JP2009181972A - 薄膜製造装置 - Google Patents
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- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 28
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 144
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 11
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、反応容器14内に保持された基板18の表面に化合物半導体薄膜を形成するためのものであって、前記反応容器14内に成膜ガスを導入するガス導入口と、前記反応容器14の上部開口14aを塞ぐ開閉可能な上蓋14bと、前記上蓋14bに着脱可能に設けられた石英板24と、上蓋14bを開閉すると共に基板18に対する上蓋14bの角度を調整する昇降回転装置30とを有する。
【選択図】図1
Description
a)前記反応容器内の基板に成膜ガスを導入するガス導入手段と、
b)前記反応容器の一部を構成する開閉可能な蓋と、
c)前記蓋の前記反応容器側の面に着脱可能に設けられた防着板と、
d)前記蓋を開閉する開閉手段と、
e)前記基板に対する前記蓋の角度を調整する調整手段と、
を備えることを特徴とする。
図1は本実施例に係る薄膜製造装置の概略構成図である。本実施例の薄膜製造装置10は、前面に扉12aおよび操作部12bを有するグローブボックス12、このグローブボックス12内に配置された反応容器14等を備えている。反応容器14は上部開口14a及びこの上部開口14aを塞ぐ上蓋14bを備えている。反応容器14内には基板台16が設けられており、基板台16上には複数の基板18が炭化ケイ素等のサセプタ2に載せられて水平に載置されている。
昇降回転装置30は、昇降機構32、回転機構34、蓋支持部36等から構成されている。蓋支持部36は上蓋14bに固定された一対の支持軸37及びこれら支持軸37を回転可能に支持する一対の支持板38から構成されており、前記昇降機構32によって昇降される。
昇降機構32は、例えばコンベアチェーン(図示せず)、駆動モータ32a等から構成されている。
本発明のガス供給手段は、ガス導入口20と、該ガス導入口20に連接され、前記基板表面に平行に且つ該ガス導入口20からのガスの吐出方向に対して垂直にガスを導入するガス入力口7とから成る。
つまり、整流板8を設けることによって、ガス入力口7に近いガス開口部5側から吐出されるガスの量(流速)と、ガス入力口7から遠いガス開口部5側から吐出されるガスの量(流速)との間に差が生じる。一般的に、整流板8の数が多くなるにつれてガス開口部5から基板18に対して吐出されるガスの流速は均一化され、整流板8の数が少なくなるにつれてガスの流速の不均一性が増す。従って、整流板8の数を調整してガス開口部5から吐出されるガスの濃度や速度にガス開口部5の面内で傾きを生じさせることにより、結果として基板18上に均一性の高い膜を形成させることができる。なお、整流板8は、ガス入力部6から導入されるガスの流れに対して完全に垂直である必要はなく、若干傾斜していても構わない。
また、ガス開口部5から基板18に対して吐出されるガスの不均一性は、ガス入力口7から入力されるガスの速度によっても調節することができる。
また、図4に示す例では、サセプタ2は反時計回りに回転しているが、サセプタ2は時計回りに回転するものであっても構わない。
これら図6、図7のシミュレーション結果から、ガス開口部5からサセプタ2に向けて吐出されるガスの流速は、ガス入力口7から近い程高く、ガス入力口7から遠ざかるにつれて低くなっており、ガス開口部5からガスが不均一に(単調増加/減少の傾きをもって)吐出されていることが確認された。サセプタ2の全領域にわたってガスの流速が単調な勾配を有するので、基板18を自転させることなく、サセプタ2を公転させるだけで基板18の表面に均一な膜を形成させることが可能となる。
下記の工程でサファイヤ基板のC面にGaNを成長させた。3族原料としてトリメチルガリウム(TMG)を用い、5族原料としてアンモニア(NH3)を用いた。
まず、大気圧よりも若干高い圧力の窒素でグローブボックス12中を充填した。反応容器14の上部開口14aを塞ぐように設けられている上蓋14bを昇降機構32により真上に上昇させ、その後、回転機構34により回転させて上蓋14bをほぼ垂直状態に起立させた。この状態でグローブボックス12の前面に設けられた操作部12bのグローブを介して上蓋14bの下面中央のボルト26を取り外し、そのボルト孔に固定治具を挿入した。そして、石英板24が落下するのを防止しつつ、残りのボルト26を順に取り外し、最後にボルト孔から固定治具を抜き、上蓋14bから石英板24を取り外した。次に、グローブボックス12に隣接して設けられたロードロック室を経由して石英板24をグローブボックス12から取り出した。その後、石英板24を取り外すときとは逆の手順で新しい石英板24を上蓋14bの下面に取り付けた。
(2)ステンレス製の反応容器14内の空気を真空ポンプで排気して、H2ガスを反応容器14内に300Torrとなるまで導入した。同時に、サセプタ2を10rpmの回転速度で回転させ始めた。
(3)次いで、第三ガス入力口7cからH2ガスを2L/minで供給した。反応容器14内の圧力を保持したまま、サセプタ2を1100℃まで昇温した。
(5)続いて、第三ガス入力口7cより、キャリアガスとしてH2ガスを5L/min、N2ガスを5L/min、アンモニアガスを5L/minの流量で反応容器へ供給した。更に第一ガス入力口7aより、トップガスとしてH2を5L/minの流量で、また、トップガスN2を5L/minの流量で反応容器へ供給し、この状態で、温度、圧力、ガスフローを安定させた。
(6)温度等の安定後、第三ガス入力口7cからTMGガスを供給し始めた。TMGガスの供給量は、149μmol/min(バブリングガスH2 30sccm)とした。この状態を2分間続けて、サファイヤ基板の表面に格子不整合を緩和させるアモルファスのGaNバッファ層を〜20nm成長させた。
(8)基板温度が安定した後、TMGガスを456μmol/min(バブリングガスH2 120sccm)の流量で第三ガス入力口7c供給し、60分間GaNを成長させた。
(9)雰囲気を常温、常圧に戻し、上蓋を昇降機構により真上に上昇させ、反応容器14から基板18を取り出し、膜厚の分布を膜厚計により測定した。
下記の工程で、サファイヤ基板のC面にInGaN/GaN多層膜を成長させた。(1)〜(8)の工程は上記実験例1と同一であるため省略する。
(9)基板18の温度をゆっくりと800℃まで下げ、第三ガス入力口7cより導入されているキャリアガスであるH2をN2(5L/min)に変更した。また、第一ガス入力口7aより供給していたトップガスH2を停止し、代わりにN2(15L/min)とした。この状態で、基板温度、圧力、ガスフローを安定させた。
(10)温度等の安定後、第三ガス入力口7cからTMGガスの供給を開始した。TMGガスの流量は、39.6μmol/min(バブリングガスN2 5sccm)とした。この状態を3分間続けることによってGaN層を成長させた。
(13)最後に再度、(10)の工程を行い、20分間GaNを成長した。
まず、グローブボックス12の内部が大気圧よりも高い圧力に窒素ガスで充填されていることを確認する。続いて、昇降回転装置30の昇降機構32により上蓋14bを真上に上昇させ、その後、回転機構34により回転させて上蓋14bをほぼ垂直状態に起立させる。この状態で、グローブボックス12の前面に設けられた操作部12bのグローブを介て上蓋14bの下面中央のボルト26を取り外し、そのボルト孔に固定治具(いずれも図示せず)を挿入する。これにより、石英板24が落下することが防止される。続いて、残りのボルト26を順に取り外し、最後にボルト孔から固定治具を抜き、上蓋14bから石英板24を取り外す。そして、グローブボックス12に隣接して設けられたロードロック室を経由して石英板24をグローブボックス12から取り出す。次に、石英板24を取り外すときとは逆の手順で新しい石英板24を上蓋14bの下面に取り付け、昇降回転装置30によって上蓋14bを元の位置に戻し、反応容器14を密閉する。
4・・・・ガス導入部
5・・・・ガス開口部
6・・・・ガス入力部
7・・・・ガス入力口
8・・・・整流板
10・・・薄膜製造装置
12・・・グローブボックス
14・・・反応容器
14b・・・上蓋
16・・・基板台
18・・・基板
20・・・ガス導入口(ガス供給手段)
22・・・ガス排出口
24・・・石英板(防着板)
26・・・ボルト
30・・・昇降回転装置
32・・・昇降機構
34・・・回転機構
36・・・蓋支持部
Claims (2)
- 反応容器内に保持された基板の表面に薄膜を形成するための薄膜製造装置において、
a)前記反応容器内の基板に成膜ガスを供給するガス供給手段と、
b)前記反応容器を塞ぐ開閉可能な蓋と、
c)前記蓋の前記反応容器側の面に着脱可能に設けられた防着板と、
d)前記蓋を開閉する開閉手段と、
e)前記基板に対する前記蓋の角度を調整する調整手段と、
を備えることを特徴とする薄膜製造装置。 - 化学反応により成膜するCVD装置であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008017021A JP5196474B2 (ja) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008017021A JP5196474B2 (ja) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 薄膜製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009181972A true JP2009181972A (ja) | 2009-08-13 |
JP5196474B2 JP5196474B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=41035746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008017021A Active JP5196474B2 (ja) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5196474B2 (ja) |
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---|---|
JP5196474B2 (ja) | 2013-05-15 |
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