JP2011082325A - 半導体素子搭載部材及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】良好な接続状態が実現できる半導体素子搭載部材及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子搭載部材は、半導体チップ4が搭載された表面実装パッケージである。表面実装パッケージは、半田8を介して実装面と接続される接続面6を有する。接続面6には、誘導面及び平行面が設けられる。平行面は、実装面に対して略平行である。誘導面は、実装面と平行面との距離以上、実装面から離れて設けられる。また、誘導面は、接続面6の外周に近づくに従い、より上方に位置するように延在する。
【選択図】図8
【解決手段】半導体素子搭載部材は、半導体チップ4が搭載された表面実装パッケージである。表面実装パッケージは、半田8を介して実装面と接続される接続面6を有する。接続面6には、誘導面及び平行面が設けられる。平行面は、実装面に対して略平行である。誘導面は、実装面と平行面との距離以上、実装面から離れて設けられる。また、誘導面は、接続面6の外周に近づくに従い、より上方に位置するように延在する。
【選択図】図8
Description
本発明は半導体素子搭載部材及び半導体装置の製造方法に関する。
無線通信機器のマイクロ波帯電力増幅器には、半導体素子として高周波高出力用のFET(Field effect transistor)が用いられる。半導体素子が搭載されるパッケージは、実装基板等に実装される。パッケージの接地端子は、実装基板の実装面(接地面)に接合される。接合部の状態は、接地抵抗などの電気特性と半導体素子から発生する熱の放熱特性に影響を与える。接合方法としては、半田付けによる接合やネジ止めによる接合がある。図19に示されるように、半田付けによる接合では、半田12を挟むように、接地端子11の接続面と、実装基板13の実装面とが接合される。図19は、半田付けによって接合された半導体装置の構成を示す側面図である。
ネジ止めによる接合では、ネジ止め用のフランジを持つ接地端子を用いて、ネジによって接地端子を実装面へ接合する。この方法では、半田付けのように加熱を要せず簡易に実装できるが、接地端子を実装面に押さえつけて接続するため、熱抵抗低減用にシリコーングリスの塗布が必要となる。従って、ネジ止めによる接合は、接地抵抗及び放熱特性において半田付けによる接合より劣る。このため、半田付けによる接合が要求される。
このようなパッケージは、出力電力の増加に伴いパッケージ内の半導体チップの専有面積と放熱特性の改善ため寸法が肥大化する。パッケージの肥大化によって接地端子の面積も広がるため、接地端子の接続面の半田接続状態の制御が難しくなる。接続状態の悪化は、接合部の強度低下もさることながら、放熱特性の低下によるRF特性の劣化および接地抵抗の増加による安定性の低下の要因となる。
半田接続状態を改善させるために、例えば特許文献1−3の技術が開示されている。これらの技術では、加熱条件、半田量、接地端子の形状等を工夫することにより、接続面からの半田流出の防止や接続面積の向上を実現している。しかしながら、上記の技術では、半田中のボイドによる接続不良を改善することが出来ない。
図20は、接合部にボイドが発生した状態の半導体装置の構成を示す側面図である。接合部には、半田加熱時に発生するフラックスガスが滞留する。これにより、図20に示されるように、接続面と実装面の間に設けられた半田12中に、フラックスガス起因のボイド14が発生する。
出力電力の大きなマイクロ波帯電力増幅器用のパッケージにおいては、半田接続面積が通常の表面実装部品に比べて広い。このため、接続面と実装面の間にフラックスガスが滞留しやすく、実装時の課題となっている。また、近年、半田の鉛フリー化にともない半田の融点が高くなり、フラックスガス起因のボイドによる半田接続性悪化発生の可能性が高まっている。
ここで、半田中のボイドを防ぐ技術が、例えば特許文献4に開示されている。特許文献4に記載された半導体装置では、半導体チップが接着されたヒートシンクを基板上に半田付けしている。ヒートシンクにおいて、基板と対向して配置される面には、少なくとも2本の稜線と複数の傾斜面を有する。これにより、半田中のボイドは、傾斜面に沿ってヒートシンクの周縁方向に流される。
しかしながら、特許文献4に記載された技術では、ヒートシンクの下面は全て傾斜面となっており、実装面と平行な平行面を有さない。このため、ヒートシンクと実装面とは、半田がなければ線のみで接触し、放熱及び接地を十分に行うことができず、良好な接続状態を確保できなかった。
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、良好な接続状態が実現できる半導体素子搭載部材及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明にかかる半導体素子搭載部材は、半導体素子が搭載された半導体素子搭載部材であって、半田を介して実装面と接続される接続面を備え、前記接続面は、前記実装面に対して略平行な平行面と、前記実装面と前記平行面との距離以上、前記実装面から離れて設けられ、前記接続面の外周に近づくに従い、より上方に位置するように延在する誘導面とを備えるものである。
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体素子が搭載された半導体素子搭載部材が実装された半導体装置の製造方法であって、実装面上に半田を塗布する工程と、前記半田を介して前記実装面上に、平行面と誘導面が設けられた、前記半導体素子搭載部材の接続面を配置する工程と、前記接続面と前記実装面の間の前記半田を融解し、前記接続面と前記実装面とを接続する工程とを備え、前記平行面は、前記実装面に対して略平行であり、前記誘導面は、前記実装面と前記平行面との距離以上、前記実装面から離れて設けられ、前記接続面の外周に近づくに従い、より上方に位置するように延在するものである。
本発明によれば、良好な接続状態が実現できる半導体素子搭載部材及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
実施の形態.
まず、図1〜図4を参照して、本実施の形態にかかる半導体素子搭載部材について説明する。半導体素子搭載部材とは、例えば、半導体素子が搭載された表面実装パッケージである。マイクロ波帯電力増幅器に用いられる場合、半導体素子として、高周波高出力用のFETが用いられる。図1は、表面実装パッケージの構成を示す上面図である。図2は、図1のII−II方向から見た側面図である。図3は、図1のIII−III方向から見た側面図である。図4は、図3のIV−IV線に沿って切断した断面図である。
まず、図1〜図4を参照して、本実施の形態にかかる半導体素子搭載部材について説明する。半導体素子搭載部材とは、例えば、半導体素子が搭載された表面実装パッケージである。マイクロ波帯電力増幅器に用いられる場合、半導体素子として、高周波高出力用のFETが用いられる。図1は、表面実装パッケージの構成を示す上面図である。図2は、図1のII−II方向から見た側面図である。図3は、図1のIII−III方向から見た側面図である。図4は、図3のIV−IV線に沿って切断した断面図である。
図1〜図3に示されるように、表面実装パッケージは、保護カバー1、入出力端子2、及び接地端子3を有する。接地端子3の下面は、実装基板等の実装面(接地面)と接続される。接地端子3は、十分な放熱と接地が行われるようにプレート状の形状を有する。接地端子3は、保護カバー1より一回り大きく形成される。接地端子3上には、保護カバー1が設けられる。保護カバー1は、接地端子3の略中央に設けられる。保護カバー1の対向する一対の側面からは入出力端子2がそれぞれ突出している。入出力端子2には、配線等が接続され、RF信号やDC信号が入出力される。
図4に示されるように、保護カバー1内には、半導体チップ4及びボンディングワイヤ5が設けられる。半導体素子としての半導体チップ4は、保護カバー1の内側において、接地端子3上に設けられる。半導体チップ4は、接地端子3の略中央に設けられる。半導体チップ4は、例えば、内部マッチング回路を有する。半導体チップ4と接地端子3とは、熱的及び電気的に接続されている。すなわち、半導体チップ4からの発熱は、接地端子3を介して放熱される。また、半導体チップ4は、接地端子3を介して接地される。半導体チップ4は、一対の入出力端子2に挟まれる。そして、互いに対向する、半導体チップ4の端辺近傍と入出力端子2の端辺近傍とが、ボンディングワイヤ5によって電気的に接続される。一対の入出力端子2のそれぞれに対して、ボンディングワイヤ5が設けられる。
次に、図5〜図7を参照して、接地端子3の構成について詳細に説明する。図5は、接地端子3の構成を示す下面図である。図6は、図5のVI−VI線に沿って切断した断面図である。図7は、図5のVII−VII線に沿って切断した断面図である。以降、参照する図中において、x軸、y軸、z軸は、互いに直交する。また、接地端子3と接続される実装面は略水平であり、x−y平面と略平行である。x軸は、略矩形状の接地端子3の長辺と略平行である。y軸は、略矩形状の接地端子3の短辺と略平行である。z軸は、正方向が上方向となる。すなわち、z軸は、正方向に向かうに従い、実装面から遠ざかる。
接地端子3は、互いに対向する搭載面と接続面6を有する。搭載面には、半導体チップ4等が搭載される。搭載面は、x−y平面と略平行である。すなわち、搭載面は、実装面と略平行である。接続面6は、半田を介して実装面と接続され、実装面と対向する。具体的には、接地端子3の上面が搭載面、下面が接続面6となる。図5に示されるように、接地端子3には、複数の凹部3a及び複数の凸部3bが設けられる。凹部3a及び凸部3bは、それぞれ平行となるように直線状に延在する。凹部3a及び凸部3bは、交互に設けられる。すなわち、2つの凹部3aによって1つの凸部3bが挟まれる。換言すると、凹部3a及び凸部3bは、略ストライプ状に設けられる。図5においては、凹部3a及び凸部3bは、y軸に沿って設けられる。そして、凹部3a及び凸部3bは、x軸に沿って交互に並んでいる。
図6に示されるように、凹部3aは、頂点から外側に向けて接続面6が徐々に高くなるテーパー状を有する。すなわち、凹部3aは、接続面6外周に向かうに従って溝が深くなる断面形状を有する。凹部3aの接続面6には、誘導面6aが設けられる。誘導面6aとは、後述するフラックスガスを接続面6の外周に誘導する面である。誘導面6aは、実装面と後述する平行面6bとの距離以上、実装面から離れて設けられる。また、誘導面6aは、接続面6の外周に近づくに従い、より上方に位置するように延在する。ここでの上方に位置するとは、実装時に、半田を介して実装面上に接続面6を配置させた状態で上方に位置するということであり、z軸の正方向に位置するということである。
図6においては、1つの凹部3aの接続面6が、2つの誘導面6aによって構成される。また、接続面6のy軸方向における中央から、y軸方向の正方向又は負方向に向かうに従い、誘導面6aのz座標は、大きくなる。すなわち、凹部3aの接続面6は、y軸方向中央を頂点(最下点)とした略V字形状を有する。誘導面6aは、x−y平面に対して、略一定の傾斜を有する。
図7に示されるように、凸部3bは、略矩形の断面形状を有する。すなわち、凸部3bにおいては、接続面6及び搭載面が略平行となっている。凸部3bは、接続面6の平面度を保つために必要な精度の均一な高さを有する。凸部3bの接続面6には、平行面6bが設けられる。平行面6bは、実装面に対して略平行に設けられる。また、接続面6の中で平行面6bにおいて、実装面との距離が最も近くなる。すなわち、平行面6bのz座標は、誘導面6aの最小のz座標以下となっている。このように、実装面と近接する平行面6bを設けることにより、接地端子3の搭載面の平坦性を向上することができる。
上記のように、実装面がx−y平面に略平行なので、図7において、平行面6bは、y軸に対して略平行となる。また、全面に亘って、平行面6bのz座標は、誘導面6aの最小のz座標と略同一となっている。すなわち、接続面6は、誘導面6aの最下点及び平行面6bにおいて実装面に対して略平行となる。すなわち、誘導面6aの最下点及び平行面6bが実装面に対して最も近くなる。平行面6bは、少なくとも、半導体チップ4の投影面直下に設けられることが好ましい。また、平行面6bは、少なくとも、半導体チップ4の能動領域(真性トランジスタ部)の投影面直下に設けられることがさらに好ましい。
このように、表面実装パッケージは、接続面6に誘導面6aと平行面6bを有する。このため、表面実装パッケージと実装基板等が接合された半導体装置では、接地抵抗などの電気特性と、半導体チップ4の電力変換損失から生じる熱の放熱特性が向上する。また、接合部の強度が向上し、安定性が向上する。このように、本実施の形態によれば、放熱及び接地を十分に行うことができ、良好な接続状態で実装基板等に実装することができる。
次に、図8〜図11を参照して、上記の表面実装パッケージと実装基板との接続方法について説明する。すなわち、半導体装置の製造方法について説明する。図8〜図11は、表面実装パッケージと実装基板との接続方法を示す断面図である。図8〜図11は、接地端子3の凹部3aに対応する部分を示す。なお、図8〜図11においては、保護カバー1内部の構成を省略している。
まず、実装基板7の実装面上に適量の半田8を塗布する。そして、接地端子3の接続面6と実装面によって半田8を挟み込むように、実装面上に表面実装パッケージを配置させる。すなわち、半田8を介して実装面上に表面実装パッケージを配置させる。そして、リフロー炉、ホットプレート等によって半田8を融点まで加熱し、半田8を融解させる。加熱によって融解した半田8上の表面実装パッケージは、自重又は加重により融解した半田8に沈み込み、接続面6と実装面が接続される。
半田8には、フラックスが含有されており、半田8の融解時に、フラックスガス9が発生する。これにより、図8に示されるように、接続面6と実装面の間に設けられた半田8中に、フラックスガス9が発生する。図9に示されるように、フラックスガス9は、半田8中で浮上し、接続面6に接触する。このため、図10に示されるように、接続面6の誘導面6aに接触したフラックスガス9は、誘導面6aの傾斜に沿って、より高い部分に向けて移動する。誘導面6aが外側に向けて徐々に高くなるため、フラックスガス9は、浮力により、接続面6の外周に誘導される。また、平行面6bでは実装面に最も近接するため、平行面6bのフラックスガス9は誘導面6a側に押し出される。そして、図11に示されるように、最終的にフラックスガス9は、接続面6の外側に押し出され、接続面6はフラックスガス9が通常よりも少ない良好な接続状態となる。
このように、本実施の形態では、接地端子3の接続面6に、フラックスガス9を接続面6の外側に誘導する誘導面6aを設ける。これにより、接続面6の半田8内に滞留するフラックスガス9が低減される。そして、半田凝固時にフラックスガス9起因のボイドの発生を抑えることができ、接地端子3の接続面6の半田接続不良の発生が抑えられる。これにより、接地抵抗の増加による異常発振あるいは放熱性の低下による異常動作の発生を抑えることが出来る。
また、本実施の形態では、接地端子3の接続面6に平行面6bが設けられる。平行面6bと実装面とが近接することにより、実装の平坦度が保たれる。すなわち、安定性が向上する。また、本実施の形態では、接続面6に傾斜を有する誘導面6aを設けるため、接続に必要となる半田8の量が増える。このため、接続面6の全面を平坦とした場合と比較して、凹部3aの半田8によって熱抵抗及び接地抵抗が増加し、放熱性及び接地性が低下する。ここで、本実施の形態では、接続面6に誘導面6aのみならず、平行面6bも設けている。平行面6bと実装面とが近接することにより、凹部3aの半田8によって低下する放熱性及び接地性を向上することができる。このように、接続面6に誘導面6a及び平行面6bを設けることにより、ボイドの発生を抑制でき、さらに、放熱性及び接地性が向上した良好な接続状態を実現することができる。
なお、平行面6bは、半導体チップ4の直下に設けられることが好ましい。さらに、平行面6bは、半導体チップ4の能動領域(真性トランジスタ部)の直下に設けられることがより好ましい。これにより、半導体チップ4の異常動作等を効果的に抑制することができる。
また、本実施の形態では、接地端子3の接続面6に誘導面6a及び平行面6bを形成すればよいので、実装面に加工を施す必要がない。すなわち、表面実装パッケージ側の変更のみでよく、既存の製品へ搭載適用することが出来る。また、接地端子3の接続面6のみに加工を施せばよいので、接地端子3の外寸を変更する必要がない。このように、実施可能な形状変更であるため、実装条件の変更が無い。また、接地端子3に溝を形成する等により、接続面6に誘導面6a及び平行面6bを形成することができるので、表面実装パッケージの製造が容易である。
なお、接続面6は、上記の構成に限らず、適宜変更することができる。ここで、図12〜図14を参照して、接地端子3の変形例1について説明する。図12は、接地端子3の変形例1の構成を示す下面図である。図13は、図12のXIII−XIII線に沿って切断した断面図である。図14は、図12のXIV−XIV線に沿って切断した断面図である。なお、接地端子3の接続面6の構成のみが異なり、接地端子3の外形等は上記の接地端子3と同様である。
図12に示されるように、凸部3bを略十字状に設けてもよい。換言すると、平行面6bを略十字状に設けてもよい。なお、それ以外の部分は、凹部3aとなる。すなわち、接地端子3には、x軸に対して平行に延在する凸部3bと、y軸に対して平行に延在する凸部3bが形成される。これらの凸部3bは、接続面6の中央部で互いに直交する。略矩形状の接地端子3の4隅それぞれに、略矩形状の凹部3aが設けられる。
図13に示されるように、凸部3bは、図7に示された凸部3bと略同一の構成を有する。また、図14では、一対の凹部3aによって凸部3bが挟まれている。具体的には、y軸方向の中央部に平行面6bが形成される。そして、平行面6bの端部から接続面6の外周まで、誘導面6aが設けられる。このように、短辺方向(y軸方向)に誘導面6a、平行面6b、及び誘導面6aが順次並んでいるため、平行面6bから接続面6の外周までの距離が短くなる。従って、フラックスガス9の排出を促進することができる。
さらに、x軸方向における接地端子3の一端から他端まで、平行面6bが設けられている。すなわち、信号入出力方向に接地端子3の一端から他端まで、平行面6bが設けられている。このため、半田8がなければ、信号入出力方向に接地端子3の一端から他端まで、接地端子3は実装面に面接触する。すなわち、信号入出力方向に、面での接地経路及び放熱経路を確保することができる。従って、より効果的に、高周波信号伝送損失の低減や放熱性の向上を実現できる。
ここで、図15〜図18を参照して、接地端子3の変形例2について説明する。図15は、接地端子3の変形例2の構成を示す下面図である。図16は、図15のXVI−XVI線に沿って切断した断面図である。図17は、図15のXVII−XVII線に沿って切断した断面図である。図18は、図15のXVIII−XVIII線に沿って切断した断面図である。なお、接地端子3の接続面6の構成のみが異なり、接地端子3の外形等は上記の接地端子3と同様である。
図15に示されるように、凸部3bを略X字状に設けてもよい。換言すると、平行面6bを略X字状に設けてもよい。なお、それ以外の部分は、凹部3aとなる。具体的には、凸部3bは、略矩形状の接地端子3の対角線状に設けられる。そして、接地端子3のそれぞれの端辺に対応して、略三角形状の凹部3aが4つ設けられる。これにより、平面度を維持しつつ、接続面6の広範囲にわたり凹部3aを形成することができる。
図16〜図18に示されるように、誘導面6aは、接続面6中央から外周に近づくに従い、より上方に位置するように延在する。すなわち、x軸に沿った長辺それぞれに対応する2つの凹部3aには、図16、図17に示されるように、y軸方向に傾斜する誘導面6aが設けられる。そして、y軸に沿った短辺それぞれに対応する2つの凹部3aには、図16、図18に示されるように、x軸方向に傾斜する誘導面6aが設けられる。
このように、平行面6b(凸部4b)は、略ストライプ状、略十字状、又は略X字状にすることができる。もちろん、これに限られず、接続面6に誘導面6aと平行面6bが設けられていれば、様々な形状を採用することができる。なお、フラックスガス9の放出経路を妨げてしまうため、平行面6bによって取り囲まれる領域がないようにすることが好ましい。
また、上記の誘導面6aは、いずれも略一定の傾斜を有する平面によって構成したがこれに限られない。例えば、誘導面6aは、丸みを帯びた曲面によって構成してもよい。もちろん、これらの組み合わせによって構成してもよい。このように、誘導面6aのz座標を連続的に変化させることにより、フラックスガス9を外側へ誘導しやすくなる。また、フラックスガス9を外側へ誘導できれば、誘導面6aのz座標を段階的に変化させてもよい。すなわち、誘導面6aが階段状の断面形状を有していてもよい。また、半導体チップ4の消費電力や出力差異による発熱量によって、半導体チップ4直下の平行面6bの専有面積を変更できる。さらに、半田8の融解時に、振動または加重を加えることにより、さらに本発明の効果を高めることも可能である。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
1 保護カバー、2 入出力端子、3 接地端子、3a 凹部、3b 凸部、
4 半導体チップ、5 ボンディングワイヤ、6 接続面、6a 誘導面、
6b 平行面、7 実装基板、8 半田、9 フラックスガス、
11 接地端子、12 半田、13 実装基板、14 ボイド
4 半導体チップ、5 ボンディングワイヤ、6 接続面、6a 誘導面、
6b 平行面、7 実装基板、8 半田、9 フラックスガス、
11 接地端子、12 半田、13 実装基板、14 ボイド
Claims (7)
- 半導体素子が搭載された半導体素子搭載部材であって、
半田を介して実装面と接続される接続面を備え、
前記接続面は、
前記実装面に対して略平行な平行面と、
前記実装面と前記平行面との距離以上、前記実装面から離れて設けられ、前記接続面の外周に近づくに従い、より上方に位置するように延在する誘導面とを備える半導体素子搭載部材。 - 前記平行面は、前記半導体素子の直下に設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子搭載部材。
- 前記平行面は、前記半導体素子の能動領域の直下に設けられることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子搭載部材。
- 前記平行面は、略ストライプ状、略十字状、又は略X字状に設けられることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体素子搭載部材。
- 前記誘導面は、傾斜を有する平面及び曲面のうち少なくともいずれか一方を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体素子搭載部材。
- 半導体素子が搭載された半導体素子搭載部材が実装された半導体装置の製造方法であって、
実装面上に半田を塗布する工程と、
前記半田を介して前記実装面上に、平行面と誘導面が設けられた、前記半導体素子搭載部材の接続面を配置する工程と、
前記接続面と前記実装面の間の前記半田を融解し、前記接続面と前記実装面とを接続する工程とを備え、
前記平行面は、前記実装面に対して略平行であり、
前記誘導面は、前記実装面と前記平行面との距離以上、前記実装面から離れて設けられ、前記接続面の外周に近づくに従い、より上方に位置するように延在する半導体装置の製造方法。 - 前記半田を融解する工程では、振動又は加重を加えることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015056608A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージおよび半導体装置 |
CN104465558A (zh) * | 2013-09-13 | 2015-03-25 | 株式会社东芝 | 半导体封装件以及半导体装置 |
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