JPH01167729A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
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- JPH01167729A JPH01167729A JP62323969A JP32396987A JPH01167729A JP H01167729 A JPH01167729 A JP H01167729A JP 62323969 A JP62323969 A JP 62323969A JP 32396987 A JP32396987 A JP 32396987A JP H01167729 A JPH01167729 A JP H01167729A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示パネルに係ル、特に多重マトリクス方
式、アクティブマトリクス方式の液晶表示パネルに関す
る。
式、アクティブマトリクス方式の液晶表示パネルに関す
る。
従来提案されている２重マトリクス液晶パネルの電極パ
ターン、アクティブマトリクス液晶パネルに用いられて
いる薄膜トランジスタの平面形状を第１３図、第１４図
に示す。このような液晶パネルの問題点の１つは表示の
開口″４（すなわち、有効画面面積に対するＩＩＩＩ素
電極面積の総和との比）の低下である。開口率が大きい
ほどコントラストが向上するため、画質が向上して見安
くなる。
ターン、アクティブマトリクス液晶パネルに用いられて
いる薄膜トランジスタの平面形状を第１３図、第１４図
に示す。このような液晶パネルの問題点の１つは表示の
開口″４（すなわち、有効画面面積に対するＩＩＩＩ素
電極面積の総和との比）の低下である。開口率が大きい
ほどコントラストが向上するため、画質が向上して見安
くなる。
開口率を大きくすることを目的として、特開昭５９−１
７０８８１号ではリード電極、１ｉｉｉ＋；＊電極のパ
ターニングを同一工程で２度繰）返すことにより同一位
置に欠陥が生じる確立が０に近づく几め、第１５脂に示
す様な、細いリード電極、狭い間隙のパターニングを歩
Ｗりよく作成することができ、開口率を大きくすること
ができると提案しているしかし、この方法では、２度同
じ工程を繰り返す次め、１度目と２度目のパターンの位
置合わせ精度に問題が残る。また、得られた開口率は７
９８チで、まだ２０％のロスがある。
７０８８１号ではリード電極、１ｉｉｉ＋；＊電極のパ
ターニングを同一工程で２度繰）返すことにより同一位
置に欠陥が生じる確立が０に近づく几め、第１５脂に示
す様な、細いリード電極、狭い間隙のパターニングを歩
Ｗりよく作成することができ、開口率を大きくすること
ができると提案しているしかし、この方法では、２度同
じ工程を繰り返す次め、１度目と２度目のパターンの位
置合わせ精度に問題が残る。また、得られた開口率は７
９８チで、まだ２０％のロスがある。
特開昭６０−１７９７８０号ではアクティブマトリクス
方式の液晶表示パネルにおいて、第１６図に示すように
博膜トランジスタアレイの共通ゲート配線（走査ライン
）と共通ドレイン配ｍ（信号ライン）上にま几がりて、
各ｇｉｌｌ）ランジスタのドレインコンタクトを形成し
、もってトランジスタの実効占有面積の低減を実現し、
開口率を向上している。
方式の液晶表示パネルにおいて、第１６図に示すように
博膜トランジスタアレイの共通ゲート配線（走査ライン
）と共通ドレイン配ｍ（信号ライン）上にま几がりて、
各ｇｉｌｌ）ランジスタのドレインコンタクトを形成し
、もってトランジスタの実効占有面積の低減を実現し、
開口率を向上している。
しかし、開口率１００％には及んでいない。
また、特開昭５７−１５７２１５号では、第１７図に打
機に、液晶マトリクスパネルの各表示画素に対応して微
小なレンズをモザイク状に形成したモザイクレンズシー
トを設け、各表示画素に集光することによシ、実効的な
開口率を上げ、さらに、第１８図に示す様に、モザイク
レンズシートに反射面を備えて、斜め入射の元も画素電
極に集光し実効的開口率の向上を図っている。
機に、液晶マトリクスパネルの各表示画素に対応して微
小なレンズをモザイク状に形成したモザイクレンズシー
トを設け、各表示画素に集光することによシ、実効的な
開口率を上げ、さらに、第１８図に示す様に、モザイク
レンズシートに反射面を備えて、斜め入射の元も画素電
極に集光し実効的開口率の向上を図っている。
しかし、レンズによる集光である友め、第１９図に示す
様に、集光された光は円形を示す。画素電極は面積的に
は四角形が最も有利であり、画素電極面積を有効に使う
ことができない。ま交、第２０図に示す様に、１１！Ｉ
Ｉ素当りの有効画面面積の７８．５俤の部分に入射しｔ
光を利用することはできるが、斜朦の部分に入射し次元
を利用することはできないＯ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術では、開口率向上を図っているが１００％
の開口率を得るには至っていない。
様に、集光された光は円形を示す。画素電極は面積的に
は四角形が最も有利であり、画素電極面積を有効に使う
ことができない。ま交、第２０図に示す様に、１１！Ｉ
Ｉ素当りの有効画面面積の７８．５俤の部分に入射しｔ
光を利用することはできるが、斜朦の部分に入射し次元
を利用することはできないＯ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術では、開口率向上を図っているが１００％
の開口率を得るには至っていない。
本発明の目的は、実効的な開口率ｔ−１００％として、
高コントラスト、高輝度による画質の向上を図ることに
ある。
高コントラスト、高輝度による画質の向上を図ることに
ある。
上記目的は、ガラス基板の画：ｌＩＡ電極形成側に、１
素電極形ｇ部分を除いて溝を形成し、この溝に反射膜を
形成することにより、達成される。
素電極形ｇ部分を除いて溝を形成し、この溝に反射膜を
形成することにより、達成される。
ガラス基板の画素電極形成面側に画素電極形成部分を除
いて害を形成し、この隣に反射膜を形成することにより
、配線部、ｍｓ＆トランジスタ部に入射してくるすべて
の光は反射されて、ｌｌ１ｉ＋累電極に入射するので、
実効的な開口率は１００％となりコントラスト、輝度が
向上し、画質が向上して見安い表示パネルとなる。
いて害を形成し、この隣に反射膜を形成することにより
、配線部、ｍｓ＆トランジスタ部に入射してくるすべて
の光は反射されて、ｌｌ１ｉ＋累電極に入射するので、
実効的な開口率は１００％となりコントラスト、輝度が
向上し、画質が向上して見安い表示パネルとなる。
以下、本発明を図を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明の液晶表示パネルの構造を示す第１の
実権例の平面−、第２図は、第１図のＡ−に断面を示す
断面図である。
実権例の平面−、第２図は、第１図のＡ−に断面を示す
断面図である。
下ガラス基板１に、画素電極５ｔ−形成する部分を除い
て溝１１を形成する。ｅｌｌｔ−形成したガラス基板１
上に反射＠１２、例えばＡｊｔ−成膜し、ラップ等によ
り平坦化する。反射１１１１２が埋め込まれ平坦化され
たガラス基板上に、例えば８ ｉ ０１絶縁層を介して
、走査電極１０、薄膜トランジスタ４、信号電極３、画
素電極５を形成する。共通電極６を形成し北上ガラス基
板２との間に液晶８を封入する。
て溝１１を形成する。ｅｌｌｔ−形成したガラス基板１
上に反射＠１２、例えばＡｊｔ−成膜し、ラップ等によ
り平坦化する。反射１１１１２が埋め込まれ平坦化され
たガラス基板上に、例えば８ ｉ ０１絶縁層を介して
、走査電極１０、薄膜トランジスタ４、信号電極３、画
素電極５を形成する。共通電極６を形成し北上ガラス基
板２との間に液晶８を封入する。
反射膜１２を形成した婢１１の部分に入射し友光は第３
図に示す様に、反射されて画素電極５の領域内に集合さ
れる。つまり、配線部や薄膜トランジスタ部に入射し、
従来利用されなかった光も、画素電極領域に集光される
。従って、有効画面面積に入射し次元は、すべて画素電
極領域に入射する友め、実効的開口率は１００％となる
。
図に示す様に、反射されて画素電極５の領域内に集合さ
れる。つまり、配線部や薄膜トランジスタ部に入射し、
従来利用されなかった光も、画素電極領域に集光される
。従って、有効画面面積に入射し次元は、すべて画素電
極領域に入射する友め、実効的開口率は１００％となる
。
第４図に、本発明の第２の実施例と元の通過路を示す断
面囚を示す。第一の実施例と同様に反射膜１２、走査電
極１０、ｍ膜トランジスタ４、信号電極３、＠素電極５
を形成しｔ後に、１ｉｉｉ素電極５の部分を除き、配線
、薄膜トランジスタ上に、絶縁膜を介して第二の反射膜
１３を形成する。
面囚を示す。第一の実施例と同様に反射膜１２、走査電
極１０、ｍ膜トランジスタ４、信号電極３、＠素電極５
を形成しｔ後に、１ｉｉｉ素電極５の部分を除き、配線
、薄膜トランジスタ上に、絶縁膜を介して第二の反射膜
１３を形成する。
入射光が画素電極５に対し、斜めに入射する場合を考え
る。画素電極５を斜めに通過し次光は第二の反射ｌｌ１
１５で反射され、＋１１１１素電極５に対応する共通１
１Ｌｍの領域ａ、カラーの場合で言えば、カラーフィル
ター１４の各色領域に集光される。従って元の漏れによ
るコントラストの低下を防ぎ、有効画面面積に入射した
光はすべて画素電極を通過し、その光の大部分は、駆動
Ｉ！Ｉｉ素電極に対応する共通電極部に入射する念め、
高コントラスト、高輝度な画面ｔ−得ることができる。
る。画素電極５を斜めに通過し次光は第二の反射ｌｌ１
１５で反射され、＋１１１１素電極５に対応する共通１
１Ｌｍの領域ａ、カラーの場合で言えば、カラーフィル
ター１４の各色領域に集光される。従って元の漏れによ
るコントラストの低下を防ぎ、有効画面面積に入射した
光はすべて画素電極を通過し、その光の大部分は、駆動
Ｉ！Ｉｉ素電極に対応する共通電極部に入射する念め、
高コントラスト、高輝度な画面ｔ−得ることができる。
ま友、配線、薄膜トランジスタ上に反射ａを形成した場
合には、第５図に示す様に、共通電極側から′″／ｌ、
を入射しても同様の効果が得られる。
合には、第５図に示す様に、共通電極側から′″／ｌ、
を入射しても同様の効果が得られる。
第６図に、本発明の第３の実施例を示す。第一の実施例
と同様に形成した薄膜トランジスタ基板の配線、薄膜ト
ランジスタ上に、絶縁層を介して、第二の反射＠１ｓｔ
−ギャップ長の厚さ、例えば、Ａ１４μｍで形成する。
と同様に形成した薄膜トランジスタ基板の配線、薄膜ト
ランジスタ上に、絶縁層を介して、第二の反射＠１ｓｔ
−ギャップ長の厚さ、例えば、Ａ１４μｍで形成する。
この反射＠１５ｉギャップ材として、共通電極を形成し
ｔガラス再版２とは９合わせ液晶を封入する。反射膜１
３をギャップ材として兼用することにより、光の漏れは
全く無くなカ、よシ高コントラストを実現できる。ま几
、ビーズ等のギャップ材を用いるのに比べ均一なギヤツ
ブ長ｔ−得ることができ、特に狭ギャップ長を得るのに
適す。
ｔガラス再版２とは９合わせ液晶を封入する。反射膜１
３をギャップ材として兼用することにより、光の漏れは
全く無くなカ、よシ高コントラストを実現できる。ま几
、ビーズ等のギャップ材を用いるのに比べ均一なギヤツ
ブ長ｔ−得ることができ、特に狭ギャップ長を得るのに
適す。
第７図は、本発明の第４の実施例を示す平面図、第８図
は第７図のＢ −Ｂ’断面を示す断面図である。
は第７図のＢ −Ｂ’断面を示す断面図である。
下ガラス基板１に、ＩＩ！ＩＩ素電極５を形成する部分
と、各画素の信号電極を形成する部分の一部を除いて＄
１１を形成する。＃１１１１ｔ−形成したカラス基板１
上に反射＠１２を底膜し、ラップ等によシ平坦化する。
と、各画素の信号電極を形成する部分の一部を除いて＄
１１を形成する。＃１１１１ｔ−形成したカラス基板１
上に反射＠１２を底膜し、ラップ等によシ平坦化する。
続いて走査電極１０ｔ−形成する。
走査電極１０は反射［１２と接続されるため、ピンホー
ル等によシ走査電極に欠陥が生じても断線することなく
、歩留りの向上が図れる。この方法によれば、実効的開
口率の向上による高輝度、高コントラスト化と共に、歩
留９の向上を図ることができる。
ル等によシ走査電極に欠陥が生じても断線することなく
、歩留りの向上が図れる。この方法によれば、実効的開
口率の向上による高輝度、高コントラスト化と共に、歩
留９の向上を図ることができる。
第９図は、本発明の第５の実施例を・示す平面図、ｃ
−ｃ’ＷＩｒ面を第１０図ｓｃ 示ｆ。 。
−ｃ’ＷＩｒ面を第１０図ｓｃ 示ｆ。 。
下ガラス基板１に、［［ｌｌｉ累電極電極５成する部分
と各Ｉ！ｌｌ素の信号電極を形成する部分２ケ所を除い
て溝１１を形成する。溝１１を形成し友ガラス基板１上
に反射膜１２を成映し、ラップ等により平坦化する。続
いて走査電極１０を形成する。絶縁層を介して信号電極
３を形成するが、この時、走査電極１０が接続していな
い反射膜１２′と接続する。
と各Ｉ！ｌｌ素の信号電極を形成する部分２ケ所を除い
て溝１１を形成する。溝１１を形成し友ガラス基板１上
に反射膜１２を成映し、ラップ等により平坦化する。続
いて走査電極１０を形成する。絶縁層を介して信号電極
３を形成するが、この時、走査電極１０が接続していな
い反射膜１２′と接続する。
この方法によれば、走査電極、信号電極共に欠陥による
断線を反射膜によシ補償されるため、実効的開口率の向
上と共に、よシー層の歩留りの向上を図ることができる
。
断線を反射膜によシ補償されるため、実効的開口率の向
上と共に、よシー層の歩留りの向上を図ることができる
。
反射膜は、１１１を埋めこまなくてもよく、第１１図に
示す様に、溝内に一層形成され、他の材料例えばＳｉＯ
□で埋め込み、平坦化してもよい。しかし電極と接続し
て歩留シの向上も図る場合には、溝内は、導電膜で埋め
込む方が得策である。
示す様に、溝内に一層形成され、他の材料例えばＳｉＯ
□で埋め込み、平坦化してもよい。しかし電極と接続し
て歩留シの向上も図る場合には、溝内は、導電膜で埋め
込む方が得策である。
溝の形状は、第１２因に示す形状を始め、その他どの様
な形状であっても実効的開口率を向上する効果がある。
な形状であっても実効的開口率を向上する効果がある。
また上記平坦化は、絶縁層に有機材料を用いることによ
り、絶縁と平坦化を同時に行うことができる。平坦化せ
ずに、反射膜形成後、絶縁層を介し電極を形成してもよ
い。
り、絶縁と平坦化を同時に行うことができる。平坦化せ
ずに、反射膜形成後、絶縁層を介し電極を形成してもよ
い。
本発明によれば、光の利用率を改善することができ、実
効的な開口率が１００％となり、高輝度、高コントラス
ト、凋費電力の低減が因れる効果がある。ま友、本発明
による反射膜により、高？＃度なギャップ制御、電極と
反射膜を接続することにより、歩留りの向上を図ること
ができる等の副効果がある。
効的な開口率が１００％となり、高輝度、高コントラス
ト、凋費電力の低減が因れる効果がある。ま友、本発明
による反射膜により、高？＃度なギャップ制御、電極と
反射膜を接続することにより、歩留りの向上を図ること
ができる等の副効果がある。
第１図は本発明の第１の笑識別全示す平面図、第２図は
第１図のＡ−に断面図、第３図は画素電極への光の入射
を示す断面図、第４囚、第５図は本発明の第２の＊識別
と光の入射を示す断面図、第６図は第３の実施例を示す
断面図、第７図は第４の実施例を示す平面図、第８図は
第７図のＢ−「断面図、第９図は第５の実施例を示す平
面図、第１０図は第９図のｃ −ｃ’断面図、第１１図
、第１２図はその他の実施例の説明図、第１３〜第２０
図は従来例を示す説明図である。 １・・・下ガラス基板、２・・・上ガラス基板、３・・
・信号電極、４・・・薄膜トランジスタ、５・・・画素
電極、６・・・共通電極、７・・・モザイクレンズ、８
・・・液晶、９・・・リード電極、１０・・・走査電極
、１１・・・溝、１２・・・反射膜、１３・・・第二の
反射膜、１４・・・カラーフィルター、１５・・・透明
絶縁臭。
第１図のＡ−に断面図、第３図は画素電極への光の入射
を示す断面図、第４囚、第５図は本発明の第２の＊識別
と光の入射を示す断面図、第６図は第３の実施例を示す
断面図、第７図は第４の実施例を示す平面図、第８図は
第７図のＢ−「断面図、第９図は第５の実施例を示す平
面図、第１０図は第９図のｃ −ｃ’断面図、第１１図
、第１２図はその他の実施例の説明図、第１３〜第２０
図は従来例を示す説明図である。 １・・・下ガラス基板、２・・・上ガラス基板、３・・
・信号電極、４・・・薄膜トランジスタ、５・・・画素
電極、６・・・共通電極、７・・・モザイクレンズ、８
・・・液晶、９・・・リード電極、１０・・・走査電極
、１１・・・溝、１２・・・反射膜、１３・・・第二の
反射膜、１４・・・カラーフィルター、１５・・・透明
絶縁臭。
Claims (1)
- １、アクティブマトリクスもしくは多重マトリクス等の
マトリクス方式の液晶表示パネルにおいて、該マトリク
ス液晶表示パネルの画素電極を形成するガラス板の電極
形成側に画素電極形成部分を除いて溝を掘り、反射膜を
形成したことを特徴とした液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62323969A JPH01167729A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62323969A JPH01167729A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 液晶表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01167729A true JPH01167729A (ja) | 1989-07-03 |
Family
ID=18160655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62323969A Pending JPH01167729A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01167729A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05100222A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US5846854A (en) * | 1993-07-19 | 1998-12-08 | Compagnie Generale D'innovation Et De Developpement Cogidev | Electrical circuits with very high conductivity and high fineness, processes for fabricating them, and devices comprising them |
| WO2004057414A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical substrate, display device using the same and their manufacturing methods |
| JP2006113192A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び投射型表示装置 |
| JP2007219050A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、プロジェクタ及び電子機器 |
| JP2008122648A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
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-
1987
- 1987-12-23 JP JP62323969A patent/JPH01167729A/ja active Pending
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