JP2011119712A5 - 評価方法、半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (4)

1. 酸化物半導体を含むトランジスタを形成し、
   前記トランジスタのソース、ドレイン及びゲートを電気的に接続して、ＣＶ特性を取得し、
   前記ＣＶ特性に基づき、ゲート電圧Ｖｇと（１／Ｃ）^２との関係をプロットしたグラフを取得し、
   前記グラフにおいて弱反転領域での（１／Ｃ）^２の微分値を求め、前記微分値を下記数式（１２）に代入することによりキャリア密度Ｎ_ｄの大きさを求め、
   前記キャリア密度Ｎ _ｄ が１×１０ ^１８ ｃｍ ^−３ 以上の場合、前記トランジスタに加熱処理を加えることが好ましいと評価することを特徴とする評価方法。
   
   （但し、数式（１２）中、ｅは電子電荷、ε_０は真空の誘電率、εは前記酸化物半導体の比誘電率である。）
2. 請求項１において、
   前記トランジスタは基板の上方に位置し、
   前記加熱処理として、１５０℃以上前記基板の耐熱温度以下の温度の加熱処理を加えることが好ましいと評価することを特徴とする評価方法。
3. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を用い、
   前記第１のトランジスタは、第１の組成を有する第１の酸化物半導体と、第１のソースと、第１のドレインと、第１のゲートとを有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の組成を有する第２の酸化物半導体と、第２のソースと、第２のドレインと、第２のゲートとを有し、
   前記第１のソース、前記第１のドレイン及び前記第１のゲートを電気的に接続して、第１のＣＶ特性を取得し、
   前記第２のソース、前記第２のドレイン及び前記第２のゲートを電気的に接続して、第２のＣＶ特性を取得し、
   前記第１のＣＶ特性と前記第２のＣＶ特性のグラフを比較して、前記第１の酸化物半導体と前記第２の酸化物半導体の組成のうち最適な組成を評価する評価方法。
4. 酸化物半導体を含むトランジスタを形成し、
   前記トランジスタのソース、ドレイン及びゲートを電気的に接続して、ＣＶ特性を取得し、
   前記ＣＶ特性に基づき、ゲート電圧Ｖｇと（１／Ｃ）^２との関係をプロットしたグラフを取得し、
   前記グラフにおいて弱反転領域での（１／Ｃ）^２の微分値を求め、前記微分値を下記数式（１２）に代入することによりキャリア密度Ｎ_ｄの大きさを求め、
   前記キャリア密度Ｎ _ｄ が１×１０ ^１８ ｃｍ ^−３ 以上の場合、前記トランジスタに加熱処理を加えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
   
   （但し、数式（１２）中、ｅは電子電荷、ε_０は真空の誘電率、εは前記酸化物半導体の比誘電率である。）