JP6978641B1 - Iii族元素窒化物半導体基板 - Google Patents
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Abstract
Description
第一面と第二面とを備えるIII族元素窒化物半導体基板であって、
該第一面が鏡面であり、
該第二面が第二面中央領域と第二面外周領域とを有し、
該第二面中央領域が鏡面であり、
該第二面外周領域が非鏡面である。
III族元素窒化物半導体自立基板の表面を、非接触表面形状測定機(Zygo社製、New View 7000、対物レンズ×5倍、ソフトウエア:MetroPro9.0.10)を用い、1.4mm×1.05mmの観察視野で表面粗さ(算術平均粗さ)Raを算出した。主面および裏面中央領域のRaは基板の中心部で測定し、裏面外周領域のRaは裏面外周領域の幅をd2としたとき、裏面中央領域と裏面外周領域の境界からd2/2に相当する位置で測定した。裏面外周領域の幅d2が1.4mm×1.05mmの観察視野より狭い場合は、適宜観察視野を狭くして測定を実施した。
白色の蛍光灯を光源とし、照度が817〜893LXの屋内にて、目視によってウエハの主面と裏面の区別を行った。照度計には、YOKOGAWA 510LUX METERを使用した。全面が一様に鏡面である面を主面、外周部が鏡面では無い面を裏面とした。特段に注視することなく区別が可能な場合を「容易」、注視すれば区別が可能な場合を「可能」、注視しても明確に区別できない場合を「困難」と判別した。ここで「注視する」とは、角度を変えながら10秒以上時間をかけて観察することをいう。
透過型光電センサーを用い、基板端部の検出試験を行った。光源および検出器にはオムロン社製ZX−GT28S(波長650nm)を使用し、測定値の2値化レベルを50%と設定して、波長650nmにおける減衰率の評価を行った。なお、透過型光電センサーのエッジ強度が可能なレーザ強度については、レーザパワーセンサー(オフィール社製、3A)を用いて確認した。
〇:波長650nmのレーザ光を10%以上減衰させることができる(センサー判定:可)。
×:波長650nmのレーザ光を10%以上減衰させることができない(センサー判定:不可)。
主面の反りを測定し、反りから曲率半径を算出した。反りは、レーザ変位計によって測定できる。レーザ変位計とは、レーザ光を各面に照射することにより、各面の変位を測定する装置をいう。レーザの波長を655nmとし、測定方式には表面粗度に応じて共焦点方式、三角測距方式、光干渉方式を用いることができる。
基板端から幅3mmの範囲を除いて波形を得た。次いで、二次関数を用いた最小二乗法によって、この波形に対する近似曲線を得、この近似曲線の最高値と最低値との差を基板表面上で直交する2軸でそれぞれ計測し、2値の平均値を反りSとした。また、この反り値から、下記式を用いて曲率半径Rを算出した。Dは基板径である。
R=D2/(8・S)
(ここでの曲率半径R、基板径D、反りSの単位は[m]である。)
6インチのc面サファイアウエハの上に、MOCVD法により厚さ2μmの窒化ガリウム膜を形成して、種結晶基板を作製した。
この種結晶基板を、窒素雰囲気のグローブボックス内で直径200mmのアルミナ坩堝の中に配置した。次に、Ga/Ga+Na(mol%)=15mol%となるように金属ガリウムと金属ナトリウムを坩堝内に充填し、アルミナ板で蓋をした。その坩堝をステンレス製内容器に入れ、さらにそれを収納できるステンレス製外容器に入れて、窒素導入パイプの付いた容器蓋で閉じた。この外容器を、予め真空ベークしてある結晶製造装置内の加熱部に設置されている回転台の上に配置し、耐圧容器に蓋をして密閉した。
次いで、耐圧容器内を真空ポンプにて0.1Pa以下まで真空引きした。続いて、上段ヒータ、中段ヒータ、および下段ヒータを調節して加熱空間の温度を870℃になるように加熱しながら、4.0MPaまで窒素ガスボンベから窒素ガスを導入し、外容器を中心軸周りに20rpmの速度で一定周期の時計回りと反時計回りで回転させた。そして、この状態で40時間保持した。その後、室温まで自然冷却して大気圧にまで減圧した後、耐圧容器の蓋を開けて中から坩堝を取り出した。坩堝の中の固化した金属ナトリウムを除去し、種結晶基板上に成長した窒化ガリウム結晶を回収した。
サファイアウエハ側から紫外線レーザを照射することで種結晶基板上の窒化ガリウム結晶を分解し、成長した窒化ガリウム結晶をサファイアウエハから分離した。分離して得られた窒化ガリウム結晶の反りは50μmであった。
窒化ガリウム結晶の外周部を、ダイヤモンド砥石を用いて研削加工し、直径を150mmに調整した。
次いで、窒化ガリウム結晶をセラミックス製の加工用定盤に貼り付け、グラインダー、ラップ装置を用いてGa極性面を研削・研磨加工した。最終仕上げには粒径0.1μmのダイヤ砥粒を用い、鏡面仕上げとした。
窒化ガリウム結晶を裏返してセラミックス製の加工用定盤に固定し、窒素極性面を同様に研削・研磨加工した。最終仕上げには粒径0.1μmのダイヤ砥粒を用い、鏡面仕上げとした。
窒化ガリウム結晶の表裏面に保護材を塗布し、べべリング装置を用いてウエハ外周部の成型加工を行った。Ga極性面については傾斜砥石(傾斜角度20度)を使用して面取り加工を行った。面取り幅D1は150μmとした。窒素極性面についてはレーザーテクスチャ加工により外周粗面化加工を施した。波長355nm、出力3Wの紫外線レーザを使用し、70μm径に集光したレーザを走査しながら照射することで外周部に凹凸形状を形成した。粗面化加工の範囲d2は外周から3mmとした。
得られたIII族元素窒化物半導体ウエハは、表裏面が目視で容易に判別可能であった。また、ウエハの反りは40μmであった。
結果を表1に示した。
裏面粗面化加工の範囲d2を外周から5mmとした以外は実施例1と同様に行い、III族元素窒化物半導体ウエハを作製した。得られたIII族元素窒化物半導体ウエハは、表裏面が目視で容易に判別可能であった。また、ウエハの反りは48μmであった。
結果を表1に示した。
裏面粗面化加工の範囲d2を外周から1mmとした以外は実施例1と同様に行い、III族元素窒化物半導体ウエハを作製した。得られたIII族元素窒化物半導体ウエハは、表裏面が目視で判別可能であった。また、ウエハの反りは28μmであった。
結果を表1に示した。
裏面全面を粗面仕上げとした以外は実施例1と同様に行い、III族元素窒化物半導体ウエハを作製した。得られたIII族元素窒化物半導体ウエハは、表裏面が目視で容易に判別可能であった。また、ウエハの反りは105μmであった。
結果を表1に示した。
裏面粗面化加工の範囲d2を外周から10mmとした以外は実施例1と同様に行い、III族元素窒化物半導体ウエハを作製した。得られたIII族元素窒化物半導体ウエハは、表裏面が目視で容易に判別可能であった。また、ウエハの反りは59μmであった。
結果を表1に示した。
裏面全面を鏡面仕上げとした以外は実施例1と同様に行い、III族元素窒化物半導体ウエハを作製した。得られたIII族元素窒化物半導体ウエハは、表裏面が目視で判別できなかった。また、ウエハの反りは21μmであった。
結果を表1に示した。
100’ 自立基板
1 下地基板
1a 下地基板1の主面
1b 下地基板1の裏面
2 種結晶膜
2a 種結晶膜2のIII族元素極性面
3 III族元素窒化物層
4 機能層
5 機能素子
10 主面
10’ 主面
10a 主面中央領域
10b 主面外周領域
11 主面側面取り部
12 外周端部
20 裏面
20’ 裏面
20a 裏面中央領域
20b 裏面外周領域
21 裏面側面取り部
22 外周端部
30 側面
Claims (12)
- 第一面と第二面とを備えるIII族元素窒化物半導体基板であって、
該第一面が鏡面であり、
該第二面が第二面中央領域と第二面外周領域とを有し、
該第二面中央領域が鏡面であり、
該第二面外周領域が非鏡面であり、
該第一面の表面粗さRaが1nm以下である、
III族元素窒化物半導体基板。 - 前記第二面外周領域の幅が5mm以下である、請求項1に記載のIII族元素窒化物半導体基板。
- 前記第二面外周領域の幅が3mm以下である、請求項2に記載のIII族元素窒化物半導体基板。
- 前記第二面外周領域の幅が1mm以下である、請求項3に記載のIII族元素窒化物半導体基板。
- 前記第二面外周領域の表面粗さRaが100nm以上である、請求項1から4までのいずれかに記載のIII族元素窒化物半導体基板。
- 前記第二面中央領域の表面粗さRaが10nm以下である、請求項1から5までにいずれかに記載のIII族元素窒化物半導体基板。
- 前記第二面外周領域は、波長650nmのレーザ光を10%以上減衰させる遮光領域である、請求項1から6までのいずれかに記載のIII族元素窒化物半導体基板。
- 前記基板の反りが50μm以下である、請求項1から7までのいずれかに記載のIII族元素窒化物半導体基板。
- 前記基板の曲率半径が30m以上である、請求項1から8までのいずれかに記載のIII族元素窒化物半導体基板。
- サブオリエンテーションフラットを有しない、請求項1から9までのいずれかに記載のIII族元素窒化物半導体基板。
- 直径が95mm以上である、請求項1から10までのいずれかに記載のIII族元素窒化物半導体基板。
- 直径が145mm以上である、請求項1から11までのいずれかに記載のIII族元素窒化物半導体基板。
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