JP2011128292A5 - - Google Patents

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本発明の一態様の電気光学装置は、素子基板と、前記素子基板に配置された画素電極と、前記画素電極に対応して配置された半導体素子と、前記素子基板に配置された光反射部と、を備え、前記半導体素子は、前記素子基板の第１面から前記第１面に対向する第２面に向かう方向から見て、前記光反射部と重なるように配置され、前記半導体素子と前記光反射部との間には、少なくとも前記光反射部を覆うように物質が配置されること特徴とする。
本発明の別の一態様の電気光学装置は、前記光反射部は、前記素子基板の前記第１面から前記第２面に向かうように形成される溝を含むことを特徴とする。
本発明のさらに別の一態様の電気光学装置は、前記物質は膜であることを特徴とする。
本発明のさらに別の一態様の電気光学装置は、前記膜は、少なくとも前記溝の開口部を覆うように配置されることを特徴とする。
上記の本発明に係る本発明の電気光学装置は、素子基板と、該素子基板に設けられた画素電極と、前記画素電極に対応して設けられた半導体素子と、前記素子基板の少なくとも一部に形成された溝からなる光反射部とを備え、前記半導体素子は、前記素子基板上で平面的に見て、前記光反射部と互いに重なるように配置されると共に、少なくとも前記溝の開口部を覆うように設けられた平坦化膜上に配置される。

Claims (10)

  1. 素子基板と、
    前記素子基板に配置された画素電極と、
    前記画素電極に対応して配置された半導体素子と、
    前記素子基板に配置された光反射部と、
    を備え、
    前記半導体素子は、前記素子基板の第１面から前記第１面に対向する第２面に向かう方向から見て、前記光反射部と重なるように配置され、
    前記半導体素子と前記光反射部との間には、少なくとも前記光反射部を覆うように物質が配置されること特徴とする電気光学装置。
  2. 前記光反射部は、前記素子基板の前記第１面から前記第２面に向かうように形成される溝を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
  3. 前記物質は膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
  4. 前記膜は、少なくとも前記溝の開口部を覆うように配置されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
  5. 前記膜は、前記溝の少なくとも一部を埋めるように配置されることを特徴とする請求項３または４に記載の電気光学装置。
  6. 前記光反射部は、前記溝の内部に空気層を含むことを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
  7. 前記光反射部は、前記溝の内部に真空層を含むことを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
  8. 前記光反射部は、前記溝の内部に金属層を含むことを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
  9. 前記素子基板に対向するように配置された対向基板を備え、前記対向基板には、前記素子基板において隣り合う前記画素電極の間に対応する位置に遮光膜を備えていないことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電気光学装置。
  10. 請求項１乃至９のいずれかに記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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