急増している。これに応じて、このような電子部品が搭載されるプリント基板も高密度配線化及び薄板化が要求されている。
特に、プリント基板の薄板化に対応するために、コア基板を除去して全体的な厚さを減らし、信号処理時間を縮めることができるコアレス基板が注目されている。ところが、コアレス基板の場合、コア基板を使用しないため、製造工程中に支持体の役目をすることができるキャリア部材が必要である。以下、図面に基づいて従来技術によるコアレス基板の製造工程を詳細に説明する。
図1A〜図1Eは、従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図で、これを参照して従来技術の問題点を説明する。
まず、図1Aに示すように、キャリア部材10を準備する段階である。キャリア部材10は、銅張積層板11(CCL)を中心として両面に接着フィルム12、第1金属層13、第2金属層14の順に積層することで形成する。この際、プレスで加熱及び加圧することにより、接着フィルム12の周縁部は、銅張積層板11と第2金属層14を互いに接合させる。一方、銅張積層板11と第2金属層14を安定に接合させるために10mm以上の接触面を持たなければならなく、第1金属層13と第2金属層14は、真空で吸着される。
ついで、図1Bに示すように、キャリア部材10の両面にビルドアップ層15を形成する段階である。ここで、ビルドアップ層15は、一般的な方式で形成され、最外層には、ビルドアップ層15の歪みを防止するための別の第3金属層16を積層する。
ついで、図1Cに示すように、ビルドアップ層15をキャリア部材10から分離する段階である。ここで、銅張積層板11と第2金属層14に接合した接着フィルム12の周縁部を、ルータ工程で除去してキャリア部材10からビルドアップ層15を分離する。
ついで、図1Dに示すように、ビルドアップ層15の最外層に形成された第2金属層14と第3金属層16をエッチングで除去する。
ついで、図1Eに示すように、ビルドアップ層15の最外側絶縁層に、パッド19を露出させる開口部17を加工し、パッド19上にソルダボール18を形成する。
前述した従来の基板の製造方法の場合、最後にキャリア部材10とビルドアップ層15は、分離しなければならない。この分離過程において、キャリア部材10は、ルーティング工程によって両端が除去されるので、サイズが縮小して再使用しにくい。よって、プリント基板を製造する都度付加のキャリア部材10を準備しなければならなく、それにより、総製造単価が高くなる問題点があった。また、製造段階でルーティング工程によって、基板のサイズが変更されるので、基板と製造設備間の互換性を維持しにくい問題点があった。
また、ビルドアップ層15は、実質的に接着フィルム12の周縁部の接着力だけでキャリア部材10に固定されるものであるため、接着力が弱くて、キャリア部材10を利用した製造工程中に、ビルドアップ層15が偶然に分離してしまうという問題点があった。
したがって、本発明は、前記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、融点が相対的に低い金属層を採用してルーティング工程をなくし、加熱によって、キャリア部材を分離することができ、キャリア部材を最後に生成されるプリント基板の絶縁層と回路層として活用することができる基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法を提供することにある。
前記課題を解決するために、本発明の一面によれば、一面に第1金属層が積層され、他面に第2金属層が積層された二つの絶縁層;及び二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層を互いに結合させるために二つの前記第1金属層の間に形成され、前記第1金属層より低い融点を持つ第3金属層;を含む、基板製造用キャリア部材が提供される。
前記第3金属層は、スズまたはスズ合金で形成することが好ましい。
前記第3金属層は、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することが好ましい。
前記第1金属層は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。
前記絶縁層は、プリプレグまたはABF(Ajinomoto Buildup Film)で形成することが好ましい。
前記第1金属層と前記第3金属層との間には、金属間化合物が形成されることが好ましい。
前記課題を解決するために、本発明の他面によれば、(A)一面に第1金属層が積層され、他面に第2金属層が積層された絶縁層を二つ準備する段階;(B)二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層を互いに結合させるために、二つの前記第1金属層の間に、前記第1金属層より低い融点を持つ第3金属層形成してキャリア部材を提供する段階;(C)前記第2金属層の露出面にビルドアップ層を形成する段階;及び(D)前記第3金属層の融点以上に前記第3金属層を加熱して前記キャリア部材を分離する段階;を含む、基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法が提供される。
前記(B)段階において、前記第3金属層は、スズまたはスズ合金で形成することが好ましい。
前記(B)段階において、前記第3金属層は、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することが好ましい。
前記(D)段階の後に、前記第1金属層に残存する前記第3金属層を除去する段階をさらに含むことが好ましい。
前記(D)段階の後に、前記第1金属層をパターニングして第1回路パターンを形成する段階をさらに含むことが好ましい。
前記(D)段階の後に、前記第1金属層を除去した後、メッキ工程で第1回路パターンを形成する段階をさらに含むことが好ましい。
前記(B)段階の後に、前記第2金属層をパターニングして第2回路パターンを形成する段階をさらに含むことが好ましい。
前記(B)段階は、(B1)二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層に前記第3金属層をそれぞれメッキする段階;及び(B2)二つの前記第1金属層にそれぞれメッキした前記第3金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階;を含むことが好ましい。
前記(B)段階は、(B1)二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層のいずれか一つの前記第1金属層に前記第3金属層をメッキする段階;及び(B2)前記第1金属層にメッキした前記第3金属層と異なる第1金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階;を含むことが好ましい。
前記(B)段階は、(B1)二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層にホイル形態の前記第3金属層を加熱及び加圧してそれぞれ結合させる段階;及び(B2)二つの前記第1金属層にそれぞれ結合した前記第3金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階;を含むことが好ましい。
前記(B)段階は、(B1)二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層のいずれか一つの前記第1金属層にホイル形態の前記第3金属層を加熱及び加圧して結合させる段階;及び(B2)前記第1金属層に結合した前記第3金属層と異なる第1金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階;を含むことが好ましい。
前記(A)段階において、前記第1金属層は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。
前記(A)段階において、前記絶縁層は、プリプレグまたはABF(Ajinomoto Buildup Film)で形成することが好ましい。
前記(B)段階において、前記第1金属層と前記第3金属層の間に、金属間化合物が形成されることが好ましい。
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以降の詳細な説明からより明らかになるであろう。
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は、通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
本発明によれば、加熱によって、キャリア部材を分離することができるので、ルーティング工程が必要なく、これにより、キャリア部材分離の際、基板のサイズが変更しないので基板と製造設備の間に互換性を維持することができる利点がある。
また、本発明によれば、キャリア部材の構成要素を最後に生成されるプリント基板の最外側絶縁層と回路パターンとして活用することにより、プリント基板の製造費用を節減することができる効果がある。
従来のキャリア部材を利用して基板を製造する方式を工程順に示す図(1)である。 従来のキャリア部材を利用して基板を製造する方式を工程順に示す図(2)である。 従来のキャリア部材を利用して基板を製造する方式を工程順に示す図(3)である。 従来のキャリア部材を利用して基板を製造する方式を工程順に示す図(4)である。 従来のキャリア部材を利用して基板を製造する方式を工程順に示す図(5)である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材の断面図である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図(1)である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図(2)である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図(3)である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図(4)である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図(5)である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図(6)である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図(7)である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図(8)である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図(9)である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図(10)である。
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例から一層明らかに理解可能であろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるにあたり、同じ構成要素がたとえ他の図面に図示されていても、できるだけ同じ符号を付けることにする。また、“一面”、“他面”、“第1”、“第2”、“第3”などの用語はある構成要素を他の構成要素と区別するために使用したもので、構成要素が前記用語に制限されるものではない。本発明の説明において、本発明の要旨を不要にあいまいにすることができる関連の公知技術についての具体的な説明は省略する。
以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
図2は、本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材の断面図である。
図2に示すように、本実施例による基板製造用キャリア部材100は、一面に第1金属層110が積層され、他面に第2金属層130が積層された二つの絶縁層120、及び二つの絶縁層120にそれぞれ積層された二つの第1金属層110を互いに結合させるために二つの第1金属層110の間に形成され、第1金属層110より低い融点を持つ第3金属層140を含む構成である。
前記第1金属層110は、キャリア部材100の支持体の役目をするので、歪み防止のために、所定強度以上の支持力を保有しなければならなく、キャリア部材100が分離されるときに溶融される第3金属層140より高い融点を持たなければならない。前述した支持力及び融点を考慮すると、第1金属層110は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。
参考として、第3金属層140を形成するスズ、カドミウム、鉛、ビズマスまたは亜鉛などの金属は、融点が約232℃〜約419℃(スズ−約232℃、カドミウム−約320.9℃、鉛−約327℃、ビズマス−約271.3℃、亜鉛−約419℃)であるが、第1金属層110を形成する銅、ニッケルまたはアルミニウムの融点は、約660℃〜約1455℃(銅−約1083℃、ニッケル−約1455℃、アルミニウム−約660℃)である。
よって、キャリア部材100を分離するとき、所定温度(例えば、419℃以上ないし660℃未満の温度)に加熱すれば、第1金属層110は、相変化なしに第3金属層140だけ選択的に溶融させることができる。
一方、第1金属層110は、第1回路パターン115(図8A参照)にパターニングされることができるので、銅、ニッケルまたはアルミニウムの中で銅を選択して第1金属層110を形成することがより好ましい。
前記第2金属層130は、第1金属層110と同様にキャリア部材100の支持体の役目をするので、所定強度以上の支持力を保有しなければならなく、基板の第2回路パターン135(図5参照)にパターニングされることができる。よって、第2金属層130は、銅で形成することが好ましい。
前記絶縁層120は、両面に第1金属層110及び第2金属層130がそれぞれ積層され、二つが第3金属層140によって互いに結合される。
ここで、絶縁層120の材料は、特に限定されるものではないが、キャリア部材100が分離された後、基板の絶縁層120(図10参照)として活用できるので、プリプレグを採用してプリント基板をより薄く製作するか、あるいはABF(Ajinomoto Buildup Film)を採用して微細回路を具現することが好ましい。その外にも、絶縁層120として銅張積層板(Copper Clad Laminate;CCL)を利用することができる。この場合、銅張積層板の両面に積層された銅箔は、それぞれ第1金属層110及び第2金属層130となり、機械的な強度を補強するために、絶縁層120は、樹脂(resin)に紙(paper)、ガラス纎維(glass Cloth)及びガラス不織布などの補強基材を添加して形成することができる。
前記第3金属層140は、第1金属層110を互いに結合させることにより、全体としては、キャリア部材100の結合を維持する役目をする。ここで、第3金属層140は、スズまたはスズ合金で形成するか、あるいはスズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することができる。
また、第3金属層140は、第1金属層110にメッキ工程で形成するか、あるいはホイル形態に形成し、加熱及び加圧工程で第1金属層110に結合させることができる。
この際、第3金属層140は、第1金属層110と反応して金属間化合物145(intermetallic compound)を生成させることができる。
例えば、第1金属層110が銅で形成され、第3金属層140がスズで形成された場合、第1金属層110と第3金属層140の間にはCuSn、CuSnなどの金属間化合物145が生成される。
ただ、一定温度で、キャリア部材100が分離されるように、すべての第3金属層140が金属間化合物145に変換されてはいけなく、融点が一定した純粋な第3金属層140が残存しなければならない。
前述したように、スズの融点は約232℃であるので、本実施例において、第3金属層140をスズで形成した場合、基板製造用キャリア部材100を232℃以上の温度に加熱して分離することができる。よって、従来技術とは異なり、ルーティング工程を省略することができ、基板の製造工程中に通常到逹することになる約200℃では、キャリア部材100の結合を安定に維持することができる利点がある。
図3A〜図10は、本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図である。
図3A〜図10に示すように、本実施例による基板製造用キャリア部材100を利用した基板の製造方法は、(A)一面に第1金属層110が積層され、他面に第2金属層130が積層された二つの絶縁層120を準備する段階、(B)二つの絶縁層120にそれぞれ積層された二つの第1金属層110を互いに結合させるために二つの第1金属層110の間に第1金属層110より低い融点を持つ第3金属層140を形成してキャリア部材100を提供する段階、(C)第2金属層130の露出面にビルドアップ層150を形成する段階、及び(D)第3金属層140の融点以上に第3金属層140を加熱してキャリア部材100を分離する段階を含む構成である。
また、(B)段階の後に、第2金属層130をパターニングして第2回路パターン135を形成する段階、及び(D)段階の後に、絶縁層120の一面に第1回路パターン115を形成する段階を含むことが好ましい。
まず、図3A〜図4に示すように、一面に第1金属層110が積層され、他面に第2金属層130が積層された絶縁層120を二つ準備し、第3金属層140で互いに結合させる段階である。
ここで、第1金属層110は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することができ、絶縁層120は、プリプレグまたはABF(Ajinomoto Buildup Film)で形成することができる。また、絶縁層120として銅張積層板(CCL)を利用することができる。
この場合、銅張積層板の両面に積層された銅箔は、それぞれ第1金属層110と第2金属層130となるのはいうまでもない。そして、第3金属層140は、スズまたはスズ合金で形成するか、あるいはスズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することができる。
一方、第3金属層140で第1金属層110を互いに結合させる過程は、4工程で実施することが好ましい。
第一、二つの絶縁層120にそれぞれ積層された二つの第1金属層110に、第3金属層140をそれぞれメッキした後(図3A参照)、それぞれの第3金属層140の露出面を互いに接触させてプレスで加熱及び加圧することにより、第1金属層110の間に、第3金属層140を形成させることができる(図4参照)。
第二、二つの絶縁層120にそれぞれ積層された二つの第1金属層110に、ホイル形態の第3金属層140をプレスで加熱及び加圧してそれぞれ結合させた後(図3A参照)、それぞれの第3金属層140の露出面を互いに接触させてプレスで加熱及び加圧することにより、第1金属層110の間に、第3金属層140を形成させることができる(図4参照)。
第三、二つの絶縁層120にそれぞれ積層された二つの第1金属層110のいずれか一つの第1金属層110に、第3金属層140をメッキした後(図3B参照)、第3金属層140の露出面と第3金属層140がメッキされていない第1金属層110の露出面を、互いに接触させてプレスで加熱及び加圧することにより、第1金属層110の間に、第3金属層140を形成させることができる(図4参照)。
第四、二つの絶縁層120にそれぞれ積層された二つの第1金属層110のいずれか一つの第1金属層110に、ホイル形態の第3金属層140をプレスで加熱及び加圧して結合させた後(図3B参照)、第3金属層140の露出面と第3金属層140がメッキされていない第1金属層110の露出面を、互いに接触させてプレスで加熱及び加圧することにより、第1金属層110の間に、第3金属層140を形成させることができる(図4参照)。
このような4工程で、両面に第1金属層110及び第2金属層130が積層された二つの絶縁層120を、第3金属層140で結合させることにより、完成されたキャリア部材100を提供することができる(図4参照)。
一方、第3金属層140と第1金属層110は、互いに反応して第3金属層140と第1金属層110の間に金属間化合物145を生成することができるのは前述したようである。
ついで、図5に示すように、第2金属層130をパターニングして第2回路パターン135を形成する段階である。第2金属層130は、キャリア部材100の歪みを防止する役目をするのみならず、この段階で、第2回路パターン135が形成されて、最終的には、基板の内側回路層として活用することができる。この際、第2回路パターン135は、通常のSAP(Semi−Additive Process)、MSAP(Modified Semi−Additive Process)またはサブトラクティブ法(Subtractive)などで形成することができる。
ついで、図6に示すように、第2金属層130の露出面に、ビルドアップ層150を形成する段階である。ここで、ビルドアップ層150は、別の絶縁材151を積層し、YAGレーザーまたはCOレーザーでビアホールを形成した後、SAP(Semi−Additive Process)またはMSAP(Modified Semi−Additive Process)などを行って、ビア155を含む回路層153を形成することで完成することができる。
ついで、図7に示すように、第3金属層140を、融点以上に加熱してキャリア部材100を分離する段階である。前述したように、第3金属層140の融点は、約232℃〜約419℃であるが、第1金属層110の融点は、約660℃〜約1455℃である。よって、所定温度(例えば、419℃以上ないし660℃未満の温度)に加熱して第3金属層140だけ選択的に溶融させることにより、キャリア部材100を分離することができる。ここで、キャリア部材100の分離をより効率よく実施するために、付加の物理力を加えることができるのはいうまでもない。
一方、キャリア部材100を分離すると、絶縁層120は、基板の最外側絶縁層120として活用される。また、キャリア部材100を分離した後、第1金属層110に残存する第3金属層140は、エッチングなどで除去することが好ましい。
ついで、図8A〜9に示すように、絶縁層120に、第1回路パターン115を形成する段階である。この際、第1回路パターン115を形成する過程は、二つの工程で遂行することができる。
第一、第1金属層110を、パターニングして第1回路パターン115を形成することができる(図8A参照)。この際、第1金属層110が第1回路パターン115として活用されるので、付加のメッキ工程を省略することができ、製造工程を簡素化することができる利点がある。
第二、第1金属層110を除去した後(図8B参照)、メッキ工程によって第1回路パターン115を形成することができる(図9参照)。この際、付加のメッキ工程を実施しなければならないが、ビア117の形成の容易性など、回路設計の自由度が高くなる利点がある。
ここで、第1回路パターン115は、通常のSAP(Semi−Additive Process)、MSAP(Modified Semi−Additive Process)またはサブトラクティブ法(Subtractive)などを利用して形成することができる。
ついで、図10に示すように、絶縁層120の一面に、ソルダレジスト層160を形成する段階である。ここで、ソルダレジスト層160は、耐熱性被覆材料で形成され、ソルダリング(soldering)の際、第1回路パターン115に半田が塗布されないように保護する役目をする。また、外部回路との電気的連結のために、ソルダレジスト層160に開口部165を加工してパッドを露出させることができる。
一方、図9及び図10に示すように、第1回路パターン115を形成し、絶縁層120の一面にソルダレジスト層160を形成するとき、絶縁層120の反対側に位置するビルドアップ層150の最外層にも同じ工程を実施して、回路層170及びソルダレジスト層180を形成することができる。この際、同じ工程を、基板の両側で同時に実施することで基板の製造工程を簡素化することができる。
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法は、これに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。
本発明は、融点が相対的に低い金属層を採用してルーティング工程をなくし、加熱によって、キャリア部材を分離し、キャリア部材を最後に生成されるプリント基板の絶縁層と回路層として活用する基板製造用キャリア部材に適用可能である。
100 キャリア部材
110 第1金属層
115 第1回路パターン
117、155 ビア
120 絶縁層
130 第2金属層
135 第2回路パターン
140 第3金属層
145 金属間化合物
150 ビルドアップ層
151 絶縁材
153、170 回路層
160、180 ソルダレジスト層
165 開口部

Claims (20)

  1. 一面に第1金属層が積層され、他面に第2金属層が積層された二つの絶縁層;及び
    二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層を互いに結合させるために二つの前記第1金属層の間に形成され、前記第1金属層より低い融点を持つ第3金属層;
    を含むことを特徴とする基板製造用キャリア部材。
  2. 前記第3金属層が、スズまたはスズ合金で形成されたことを特徴とする請求項1に記載の基板製造用キャリア部材。
  3. 前記第3金属層が、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成されたことを特徴とする請求項1に記載の基板製造用キャリア部材。
  4. 前記第1金属層が、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の基板製造用キャリア部材。
  5. 前記絶縁層が、プリプレグまたはABF(Ajinomoto Buildup Film)で形成されたことを特徴とする請求項1に記載の基板製造用キャリア部材。
  6. 前記第1金属層と前記第3金属層との間に、金属間化合物が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の基板製造用キャリア部材。
  7. (A)一面に第1金属層が積層され、他面に第2金属層が積層された絶縁層を二つ準備する段階;
    (B)二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層を互いに結合させるために、二つの前記第1金属層の間に、前記第1金属層より低い融点を持つ第3金属層形成してキャリア部材を提供する段階;
    (C)前記第2金属層の露出面にビルドアップ層を形成する段階;及び
    (D)前記第3金属層の融点以上に前記第3金属層を加熱して前記キャリア部材を分離する段階;
    を含むことを特徴とする基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  8. 前記(B)段階において、
    前記第3金属層が、スズまたはスズ合金で形成されたことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  9. 前記(B)段階において、
    前記第3金属層が、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成されたことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  10. 前記(D)段階の後に、
    前記第1金属層に残存する前記第3金属層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  11. 前記(D)段階の後に、
    前記第1金属層をパターニングして第1回路パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  12. 前記(D)段階の後に、
    前記第1金属層を除去した後、メッキ工程で第1回路パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  13. 前記(B)段階の後に、
    前記第2金属層をパターニングして第2回路パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  14. 前記(B)段階が、
    (B1)二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層に前記第3金属層をそれぞれメッキする段階;及び
    (B2)二つの前記第1金属層にそれぞれメッキした前記第3金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階;
    を含むことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  15. 前記(B)段階が、
    (B1)二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層のいずれか一つの前記第1金属層に前記第3金属層をメッキする段階;及び
    (B2)前記第1金属層にメッキした前記第3金属層と異なる第1金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階;
    を含むことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  16. 前記(B)段階が、
    (B1)二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層にホイル形態の前記第3金属層を加熱及び加圧してそれぞれ結合させる段階;及び
    (B2)二つの前記第1金属層にそれぞれ結合した前記第3金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階;
    を含むことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  17. 前記(B)段階が、
    (B1)二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第1金属層のいずれか一つの前記第1金属層にホイル形態の前記第3金属層を加熱及び加圧して結合させる段階;及び
    (B2)前記第1金属層に結合した前記第3金属層と異なる第1金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階;
    を含むことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  18. 前記(A)段階において、
    前記第1金属層が、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  19. 前記(A)段階において、
    前記絶縁層が、プリプレグまたはABF(Ajinomoto Buildup Film)で形成されたことを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
  20. 前記(B)段階において、
    前記第1金属層と前記第3金属層の間に、金属間化合物が形成されることを特徴とする請求項7に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
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