JP2011049296A - マスクレス露光方法 - Google Patents

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013069860A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Orc Manufacturing Co Ltd Ｌｅｄ光源装置および露光装置
JP2014071415A (ja) * 2012-10-01 2014-04-21 Kuraray Co Ltd 微細構造体の製造方法、および微細構造体
US9017904B2 (en) 2012-08-09 2015-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of providing photolithography patterns using feature parameters
WO2015060385A1 (ja) 2013-10-25 2015-04-30 株式会社ニコン レーザ装置、該レーザ装置を備えた露光装置及び検査装置
US9746780B2 (en) 2014-10-24 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Maskless exposure device, maskless exposure method and display substrate manufactured by the maskless exposure device and the maskless exposure method
JP2019164238A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品製造方法
US10559937B2 (en) 2016-05-26 2020-02-11 Nikon Corporation Pulsed light generation device, pulsed light generation method, exposure apparatus having pulsed light generation device and inspection apparatus having pulsed light generation device
US11366070B2 (en) 2016-05-26 2022-06-21 Nikon Corporation Pulsed light generation device, pulsed light generation method, exposure apparatus having pulsed light generation device and inspection apparatus having pulsed light generation device
KR20230066470A (ko) * 2020-09-18 2023-05-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 2번의 노출들을 이용하여 디지털 리소그래피를 위한 프로세스 윈도우 및 해상도를 개선하기 위한 방법들
JP2023545480A (ja) * 2020-10-20 2023-10-30 マイクロニック アクティエボラーグ 相対的レーザ強度を設定する機器及び方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005057288A (ja) * 2003-07-31 2005-03-03 Asml Holding Nv 対象上にグレースケールを形成する方法およびマスクレスリソグラフィシステム
JP2006165547A (ja) * 2004-11-30 2006-06-22 Asml Holding Nv 光パターニング方法および光パターニングシステム
JP2006527418A (ja) * 2003-06-12 2006-11-30 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット パターンの高精度印刷方法
JP2007522671A (ja) * 2004-02-25 2007-08-09 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 光マスクレスリソグラフィにおいてパターンを露光し、マスクをエミュレートする方法
WO2007142350A1 (ja) * 2006-06-09 2007-12-13 Nikon Corporation パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006527418A (ja) * 2003-06-12 2006-11-30 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット パターンの高精度印刷方法
JP2005057288A (ja) * 2003-07-31 2005-03-03 Asml Holding Nv 対象上にグレースケールを形成する方法およびマスクレスリソグラフィシステム
JP2007522671A (ja) * 2004-02-25 2007-08-09 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 光マスクレスリソグラフィにおいてパターンを露光し、マスクをエミュレートする方法
JP2006165547A (ja) * 2004-11-30 2006-06-22 Asml Holding Nv 光パターニング方法および光パターニングシステム
WO2007142350A1 (ja) * 2006-06-09 2007-12-13 Nikon Corporation パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013069860A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Orc Manufacturing Co Ltd Ｌｅｄ光源装置および露光装置
US9017904B2 (en) 2012-08-09 2015-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of providing photolithography patterns using feature parameters
US9529960B2 (en) 2012-08-09 2016-12-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Photolithography patterning system using feature parameters
JP2014071415A (ja) * 2012-10-01 2014-04-21 Kuraray Co Ltd 微細構造体の製造方法、および微細構造体
WO2015060385A1 (ja) 2013-10-25 2015-04-30 株式会社ニコン レーザ装置、該レーザ装置を備えた露光装置及び検査装置
US9746780B2 (en) 2014-10-24 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Maskless exposure device, maskless exposure method and display substrate manufactured by the maskless exposure device and the maskless exposure method
US11366070B2 (en) 2016-05-26 2022-06-21 Nikon Corporation Pulsed light generation device, pulsed light generation method, exposure apparatus having pulsed light generation device and inspection apparatus having pulsed light generation device
US11757247B2 (en) 2016-05-26 2023-09-12 Nikon Corporation Pulsed light generation device, pulsed light generation method, exposure apparatus having pulsed light generation device and inspection apparatus having pulsed light generation device
US10559937B2 (en) 2016-05-26 2020-02-11 Nikon Corporation Pulsed light generation device, pulsed light generation method, exposure apparatus having pulsed light generation device and inspection apparatus having pulsed light generation device
US11303091B2 (en) 2016-05-26 2022-04-12 Nikon Corporation Pulsed light generation device, pulsed light generation method, exposure apparatus having pulsed light generation device and inspection apparatus having pulsed light generation device
JP2019164238A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品製造方法
JP7121509B2 (ja) 2018-03-19 2022-08-18 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品製造方法
KR102478399B1 (ko) * 2018-03-19 2022-12-19 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치, 노광 방법 및 물품 제조 방법
KR20190110036A (ko) * 2018-03-19 2019-09-27 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치, 노광 방법 및 물품 제조 방법
KR20230066470A (ko) * 2020-09-18 2023-05-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 2번의 노출들을 이용하여 디지털 리소그래피를 위한 프로세스 윈도우 및 해상도를 개선하기 위한 방법들
JP2023541972A (ja) * 2020-09-18 2023-10-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二重露光を用いてデジタルリソグラフィのプロセスウィンドウ及び解像度を改善する方法
JP7542733B2 (ja) 2020-09-18 2024-08-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二重露光を用いてデジタルリソグラフィのプロセスウィンドウ及び解像度を改善する方法
US12386264B2 (en) 2020-09-18 2025-08-12 Applied Materials, Inc. Methods to improve process window and resolution for digital lithography with two exposures
KR102869821B1 (ko) * 2020-09-18 2025-10-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 2번의 노출들을 이용하여 디지털 리소그래피를 위한 프로세스 윈도우 및 해상도를 개선하기 위한 방법들
JP2023545480A (ja) * 2020-10-20 2023-10-30 マイクロニック アクティエボラーグ 相対的レーザ強度を設定する機器及び方法
JP7705933B2 (ja) 2020-10-20 2025-07-10 マイクロニック アクティエボラーグ 相対的レーザ強度を設定する機器及び方法

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