201128598 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種例如液晶裝置等光電裝置、及包含該 光電裝置之例如液晶投影儀等電子機器之技術領域。 【先前技術】 作為此種光電裝置，存在如下之液晶裝置：於形成有像 素電極或像素切換用TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶 體）之TFT陣列基板、與形成有對向電極之對向基板之間， 炎持作為光電物質之液晶而成者。於此種液晶裝置中，為 提高自對向基板側入射之入射光之利用效率，而存在將對 應於各像素之稜鏡裝入對向基板之情形（例如參照專利文 獻1)。 另一方面’例如於專利文獻2中揭示有如下技術：於 TFT陣列基板形成槽部，於該槽部之斜面上形成反射膜， 並且於該槽部内配置像素切換用TFT，藉此，提高像素之 透光率、及對像素切換用TFT之遮光性。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2009-204649號公報 [專利文獻2]日本專利特開2009-198762號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而，根據例如專利文獻1揭示之技術，存在如下技術 性問題：由於在對向基板形成有稜鏡，故而於製造過程中 152282.doc 201128598 藉由例如密封材而使TFT陣列基板與對向基板相互黏合 時，存在於該等基板間產生相對性錯位（即，tft陣列基板 與對向基板之位置對準偏移）之虞。若產生此種錯位\ ，導致各像素之開口區域（即，於各像素中射出利於顯示之 _ A之區域）因稜鏡而變窄’使得各像素之透光率降低。 進而，根據例如專利文獻2揭示之技術，存在如下之技 術性問題··若為於槽部内配置像素切換用tft而相對較大 地形成該槽部，則存在各像素之開口區域因槽部而變窄， 使得各像素之透光率降低之虞β 本發明係#於例如上述問題研製而成者，其課題在於提 供一種可提高例如各像素之透光率，從而可顯示明亮且高 品質之圖像之光電裝置、及包含此種光電裝置之電子機 器。 [解決問題之技術手段] 為解決上述課題，本發明之光電裝置係包括元件基板、 設置於該元件基板之像素電極、對應於上述像素電極而設 置之半導體元件、及包含形成於上述元件基板之至少一部 分之槽之光反射部，1，上述半導體元件配置為於上述元 件基板上平面觀察時與上述光反射部彼此重疊，並且配置 於以至少覆蓋上述槽之開口部之方式設置之平坦化膜上。 本發明之光電裝置係於如下之元件基板與對向基板之間 夾持例如液晶等光電物質而成，上述元件基板係設置有例 如像素電極及作為電性連接於該像素電極之例如像素切換 用TFT等之半導體元件，上述對向基板係設置有與像素電 152282.doc 201128598 極對向之對向電極。於該光電裝置動作時，藉由將圖像信 號選擇性供給至像素電極，而進行排列有複數個像素電極 之像素區域（或圖像顯示區域）之圖像顯示。再者，圖像信 號係藉由將作為電性連接於例如資料線及像素電極間之例 如像素切換用TFT等之半導體元件接通斷開（〇n/〇ff)，而 於特定之時間内自例如資料線經由半導體元件供給至像素 電極。 、 根據本發明之光電裝置，像素電極及半導體元件係例如 設置於與元件基板中入射有光之一基板面不同之另一基板 面上，於圖像顯示時，例如自光源對夾持於元件基板與對 向基板間之例如液晶等光電物質入射之光係自元件基板側 入射而並非自對向基板側入射，且根據其定向狀態穿透例 如液晶等光電物，而自對向基板側作為顯示光射出。 本發明尤其餘元件基㈣成有紅射部。光反射部係 於70件基板之至少一部分開設例如V字狀槽而成。光反射 部係例如設置於元件基板之另-基板面之非開口區域之一 部分。光反射部典型而言係於槽内包含例如真Μ、 層、金屬層、及絕緣層等。 / 側藉由光反射部而使自元件基板之例如一基板面 者，故卢寻:口區域之光以射向開口區域之方式反射。再 所。月「開口區域」係指於例如m f ^ ^ n ㈣示之光之區域(換言之，於像素區域内由 π二貫際進行光電動作之區域)，所謂「非開口區 域」係“例如像素區域中除開口區域以外之區域，即，於 152282.doc 201128598 例如像素區域内未對每一像辛射屮免丨妖 母诼京射出利於顯示之光之區域 (即，於像素區域内未由光電物質 ' w尤电物買只際進行光電動作之區 域）。根據光反射部，例如可使自 1夕J如』便自7L件基板之一基板面侧 入射之光以射向每一像专··^·門Γ7 Γ^· Ρ 一 母诼素之開口區域之方式，於該光反射 部與元件基板之交界面進行反射。 因此’可藉由光反射部來提高自光源人射之光之利用效 率（換言之’各像素之透光率）。 進而’本發明尤其係將半導體元件配置為於元件基板上 平面觀察時與光反射部彼此重疊，並且配置於以至少覆蓋 槽之開口部之方式設置之平坦化膜上。藉此，彳藉由光反 射部來遮蔽自元件基板之例如—基板面侧射向半導體元件 之光。即，可藉由光反射部來提高對半導體元件之遮光 性。因此，可降低例如作為像素切換用TFT之半導體元件 中之光漏電流，從而可使顯示圖像之對比度提高。另外， 半導體兀件係配置於平坦化膜上而並非配置於構成形成於 元件基板之光反射部之槽内。藉此，例如與假設將半導體 元件配置於形成在元件基板之槽内之情形相比，可減少各 像素之開口區域因槽而變窄之情形，從而可提高各像素之 透光率。 如上所述，根據本發明之光電裝置，可提高各像素之透 光率、及對半導體元件之遮光性。其結果，可顯示明亮且 兩品質之圖像。 於本發明之光電裝置之其他態樣中，上述平坦化膜係填 充上述槽之至少一部分而成。 152282.doc 201128598 根據該態樣，由於填充槽之至少一部分而成之平坦化膜 上形成有半導體元件，故而可減少或防止半導體元件之元 件特性因光反射部而變化之情形。進而，可藉由利用平坦 化膜填充槽之至少一部分，而以與光反射部重疊之方式配 置半導體元件。 於本發明之光電裝置之其他態樣中，上述光反射部係於 上述槽内包含空氣層。 根據該態樣，可使自元件基板之例如一基板面側入射之 光以射向每一像素之開口區域之方式，於光反射部之空氣 層與元件基板之交界面確實地進行反射。進而，與假設藉 由例如金屬等反射材料填充例如光反射部之槽内之情形相 比’可簡化製造過程。 以光之入射角達到臨界角以上之方式決定v字狀之槽（反 射部、棱鏡）之角度，以使元件基板與空氣層之界面上產 生「全反射」。該角度係由非開口區域之寬度即稜鏡之底 邊之長度及棱鏡之深度決定4於使空氣層作為光反射部 發揮功能’故而V字之肖度以滿足上述條件之方式設計。 於本發明之光電裝置之其他態樣中，上述光反射部係於 上述槽内包含真空層。 可使自元件基板之例如一基板面側入射之 根據該態樣， 光以射向每一像素之開口區域之方式，於光反射部之真空 層與元件基板之交界面確實地進行反射。進而，與假設藉 由例如金屬等反射材料填充例如光反射部之槽内之情形相 比’可簡化製造過程。 152282.doc 201128598 ’以光之入射角達到臨界 非開口區域之寬度即稜鏡 ’以使元件基板與真空層 該情形亦與空氣層之情形相同 角以上之方式決定v字之角度（由 之底邊長度及稜鏡之深度決定） 由於使真空層作為光反射部發 之界面上產生「全反射 揮功能，故而V字角度係以滿足上述條件之方式設計。 於本發明之光電裝置之其他態樣中，上述光反射部係於 上述槽内包含金屬層。 根據該態樣’可使自元件基板之例如一基板面側入射之 光以射向每一像素之開口區域之方式’於光反射部之金屬 層與元件基板之交界面確實地進行反射。進而，例如於假 設光反射部於槽内包含空氣層之情形時，可減少製造過程 中可此產生之伴隨周圍氣壓變化之來自槽内的空氣之汽 漏’從而亦可提高裝置之可靠性。 於本發明之光電裝置之其他態樣中，包含以與上述元件 基板對向之方式配置之對向基板，且於上述對向基板上， 在與上述元件基板上相鄰之上述像素電極之間對應之位置 上不包含遮光膜。 根據該態樣’可避免因元件基板與對向基板之間之相對 錯位而引起開口率之下降。 本發明之作用及其他利益可根據用以實施以下說明之發 明之形態而明確。 【實施方式】 以下’參照圖式，對本發明之實施形態進行說明。於以 下之實施形態中，將作為本發明之光電裝置之一例之驅動 152282.doc 201128598 電路内置型之TFT主動矩陣驅動方式之液晶裝置作為示 例。 <第1實施形態> 參照圖1至圖9對第1實施形態之液晶裝置進行說明。 首先’參照圖1及圖2對本實施形態之液晶裝置之整體構 成進行說明。 圖1係表示本實施形態之液晶裝置之構成之平面圖，圖2 係圖1之H-H，線剖面圖。 於圖1及圖2中，本實施形態之液晶裝置1〇〇係對向地配 置有作為本發明之「元件基板」之一例之TFT陣列基板1 〇 與對向基板20。TFT陣列基板10及對向基板20分別包含例 如玻璃或石英基板等。於TFT陣列基板10與對向基板20之 間封裝有液晶層50，且TFT陣列基板10與對向基板20藉由 包含位於圖像顯示區域1 0a周圍之密封區域中所設置之例 如光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂等密封材52而相互黏著。 於圖1中，於周邊區域中之位於配置有密封材52之密封 區域之外側之區域，沿著TFT陣列基板10之一邊設置有資 料線驅動電路1 01及外部電路連接端子102。相較沿著該一 邊之密封區域而於内側設置有取樣電路7。又，掃描線驅 動電路1 04係設置於沿著與該一邊鄰接之2邊之密封區域之 内側。又，於TFT陣列基板10上，在與對向基板2〇之4個角 部對向之區域配置有用以利用上下導通材1 〇7將兩基板間 連接之上下導通端子106。藉此，可於TFT陣列基板10與對 向基板20之間獲得電性導通。 152282.doc 201128598 · 於TFT陣列基板丨〇上，形成有用以將外部電路連接端子 1〇2與資料線驅動電路1〇1、掃描線驅動電路1〇4、及上下 導通端子106等電性連接之鋪設配線9〇。 於圖2中’在TFT陣列基板1()上，形成有裝有像素切換 • 肖之TFT或掃描線、資料線等配線之積層構造。於圖像顯 不區域10a，包含IT〇(Indium Tin 〇xide，氧化銦錫）等透明 材料之像素電極9矩陣狀設置於像素切換用TFT或掃描線、 資料線等配線之上層。於像素電極9上形成有定向膜。另 方面，包含ITO等透明材料之對向電極2丨與複數個像素 電極9對向且呈固體狀地形成於對向基板20之與TFT陣列基 板1〇之對向面上。於對向電極21上形成有定向膜。又，液 晶層50係包含混合有例如一種或多種向列型液晶之液晶， 且於該等一對定向膜間採取特定之定向狀態。 液晶裝置100係於其動作時入射光自TFT陣列基板1〇側 入射至液晶層50，且該已入射之入射光根據液晶層50之定 向狀態而透射’作為顯示光射出至對向基板20側，藉此於 圖像顯示區域l〇a顯示圖像。 再者’如參照圖4及圖5之以下描述般，於TFT陣列基板 ， 10之非開口區域D2因設置有光反射部21〇，而使各像素之 透光率提高。 再者’此處雖未進行圖示，但於TFT陣列基板10上，除 資料線驅動電路1 〇 1、掃描線驅動電路1 〇4之外，亦可形成 有用以檢查製造過程中或出貨時之該液晶裝置之品質、缺 陷等之檢查電路、檢查用圖案等。 152282.doc 201128598 其次，參照圖3對本實施形態之液晶裝置之像素部之電 性構成進行說明。 圖3係構成液晶裝置之圖像顯示區域且形成為矩陣狀之 複數個像素的各種元件、配線等之等效電路圖。 於圖3中’於構成本實施形態之液晶裝置ι〇〇之圖像顯示 區域l〇a且形成為矩陣狀之複數個像素中，分別形成有像 素電極9及用以切換控制該像素電極9之TFT 30，且供給圖 像信號之資料線6電性連接於該TFT 3〇之源極。寫入至資料 線6之圖像信號VS!、VS2、…、VSn既可以此順序線序地供 給，亦可對鄰接之複數個資料線6間以每一群組進行供給。 再者，TFT 30係為本發明之r半導體元件」之一例。 又，TFT 30之閘極電性連接有掃描線u，且構成為於特 定之時間内將掃描信號G1、G2、、如以此順序線序且 脈衝性地施加至掃描線丨丨。像素電極9係電性連接於TFT ' 30之汲極，且藉由固定期間内對作為切換元件之tft儿關 閉其開關，而於特定之時間内寫入自資料線6供給之圖像 信號 VS1、VS2、…、VSn。 經由像素電極9寫入至液晶之特定準位之圖像信號 VS1 VS2、…、VSn係於形成在對向基板2〇(參照圖2)之 對向電極21(參照圖2)之間保持固定期間。由於分子集合之 定向或秩序因施加之電屢位準而改變，故液晶可進行光調 變，從而實現灰階顯示。若為常白模式，則對入射光之透 射率將相應於以各像素之單位施加之電壓而減少，若為常 黑模式’則對入射光之透射率將相應於以各像素之單位施 152282.doc -12- 201128598 加之電廛而增加，姑敕辨品 故正體而吕，自液晶裝置100將射出且 有與圖像信號相應之對比度之光。 一、 此處，為^所鋪之圖像信m而與形成於像素 電極9與對向電極21之間之液晶電容並列附加儲存電容 7〇。儲存電容70之一電極係與像素電極9並列連接於订τ 之;及極另-電極係以成為固定電位之方式連接於電位 固定之電容配線4〇〇。 其次’參照圖4及圖5對本實施形態之液晶裝置之特徵性 之光反射部的構成進行說明。 圖4係表示本實施形態之液晶裝置之相鄰複數個像素部 的構成之剖面圖。再者，於圖4中，為使各層、各構件成 為可於圖式上進行辨識程度之大小，而使每一該各層、各 構件進行不同之縮尺。 於圖4中，本實施形態之液晶裝置i 〇〇係於TFT陣列基板 1〇與對向基板20之間夾持液晶層5〇而成。參照圖3所述之 像素部之各電路要素作為經圖案化且經積層之導電膜構築 於TFT陣列基板1 〇上。更具體而言，構成參照圖3所述之掃 描線11 ' TFT 30之半導體層3〇a、資料線6、及像素電極9 自下層侧起以此順序積層於TFT陣列基板1〇上。又，於掃 描線11與半導體層30a之間設置有絕緣膜4〇，於半導體層 3 0a與資料線6之間設置有絕緣膜41，於資料線6與像素電 極9之間設置有絕緣膜42。掃描線11中之與半導體層3〇a之 通道區域對向之部分係作為TFT 30之閘極電極而發揮功 能’且絕緣膜40作為將半導體層30a與包含掃描線11之一 152282.doc -13- 201128598 部分之閘極電極電性絕緣之閘極絕緣膜而發揮功能。即， T F T 3 0係構成為下閘極型之τ F τ。f料線6係經由開孔於絕 緣膜41之接觸孔而電性連接於半導體層3〇a之源極區域。 像素電極9係經由開孔於絕緣膜41及42之接觸孔而電性連 接於半導體層30a之汲極區域。 掃描線11、半導體層3〇a及資料線<5係設置於TFT陣列基 板1〇上之除每一像素之開口區域D1以外之非開口區域 D2。 圖5係表示本實施形態之液晶裝置之開口區域及非開口 區域之平面圖。 於圖4及圖5中，開口區域D1係於圖像顯示區域1〇a(參照 圖1)内對每一像素射出利於顯示之光之區域，非開口區域 D2係圖像顯示區域10a中之除開口區域叫以外之區域、即 於圖像顯示區域l〇a内未對每一像素射出利於顯示之光之 區域。如圖5所示，非開口區域D2係具有將每一像素之開 口區域D1彼此分隔之栅格狀之平面形狀。 於圖4中，本實施形態係尤其於TFT陣列基板1()上形成 有光反射部210。光反射部210係於TFT陣列基板1〇之設置 有像素電極9等之側之基板面1 〇S2(即，TFT陣列基板1 〇之 與入射光所入射之基板面1〇sl不同之基板面）之非開口區 域D2開設V字狀槽210v而成。光反射部21〇係於槽2l〇v内 包含空氣層210a。於槽210v内之空氣層21〇a之上層側，設 置有作為本發明之「平坦化膜」之一例之遮光膜2丨丨。遮 光膜211係包含例如矽化鎢（WSi)、鎢（w)等具有遮光性之 152282.doc -14- 201128598 南溶點金屬材料。遮光膜211係以填充槽21 Ον之一部分之 方式設置’並且上層側藉由例如CMP(Chemical Mechanical P〇iishing :化學機械研磨）處理等平坦化處理 而變得平坦。又，遮光膜211係覆蓋槽210v之開口部，且 降低與未設置槽21 Ον之部分之階差β 根據此種光反射部21〇，可使自TFT陣列基板1〇之一基 板面1 Os 1側入射至非開口區域〇2之光以射向每一像素之開 口區域D1之方式於該光反射部210與tft陣列基板1〇之交 界面進行反射。例如圖4所示’自TFT陣列基板10之基板面 l〇sl側入射至非開口區域D2之光L1係由光反射部21〇反 射’而作為反射光L2射向開口區域D1。因此，可藉由光 反射部210來提高自光源入射之光之利用效率（換言之各 像素之透光率）。 進而，由於光反射部210係設置於TFT陣列基板1〇而並 非設置於對向基板20側，故而可避免於例如假設光反射部 210設置於對向基板20側之情形時可能產生之因TFT陣列基 板10與對向基板20之間之相對錯位引起之開口率（即，開 口區域D1相對各像素之整個區域之比率）之降低。即，於 TF 丁陣列基板1〇中’為防止因TFT 3〇之光泡漏引起顯示圖 像品質降低而需要用以對TFT 3〇進行遮光之遮光膜，於光 反射部210設置於對向基板20側之情形時，必需嚴格地進 行該等之間之位置對準，且光反射部21〇設置於TFT陣列基 板10，故而基板間之位置對準之負擔減輕。藉此，根據本 實施形態之液晶裝置100，可藉由光反射部21〇而確實地提 152282.doc •15· 201128598 高各像素之透光率。 再者’本實施形態，係於對向基板20側未設置光反射部 210及例如黑矩陣等遮光膜（換言之，於對向基板2〇側至少 設置對向電極21及定向膜即可），故而與例如對向基板2〇 側没置有光反射部21 〇或例如黑矩陣等遮光膜之情形相 比’變得易於製造該液晶裝置1〇〇，從而可實現製造過程 中之步驟數量之削減或良率之提高。 進而’於本實施形態中，特別是TFT 30及光反射部21〇 配置為於TFT陣列基板1〇上平面觀察時彼此重疊。藉此， 可錯由光反射部210而遮蔽自tft陣列基板10之一基板面 l〇sl側射向TFT 30之光。即，可藉由光反射部21〇而提高 對TFT 3 0之遮光性。因此’可降mTFT 3〇之光漏電流，從 而可使顯示圖像之對比度提高。 另外’於本實施形態中，特別是TFT 30係介隔遮光膜 211配置於光反射部21〇上’且未配置於構成形成於tft 30 之光反射部210之槽210v内。藉此，例如與假設將TFT 3〇 配置於形成在TFT陣列基板1 〇之槽21 〇v内之情形相比，可 減少各像素之開口區域D1因槽21〇ν而變窄之情形，從而可 提南各像素之透光率。 進而’於本實施形態中，特別是光反射部21〇係如上所 述於槽210ν内包含空氣層21〇a。藉此，可使自tft陣列基 板10之基板面10sl側入射至非開口區域D2之光以射向每一 像素之開口區域D1之方式，於光反射部21〇之空氣層21〇& 與TFT陣列基板1〇之交界面確實地進行反射。進而，與假 152282.doc •16- 201128598 设藉由例如金屬等反射材料填充例如槽21 Ον内之情形相 比’可簡化製造過程。 再者’光反射部210亦可於槽21 Ον内包含真空層而取代 空氣層210a。於該情形時，可使自TFT陣列基板1〇之基板 面l〇sl側入射至非開口區域D2之光以射向每一像素之開口 區域D1之方式’於光反射部210之真空層與丁!^陣列基板 1〇之交界面確實地進行反射。進而，與假設藉由例如金屬 等反射材料填充例如槽21 〇v内之情形相比，可簡化製造過 程。 又’於本實施形態中，特別是於經平坦化之遮光膜2 11 上形成有TFT 30。藉此，可減少或防止TFT 30之元件特性 因設置於其下層側之光反射部21 〇而變化之情形。 如上所述’根據本實施形態之液晶裝置丨〇〇，可提高各 像素之透光率、及對TFT 30之遮光性。其結果，可顯示明 亮且高品質之圖像。 其次，參照圖6至圖9對製造上述本實施形態之液晶裝置 之製造方法進行說明。 圖6至圖9係表示本實施形態之液晶裝置之製造過程之各 步驟之步驟圖。再者’圖6至圖9係對應於圖4所示之剖面 圖進行表示。再者’以下主要對形成上述本實施形態之液 晶裝置之TFT陣列基板1 〇側之構成要素（例如光反射部 210、TFT 30等）之步驟進行說明。 首先’於圖6所示之步驟中，藉由例如幹式蝕刻而於例 如包含玻璃基板等之TFT陣列基板1〇之基板面10s2之非開 152282.doc •17· 201128598 口區域D2形成V字狀之_〇ν。此時，^疊於具有栅格 狀之平面形狀之非開口區域D2(參照圖5)之方式形成槽 210v。即，槽210v係以將每一像素之開口區域£)1彼此分隔 之方式形成。換言之，槽21〇v係以分別包圍每一像素之開 口區域D1之方式形成。 其次’於圖7所示之步驟中’藉由例如CVD(Chemicai Vapor Deposition，化學氣相沈積）法等而使例如霄以、w等 具有遮光性之尚熔點金屬材料沈積於TFT陣列基板1〇之基 板面10s2，藉此，使作為遮光膜211(參照圖4)之前驅膜之 遮光膜211a成膜。此時，於不使槽2Uv完全由遮光膜2Ua 填充之成膜條件（例如CVD條件）下形成遮光膜2Ua。藉 此，形成槽210v内包含空氣層21〇a之光反射部21〇。 其次，於圖8所不之步驟中，藉由對遮光膜211&實施例 如CMP處理等平坦化處理，而形成上層側經平坦化處理之 遮光膜211。 其次，於圖9所示之步驟中，將掃描線u、半導體層3〇& 及資料線6形成於非開口區域D2。更具體而言，首先將掃 描線11以沿X方向（參照圖丨、圖3及圖5)延伸之方式形成於 遮光膜211上。繼而，以覆蓋TFT陣列基板1〇之基板面1(^2 之方式形成絕緣膜40。繼而，以於TFT陣列基板1〇上平面 觀察時至少重疊於非開口區域D2中之掃描線丨丨之一部分 (即，可作為TFT 30之閘極電極發揮功能之部分）之方式形 成半導體層30a。繼而’以覆蓋TFT陣列基板1〇之基板面 10s2之方式形成絕緣膜41。繼而，以沿γ方向（參照圖i、 152282.doc -18- 201128598 圖3及圖5)延伸之方式將資料線6形成於絕緣膜41上。 藉由以此方式形成掃描線11、半導體層3〇&及資料線6， 而形成TFT 30。此處，本實施形態係尤其以於TFT陣列基 板ίο上平面觀察時重疊於光反射部210之方式形成TFT 30。藉此，可藉由光反射部210而遮蔽自TFT陣列基板1〇之 基板面10sl側射向TFT 30之光，從而可提高對TFT 3〇之遮 光性。 於圖9所示之步驟中，在形成資料線6後，以覆蓋TFT陣 列基板10之基板面10s2之方式形成絕緣膜42。繼而，採用 例如ITO等透明材料於絕緣膜42中之每一像素上形成像素 電極9。 此後，如上所述，使形成有TFT 3〇及像素電極9等之 TFT陣列基板1〇、以及形成有對向電極21之對向基板⑽以 介隔液晶層50，使像素電極9與對向電極21對向之方式配 置，且藉由例如密封材而黏合。 可以此種方式，製造本實施形態之液晶裝置丨〇〇 ^此 處，由於本實施形態係尤其將光反射部21〇形成於陣列 基板10而並非對向基板2〇側，故而可避免例如假設光反射 部210及或者黑矩陣等遮光膜形成於對向基板2 〇側之情形 時可此產生之因TFT陣列基板1〇與對向基板2〇之間之相對 錯位引起開口率之降低。 <第2實施形態> 參照圖10對第2實施形態之液晶裝置進行說明。 圖10係表示第2實施形態之液晶裝置之相鄰複數個像素 152282.doc -19- 201128598 部的構成之剖面圖。再者，於圖1G中，對與^至圖9所示 之第1實施形態之構成要素相同之構成要素標註相同之參 "付號並適田省略5亥等之說明。又，圖10係圖示TFT陣 列基板10側之構成，且省略液晶層5〇及對向基板2〇側之構 成之圖示。 於圖10中，第2實施形態之液晶裝置1〇〇b係於包含光反 射部220而取代上述第i實施形態中之光反射部21〇之方 面、及未設置上述第1實施形態中之遮光膜211之方面不同 於上述第1貝施形態之液晶裝置i ，而其他方面則構成為 與上述第1實施形態之液晶裝置1〇〇大致相同。 第2實施形態之光反射部220係於槽21〇v内包含金屬層 221而取代空氣層21〇a之方面不同於上述第1實施形態之光 反射部210，而其他方面則構成為與上述第丨實施形態之光 反射部210大概相同。 本實施形態係特別光反射部220於槽21 Ον内包含金屬層 221。金屬層221係包含例如具有光反射性之高熔點金屬等 金屬。藉此’可使自TFT陣列基板1〇之基板面1〇sl側入射 至非開口區域D2之光以射向每一像素之開口區域di之方 式於光反射部220之金屬層221與TFT陣列基板1〇之交界面 確實地進行反射。進而’例如可減少假設光反射部220於 槽21 Ον内包含空氣層之情形時在製造過程中可能產生之伴 隨周圍氣壓變化之來自槽内的空氣之洩漏，故亦可提高裝 置之可靠性。再者，金屬層221亦可包含鋁等融點相對較 低之金屬。於該情形時，只要將TFT 30構成為LTPS(Low- 152282.doc •20· 201128598 temperature poly silicon :低溫多晶石夕）-TFT 即可。 本實施形態之金屬層22 1係以填充光反射部220之方式設 置，且覆蓋槽21 Ον之開口部。又，本實施形態之金屬層 221亦可以與第1實施形態之遮光膜211相同之方式，將上 層部進行平坦化處理，減少與未設置槽21〇ν之部分之階差 從而作為平坦化膜發揮功能。 <第3實施形態> 參照圖11對第3實施形態之液晶裝置進行說明。 圖11係表示第3實施形態之液晶裝置之相鄰複數個像素 部的構成之剖面圖。再者，於圖Η中，對與圖1至圖9所示 之第1貫施开> 態之構成要素相同之構成要素標註相同之參 照符號’且適當省略該等構成要素之說明。又，圖丨丨係圖 不TFT陣列基板1〇側之構成，且省略液晶層5〇及對向基板 20側之構成之圖示。 於圖11中，第3實施形態之液晶裝置1〇〇c係於包含光反 射部230而取代上述第丨實施形態之光反射部21〇之方面、 及包含絕緣獏43而取代上述第！實施形態之遮光膜211之方 面不同於上述第丨實施形態之液晶裝置1〇〇，而其他方面則 構成為與上述第1實施形態之液晶裝置1〇〇大概相同。再 者，絕緣膜43係為本發明之「平坦化膜」之一例。 第3實施形態之光反射部23〇係於槽2i〇v内包含空氣層 23〇a。空氣層23〇a係藉由利用絕緣膜杓封塞槽21^之基板 面l〇s2側而形成。更具體而言，藉由利用絕緣膜之一部 真充槽21〇v之基板面i〇s2側，而於槽21〇v内形成空 I52282.doc •21 · 201128598 氣層230a。 絕緣膜43係設置於TFT陣列基板10上之積層構造中之光 反射部230與TFT 30之間，且填充槽210v之至少一部分， 並且上層側藉由例如CMP等平坦化處理而變得平坦。藉 此’可減少或防止形成於絕緣膜43上之TFT 30之元件特性 因光反射部230而變化之情形。 <電子機器> 其次，對作為上述光電裝置之液晶裝置應用於各種電子 機器之情形進行說明。 首先，對該液晶裝置用作光閥之投影儀進行說明。圖12 係表示投影儀之構成例之平面圖。如該圖12所示，於投影 儀1100内部設置有包含鹵素燈等白色光源之燈單元11〇2。 自該燈單元1102射出之投射光係藉由配置於導光體1104内 之4片鏡面11〇6及2片分色鏡1108而分離成RGB之3原色， 併入射至作為對應於各原色之光閥之液晶面板丨丨丨〇R、 1110B及 1110G。 液晶面板111 OR、1110B及1110G之構成係與上述液晶裝 置相同，分別藉由自圖像信號處理電路供給之r、G、B之 原色彳§號而驅動。而且’由該等液晶面板調變之光係自3 個方向入射至分色棱鏡1112 ^於該分色稜鏡m2中，R&B 之光折射90度，另一方面G之光進行直射。因此，將各色 圖像合成之結果，經由投射透鏡1114而於螢幕等投影出彩 色圖像。 此處’就各液晶面板1110R、1110B及1110G之顯示像而 152282.doc -22· 201128598 言，液晶面板1110G之顯示像必需相對液晶面板iii〇r、 1110B之顯示像進行左右反轉。 再者’由於液晶面板1110R、ll1〇B及iii〇G中，藉由分 色鏡1108而入射對應於R、G、B之各原色之光，故而無需 設置彩色濾光片。 再者’除參照圖12進行說明之電子機器外，亦可列舉移 動型個人電腦、行動電話、液晶電視、取景器型及監視器 直視型錄影機、汽車導航裝置、啤叫器、電子記事薄、計 异器、文字處理器、工作站、可視電話、p〇S(p〇int Sales，時點銷售情報系統）終端、包含觸摸面板之裝置 等。而且’當然可應用於該等各種電子機器。 本發明並不限定於上述實施形態，於不違反自專利請求 之範圍及說明書整體讀取之發明之要旨或思想之範圍内可 進行適當變更’且伴隨此種變更之光電裝置及包含該光電 裝置之電子機器亦為包含於本發明之技術性範圍内者。 【圖式簡單說明】 圖1係表示第1實施形態之液晶裝置之整體構成之平面 圖。 圖2係圖1之H-H，線剖面圖。 圖3係第1實施形態之液晶裝置之複數個像素部之等效電 路圖。 圖4係表示第1實施形態之液晶裝置之相鄰複數個像素部 的構成之剖面圖。 圖5係表示第1實施形態之液晶裝置之開口區域及非開口
152282.doc -23- S 201128598 區域之平面圖。 圖6係表示第1實施形態之液晶裝置之製造過程之各 之步驟圖（其1)。 驟 圖7係表示第1實施形態之液晶裝置之製造過程之各步驟 之步驟圖（其2)。 圖8係表示第1實施形態之液晶裝置之製造過程之各步驟 之步驟圖（其3)。 圖9係表示第i實施形態之液晶裝置之製造過程之各步驟 之步驟圖（其4)。 圖1〇係表示第2實施形態之液晶裝置之相鄰複數個像素 部的構成之剖面圖。 圖11係表示第3實施形態之液晶裝置之相鄰複數個像素 部的構成之剖面圖。 圖12係表示作為應用光電裝置之電子機器之一例之投影 儀的構成之平面圖。 【主要元件符號說明】 6 資料線 7 取樣電路 9 像素電極 10 TFT陣列基板 10a 圖像顯示區域 l〇sl 、 l〇s2 TFT陣列基板1〇之基板面 11 掃描線 20 對向基板 152282.doc -24- 201128598 21 對向電極 30 TFT 30a 半導體層 40 ' 41 、 42 、 43 絕緣膜 43a 絕緣膜之一部分 50 液晶層 52 密封材 70 儲存電容 90 鋪設配線 100 、 100b ' 100c 液晶裝置 101 資料線驅動電路 102 電路連接端子 104 掃描線驅動電路 106 上下導通端子 107 上下導通材 210 ' 220 ' 230 光反射部 210a ' 230a 空氣層 210v 槽 211 ' 211a 遮光膜 221 金屬層 400 電容配線 1100 投影儀 1102 燈單元. 1104 導光體 152282.doc -25- 201128598 1106 鏡面 1108 分色鏡 1110R、1110B、 1110G 液晶面板 1112 分色稜鏡 1114 投射透鏡 D1 開口區域 D2 非開口區域 G1、G2、Gm 掃描信號 H-H' 線 LI 光 L2 反射光 R、B、G 原色 VS1、VS2、VSn 圖像信號 X、Y 方向 152282.doc -26-