JP2011119597A5 - - Google Patents
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この場合、基板の回転速度は、塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに、第1の速度および第3の速度よりも低い第5の速度に低下される。その後、基板の回転速度は、第5の速度から第1の速度に上昇される。これにより、基板の回転速度が第5の速度から第1の速度に上昇する期間に、基板上の塗布液を乾燥させることができる。これにより、乾燥の遅い性質の塗布液を使用する場合、より効率的に基板上に塗布液の膜を形成することができる。
基板100にエッジリンス液およびバックリンス液の吐出が開始された後、時点t13で基板100の回転速度が、例えば1000rpmまで上昇する。このとき、基板100の被処理面の周縁部がエッジリンス液により洗浄されるとともに、基板100の裏面がバックリンス液により洗浄される。これにより、基板100の被処理面の周縁部および裏面に付着するレジスト液および塵埃等が除去される。その後、時点t14でバックリンス液吐出信号S4がローレベルになり、時点t15でエッジリンス液吐出信号S3がローレベルになる。それにより、バックリンス液の吐出およびエッジリンス液の吐出が順に停止される。
時点t21から時点t22までの期間、基板100の回転速度が、例えば1000rpmに維持される。これにより、時点t21から時点t22までの期間に、基板100上のレジスト液を十分に乾燥させることができる。そのため、第1の実施の形態と比較して、乾燥の遅い性質のレジスト液を使用する場合に、より効率的に基板100上にレジスト液の膜を形成することができる。
ここで、時点t23から時点t24までの期間における基板100の回転の減速度は10000rpm/s未満である。この場合、基板100の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板100の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板100の周縁部から基板100外に流出するレジスト液の量が減少し、基板100の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板100の周縁部上で維持される。その結果、基板100上のレジスト液の膜厚の均一性を確保することができる。
ここで、時点t31から時点t32までの期間における基板100の回転の加速度は10000rpm/s以上である。また、時点t32でレジストノズル9からのレジスト液の吐出が停止される。
ここで、時点t32から時点t33までの期間における基板100の回転の減速度は10000rpm/s未満である。この場合、基板100の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板100の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板100の周縁部から基板100外に流出するレジスト液の量が減少し、基板100の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板100の周縁部上で維持される。その結果、基板100上のレジスト液の膜厚の均一性を確保することができる。
[4]第4の実施の形態
第4の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第1の実施の形態に係る基板処理装置200および基板処理方法と異なる点を説明する。
第4の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第1の実施の形態に係る基板処理装置200および基板処理方法と異なる点を説明する。
[5]第5の実施の形態
第5の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第1の実施の形態に係る基板処理装置200および基板処理方法と異なる点を説明する。
第5の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第1の実施の形態に係る基板処理装置200および基板処理方法と異なる点を説明する。
ここで、時点t62から時点t63までの期間における基板100の回転の減速度は10000rpm/s未満である。この場合、基板100の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板100の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板100の周縁部から基板100外に流出するレジスト液の量が減少し、基板100の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板100の周縁部上で維持される。その結果、基板100上のレジスト液の膜厚の均一性を確保することができる。
また、上記第1〜第5の実施の形態で示された基板100の回転速度は一例であり、本発明は上記の回転速度に限定されない。使用する溶剤、基板100の大きさ、塗布液の粘度および塗布液の乾燥のしやすさなど、種々の要素により基板100の回転速度を適切に設定することが可能である。
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