JP2011129860A - 基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】第３金属層の採用により、加熱によって、キャリア部材を分離し、これにより、キャリア部材分離の際、基板のサイズを変更しなくて基板と製造設備の間に互換性を維持する基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法を提供する。
【解決手段】一面に第１金属層１１０が積層され、他面に第２金属層１３０が積層された二つの絶縁層１２０、及び二つの絶縁層１２０にそれぞれ積層された二つの第１金属層１１０を互いに結合させるために、二つの第１金属層１１０の間に形成され、第１金属層１１０より低い融点を持つ第３金属層１４０を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法に関する。

通常、プリント基板は、種々の熱硬化性合成樹脂でなったボードの片面または両面に銅箔で配線を形成し、ボード上にＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）または電子部品を配置、固定し、これらの間の電気的配線を具現した後、絶縁体でコートしてなるものである。

近年、電子産業の発達につれて、電子部品の高機能化、軽薄短小化に対する要求が急増している。これに応じて、このような電子部品が搭載されるプリント基板も高密度配線化及び薄板化が要求されている。

特に、プリント基板の薄板化に対応するために、コア基板を除去して全体的な厚さを減らし、信号処理時間を縮めることができるコアレス基板が注目されている。ところが、コアレス基板の場合、コア基板を使用しないため、製造工程中に支持体の役目をすることができるキャリア部材が必要である。以下、図面に基づいて従来技術によるコアレス基板の製造工程を詳細に説明する。

図１Ａ〜図１Ｅは、従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図で、これを参照して従来技術の問題点を説明する。

まず、図１Ａに示すように、キャリア部材１０を準備する段階である。キャリア部材１０は、銅張積層板１１（ＣＣＬ）を中心として両面に接着フィルム１２、第１金属層１３、第２金属層１４の順に積層することで形成する。この際、プレスで加熱及び加圧することにより、接着フィルム１２の周縁部は、銅張積層板１１と第２金属層１４を互いに接合させる。一方、銅張積層板１１と第２金属層１４を安定に接合させるために１０ｍｍ以上の接触面を持たなければならなく、第１金属層１３と第２金属層１４は、真空で吸着される。

ついで、図１Ｂに示すように、キャリア部材１０の両面にビルドアップ層１５を形成する段階である。ここで、ビルドアップ層１５は、一般的な方式で形成され、最外層には、ビルドアップ層１５の歪みを防止するための別の第３金属層１６を積層する。

ついで、図１Ｃに示すように、ビルドアップ層１５をキャリア部材１０から分離する段階である。ここで、銅張積層板１１と第２金属層１４に接合した接着フィルム１２の周縁部を、ルータ工程で除去してキャリア部材１０からビルドアップ層１５を分離する。

ついで、図１Ｄに示すように、ビルドアップ層１５の最外層に形成された第２金属層１４と第３金属層１６をエッチングで除去する。

ついで、図１Ｅに示すように、ビルドアップ層１５の最外側絶縁層に、パッド１９を露出させる開口部１７を加工し、パッド１９上にソルダボール１８を形成する。

前述した従来の基板の製造方法の場合、最後にキャリア部材１０とビルドアップ層１５は、分離しなければならない。この分離過程において、キャリア部材１０は、ルーティング工程によって両端が除去されるので、サイズが縮小して再使用しにくい。よって、プリント基板を製造する都度付加のキャリア部材１０を準備しなければならなく、それにより、総製造単価が高くなる問題点があった。また、製造段階でルーティング工程によって、基板のサイズが変更されるので、基板と製造設備間の互換性を維持しにくい問題点があった。

また、ビルドアップ層１５は、実質的に接着フィルム１２の周縁部の接着力だけでキャリア部材１０に固定されるものであるため、接着力が弱くて、キャリア部材１０を利用した製造工程中に、ビルドアップ層１５が偶然に分離してしまうという問題点があった。

したがって、本発明は、前記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、融点が相対的に低い金属層を採用してルーティング工程をなくし、加熱によって、キャリア部材を分離することができ、キャリア部材を最後に生成されるプリント基板の絶縁層と回路層として活用することができる基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法を提供することにある。

前記課題を解決するために、本発明の一面によれば、一面に第１金属層が積層され、他面に第２金属層が積層された二つの絶縁層；及び二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層を互いに結合させるために二つの前記第１金属層の間に形成され、前記第１金属層より低い融点を持つ第３金属層；を含む、基板製造用キャリア部材が提供される。

前記第３金属層は、スズまたはスズ合金で形成することが好ましい。

前記第３金属層は、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することが好ましい。

前記第１金属層は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。

前記絶縁層は、プリプレグまたはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）で形成することが好ましい。

前記第１金属層と前記第３金属層との間には、金属間化合物が形成されることが好ましい。

前記課題を解決するために、本発明の他面によれば、（Ａ）一面に第１金属層が積層され、他面に第２金属層が積層された絶縁層を二つ準備する段階；（Ｂ）二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層を互いに結合させるために、二つの前記第１金属層の間に、前記第１金属層より低い融点を持つ第３金属層形成してキャリア部材を提供する段階；（Ｃ）前記第２金属層の露出面にビルドアップ層を形成する段階；及び（Ｄ）前記第３金属層の融点以上に前記第３金属層を加熱して前記キャリア部材を分離する段階；を含む、基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法が提供される。

前記（Ｂ）段階において、前記第３金属層は、スズまたはスズ合金で形成することが好ましい。

前記（Ｂ）段階において、前記第３金属層は、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することが好ましい。

前記（Ｄ）段階の後に、前記第１金属層に残存する前記第３金属層を除去する段階をさらに含むことが好ましい。

前記（Ｄ）段階の後に、前記第１金属層をパターニングして第１回路パターンを形成する段階をさらに含むことが好ましい。

前記（Ｄ）段階の後に、前記第１金属層を除去した後、メッキ工程で第１回路パターンを形成する段階をさらに含むことが好ましい。

前記（Ｂ）段階の後に、前記第２金属層をパターニングして第２回路パターンを形成する段階をさらに含むことが好ましい。

前記（Ｂ）段階は、（Ｂ１）二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層に前記第３金属層をそれぞれメッキする段階；及び（Ｂ２）二つの前記第１金属層にそれぞれメッキした前記第３金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階；を含むことが好ましい。

前記（Ｂ）段階は、（Ｂ１）二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層のいずれか一つの前記第１金属層に前記第３金属層をメッキする段階；及び（Ｂ２）前記第１金属層にメッキした前記第３金属層と異なる第１金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階；を含むことが好ましい。

前記（Ｂ）段階は、（Ｂ１）二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層にホイル形態の前記第３金属層を加熱及び加圧してそれぞれ結合させる段階；及び（Ｂ２）二つの前記第１金属層にそれぞれ結合した前記第３金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階；を含むことが好ましい。

前記（Ｂ）段階は、（Ｂ１）二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層のいずれか一つの前記第１金属層にホイル形態の前記第３金属層を加熱及び加圧して結合させる段階；及び（Ｂ２）前記第１金属層に結合した前記第３金属層と異なる第１金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階；を含むことが好ましい。

前記（Ａ）段階において、前記第１金属層は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。

前記（Ａ）段階において、前記絶縁層は、プリプレグまたはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）で形成することが好ましい。

前記（Ｂ）段階において、前記第１金属層と前記第３金属層の間に、金属間化合物が形成されることが好ましい。

本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以降の詳細な説明からより明らかになるであろう。

本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は、通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。

本発明によれば、加熱によって、キャリア部材を分離することができるので、ルーティング工程が必要なく、これにより、キャリア部材分離の際、基板のサイズが変更しないので基板と製造設備の間に互換性を維持することができる利点がある。

また、本発明によれば、キャリア部材の構成要素を最後に生成されるプリント基板の最外側絶縁層と回路パターンとして活用することにより、プリント基板の製造費用を節減することができる効果がある。

従来のキャリア部材を利用して基板を製造する方式を工程順に示す図（１）である。 従来のキャリア部材を利用して基板を製造する方式を工程順に示す図（２）である。 従来のキャリア部材を利用して基板を製造する方式を工程順に示す図（３）である。 従来のキャリア部材を利用して基板を製造する方式を工程順に示す図（４）である。 従来のキャリア部材を利用して基板を製造する方式を工程順に示す図（５）である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材の断面図である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（１）である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（２）である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（３）である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（４）である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（５）である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（６）である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（７）である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（８）である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（９）である。 本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（１０）である。

本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例から一層明らかに理解可能であろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるにあたり、同じ構成要素がたとえ他の図面に図示されていても、できるだけ同じ符号を付けることにする。また、“一面”、“他面”、“第１”、“第２”、“第３”などの用語はある構成要素を他の構成要素と区別するために使用したもので、構成要素が前記用語に制限されるものではない。本発明の説明において、本発明の要旨を不要にあいまいにすることができる関連の公知技術についての具体的な説明は省略する。

以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。

図２は、本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材の断面図である。

図２に示すように、本実施例による基板製造用キャリア部材１００は、一面に第１金属層１１０が積層され、他面に第２金属層１３０が積層された二つの絶縁層１２０、及び二つの絶縁層１２０にそれぞれ積層された二つの第１金属層１１０を互いに結合させるために二つの第１金属層１１０の間に形成され、第１金属層１１０より低い融点を持つ第３金属層１４０を含む構成である。

前記第１金属層１１０は、キャリア部材１００の支持体の役目をするので、歪み防止のために、所定強度以上の支持力を保有しなければならなく、キャリア部材１００が分離されるときに溶融される第３金属層１４０より高い融点を持たなければならない。前述した支持力及び融点を考慮すると、第１金属層１１０は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。

参考として、第３金属層１４０を形成するスズ、カドミウム、鉛、ビズマスまたは亜鉛などの金属は、融点が約２３２℃〜約４１９℃（スズ−約２３２℃、カドミウム−約３２０．９℃、鉛−約３２７℃、ビズマス−約２７１．３℃、亜鉛−約４１９℃）であるが、第１金属層１１０を形成する銅、ニッケルまたはアルミニウムの融点は、約６６０℃〜約１４５５℃（銅−約１０８３℃、ニッケル−約１４５５℃、アルミニウム−約６６０℃）である。

よって、キャリア部材１００を分離するとき、所定温度（例えば、４１９℃以上ないし６６０℃未満の温度）に加熱すれば、第１金属層１１０は、相変化なしに第３金属層１４０だけ選択的に溶融させることができる。

一方、第１金属層１１０は、第１回路パターン１１５（図８Ａ参照）にパターニングされることができるので、銅、ニッケルまたはアルミニウムの中で銅を選択して第１金属層１１０を形成することがより好ましい。

前記第２金属層１３０は、第１金属層１１０と同様にキャリア部材１００の支持体の役目をするので、所定強度以上の支持力を保有しなければならなく、基板の第２回路パターン１３５（図５参照）にパターニングされることができる。よって、第２金属層１３０は、銅で形成することが好ましい。

前記絶縁層１２０は、両面に第１金属層１１０及び第２金属層１３０がそれぞれ積層され、二つが第３金属層１４０によって互いに結合される。

ここで、絶縁層１２０の材料は、特に限定されるものではないが、キャリア部材１００が分離された後、基板の絶縁層１２０（図１０参照）として活用できるので、プリプレグを採用してプリント基板をより薄く製作するか、あるいはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）を採用して微細回路を具現することが好ましい。その外にも、絶縁層１２０として銅張積層板（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ；ＣＣＬ）を利用することができる。この場合、銅張積層板の両面に積層された銅箔は、それぞれ第１金属層１１０及び第２金属層１３０となり、機械的な強度を補強するために、絶縁層１２０は、樹脂（ｒｅｓｉｎ）に紙（ｐａｐｅｒ）、ガラス纎維（ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ）及びガラス不織布などの補強基材を添加して形成することができる。

前記第３金属層１４０は、第１金属層１１０を互いに結合させることにより、全体としては、キャリア部材１００の結合を維持する役目をする。ここで、第３金属層１４０は、スズまたはスズ合金で形成するか、あるいはスズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することができる。

また、第３金属層１４０は、第１金属層１１０にメッキ工程で形成するか、あるいはホイル形態に形成し、加熱及び加圧工程で第１金属層１１０に結合させることができる。

この際、第３金属層１４０は、第１金属層１１０と反応して金属間化合物１４５（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を生成させることができる。

例えば、第１金属層１１０が銅で形成され、第３金属層１４０がスズで形成された場合、第１金属層１１０と第３金属層１４０の間にはＣｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物１４５が生成される。

ただ、一定温度で、キャリア部材１００が分離されるように、すべての第３金属層１４０が金属間化合物１４５に変換されてはいけなく、融点が一定した純粋な第３金属層１４０が残存しなければならない。

前述したように、スズの融点は約２３２℃であるので、本実施例において、第３金属層１４０をスズで形成した場合、基板製造用キャリア部材１００を２３２℃以上の温度に加熱して分離することができる。よって、従来技術とは異なり、ルーティング工程を省略することができ、基板の製造工程中に通常到逹することになる約２００℃では、キャリア部材１００の結合を安定に維持することができる利点がある。

図３Ａ〜図１０は、本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図である。

図３Ａ〜図１０に示すように、本実施例による基板製造用キャリア部材１００を利用した基板の製造方法は、（Ａ）一面に第１金属層１１０が積層され、他面に第２金属層１３０が積層された二つの絶縁層１２０を準備する段階、（Ｂ）二つの絶縁層１２０にそれぞれ積層された二つの第１金属層１１０を互いに結合させるために二つの第１金属層１１０の間に第１金属層１１０より低い融点を持つ第３金属層１４０を形成してキャリア部材１００を提供する段階、（Ｃ）第２金属層１３０の露出面にビルドアップ層１５０を形成する段階、及び（Ｄ）第３金属層１４０の融点以上に第３金属層１４０を加熱してキャリア部材１００を分離する段階を含む構成である。

また、（Ｂ）段階の後に、第２金属層１３０をパターニングして第２回路パターン１３５を形成する段階、及び（Ｄ）段階の後に、絶縁層１２０の一面に第１回路パターン１１５を形成する段階を含むことが好ましい。

まず、図３Ａ〜図４に示すように、一面に第１金属層１１０が積層され、他面に第２金属層１３０が積層された絶縁層１２０を二つ準備し、第３金属層１４０で互いに結合させる段階である。

ここで、第１金属層１１０は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することができ、絶縁層１２０は、プリプレグまたはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）で形成することができる。また、絶縁層１２０として銅張積層板（ＣＣＬ）を利用することができる。

この場合、銅張積層板の両面に積層された銅箔は、それぞれ第１金属層１１０と第２金属層１３０となるのはいうまでもない。そして、第３金属層１４０は、スズまたはスズ合金で形成するか、あるいはスズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することができる。

一方、第３金属層１４０で第１金属層１１０を互いに結合させる過程は、４工程で実施することが好ましい。

第一、二つの絶縁層１２０にそれぞれ積層された二つの第１金属層１１０に、第３金属層１４０をそれぞれメッキした後（図３Ａ参照）、それぞれの第３金属層１４０の露出面を互いに接触させてプレスで加熱及び加圧することにより、第１金属層１１０の間に、第３金属層１４０を形成させることができる（図４参照）。

第二、二つの絶縁層１２０にそれぞれ積層された二つの第１金属層１１０に、ホイル形態の第３金属層１４０をプレスで加熱及び加圧してそれぞれ結合させた後（図３Ａ参照）、それぞれの第３金属層１４０の露出面を互いに接触させてプレスで加熱及び加圧することにより、第１金属層１１０の間に、第３金属層１４０を形成させることができる（図４参照）。

第三、二つの絶縁層１２０にそれぞれ積層された二つの第１金属層１１０のいずれか一つの第１金属層１１０に、第３金属層１４０をメッキした後（図３Ｂ参照）、第３金属層１４０の露出面と第３金属層１４０がメッキされていない第１金属層１１０の露出面を、互いに接触させてプレスで加熱及び加圧することにより、第１金属層１１０の間に、第３金属層１４０を形成させることができる（図４参照）。

第四、二つの絶縁層１２０にそれぞれ積層された二つの第１金属層１１０のいずれか一つの第１金属層１１０に、ホイル形態の第３金属層１４０をプレスで加熱及び加圧して結合させた後（図３Ｂ参照）、第３金属層１４０の露出面と第３金属層１４０がメッキされていない第１金属層１１０の露出面を、互いに接触させてプレスで加熱及び加圧することにより、第１金属層１１０の間に、第３金属層１４０を形成させることができる（図４参照）。

このような４工程で、両面に第１金属層１１０及び第２金属層１３０が積層された二つの絶縁層１２０を、第３金属層１４０で結合させることにより、完成されたキャリア部材１００を提供することができる（図４参照）。

一方、第３金属層１４０と第１金属層１１０は、互いに反応して第３金属層１４０と第１金属層１１０の間に金属間化合物１４５を生成することができるのは前述したようである。

ついで、図５に示すように、第２金属層１３０をパターニングして第２回路パターン１３５を形成する段階である。第２金属層１３０は、キャリア部材１００の歪みを防止する役目をするのみならず、この段階で、第２回路パターン１３５が形成されて、最終的には、基板の内側回路層として活用することができる。この際、第２回路パターン１３５は、通常のＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはサブトラクティブ法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）などで形成することができる。

ついで、図６に示すように、第２金属層１３０の露出面に、ビルドアップ層１５０を形成する段階である。ここで、ビルドアップ層１５０は、別の絶縁材１５１を積層し、ＹＡＧレーザーまたはＣＯ_２レーザーでビアホールを形成した後、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などを行って、ビア１５５を含む回路層１５３を形成することで完成することができる。

ついで、図７に示すように、第３金属層１４０を、融点以上に加熱してキャリア部材１００を分離する段階である。前述したように、第３金属層１４０の融点は、約２３２℃〜約４１９℃であるが、第１金属層１１０の融点は、約６６０℃〜約１４５５℃である。よって、所定温度（例えば、４１９℃以上ないし６６０℃未満の温度）に加熱して第３金属層１４０だけ選択的に溶融させることにより、キャリア部材１００を分離することができる。ここで、キャリア部材１００の分離をより効率よく実施するために、付加の物理力を加えることができるのはいうまでもない。

一方、キャリア部材１００を分離すると、絶縁層１２０は、基板の最外側絶縁層１２０として活用される。また、キャリア部材１００を分離した後、第１金属層１１０に残存する第３金属層１４０は、エッチングなどで除去することが好ましい。

ついで、図８Ａ〜９に示すように、絶縁層１２０に、第１回路パターン１１５を形成する段階である。この際、第１回路パターン１１５を形成する過程は、二つの工程で遂行することができる。

第一、第１金属層１１０を、パターニングして第１回路パターン１１５を形成することができる（図８Ａ参照）。この際、第１金属層１１０が第１回路パターン１１５として活用されるので、付加のメッキ工程を省略することができ、製造工程を簡素化することができる利点がある。

第二、第１金属層１１０を除去した後（図８Ｂ参照）、メッキ工程によって第１回路パターン１１５を形成することができる（図９参照）。この際、付加のメッキ工程を実施しなければならないが、ビア１１７の形成の容易性など、回路設計の自由度が高くなる利点がある。

ここで、第１回路パターン１１５は、通常のＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはサブトラクティブ法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）などを利用して形成することができる。

ついで、図１０に示すように、絶縁層１２０の一面に、ソルダレジスト層１６０を形成する段階である。ここで、ソルダレジスト層１６０は、耐熱性被覆材料で形成され、ソルダリング（ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）の際、第１回路パターン１１５に半田が塗布されないように保護する役目をする。また、外部回路との電気的連結のために、ソルダレジスト層１６０に開口部１６５を加工してパッドを露出させることができる。

一方、図９及び図１０に示すように、第１回路パターン１１５を形成し、絶縁層１２０の一面にソルダレジスト層１６０を形成するとき、絶縁層１２０の反対側に位置するビルドアップ層１５０の最外層にも同じ工程を実施して、回路層１７０及びソルダレジスト層１８０を形成することができる。この際、同じ工程を、基板の両側で同時に実施することで基板の製造工程を簡素化することができる。

以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法は、これに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。

本発明は、融点が相対的に低い金属層を採用してルーティング工程をなくし、加熱によって、キャリア部材を分離し、キャリア部材を最後に生成されるプリント基板の絶縁層と回路層として活用する基板製造用キャリア部材に適用可能である。

１００ キャリア部材
１１０ 第１金属層
１１５ 第１回路パターン
１１７、１５５ ビア
１２０ 絶縁層
１３０ 第２金属層
１３５ 第２回路パターン
１４０ 第３金属層
１４５ 金属間化合物
１５０ ビルドアップ層
１５１ 絶縁材
１５３、１７０ 回路層
１６０、１８０ ソルダレジスト層
１６５ 開口部

Claims (20)

1. 一面に第１金属層が積層され、他面に第２金属層が積層された二つの絶縁層；及び
   二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層を互いに結合させるために二つの前記第１金属層の間に形成され、前記第１金属層より低い融点を持つ第３金属層；
   を含むことを特徴とする基板製造用キャリア部材。
2. 前記第３金属層が、スズまたはスズ合金で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
3. 前記第３金属層が、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
4. 前記第１金属層が、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
5. 前記絶縁層が、プリプレグまたはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
6. 前記第１金属層と前記第３金属層との間に、金属間化合物が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
7. （Ａ）一面に第１金属層が積層され、他面に第２金属層が積層された絶縁層を二つ準備する段階；
   （Ｂ）二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層を互いに結合させるために、二つの前記第１金属層の間に、前記第１金属層より低い融点を持つ第３金属層形成してキャリア部材を提供する段階；
   （Ｃ）前記第２金属層の露出面にビルドアップ層を形成する段階；及び
   （Ｄ）前記第３金属層の融点以上に前記第３金属層を加熱して前記キャリア部材を分離する段階；
   を含むことを特徴とする基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
8. 前記（Ｂ）段階において、
   前記第３金属層が、スズまたはスズ合金で形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
9. 前記（Ｂ）段階において、
   前記第３金属層が、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
10. 前記（Ｄ）段階の後に、
    前記第１金属層に残存する前記第３金属層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
11. 前記（Ｄ）段階の後に、
    前記第１金属層をパターニングして第１回路パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
12. 前記（Ｄ）段階の後に、
    前記第１金属層を除去した後、メッキ工程で第１回路パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
13. 前記（Ｂ）段階の後に、
    前記第２金属層をパターニングして第２回路パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
14. 前記（Ｂ）段階が、
    （Ｂ１）二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層に前記第３金属層をそれぞれメッキする段階；及び
    （Ｂ２）二つの前記第１金属層にそれぞれメッキした前記第３金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階；
    を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
15. 前記（Ｂ）段階が、
    （Ｂ１）二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層のいずれか一つの前記第１金属層に前記第３金属層をメッキする段階；及び
    （Ｂ２）前記第１金属層にメッキした前記第３金属層と異なる第１金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階；
    を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
16. 前記（Ｂ）段階が、
    （Ｂ１）二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層にホイル形態の前記第３金属層を加熱及び加圧してそれぞれ結合させる段階；及び
    （Ｂ２）二つの前記第１金属層にそれぞれ結合した前記第３金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階；
    を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
17. 前記（Ｂ）段階が、
    （Ｂ１）二つの前記絶縁層にそれぞれ積層された二つの前記第１金属層のいずれか一つの前記第１金属層にホイル形態の前記第３金属層を加熱及び加圧して結合させる段階；及び
    （Ｂ２）前記第１金属層に結合した前記第３金属層と異なる第１金属層を加熱及び加圧して互いに結合させることで前記キャリア部材を提供する段階；
    を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
18. 前記（Ａ）段階において、
    前記第１金属層が、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
19. 前記（Ａ）段階において、
    前記絶縁層が、プリプレグまたはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）で形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
20. 前記（Ｂ）段階において、
    前記第１金属層と前記第３金属層の間に、金属間化合物が形成されることを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。

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