JP2009065025A - 化合物半導体基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】厚さ100〜1000μmの六方晶SiC、単結晶Si、単結晶Si上に立方晶SiC層が形成されたもののうちのいずれかからなる台基板1上に、バッファ層2、厚さ0.5〜5μmのGaN活性層3を順次積層し、前記バッファ層2を、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層(0.5<x≦1)2a‐1の上に、厚さ3〜250nmのAlyGa1-yN単結晶層(0.2≦y≦0.3)2b‐1が形成され、さらに、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層2a‐nおよび厚さ3〜250nmのAlzGa1-zN単結晶層(0≦z<0.5)2c‐nの2層を1組としたものが1〜500組積層されている構成とする。
【選択図】図1
Description
したがって、基板に応力が生じないようなバッファ層構造の制御が求められていた。
このような層構成により、バッファ層における応力制御がなされ、全体としてほぼ応力フリーの窒化ガリウム系化合物半導体基板とすることができる。
このような構成によれば、各層の組成構成の制御が比較的容易であり、効率的に応力制御を行うことができる。
ラマン分光法によるE2Hピークが上記範囲内に現れる場合、応力がほとんど生じていない窒化ガリウム系化合物半導体基板が得られる。
したがって、本発明に係る化合物半導体基板は、デバイス形成工程においても、基板に生じた応力に伴うクラックの発生がなく、デバイス素子の品質および歩留の向上に寄与し得るものである。
図1に本発明に係る化合物半導体基板の層構成の概略を示す。
図1に示す化合物半導体基板は、台基板1上に、バッファ層2およびGaN活性層3が順次積層されている化合物半導体基板である。そして、前記台基板1は、六方晶SiC、単結晶Si、単結晶Si上に立方晶SiC層が形成されたもののうちのいずれかからなり、かつ、前記バッファ層2は、AlxGa1-xN単結晶層(0.5<x≦1)2a‐1の上に、AlyGa1-yN単結晶層(0.2≦y≦0.3)2b‐1が形成され、さらに、AlxGa1-xN単結晶層(0.5<x≦1)2a‐nおよびAlzGa1-zN単結晶層(0≦z<0.5)2c‐nの2層を1組としたものが1〜500組積層されてなるものである。
このような層構成とすることにより、バッファ層における応力制御がなされ、全体として応力がほとんど生じていない窒化ガリウム系化合物半導体基板が得られる。
前記厚さが100μm未満である場合、薄すぎて、十分な機械的強度が得られない。
一方、前記厚さが1000μmを超える場合、コスト高となり、好ましくない。
前記1組目のバッファ層の上には、AlxGa1-xN単結晶層(0.5<x≦1)2a‐2およびAlzGa1-zN単結晶層(0≦z<0.5)2c‐2の2層が2組目として形成される。そして、前記2組目と同様の層構成の組が、繰り返し積層される。
このように、AlxGa1-xN単結晶層と、AlyGa1-yN単結晶層もしくはAlzGa1-zN単結晶層とは、異なる組成であり、このような層を交互に複数層積層させることにより、両層の相互作用による結晶格子の相違に起因して生じる応力の緩和効果が得られる。
ここで、1組目のバッファ層は、台基板に最も近く、台基板に影響される応力を考慮し、組成の急激な変化を抑制するため、その2層目のAlyGa1-yN単結晶層2b‐1の組成を0.2≦y≦0.3とする。
各層が薄すぎたり、積層数が少なすぎると、十分な応力緩和効果が得られない。
一方、各層が厚すぎたり、積層数が多すぎる場合、コスト高となり、好ましくない。
前記バッファ層の厚さおよび積層数は、その上に形成されるGaN層の厚さ等を考慮して、上記範囲内において、後述するラマン分光法を用いた応力測定法を利用して、適宜、最適化することができる。
前記厚さが0.5μm未満である場合、GaN活性層はデバイスの仕様を十分に満たすことができない。
一方、前記厚さが5μmを超える場合、コスト高となり、好ましくない。
前記GaN活性層は、目的とするデバイスの種類によって最適な厚さが異なり、所望の厚さに応じて、前記バッファ層の構造は、最適化する必要がある。
一方、ピーク波数が大きい側へシフトしている場合は、強い圧縮応力により、クラックが発生しやすくなる。
また、GaN活性層のみ、または、バッファ層のみのE2Hピークが制御されている場合も、クラックが発生しやすい。このため、GaN活性層およびバッファ層の両方において、E2Hピークの波数が制御されている必要がある。
すなわち、ラマン分光法によるE2Hピークが上記範囲内に現れる場合、ほぼ応力フリーの窒化ガリウム系化合物半導体基板が得られる。
なお、ここで照射する単色光は、可視光域または紫外光域のものであることが好ましい。
このため、基板を劈開した破断面に励起光を照射して測定することにより、GaN活性層の表面や各層の界面近傍等における局所的な分光スペクトルの測定が可能となり、応力測定を詳細に行うことができる。
なお、前記破断面は、鏡面研磨やエッチング等の処理を施すと、2次的な応力が発生するおそれがあるため、未処理のまま測定に用いることが好ましい。
[実施例]
まず、厚さ250μmのSiC単結晶基板上を、H2ガス雰囲気下、1000℃で熱処理した後、原料としてトリメチルアルミニウムおよびアンモニアを用い、1000℃での気相成長により、厚さ10nmのAlxGa1-xN単結晶層としてのAlN(x=1)を形成した。
次に、原料としてトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアを用い、1000℃での気相成長により、厚さ10nmのAlyGa1-yN単結晶層(y=0.2)を積層させた。
さらに、上記と同様にして、厚さ10nmのAlxGa1-xN単結晶層としてのAlN(x=1)を形成し、この上に、原料としてトリメチルガリウムおよびアンモニアを用い、1000℃での気相成長により、厚さ10nmのAlZGa1-ZN単結晶層としてのGaN(z=0)を積層させ、これを交互に49組繰り返し積層して、厚さ1μmのバッファ層を形成した。
前記バッファ層上に、原料ガスとしてトリメチルガリウムおよびアンモニアを用い、1000℃での気相成長により、厚さ1μmのGaN活性層を形成し、化合物半導体基板を作製した。
なお、気相成長により形成した各層の厚さは、ガス流量および供給時間の調整により行った。
バッファ層およびGaN活性層におけるE2Hピークを測定した。
これらの結果を図2に示す(試料A〜D)。
ここで、図2中、●はGaN活性層、■はバッファ層、△は界面における応力を表している。すなわち、縦軸方向に並ぶ3点が、同一試料についての各層における測定値を示している。
厚さ250μmのSiC単結晶基板上を、H2ガス雰囲気下、1000℃で熱処理した後、原料としてトリメチルアルミニウムおよびNH3を用い、1000℃での気相成長により、厚さ10nmのAlN単結晶層を形成し、この上に、原料としてトリメチルガリウムおよびアンモニアを用い、1000℃での気相成長により、厚さ10nmのGaN単結晶層を積層させ、これを交互に50組繰り返し積層して、厚さ1μmのバッファ層を形成した。
前記バッファ層上に、原料ガスとしてトリメチルガリウムおよびアンモニアを用い、1000℃での気相成長により、厚さ1μmのGaN活性層を形成した。
この結果を図2に示す(試料E〜G)。
図2に示したように、バッファ層およびGaN活性層のE2Hのピークいずれもが568cm-1付近に認められず、化合物半導体基板に生じる応力は大きかった。
2 バッファ層
2a‐1,2a‐2,2a‐3,…,2a‐n AlxGa1-xN単結晶層
2b‐1 AlyGa1-yN単結晶層
2c‐2,2c‐3,…,2c‐n AlzGa1-zN単結晶層
3 GaN活性層
Claims (4)
- 厚さ100〜1000μmの台基板上に、バッファ層および厚さ0.5〜5μmのGaN活性層が順次積層されている化合物半導体基板であって、
前記台基板が、六方晶SiC、単結晶Si、単結晶Si上に立方晶SiC層が形成されたもののうちのいずれかからなり、
前記バッファ層は、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層(0.5<x≦1)の上に、厚さ3〜250nmのAlyGa1-yN単結晶層(0.2≦y≦0.3)が形成され、さらに、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層(0.5<x≦1)および厚さ3〜250nmのAlzGa1-zN単結晶層(0≦z<0.5)の2層を1組としたものが1〜500組積層されてなることを特徴とする化合物半導体基板。 - 前記AlxGa1-xN単結晶層がAlN(x=1)、かつ、前記AlzGa1-zN単結晶層がGaN(z=0)であることを特徴とする請求項1記載の化合物半導体基板。
- 前記台基板が、六方晶SiCであることを特徴とする請求項1または2記載の化合物半導体基板。
- 前記GaN活性層およびバッファ層は、各層の破断面に単色光を照射したときの散乱光のラマン分光スペクトルのE2Hピークがいずれも、波数568±2cm-1以内であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の化合物半導体基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007232632A JP2009065025A (ja) | 2007-09-07 | 2007-09-07 | 化合物半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007232632A JP2009065025A (ja) | 2007-09-07 | 2007-09-07 | 化合物半導体基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009065025A true JP2009065025A (ja) | 2009-03-26 |
Family
ID=40559335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007232632A Pending JP2009065025A (ja) | 2007-09-07 | 2007-09-07 | 化合物半導体基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
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