JP7121509B2 - 露光装置、露光方法、および物品製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、露光装置、露光方法、および物品製造方法に関する。

近年、テレビジョンシステムのＨＤ（High Definition）化が進むと共に、表示素子として薄型ＦＰＤ（Flat Panel Display）が多く使用されるようになってきた。それに伴い、更なる大画面化と高解像力、そして、コストダウンへの要求が強くなっている。ＦＰＤの製造では、集積回路産業界で使用されるのと同様のフォトリソグラフィの手法を用いて、原版（マスク）上の回路パターンを感光性レジストがコーティングされたガラス基板上に投影し、転写形成する。表示画面が大型化すると、従来のマスクを投影露光する方式ではマスク自体も大型化する。それに伴い、その材料の大型化や全面での線幅均一性を確保すること等に起因する製造コストが増加し、マスクの製造期間も長期化し、これらは量産工程にとって大幅な支障となりうる。

このような欠点を補う露光方式として、ＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等の空間光変調素子を用いてパターンを直接描画するマスクレス露光がある。マスクを製作する必要がない分、コストの削減を図ることができる。

マスクレス露光装置において、高解像力なパターンを形成する方法として、基板に対し走査方向を斜行させる方法が知られている。この場合、同列にあるマイクロミラー群のスポット位置を副走査方向へ徐々にシフトさせているため、オーバラップ露光が可能である（特許文献１）。また、高解像力を達成するために、マイクロミラーによって基板面に２次元状に形成される各スポットを合体させて所望のパターンを形成する技術が知られている（特許文献２）。

特開２００３－０５０４６９号公報 特開２００６－０８５０７０号公報

例えばＦＰＤ基板やＩＣなどでは、同一の基板上に複数回の露光工程を繰り返すことにより、それぞれの露光工程で形成されたパターンが重ね合わされる。その際、各露光工程で形成されたパターンのプロファイルあるいはパターン形成の精度が思わしくないと、重ね合わせが上手くいかず、製造不良となりうる。

本発明は、例えば、パターン形成の精度の点で有利な露光装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面によれば、基板を走査露光する露光装置であって、光源から射出された光の方向を制御可能な複数のミラーを含み、前記基板の走査に応じて前記基板の各位置における積算露光量が調整されるように動作するデジタルミラーデバイスと、前記デジタルミラーデバイスからの光を前記基板に導き該基板上にパターンを投影する投影光学系と、前記基板に投影されるべきパターンに基づいて前記デジタルミラーデバイスにおける前記複数のミラーを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記複数のミラーのそれぞれで反射され、前記基板に到達する各光の強度を示す光強度テーブルを生成し、前記光強度テーブルに基づいて、前記パターンのエッジ部における積算露光量が前記エッジ部以外の部分における積算露光量より多くなるように前記複数のミラーのそれぞれのオン／オフを定義するミラー選択テーブルを生成し、前記ミラー選択テーブルに従って前記複数のミラーを制御することを特徴とする露光装置が提供される。

本発明によれば、パターン形成の精度の点で有利な露光装置を提供することができる。

実施形態におけるマスクレス露光装置の構成を示す図。 ＤＭＤの作用を説明する図。 ピンホール板の光軸断面形状の例を示す図。 ＤＭＤが形成する光スポット群の分布図。 隣接するスポットの合体によるパターン形成を説明する図。 パターンエッジの強調方法を説明する図。 ＤＭＤの各ミラーで形成されるスポットの相対的な光強度テーブルの例を示す図。 照明光分布が均一ではない場合におけるパターンエッジの強調方法を説明する図。 照明光分布が均一ではない場合におけるパターンエッジの強調方法を説明する図。 ２次元状にパターンを露光する場合のパターンエッジの強調方法を説明する図。 露光処理を説明するフローチャート。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。

（マスクレス露光装置）
本実施形態におけるマスクレス露光装置は、基板を走査露光する露光装置であり、光源から射出された光の方向を制御可能な複数のミラー（マイクロミラー）を有するデジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）を備える。ＤＭＤは、基板の走査に応じて基板の各位置における積算露光量が調整されるように動作しうる。マスクレス露光装置は、更に、ＤＭＤからの光を基板に導き基板上にパターンを投影する投影光学系と基板に投影されるべきパターンに基づいてＤＭＤにおける複数のミラーを制御する制御部を備える。以下、図１を参照して、本実施形態におけるマスクレス露光装置の構成を説明する。

制御部ＣＴＲは、後述する各部を司り、露光処理を統括的に制御する。制御部ＣＴＲは、例えばＣＰＵ１０およびメモリ１１（記憶部）を含むコンピュータで構成されうる。

光源ＬＳには、例えば半導体レーザーやＬＥＤが使用される。光源ＬＳの波長は、露光基板上に塗布された感光性レジストの感度に依存して選択されうるが、例えば、３００ｎｍから４４０ｎｍ近辺の波長が利用可能である。

光源ＬＳから射出された露光光束は、光学系ＩＬ１の作用でコリメートされ、ハエの目レンズＦＥ１を照明する。ハエの目レンズＦＥ１の射出面は、光学系ＩＬ２の前側焦点面に配置され、かつ、ＤＭＤ面は、光学系ＩＬ２の後側焦点面に置かれている。この配置関係によって、ハエの目レンズＦＥ１から発した光束は光学系ＩＬ２によってコリメートされＤＭＤ面を均一な照度分布で照明する、いわゆるケーラー照明系が構成されている。

図１においては、あたかも、照明光束がＤＭＤへ入射し透過するかのように表示されているが、これは、露光光束の結像関係を分かりやすく説明するためのものであり、実際には、図２のようにＤＭＤで光束が反射される。図２において、ＤＭＤの複数のミラーのうち、オン状態とされたミラーＤ１、Ｄ２、Ｄ３に入射した照明光は下流の投影光学系ＰＯ１へ導光され、オフ状態とされているミラーに入射した照明光は投影光学系ＰＯ１に入射されない。ＤＭＤへの入射角は、図２のような斜入射が一般的であるが、ビームスプリッタを用いて垂直入射する場合もある。

投影光学系ＰＯ１は、ＤＭＤで反射した光束をマイクロレンズアレイＭＬＡに集光する作用を持つ。マイクロレンズアレイＭＬＡは、前段のフィールドレンズＭＦと、その焦点距離だけ離れた位置に配置された結像レンズＭｉにより構成される。フィールドレンズＭＦと結像レンズＭｉを対向させた組み合わせを、２次元上に複数配列させている。投影光学系ＰＯ１の作用により、フィールドレンズＭＦに結像された光束は結像レンズＭｉの作用で、結像レンズＭｉの後方に再結像する。この場合の結像点の位置は、結像レンズＭｉが微細でその焦点距離が短いため、並びに縮小結像されるために、結像レンズＭｉの直後１００ｕｍ以内に形成される場合が多い。

一方、フィールドレンズＭＦや結像レンズＭｉはそれぞれが一体化して加工され、加工時の安定性を確保する理由上、一定の厚みを必要とする。その厚さは、最低でも３００ｕｍ以上必要とされる。したがって、上記再結像点は、結像レンズＭｉの硝材内部に形成されることになる。本実施形態では、この再結像点を投影光学系ＰＯ２の作用により空気中に再結像させ、その面にピンホール板ＰＨＥを配置させている。

図３はピンホール板ＰＨＥの光軸（Ｚ軸）断面形状の例を示している。本実施形態では、マイクロレンズアレイＭＬＡを縦横３ｘ６組の配列としているため、ピンホール板ＰＨＥの開口は１８個存在する。そして、各ピンホールは、ＤＭＤの各ミラーに位置と対応している。このピンホールの機能は、余計なフレア光を遮断すること、あるいは、マイクロレンズアレイＭＬＡが形成する光スポットを切り出して、基板上の光スポットを更に微細化することである。ピンホール板ＰＨＥを透過した光束は、投影光学系ＰＯ３の作用により、基板面ＰＬ上の位置ＥＦに結像する。

（パターンの形成方法）
前述のように、露光光束は、露光すべき基板面ＰＬ上の位置ＥＦに集光され光スポット群が形成される。図４は、ＤＭＤが形成する光スポット群の基板面ＰＬ上の位置ＥＦでの分布図を示す。本実施形態では、ＤＭＤの複数のミラーが、行方向（Ｘ方向）に２０００個、列方向（Ｙ方向）に１０００個、二次元格子状に配列されている。ここで、上記の行方向および列方向は、基板の走査方向に対して傾斜している。図４の例では、基板の走査方向Ｓｙは、Ｙ軸方向に対してα度回転した方向である。図中、方向ＳｘはＳｙと直交する非走査方向であり、Ｘ軸方向に対してα度回転した方向である。これにより、例えば、Ｓｘ＝０にあるパターンは、基板走査中、Ｓｙ軸上にある黒点で示される光スポットで間欠的に露光され、その光エネルギーが積分されて所定の露光量を得ることになる。具体的には、１０００×tanα回積分露光される。図４では、tanα＝１／４である。基板はＰＣＳの方向からＤＭＤ露光領域に進入してくるので、最初に、Ｎ１行（あるいは、Ｘ位置によっては、Ｎ２行またはＮ３行）から露光される。ピンホール板ＰＨＥはＤＭＤの各ミラーと一対一で対応させているため、ＤＭＤの傾き角度と同じだけ、マイクロレンズアレイＭＬＡやピンホール板ＰＨＥも傾ける必要がある。

以上のように、非走査方向Ｓｘに並べられた各パターンは、走査方向に複数並んだＤＭＤのミラーによるスポットを重ね合わせることにより形成される。また、露光パターンの形状は、非走査方向Ｓｘに形成されたパターンを隣接して作ることができる。

図５はパターンの露光方法の一例を示す図である。ＤＭＤの個々のミラーに対応するスポット径はａ［μｍ］であり、各スポットがＳｘ方向に間隔ａ［μｍ］で配置されるようになっている。図５の黒丸および白丸はＤＭＤの各ミラーによるスポット位置を表している。白丸は、ＤＭＤに入射した照明光のうち、オン状態のミラーで反射され投影光学系ＰＯ１に入射させている箇所であり、黒丸は、ＤＭＤに入射した照明光のうち、オフ状態のミラーで反射され投影光学系ＰＯ１に入射されない箇所である。図５の下側に描かれている模式図は、各スポットによる光学像強度（積算露光量）を表している。

露光装置は、基板の走査により、ＤＭＤの複数のミラーのうち走査方向Ｓｙに一列に並んだオン状態のミラーのそれぞれで反射された光によって形成されるスポットを重ね合わせることを、パターンにおける非走査方向Ｓｘに並んだ複数の位置で行う。これにより、非走査方向Ｓｘに並んだ複数の位置におけるパターンが形成される。図５において、Ｓｘ方向に並んだ４つの位置（Ｐ１～Ｐ４）で、走査方向Ｓｙに一列に並んだオン状態のミラーで反射された光の光量の合計値が積算露光量として算出される。ＡＩＩ１は、Ｓｘ方向に並んだ４つの位置それぞれの積算露光量の分布（強度分布）を示している。このように、Ｓｘ方向に４つ並べたスポットそれぞれで、Ｓｙ方向の光量の足し算で最終的なパターン形状が作られており、図５の場合は、パターン形状の幅ｂは、おおよそｂ＝４ａとなっている。本例では、Ｓｘ方向のスポットを４つ合算した場合のパターン形成方法について取り上げたが、最終的なパターンの形状により、用いるスポット形成箇所、および合算する数は決定される。

（パターンの露光方法）
次に、図５と図６を用いて、コントラストを実質的に向上させる手法について説明する。パターンの形成方法は図５で説明した手法と同じである。ただし、図６のようにパターンエッジ部以外のＰ２、Ｐ３に関して、露光方法が異なる。

図５では、模式的にＰ１～Ｐ４におけるスポット形成は、Ｓｙ方向に１０ポイントの光エネルギーが積分されてスポットを形成している。それに対して図６においては、Ｐ１およびＰ４では１０ポイントの光エネルギーが積分されており、Ｐ２およびＰ３では９ポイントの光エネルギーが積分されている。このため、Ｐ２およびＰ３では、積分された光強度が９／１０に減り光学像強度も９／１０の強さになる。これにより、Ｓｘ方向に４つ並んだスポットにおける強度分布はＡＩＩ２のようになり、図５のＡＩＩ１に比べて相対的にパターンのエッジ部に比べてエッジ部以外の部分が低くなっている。

このようにすることで、パターンのエッジ部が強調されて、最終的なパターン形状の実質的なコントラストが強調される。本例では、エッジ部以外の箇所の光の積算エネルギーを削減させたが、パターンエッジを強調させるには、パターンエッジ部の積算エネルギーを増やしても同じ効果が得られる。

（使用するＤＭＤミラーの選択方法）
前述のとおり、最終的なパターン形状において、パターンのエッジ部とエッジ部以外で、パターン形成に用いる光エネルギーを変えることにより、パターン形成時の光学像強度分布のプロファイルを変えることができることが分かる。より好ましく光エネルギーを変えたい場合は、以下のような手法をとるとよい。

実際のマスクレス露光装置では、ＤＭＤに入射する照明光分布は均一ではない。また、たとえ均一な分布であったとしても、ＤＭＤのそれぞれのミラーの反射率差やＤＭＤから基板までの光学素子面の透過率ムラ、反射率ムラ等の影響で、各ミラーが作るスポットの光強度はまちまちである。これらの影響を無視すると、光エネルギーを変え、パターンのエッジ部を強調させたとしても十分な効果が得られにくくなる。

そこで、制御部ＣＴＲは、予めＤＭＤの各ミラーで形成されるスポットの光強度を計測しておく。こうすることでＤＭＤの各ミラーで形成されるスポットの光強度の相対的な関係が分かり、パターン形成時に用いるミラーの選択に役立つ。

図７は、ＤＭＤの各ミラーで形成されるスポットの、相対的な光強度テーブルを表している。説明を分かりやすくするため、ＤＭＤの構成を簡略化し、ミラーの数を、Ｘ方向（非走査方向Ｓｘに相当）に６個、Ｙ方向（走査方向Ｓｙに相当）に１１個、計６６個とする。実際はＤＭＤのミラーの数は更に多く、また、Ｓｘ方向からＤＭＤのＸ軸をねじって使うことを考慮に入れる必要がある。

Ｘ方向の各ＤＭＤミラーの位置をｉ、Ｙ方向の各ＤＭＤミラーの位置をｊとすると、計測により得られた相対強度分布Ｉ（ｉ，ｊ）は図７に示すような１００近傍の値となっている。Ｘ（Ｓｘ）位置における各スポットの相対的な光強度は、前述したとおり、Ｙ（Ｓｙ）方向に光のエネルギーをｊ＝１～１１について足し合わせて得られる。
ｉ＝１～６のそれぞれで、相対強度をすべて足し合わせると、
ｉ＝１：１０９９、
ｉ＝２：１０９９、
ｉ＝３：１１００、
ｉ＝４：１１０１、
ｉ＝５：１０９５、
ｉ＝６：１０９８
となる。いま、最終的なパターン形状をｉ＝２～５の４列で形成させるとする。このとき、例えば図８のように使用するＤＭＤを選択すると、ｉ＝２～５で光の積算エネルギー（積算露光量）は均一になる。

図８（Ａ）は、各ＤＭＤミラーの相対的なスポット強度を配列したテーブルであり、それぞれの値は図７と同じである。図８（Ｂ）は、ＤＭＤの各ミラーのオン／オフを表すデータを記述したテーブルであり、露光に使用する場合（オン）は１で、使用しない場合（オフ）は０で示されている。図８（Ｃ）は、ＤＭＤの各ミラーによる相対的なスポット強度とその積算和を示すテーブルである。この例では、Ｙ方向に１１個選択可能なＤＭＤのミラーのうち９個を選んで、均一な積算エネルギー（８９８）を作成している。なお、ＸＹ方向にＤＭＤのミラーの数が更に多くある場合は、必ずしも使用するミラーの数を同じにする必要はない。

次に、図９を参照して、パターンのエッジ部を強調させる方法を説明する。図９（Ａ）は、ＤＭＤの各ミラーの相対的なスポット強度を配列したテーブルであり、図８（Ａ）と同じものである。図９（Ｂ）は、図８（Ｂ）と同様の、ＤＭＤの各ミラーのオン／オフを表すデータを記述したテーブルであり、露光に使用する場合（オン）は１で、使用しない場合（オフ）は０で示されている。図８（Ｂ）と比べると、（ｉ，ｊ）＝（２，８）、（５，１１）のミラーがオンに変更されている。図９（Ｃ）は、図８（Ｃ）と同様の、ＤＭＤの各ミラーによる相対的なスポット強度とその積算和を示すテーブルである。（ｉ，ｊ）＝（２，８）、（５，１１）のミラーが追加的にオンにされたことにより、図９（Ｃ）において、エッジ部（ｉ＝２，５）の積算エネルギーは９９８となり、エッジ部以外（ｉ＝３，４）の８９８に比べて高い値となる。これによりパターンのエッジ部の光学像強度（積算露光量）が大きくなり、パターンエッジ部が強調されて、最終的なパターン形状の実質的なコントラストが強調される。

積算エネルギー差とコントラスト強調効果の関係は、基板を露光するときの条件、つまり投影光学系のＮＡや露光波長、コヒーレントファクター、および基板上に塗布された感光材の種類等に依存する。したがって、露光毎に異なる可能性があるため、トライアンドエラーが必要となる場合がある。

（２次元パターンへの適用例）
次に、Ｘ方向とＹ方向の２次元状にパターンを露光する場合の例を説明する。図１０（Ａ）は、基板上のＸＹ平面に露光すべきパターンを表している。図１０（Ａ）には、２つのパターンがあり、上側のパターン形状は４×４個、下側のパターンは、４×７個のセグメントにより形成される。１つのセグメントのＸ方向（非走査方向）の幅はＤＭＤミラー１つの幅に対応している。

制御部ＣＴＲは、２つのパターンそれぞれを、パターンエッジ部とエッジ部以外に分類する。図１０に記載したＸＹ座標において、両者は以下のようになる。

＜グループＡ＞パターンエッジ部の座標（Ｘ，Ｙ）
（３，２）、（３，３）、（３，４）、（３，５）
（４，２）、（４，５）、（４，７）、（４，８）、（４，９）、（４，１０）
（５，２）、（５，５）、（５，７）、（５，１０）
（６，２）、（６，５）、（６，７）、（６，１０）
（７，２）、（７，５）、（７，７）、（７，８）、（７，９）、（７，１０）
（８，２）、（８，５）
（９，２）、（９，３）、（９，４）、（９，５）
＜グループＢ＞パターンエッジ部以外の座標（Ｘ，Ｙ）
（４，３）、（４，４）
（５，３）、（５，４）、（５，８）、（５，９）
（６，３）、（６，４）、（６，８）、（６，９）
（７，３）、（７，４）
（８，３）、（８，４）

次に、グループＡの露光量とグループＢの露光量を決定する。ここでは、例えばグループＡの露光量を９９８、グループＢの露光量を８９８とする。図１０（Ｂ）は、決定された各セグメントの露光量を表している。あとは、それぞれの露光量になるように使用するＤＭＤの場所を選択する。選択方法は前述と同様である。

このように、パターンの走査方向に延びるエッジ部および非走査方向に延びるエッジ部の各スポットの座標を予め求めておく。そして、制御部ＣＴＲは、基板の走査中、予め求められた各座標のスポットにおける積算露光量が他のスポットにおける積算露光量より多くなるように複数のミラーのオン／オフを制御する。

（露光フロー）
次に、本実施形態における露光処理を図１１のフローチャートを参照して説明する。Ｓ１で、制御部ＣＴＲは、事前に、ＤＭＤの各ミラーで形成されるスポットの相対的な光強度計測を行う。Ｓ２で、制御部ＣＴＲは、光強度計測の結果に基づき、例えば図９（Ａ）（図８（Ａ））で示したような光強度テーブルを作成する。作成されたテーブルは、例えば制御部ＣＴＲのメモリ１１に格納される。次にＳ３で、制御部ＣＴＲは、例えば図５で示したような、露光パターン形状を決定する。Ｓ４で、制御部ＣＴＲは、Ｓ３で決定されたパターン形状に対して、暫定的に使用するＤＭＤの位置を決定し、図８（Ｂ）で示したようなミラー選択テーブルを作成する。この時はパターン内の積算露光量が均一になるように設定される。この作成されたミラー選択テーブルは、例えば制御部ＣＴＲのメモリ１１に格納される。言い換えると、Ｓ４では、Ｓ１の計測の結果に基づいて、パターン内の積算露光量が均一になるようにＤＭＤの各ミラーのオン／オフを決定する。

その後、作成されたミラー選択テーブルに従い、１回目の露光（検査露光）が実施され（Ｓ５）、顕微鏡等を用いて露光結果が検査される。制御部ＣＴＲは、この検査で得られたパターンのプロファイルを取得する（Ｓ６）。このとき、望ましいパターンのプロファイルになっていれば、露光条件はただちに決定されるが、一般的にはパターンのプロファイルが所望の形状になっていないことが多い。その場合は、制御部ＣＴＲは、Ｓ７で、使用するＤＭＤの位置の選定を再度行う。具体的には、制御部ＣＴＲは、パターンのエッジが強調されるように、メモリ１１に記憶されているミラー選択テーブル内のデータを、例えば図９（Ｂ）で示したように書き換える。言い換えると、制御部ＣＴＲは、Ｓ４での決定の結果に従って実施された検査露光の結果に基づいて、パターンのエッジ部の各スポットにおける積算露光量がエッジ部以外の部分の各スポットにおける積算露光量より多くなるようにＳ４での決定の結果を修正する。その後、Ｓ８で、制御部ＣＴＲは、Ｓ６で修正された結果に従って露光を実施する。

このように２回にわたり、使用するＤＭＤミラーの位置を選定することで、適切なパターン形状の露光を行うことができ、これにより、基板の不良率を低下させることができる。なお、同じ露光条件下で露光を行う際は、過去に行ったＤＭＤミラーの位置選定結果は利用することができる可能性が高いため、必ずしも毎度検査露光をする必要はない。

＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

ＬＳ：光源、ＩＬ１，ＩＬ２：光学系、ＦＥ１：ハエの目レンズ、ＤＭＤ：デジタルミラーデバイス、ＰＯ１，ＰＯ２，ＰＯ３：投影光学系、ＣＴＲ：制御部

Claims (10)

1. 基板を走査露光する露光装置であって、
   光源から射出された光の方向を制御可能な複数のミラーを含み、前記基板の走査に応じて前記基板の各位置における積算露光量が調整されるように動作するデジタルミラーデバイスと、
   前記デジタルミラーデバイスからの光を前記基板に導き該基板上にパターンを投影する投影光学系と、
   前記基板に投影されるべきパターンに基づいて前記デジタルミラーデバイスにおける前記複数のミラーを制御する制御部と、
   を有し、
   前記制御部は、前記複数のミラーのそれぞれで反射され、前記基板に到達する各光の強度を示す光強度テーブルを生成し、前記光強度テーブルに基づいて、前記パターンのエッジ部における積算露光量が前記エッジ部以外の部分における積算露光量より多くなるように前記複数のミラーのそれぞれのオン／オフを定義するミラー選択テーブルを生成し、前記ミラー選択テーブルに従って前記複数のミラーを制御することを特徴とする露光装置。
2. 前記デジタルミラーデバイスは、前記複数のミラーそれぞれのオン／オフを制御することによって前記基板の各位置における積算露光量が調整されるように動作することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記露光装置は、前記基板の走査により、前記複数のミラーのうち走査方向に一列に並んだオン状態のミラーのそれぞれで反射された光によって形成されるスポットを重ね合わせることを、前記パターンにおける非走査方向に並んだ複数の位置で行うことにより、該複数の位置におけるパターンを形成するように構成され、
   前記積算露光量は、前記走査方向に一列に並んだオン状態のミラーのそれぞれで反射された光の光量の合計値として算出される
   ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
4. 前記制御部は、
   前記パターンの前記走査方向に延びるエッジ部および前記非走査方向に延びるエッジ部の各スポットの座標を予め求めておき、
   前記基板の走査中、前記予め求められた各座標のスポットにおける積算露光量が他のスポットにおける積算露光量より多くなるように前記複数のミラーのオン／オフを制御する
   ことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
5. 前記複数のミラーは、行方向および列方向に配列されており、
   前記行方向および列方向は、前記走査方向に対して傾斜している
   ことを特徴とする請求項３または４に記載の露光装置。
6. 前記制御部は、前記複数のミラーのそれぞれで反射され前記基板に導かれる光の積算露光量を予め計測しておき、該計測の結果に基づいて前記複数のミラーのオン／オフを制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
7. 前記制御部は、前記光強度テーブルに基づいて前記基板において露光される積算露光量が均一になるように前記複数のミラーのオン／オフを定義する中間テーブルを生成し、前記エッジ部における積算露光量が前記エッジ部以外の部分における積算露光量より多くなるように、前記中間テーブルから前記ミラー選択テーブルを生成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
8. 基板を走査露光する露光装置における露光方法であって、
   前記露光装置は、光源から射出された光の方向を制御可能な複数のミラーを含み、基板の走査に応じて前記基板の各位置における積算露光量が調整されるように動作するデジタルミラーデバイスと、前記デジタルミラーデバイスからの光を前記基板に導き該基板上にパターンを投影する投影光学系と、前記基板に投影されるべきパターンに基づいて前記デジタルミラーデバイスにおける前記複数のミラーを制御する制御部とを有し、
   前記露光方法は、
   前記複数のミラーのそれぞれで反射され前記基板に到達する各光の強度を示す光強度テーブルを生成する工程と、
   前記光強度テーブルに基づいて、前記パターンのエッジ部における積算露光量が前記エッジ部以外の部分における積算露光量より多くなるように前記複数のミラーのそれぞれのオン／オフを定義するミラー選択テーブルを生成する工程と、
   前記ミラー選択テーブルに従って前記基板を露光する工程と、
   を有することを特徴とする露光方法。
9. 前記光強度テーブルに基づいて前記基板において露光される積算露光量が均一になるように前記複数のミラーのオン／オフを定義する中間テーブルを生成する工程を更に有し、
   前記中間テーブルを生成する工程は、前記中間テーブルを記憶部に格納する工程を含み、
   前記ミラー選択テーブルを生成する工程は、前記記憶部に記憶された前記中間テーブル内のデータを書き換える工程を含む
   ことを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
10. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で前記露光された基板を現像する工程と、
    を含み、
    前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

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