JP2013173675A - 単結晶基板、それを用いて得られるiii族窒化物結晶及びiii族窒化物結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、III族窒化物結晶を成長させるために用いられる単結晶基板であって、 該単結晶基板の成長面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、単結晶の成長面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(1)を満たす単結晶基板に関する。
−40<Z2/Z1<−1・・・式(1)
【選択図】なし
Description
1.III族窒化物結晶を成長させるために用いられる単結晶基板であって、当該単結晶基板の成長面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、当該単結晶基板の成長面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(1)を満たすことを特徴とする単結晶基板。
−40<Z2/Z1<−1・・・式(1)
2.面積が20cm2以上である、前項1に記載の単結晶基板。
3.前記Z1の値が−50μm以上、50μm以下である、前項1又は2に記載の単結晶基板。
4.六方晶系の結晶であって、その成長面の結晶学的面が{0001}面、{10−10}面、{11−20}面、{11−22}面および{20−21}面のいずれか1である、前項1〜3のいずれか1に記載の単結晶基板。
5.前記Z2の絶対値が0μm以上、312μm以下である、前項1〜4のいずれか1に記載の単結晶基板。
6.III族窒化物結晶を成長させるために用いられる単結晶基板であって、当該単結晶基板の成長面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、当該単結晶基板の成長面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(2)及び(3)を満たすことを特徴とする単結晶基板。
Z1>0・・・式(2)
Z2<0・・・式(3)
7.III族窒化物結晶を成長させるために用いられる単結晶基板であって、当該単結晶基板の成長面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、当該単結晶基板の成長面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(4)及び(5)を満たすことを特徴とする単結晶基板。
Z1<0・・・式(4)
Z2>0・・・式(5)
8.III族窒化物結晶である、前項1〜7のいずれか1に記載の単結晶基板。
9.窒化ガリウム結晶である、前項1〜7のいずれか1に記載の単結晶基板。
10.前項1〜9のいずれか1に記載の単結晶基板上にIII族窒化物結晶を成長させる工程を有する、III族窒化物結晶の製造方法。
11.III族窒化物結晶を成長させる方法が、HVPE法、Naフラックス法、ソルボサーマル法、MOCVD法、MBE法又は昇華法のいずれか1である、前項10に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
12.主表面を有するIII族窒化物単結晶基板であって、該主表面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、該主表面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(1)を満たすことを特徴とするIII族窒化物単結晶基板。
−40<Z2/Z1<−1・・・式(1)
13.主表面を有するIII族窒化物単結晶基板であって、該主表面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、該主表面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(2)及び(3)を満たすことを特徴とするIII族窒化物単結晶基板。
Z1>0・・・式(2)
Z2<0・・・式(3)
14.主表面を有するIII族窒化物単結晶基板であって、該主表面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、該主表面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(4)及び(5)を満たすことを特徴とする単結晶基板。
Z1<0・・・式(4)
Z2>0・・・式(5)
15.窒化ガリウム結晶である、前項12〜14のいずれか1に記載の単結晶基板。
本発明の単結晶基板は、成長面の物理的形状が凸面であって結晶学的面形状の反りが凹状である場合(例えば図3(b))、または成長面の物理的形状が凹面であって結晶学的面形状の反りが凸状である(例えば図3(c))ような単結晶基板である。
(i)X線回折測定より、単結晶基板の中心から±8mmの場所における回折ピークのシフト量より、単結晶基板の曲率半径を求める。ここで、回折ピークは、a軸方向とm軸方向の単結晶基板の中心から±8mmの場所における回折ピークを測定し、ここでの曲率半径はa軸とm軸の曲率半径の平均値とする。
(ii)求められた曲率半径から、図2の曲率半径(R)と反り量(ΔZ)の関係より、単結晶基板の直径(X)まで拡大した場合のΔZ、すなわち、結晶学的面形状の反り量(Z2)を求める。単結晶基板は面内の各領域で曲率半径が異なっているが、中心から直径±8mmを有効径とし、該有効径における曲率半径が面内で一様に分布していると仮定している。
また、Z2は−31μm(曲率半径10m)以下であることが好ましく、−50um以下であることがより好ましい。また、現実的な加工精度限界、および、結晶学的面形状は平坦が好ましいことから、−312μm(曲率半径1m)以上であることが好ましく、−156μm(曲率半径2m)以上であることがより好ましい。
本発明の単結晶基板は、III族窒化物結晶を成長することが出来る成長面を有するものであれば、特に種類は限定されないが、得られるIII族窒化物結晶の結晶性が良好であることから六方晶系の結晶であることが好ましく、成長させるIII族窒化物結晶と格子定数の近い六方晶系の結晶であることがより好ましい。例えば、サファイア、酸化亜鉛結晶および窒化物結晶などが挙げられる。
本発明で用いられる単結晶基板の製造方法は特に限定されず、一般的に知られる方法で製造することが出来る。
本発明の単結晶基板上にIII族窒化物結晶を成長させ、単結晶基板を除去してIII族窒化物結晶を製造することが出来る。好ましくは、本発明の単結晶基板上にIII族窒化物結晶形成用ガスを供給することにより、単結晶基板上にIII族窒化物を結晶成長させる、III族窒化物結晶の製造方法である。
(1)物理的形状の反り量(Z1)
単結晶基板の全面の凹凸を光学式の検査装置(NIDEK社製 NIDEK平面度測定装置FT−17)で測定し、凹凸の最大値と最小値の差分を反り量(Z1)とした。単結晶基板の成長面が凸形状の場合をプラス、成長面が凹形状の基板の場合をマイナスとして表した。
単結晶基板の中心から±8mmの場所におけるX線回折測定より(0002)面の回折ピーク値を、PANalytical社製 X’Pert−MRDで測定し、回折ピーク値のシフト量から結晶学的面形状の曲率半径を算出した。ここで、回折ピークは、a軸方向とm軸方向の単結晶基板の中心から±8mmの場所における回折ピークを測定し、ここでの曲率半径はa軸とm軸の曲率半径の平均値とした。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ400μm、直径50mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板の物理的形状における反り量(Z1)は6μmであり、結晶学的面形状の反り量(Z2)は−103μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ400μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は7μmであり、Z2は−93μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ400μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は10μmであり、Z2は−106μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ400μm、直径50mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は13μmであり、Z2は−55μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ400μm、直径50mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は13μmであり、Z2は−82μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ398μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は15μmであり、Z2は−91μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ662μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は20μmであり、Z2は−131μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ484μm、直径53mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は21μmであり、Z2は−91μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ399μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は26μmであり、Z2は−110μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ400μm、直径47mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は12μmであり、Z2は−66μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ390μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は17μmであり、Z2は−79μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ400μm、直径50mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は22μmであり、Z2は−134μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ400μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は23μmであり、Z2は−94μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ400μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は27μmであり、Z2は−92μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ399μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は27μmであり、Z2は−67μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ404μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は−13μmであり、Z2は−117μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ400μm、直径50mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は−40μmであり、Z2は−129μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ666μm、直径53mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は−42μmであり、Z2は−164μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ390μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は−15μmであり、Z2は−130μmであった。
単結晶基板として、表面が{0001}面からなる厚さ403μm、直径54mm円形である窒化ガリウム(GaN)自立基板を準備した。該単結晶基板のZ1は−9μmであり、Z2は−127μmであった。
4 単結晶基板
11、21 結晶中の凹B’面と凹B面に挟まれる領域
12、22、32 結晶中の凹B面と凸A’面に挟まれる領域
13、23、33 結晶中の凸A面と凸A’面に挟まれる領域
100 リアクター
101〜104 導入管
105 リザーバー
106 ヒーター
107 基板ホルダー
108 ガス排出管
G1 窒素源となる原料ガス
G2 キャリアガス
G3 III族原料ガス
Claims (15)
- III族窒化物結晶を成長させるために用いられる単結晶基板であって、当該単結晶基板の成長面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、当該単結晶基板の成長面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(1)を満たすことを特徴とする単結晶基板。
−40<Z2/Z1<−1・・・式(1) - 面積が20cm2以上である、請求項1に記載の単結晶基板。
- 前記Z1の値が−50μm以上、50μm以下である、請求項1又は2に記載の単結晶基板。
- 六方晶系の結晶であって、その成長面の結晶学的面が{0001}面、{10−10}面、{11−20}面、{11−22}面および{20−21}面のいずれか1である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の単結晶基板。
- 前記Z2の絶対値が0μm以上、312μm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の単結晶基板。
- III族窒化物結晶を成長させるために用いられる単結晶基板であって、当該単結晶基板の成長面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、当該単結晶基板の成長面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(2)及び(3)を満たすことを特徴とする単結晶基板。
Z1>0・・・式(2)
Z2<0・・・式(3) - III族窒化物結晶を成長させるために用いられる単結晶基板であって、当該単結晶基板の成長面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、当該単結晶基板の成長面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(4)及び(5)を満たすことを特徴とする単結晶基板。
Z1<0・・・式(4)
Z2>0・・・式(5) - III族窒化物結晶である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の単結晶基板。
- 窒化ガリウム結晶である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の単結晶基板。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の単結晶基板上にIII族窒化物結晶を成長させる工程を有する、III族窒化物結晶の製造方法。
- III族窒化物結晶を成長させる方法が、HVPE法、Naフラックス法、ソルボサーマル法、MOCVD法、MBE法又は昇華法のいずれか1である、請求項10に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 主表面を有するIII族窒化物単結晶基板であって、該主表面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、該主表面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(1)を満たすことを特徴とするIII族窒化物単結晶基板。
−40<Z2/Z1<−1・・・式(1) - 主表面を有するIII族窒化物単結晶基板であって、該主表面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、該主表面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(2)及び(3)を満たすことを特徴とするIII族窒化物単結晶基板。
Z1>0・・・式(2)
Z2<0・・・式(3) - 主表面を有するIII族窒化物単結晶基板であって、該主表面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、該主表面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(4)及び(5)を満たすことを特徴とする単結晶基板。
Z1<0・・・式(4)
Z2>0・・・式(5) - 窒化ガリウム結晶である、請求項12〜14のいずれか1項に記載の単結晶基板。
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