JP2011100783A - 気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基反応炉10内に基板12を保持するサセプタ14が設けられ、導入部18から、原料ガスを反応炉10内に導入することにより基板12上にAlxGayInzN(ただしx+y+z=1)膜をMOCVD法によってエピタキシャル成長させる気相成長装置において、基板12と対向するように反応炉10の内壁に取り付けられている天板30(防着板)の基板12側の表面に、GaN膜とAlN膜が交互に積層された多層膜32を形成する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る気相成長装置を示す図である。反応炉10内に基板12を水平に保持するサセプタ14が設けられている。加熱装置16は、サセプタ14を介して基板12を所定の温度に加熱する。
図2は、本発明の実施の形態2に係る気相成長装置を示す図である。実施の形態1の石英製の天板30の代わりに、アルミナ(Al2O3)からなる天板34が設けられている。その他の構成は実施の形態1と同様である。
図3は、本発明の実施の形態3に係る気相成長装置を示す図である。図4は、本発明の実施の形態3に係る防着板を示す斜視図である。実施の形態1の天板30の代わりに天板36が設けられている。その他の構成は実施の形態1と同様である。
12 基板
14 サセプタ
18 導入部
30,34,36 天板(防着板)
32 多層膜
38 溝
Claims (3)
- 基板上にAlxGayInzN(ただしx+y+z=1)膜をMOCVD法によってエピタキシャル成長させる気相成長装置において、
反応炉と、
前記反応炉内において前記基板を保持するサセプタと、
前記反応炉内に原料ガスを導入する導入部と、
前記基板と対向するように前記反応炉の内壁に取り付けられた防着板と、
前記防着板の前記基板側の表面に形成され、GaN膜とAlN膜が交互に積層された多層膜とを備えることを特徴とする気相成長装置。 - 前記防着板はアルミナからなることを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記防着板の表面に溝が施されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の気相成長装置。
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