JP2011124973A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2012060046A1 (ja) * 2010-11-01 2014-05-12 Ｎｅｃカシオモバイルコミュニケーションズ株式会社 電子機器
DE102011076430A1 (de) * 2011-05-25 2012-11-29 Robert Bosch Gmbh Schallwellenbasierter Sensor
EP3018916B1 (en) 2011-08-16 2020-02-19 Empire Technology Development LLC Techniques for generating audio signals
JP5834679B2 (ja) 2011-09-20 2015-12-24 セイコーエプソン株式会社 超音波プローブおよび超音波画像診断装置
US8723399B2 (en) * 2011-12-27 2014-05-13 Massachusetts Institute Of Technology Tunable ultrasound transducers
JP5990930B2 (ja) 2012-02-24 2016-09-14 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP5990929B2 (ja) 2012-02-24 2016-09-14 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP5982868B2 (ja) * 2012-02-28 2016-08-31 セイコーエプソン株式会社 超音波センサー、超音波アレイセンサーおよび超音波センサーの製造方法
JP5900107B2 (ja) 2012-03-30 2016-04-06 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP6102075B2 (ja) 2012-03-30 2017-03-29 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP6123171B2 (ja) * 2012-05-21 2017-05-10 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー、超音波プローブおよび超音波検査装置
JP6065421B2 (ja) * 2012-06-15 2017-01-25 セイコーエプソン株式会社 超音波プローブおよび超音波検査装置
JP6089499B2 (ja) * 2012-08-28 2017-03-08 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP6186696B2 (ja) * 2012-10-25 2017-08-30 セイコーエプソン株式会社 超音波測定装置、ヘッドユニット、プローブ及び診断装置
US20140180117A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Volcano Corporation Preparation and Application of a Piezoelectric Film for an Ultrasound Transducer
JP6175780B2 (ja) * 2013-01-28 2017-08-09 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス、超音波プローブ、電子機器および超音波画像装置
WO2014121192A1 (en) * 2013-02-02 2014-08-07 Akrion Systems Llc System for processing substrates using acoustic energy
JP6136464B2 (ja) * 2013-03-29 2017-05-31 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置
US10079164B2 (en) * 2013-09-18 2018-09-18 Naura Akrion Inc. System, apparatus, and method for processing substrates using acoustic energy
JP6273743B2 (ja) * 2013-09-30 2018-02-07 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイスおよびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置
JP6381195B2 (ja) * 2013-10-22 2018-08-29 キヤノン株式会社 静電容量型トランスデューサ及びその作製方法
JP6221679B2 (ja) * 2013-11-20 2017-11-01 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイスおよびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置
JP6265758B2 (ja) * 2014-01-27 2018-01-24 キヤノン株式会社 静電容量型トランスデューサ
US10284961B2 (en) 2014-02-08 2019-05-07 Empire Technology Development Llc MEMS-based structure for pico speaker
US10271146B2 (en) 2014-02-08 2019-04-23 Empire Technology Development Llc MEMS dual comb drive
WO2015119628A2 (en) 2014-02-08 2015-08-13 Empire Technology Development Llc Mems-based audio speaker system using single sideband modulation
WO2015119627A2 (en) 2014-02-08 2015-08-13 Empire Technology Development Llc Mems-based audio speaker system with modulation element
JP6314777B2 (ja) 2014-09-30 2018-04-25 セイコーエプソン株式会社 超音波センサー並びにプローブおよび電子機器
CN104540078A (zh) 2014-12-16 2015-04-22 歌尔声学股份有限公司 微型扬声器
JP6683483B2 (ja) * 2015-02-06 2020-04-22 株式会社ダイセル 超音波の送受信素子
JP6422792B2 (ja) * 2015-02-06 2018-11-14 株式会社ダイセル 超音波の送受信素子
WO2016125702A1 (ja) * 2015-02-06 2016-08-11 株式会社ダイセル 超音波の送受信素子
JP6536792B2 (ja) * 2015-03-25 2019-07-03 セイコーエプソン株式会社 超音波センサー及びその製造方法
US10367430B2 (en) 2016-01-11 2019-07-30 Infineon Technologies Ag System and method for a variable flow transducer
CN105843446B (zh) * 2016-03-18 2019-10-25 京东方科技集团股份有限公司 检测组件、触控显示装置、触摸定位方法及压力检测方法
JP6724502B2 (ja) * 2016-04-06 2020-07-15 セイコーエプソン株式会社 超音波装置
CN107920313A (zh) * 2016-08-27 2018-04-17 深圳市诺维创科技有限公司 一种微型压电超声换能器及其制作方法
IT201700010342A1 (it) * 2017-01-31 2018-07-31 St Microelectronics Srl Dispositivo mems includente un attuatore piezoelettrico con un volume ridotto
KR20210005208A (ko) * 2018-05-03 2021-01-13 버터플라이 네트워크, 인크. Cmos 센서 상의 초음파 트랜스듀서를 위한 압력 포트
CN109160485B (zh) * 2018-08-09 2020-09-15 南京邮电大学 一种声栅-反射面压电超声能量收集器及其制备方法
US11818957B2 (en) 2019-01-21 2023-11-14 Stmicroelectronics S.R.L. Piezoelectrically actuated MEMS optical device having a protected chamber and manufacturing process thereof
US11275057B2 (en) 2019-04-03 2022-03-15 Infineon Technologies Ag Photoacoustic sensor valve
CN110366084A (zh) * 2019-06-06 2019-10-22 七色堇电子科技（上海）有限公司 一种半导体器件及其制备方法和电子装置
WO2021050853A1 (en) * 2019-09-12 2021-03-18 Exo Imaging, Inc. Increased mut coupling efficiency and bandwidth via edge groove, virtual pivots, and free boundaries
CN115644917A (zh) 2020-03-05 2023-01-31 艾科索成像公司 具有可编程解剖和流成像的超声成像装置
US11984863B2 (en) 2020-07-08 2024-05-14 Kampanics, L.L.C. Sensor with resonator supported on a substrate
US12486159B2 (en) * 2021-06-30 2025-12-02 Exo Imaging, Inc. Micro-machined ultrasound transducers with insulation layer and methods of manufacture

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3407980A1 (de) * 1983-04-20 1984-10-25 Tadashi Tokio/Tokyo Sawafuji Kristallschallerzeuger
JPS6273900A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Yokogawa Electric Corp 超音波送受波器
JPS6386998A (ja) * 1986-09-30 1988-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電発音体
JPH06105396A (ja) * 1992-09-22 1994-04-15 Hitachi Constr Mach Co Ltd 超音波探触子装置
JPH06233386A (ja) * 1993-02-03 1994-08-19 Nippon Chemicon Corp 圧電発音体の固定構造
JP2000217195A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Aiphone Co Ltd スピ―カ
US6894425B1 (en) * 1999-03-31 2005-05-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Two-dimensional ultrasound phased array transducer
JP4513596B2 (ja) * 2004-08-25 2010-07-28 株式会社デンソー 超音波センサ
JP2006319945A (ja) * 2005-04-12 2006-11-24 Osaka Industrial Promotion Organization ダイアフラム型センサ素子とその製造方法
KR100781467B1 (ko) * 2006-07-13 2007-12-03 학교법인 포항공과대학교 공기중 파라메트릭 트랜스미팅 어레이를 이용한 초지향성초음파 거리측정을 위한 멤스 기반의 다공진 초음파트랜스듀서
JP2009260723A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Asahi Kasei Electronics Co Ltd トランスデューサ

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