JP2011082200A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. レジストパターンが現像された後、リンス液が供給された基板上に、前記レジストパターンを疎水化する疎水化剤がハイドロフルオロエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記処理液が供給された前記基板上から、前記処理液を除去する処理液除去工程と
   を有する、現像処理方法。
2. 前記処理液供給工程の後、前記処理液除去工程の前に、
   前記処理液の供給を停止し、前記基板の回転を略停止した状態で、前記レジストパターンの疎水化処理を安定化させる疎水化処理安定化工程を有する、請求項１に記載の現像処理方法。
3. 前記疎水化剤は、トリメチルシリルジメチルアミンである、請求項１又は請求項２に記載の現像処理方法。
4. 前記処理液供給工程は、
   前記基板を第１の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第１の供給工程と、
   前記第１の供給工程の後に、前記基板を前記第１の回転数よりも高い第２の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第２の供給工程と、
   前記第２の供給工程の後に、前記基板を前記第２の回転数よりも低い第３の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第３の供給工程と
   を有する、請求項１から請求項３のいずれかに記載の現像処理方法。
5. 前記処理液供給工程の前に、
   前記基板を前記第１の回転数よりも低い第４の回転数で回転させながら、前記基板上に前記リンス液を供給するリンス液供給工程を有する、請求項４に記載の現像処理方法。
6. 前記処理液除去工程は、
   前記基板を第５の回転数で回転させながら、前記基板上から前記処理液を除去する第１の除去工程と、
   前記第１の除去工程の後に、前記基板を前記第５の回転数よりも高い第６の回転数で回転させながら、前記基板上から前記処理液を除去する第２の除去工程と
   を有する、請求項５に記載の現像処理方法。
7. 前記処理液除去工程を、前記基板上にリンス液を供給しながら行う、請求項１から請求項６のいずれかに記載の現像処理方法。
8. 基板を処理する際にリンス液の供給を行う工程を有する基板処理方法であって、
   前記基板の表面上を疎水化する疎水化剤がハイドロフルオトエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記処理液が供給された前記基板上から、前記処理液を除去する処理液除去工程と
   を有する、基板処理方法。
9. 前記処理液供給工程の後、前記処理液除去工程の前に、
   前記処理液の供給を停止し、前記基板の回転を略停止した状態で、前記レジストパターンの疎水化処理を安定化させる疎水化処理安定化工程を有する、請求項８に記載の基板処理方法。
10. 前記疎水化剤は、トリメチルシリルジメチルアミンである、請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記処理液供給工程は、
    前記基板を第１の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第１の供給工程と、
    前記第１の供給工程の後に、前記基板を前記第１の回転数よりも高い第２の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第２の供給工程と、
    前記第２の供給工程の後に、前記基板を前記第２の回転数よりも低い第３の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第３の供給工程と
    を有する、請求項８から請求項１０のいずれかに記載の基板処理方法。
12. 前記処理液供給工程の前に、
    前記基板を前記第１の回転数よりも低い第４の回転数で回転させながら、前記基板上に前記リンス液を供給するリンス液供給工程を有する、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記処理液除去工程は、
    前記基板を第５の回転数で回転させながら、前記基板上から前記処理液を除去する第１の除去工程と、
    前記第１の除去工程の後に、前記基板を前記第５の回転数よりも高い第６の回転数で回転させながら、前記基板上から前記処理液を除去する第２の除去工程と
    を有する、請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記処理液除去工程を、前記基板上にリンス液を供給しながら行う、請求項８から請求項１３のいずれかに記載の基板処理方法。