JP2011018852A - 半導体素子の製造方法およびランプ、電子機器、機械装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ｎ型半導体層を形成する際に用いたドーパントに起因するｐ型半導体層の不良が生じにくく、しかも、高い出力の得られる半導体素子を製造できる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に、第１ｎ型半導体層１２ａを積層する第１工程と、第２有機金属化学気相成長装置において、第１ｎ型半導体層１２ａ上に、第１ｎ型半導体層１２ａの再成長層１２ｄと第２ｎ型半導体層１２ｂと活性層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第２工程とを具備してなる半導体素子の製造方法とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体素子の製造方法およびランプ、電子機器、機械装置に関し、特にｎ型半導体層を形成する際に用いたドーパントに起因するｐ型半導体層の不良が生じにくく、高い出力の得られる半導体素子の製造方法およびこの製造方法を用いて製造された半導体素子を備えるランプ、電子機器、機械装置に関する。

従来から、発光ダイオードや半導体レーザなどに用いられる半導体素子として、基板上に、ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを順次積層してなるものがある。このような半導体素子を製造する方法として、サファイア単結晶などからなる基板上に、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）法）によってｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを連続して順次積層する方法がある。

しかしながら、基板上に、ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを連続して順次積層する場合、これらの層が同一の成長室内で形成されるので、ｎ型半導体層を形成する際に用いたドーパントがｐ型半導体層の形成に支障を来たして、抵抗率の十分に低いｐ型半導体層が得られない場合があった。

このような問題を解決する技術として、例えば、特許文献１には、所定の基板上に、少なくとも第１導電形の半導体層と第２導電形の半導体層とを順次成膜して化合物半導体装置を製造するに際し、前記それぞれの導電形の半導体層を、導電形に対応した異なる複数の独立した成長室で成膜するようにして成る化合物半導体装置の製造方法が提案されている。

特開平７−４５５３８号公報

しかしながら、ｎ型半導体層を形成する成長室とｐ型半導体層を形成する成長室とを別々にすると、得られた半導体素子の出力が不十分となる場合があった。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ｎ型半導体層を形成する際に用いたドーパントに起因するｐ型半導体層の不良が生じにくく、しかも、高い出力の得られる半導体素子を製造できる半導体素子の製造方法を提供することを課題とする。

本発明者は、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成した。即ち、本発明は以下に関する。
（１） 第１有機金属化学気相成長装置において、基板上に、第１ｎ型半導体層を積層する工程（第１工程）と、
第２有機金属化学気相成長装置において、前記第１ｎ型半導体層上に、前記第１ｎ型半導体層の再成長層と第２ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを順次積層する工程（第２工程）とを具備してなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
（２） 前記第２工程において、薄膜層を２０層〜４０層繰り返し成長させてなる超格子構造からなる前記第２ｎ型半導体層を形成することを特徴とする前項１に記載の半導体素子の製造方法。
（３） 前記第１工程における前記第１ｎ型半導体層の成長条件と、前記第２工程における前記再成長層の成長条件とが同一であることを特徴とする前項１または前項２に記載の半導体素子の製造方法。
（４） 前記第１ｎ型半導体層が、ｎコンタクト層であり、前記第２ｎ型半導体層が、ｎクラッド層であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。

（５） 前記再成長層の厚みを０．０５μｍ〜２μｍとすることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
（６） 前記再成長層を形成する前に、窒素を含む雰囲気で熱処理温度５００℃〜１０００℃の熱処理を行うことを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
（７） （１）〜（６）のいずれかに記載の半導体素子の製造方法を用いて製造された半導体素子を備えることを特徴とするランプ。
（８） （７）に記載のランプが組み込まれていることを特徴とする電子機器。
（９） （８）に記載の電子機器が組み込まれていることを特徴とする機械装置。

本発明の半導体素子の製造方法は、第１有機金属化学気相成長装置において、基板上に、第１ｎ型半導体層を積層する工程（第１工程）と、第２有機金属化学気相成長装置において、前記第１ｎ型半導体層上に、前記第１ｎ型半導体層の再成長層と第２ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを順次積層する工程（第２工程）とを具備しているので、第１工程において形成される第１ｎ型半導体層が、第２工程において形成されるｐ型半導体層とは別の成長室内で形成されることになる。このため、本発明の半導体素子の製造方法によれば、ｎ型半導体層を形成する際に用いたドーパントに起因するｐ型半導体層の不良を生じにくくすることができる。
しかも、本発明の半導体素子の製造方法では、第２工程において、第１ｎ型半導体層上に、第１ｎ型半導体層の再成長層を形成してから第２ｎ型半導体層を積層と活性層とｐ型半導体層とを順次積層するので、高い出力の得られる半導体素子が得られる。

図１は、本発明の半導体素子の製造方法を用いて製造された半導体素子の一例を示した断面模式図である。 図２は、図１に示す半導体素子を製造する工程を説明するための断面模式図である。 図３は、図１に示した半導体素子を備えるランプの一例を示した断面模式図である。

以下、半導体素子の製造方法について、図面を適宜参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体素子やランプ等の寸法関係とは異なっている。

『半導体発光素子』
図１は、本発明の半導体素子の製造方法を用いて製造された半導体素子の一例を示した断面模式図である。本実施形態においては、半導体素子の一例として図１に示す半導体発光素子１を例に挙げて説明する。
図１に示す本実施形態の半導体発光素子１は、基板１１と、基板１１上に積層された積層半導体層２０と、積層半導体層２０の上面に積層された透光性電極１５と、透光性電極１５上に積層されたｐ型ボンディングパッド電極１６と、積層半導体層２０の露出面２０ａ上に積層されたｎ型電極１７とを具備している。

積層半導体層２０は、基板１１側から、ｎ型半導体層１２、発光層（活性層）１３、ｐ型半導体層１４がこの順に積層されて構成されている。図１に示すように、ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４は、その一部がエッチング等の手段によって除去されており、除去された部分からｎ型半導体層１２の一部が露出されている。そして、ｎ型半導体層１２の露出面２０ａには、ｎ型電極１７が積層されている。
また、ｐ型半導体層１４の上面１４ａには、透光性電極１５及びｐ型ボンディングパッド電極１６が積層されている。これら、透光性電極１５及びｐ型ボンディングパッド電極１６によって、ｐ型電極１８が構成されている。

ｎ型半導体層１２、発光層１３およびｐ型半導体層１４を構成する半導体としては、ＩＩＩ族窒化物半導体を用いることが好ましく、窒化ガリウム系化合物半導体を用いることがより好ましい。窒化ガリウム系化合物半導体としては、一般式Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体が周知である。本発明におけるｎ型半導体層１２、発光層１３およびｐ型半導体層１４を構成する窒化ガリウム系化合物半導体としても、一般式Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体を何ら制限なく用いることができる。

本実施形態の半導体発光素子１は、ｐ型電極１８とｎ型電極１７との間に電流を通じることで、積層半導体層２０を構成する活性層である発光層１３から発光を発せられるようになっており、発光層１３からの光を、ｐ型ボンディングパッド電極１６の形成された側から取り出すフェイスアップマウント型の発光素子である。

（基板）
基板１１としては、例えば、サファイア、ＳｉＣ、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等からなる基板を用いることができる。上記基板の中でも、特に、ｃ面を主面とするサファイア基板を用いることが好ましい。

なお、上記基板の内、高温でアンモニアに接触することで化学的な変性を引き起こすことが知られている酸化物基板や金属基板等を用い、アンモニアを使用せずに後述するバッファ層２１を成膜するとともに、アンモニアを使用する方法で後述する下地層２２を成膜した場合には、バッファ層２１がコート層として作用するので、基板１１の化学的な変質を防ぐ点で効果的である。

（バッファ層）
バッファ層２１は、設けられていなくてもよいが、基板１１と下地層２２との格子定数の違いを緩和して、基板１１の（０００１）Ｃ面上にＣ軸配向した単結晶層の形成を容易にするために、設けられていることが好ましい。バッファ層２１の上に単結晶の下地層２２を積層すると、より一層結晶性の良い下地層２２が積層できる。

バッファ層２１は、多結晶のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなるものが好ましく、単結晶のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなるものがより好ましい。
バッファ層２１は、例えば、多結晶のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなる厚さ０．０１〜０．５μｍのものとすることができる。バッファ層２１の厚みが０．０１μｍ未満であると、バッファ層２１により基板１１と下地層２２との格子定数の違い緩和する効果が十分に得られない場合がある。また、バッファ層２１の厚みが０．５μｍを超えると、バッファ層２１としての機能には変化が無いのにも関わらず、バッファ層２１の成膜処理時間が長くなり、生産性が低下する虞がある。

バッファ層２１は、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる六方晶系の結晶構造を持つものである。バッファ層２１をなすＩＩＩ族窒化物半導体の結晶は、単結晶構造を有するものであることが好ましい。ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶は、成長条件を制御することにより、上方向だけでなく、面内方向にも成長して単結晶構造を形成する。このため、バッファ層２１の成膜条件を制御することにより、単結晶構造のＩＩＩ族窒化物半導体の結晶からなるバッファ層２１とすることができる。このような単結晶構造を有するバッファ層２１を基板１１上に成膜した場合、バッファ層２１のバッファ機能が有効に作用するため、その上に成膜されたＩＩＩ族窒化物半導体は良好な配向性及び結晶性を有する結晶膜となる。

また、バッファ層２１をなすＩＩＩ族窒化物半導体の結晶は、成膜条件をコントロールすることにより、六角柱を基本とした集合組織からなる柱状結晶（多結晶）とすることも可能である。なお、ここでの集合組織からなる柱状結晶とは、隣接する結晶粒との間に結晶粒界を形成して隔てられており、それ自体は縦断面形状として柱状になっている結晶のことをいう。

（下地層）
下地層２２としては、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）が挙げられるが、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）を用いると結晶性の良い下地層２２を形成できるため好ましい。
下地層２２の膜厚は０．１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以上であり、１μｍ以上が最も好ましい。この膜厚以上にした方が結晶性の良好なＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層が得られやすい。
下地層２２の結晶性を良くするために、下地層２２には不純物をドーピングしない方が望ましい。しかし、ｐ型あるいはｎ型の導電性が必要な場合には、下地層２２にアクセプター不純物あるいはドナー不純物を添加することが出来る。

（積層半導体層）
（ｎ型半導体層）
ｎ型半導体層１２は、ｎコンタクト層１２ａ（第１工程成長層および再成長層）と、ｎクラッド層１２ｂ（第２ｎ型半導体層）とから構成されている。

ｎコンタクト層１２ａ（第１ｎ型半導体層）は、ｎ型電極１７を設けるための層であり、後述する第１工程において形成された第１工程成長層１２ｃと、後述する第２工程において形成された再成長層１２ｄとからなる。第１工程成長層１２ｃと再成長層１２ｄとは、好ましくは同じ成長条件で形成された同一の材料からなるものがよく、第１工程成長層１２ｃの厚みが、再成長層１２ｄの厚みよりも厚くなっている。また、本実施形態においては、図１に示すように、第１工程成長層１２ｃにｎ型電極１７を設けるための露出面２０ａが形成されている。なお、ｎ型電極１７を設けるための露出面２０ａは、再成長層１２ｄに形成されていてもよい。

ｎコンタクト層１２ａは、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層（０≦ｘ＜１、好ましくは０≦ｘ≦０．５、さらに好ましくは０≦ｘ≦０．１）から構成されることが好ましく、ｎ型不純物（ドーパント）がドープされている。ｎコンタクト層１２ａにｎ型不純物が１×１０^１７〜１×１０^２０／ｃｍ^３、好ましくは１×１０^１８〜１×１０^１９／ｃｍ^３の濃度で含有されている場合、ｎ型電極１７との良好なオーミック接触の維持の点で好ましい。ｎコンタクト層１２ａに用いられるｎ型不純物としては、特に限定されないが、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等が挙げられ、ＳｉおよびＧｅが好ましく、Ｓｉが最も好ましい。

ｎコンタクト層１２ａを構成する第１工程成長層１２ｃの膜厚は、０．５〜５μｍとされることが好ましく、２μｍ〜４μｍの範囲であることがより好ましい。第１工程成長層１２ｃの膜厚が上記範囲内であると、半導体の結晶性が良好に維持される。
また、再成長層１２ｄの膜厚は、０．０５〜２μｍとされることが好ましく、０．２μｍ〜１μｍであることがより好ましい。再成長層１２ｄの膜厚が０．２μｍ以上であると、後述するように、ｎコンタクト層１２ａを形成している途中の段階でｎコンタクト層１２ａの成長を中断し、成長室内から取り出して別の装置の成長室に移動し、その後ｎコンタクト層１２ａの成長を再開したことによるｎコンタクト層１２ａの結晶性への影響を少なくすることができ、半導体発光素子の出力を向上させる効果がより顕著となる。また、再成長層１２ｄの膜厚が２μｍを超えると、ｐ型半導体層１４を形成する際に用いられる第２有機金属化学気相成長装置の成長室内に、ｎ型半導体層１２を形成した後に残されるドーパントや堆積物の量が多くなり、ｎ型半導体層１２を形成する際に用いたドーパントや堆積物に起因するｐ型半導体層１４の不良が生じやすくなる。さらに再成長層１２ｄの成膜処理時間が長くなり、生産性が低下する問題が発生する。

ｎクラッド層１２ｂは、ｎコンタクト層１２ａと発光層１３との間に設けられている。ｎクラッド層１２ｂは、発光層１３へのキャリアの注入とキャリアの閉じ込めを行なう層であり、再成長層１２ｄと発光層１３との結晶格子の不整合を緩和する発光層１３のバッファ層としても機能するものである。ｎクラッド層１２ｂはＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮなどで形成することが可能である。なお、明細書中各元素の組成比を省略してＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮと記述する場合がある。ｎクラッド層１２ｂをＧａＩｎＮで形成する場合には、発光層１３のＧａＩｎＮのバンドギャップよりも大きくすることが望ましいことは言うまでもない。

ｎクラッド層１２ｂが単層からなるものである場合、ｎクラッド層１２ｂの膜厚は、５〜５００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１００ｎｍである。また、ｎクラッド層１２ｂのｎ型ドープ濃度は１×１０^１７〜１×１０^２０／ｃｍ^３であることが好ましく、より好ましくは１×１０^１８〜１×１０^１９／ｃｍ^３である。ドープ濃度がこの範囲であると、良好な結晶性の維持および素子の動作電圧低減の点で好ましい。

本実施形態においては、ｎクラッド層１２ｂは、単層であってもよいが、薄膜層を２０層〜４０層繰り返し成長させてなる超格子構造であることが好ましい。ｎクラッド層１２ｂが超格子構造からなるものである場合、薄膜層の積層数が２０層以上であると、再成長層１２ｄと発光層１３との結晶格子の不整合をより効果的に緩和することができ、半導体素子の出力を向上させる効果がより顕著となる。しかし、薄膜層の積層数が４０層を超えると、超格子構造が乱れやすくなる場合もあり、発光層１３に悪影響を来たす恐れが生じる。さらに、ｎクラッド層１２ｂの成膜処理時間が長くなり、生産性が低下するという問題が発生する。

ｎクラッド層１２ｂを構成する超格子構造は、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ側第１層と、該ｎ側第１層と組成が異なるＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ側第２層とが積層されたものであることが好ましく、ｎ側第１層とｎ側第２層とが交互に繰返し積層された構造を含むものであることがより好ましい。

ｎクラッド層１２ｂの超格子構造を構成するｎ側第１層及びｎ側第２層は、ＧａＩｎＮ／ＧａＮの交互構造、ＡｌＧａＮ／ＧａＮの交互構造、ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮの交互構造、組成の異なるＧａＩｎＮ／ＧａＩｎＮの交互構造（本発明における“組成の異なる”との説明は、各元素組成比が異なることを指す）、組成の異なるＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮの交互構造とすることができ、ＧａＩｎＮ／ＧａＮの交互構造又は組成の異なるＧａＩｎＮ／ＧａＩｎＮの交互構造であることが好ましい。

ｎ側第１層及びｎ側第２層の厚みは、それぞれ１００オングストローム以下であることが好ましく、６０オングストローム以下であることがより好ましく、４０オングストローム以下であることがさらに好ましく、それぞれ１０オングストローム〜４０オングストロームの範囲であることが最も好ましい。超格子層を形成するｎ側第１層および/またはｎ側第２層の膜厚が１００オングストローム超であると、結晶欠陥が入りやすくなるため好ましくない。

上記ｎ側第１層及びｎ側第２層は、それぞれドープした構造であってもよく、また、ドープ構造／未ドープ構造の組み合わせであってもよい。ドープされる不純物としては、上記材料組成に対して従来公知のものを、何ら制限無く適用できる。例えば、ｎクラッド層１２ｂとして、ＧａＩｎＮ／ＧａＮの交互構造又は組成の異なるＧａＩｎＮ／ＧａＩｎＮの交互構造を有する超格子構造を用いた場合には、不純物としてＳｉが好適である。また、超格子構造を構成するｎ側第１層及びｎ側第２層は、ＧａＩｎＮやＡｌＧａＮ、ＧａＮで代表される組成が同じであって、ドープ構造／未ドープ構造を組み合わせたものであってもよい。

（発光層）
発光層１３は、障壁層１３ａと井戸層１３ｂとが交互に複数積層された多重量子井戸構造からなる。多重量子井戸構造における積層数は３層から１０層程度が好ましく、４層から７層程度がさらに好ましい。
井戸層１３ｂの厚みは、１５オングストローム以上５０オングストローム以下の範囲が好ましい。井戸層１３ｂの厚みが上記の以外の厚みであると、発光出力の低下を招く場合がある。

井戸層１３ｂは、Ｉｎを含む窒化ガリウム系化合物半導体であることが好ましい。Ｉｎを含む窒化ガリウム系化合物半導体は、青色の波長領域の発光を強い強度で発光することができる。また、井戸層１３ｂには、不純物をドープすることができる。ドーパントとしては、ドナーとして知られているＳｉやＧｅが発光強度を増進するのに好適である。ドープ量は１×１０^１７ｃｍ^−３〜１×１０^１８ｃｍ^−３程度が好適である。これ以上多いと発光強度の低下を引き起こす。

障壁層１３ａは、膜厚が２０オングストローム以上１００オングストローム未満の範囲が好ましい。障壁層１３ａの膜厚が薄すぎると、障壁層１３ａ上面の平坦化を阻害し、発光効率の低下やエージング特性の低下を引き起こす。また、膜厚が厚すぎると、駆動電圧の上昇や発光の低下を引き起こす。このため、障壁層１３ａの膜厚は７０オングストローム以下であることが好ましい。
また、障壁層１３ａは、ＧａＮやＡｌＧａＮのほか、井戸層を構成するＩｎＧａＮよりもＩｎ比率の小さいＩｎＧａＮで形成することができる。中でも、ＧａＮが好適である。

（ｐ型半導体層）
ｐ型半導体層１４は、通常、ｐクラッド層１４ａおよびｐコンタクト層１４ｂから構成される。また、ｐコンタクト層１４ｂがｐクラッド層１４ａを兼ねることも可能である。

ｐクラッド層１４ａは、発光層１３へのキャリアの閉じ込めとキャリアの注入を行なう層である。ｐクラッド層１４ａとしては、発光層１３のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層１３へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、好ましくは、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦０．４）のものが挙げられる。ｐクラッド層１４ａが、このようなＡｌＧａＮからなるものである場合、発光層１３へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。

ｐクラッド層１４ａの膜厚は、特に限定されないが、好ましくは１〜４００ｎｍであり、より好ましくは５〜１００ｎｍである。ｐクラッド層１４ａのｐ型ドープ濃度は、１×１０^１８〜１×１０^２１／ｃｍ^３が好ましく、より好ましくは１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３である。ｐ型ドープ濃度が上記範囲であると、結晶性を低下させることなく良好なｐ型結晶が得られる。また、ｐクラッド層１４ａは、薄膜を複数回積層してなる超格子構造であってもよい。

ｐクラッド層１４ａが超格子構造を含むものである場合には、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ側第１層と、該ｐ側第１層と組成が異なるＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ側第２層とが積層されたものとすることができる。ｐクラッド層１４ａが超格子構造を含むものである場合、ｐ側第１層とｐ側第２層とが交互に繰返し積層された構造を含んだものであっても良い。

ｐクラッド層１４ａの超格子構造を構成するｐ側第１層及びｐ側第２層は、それぞれ異なる組成、例えば、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ又はＧａＮの内の何れの組成であっても良く、ＧａＩｎＮ／ＧａＮの交互構造、ＡｌＧａＮ／ＧａＮの交互構造、又はＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮの交互構造であっても良い。本発明においては、ｐ側第１層及びｐ側第２層は、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ又はＡｌＧａＮ／ＧａＮの交互構造であることが好ましい。

ｐ側第１層及びｐ側第２層の厚みは、それぞれ１００オングストローム以下であることが好ましく、６０オングストローム以下であることがより好ましく、４０オングストローム以下であることがさらに好ましく、それぞれ１０オングストローム〜４０オングストロームの範囲であることが最も好ましい。超格子層を形成するｐ側第１層とｐ側第２層の膜厚が１００オングストローム超であると、結晶欠陥が入りやすくなるため好ましくない。

ｐ側第１層及びｐ側第２層は、それぞれドープした構造であっても良く、また、ドープ構造／未ドープ構造の組み合わせであっても良い。ドープされる不純物としては、上記材料組成に対して従来公知のものを、何ら制限無く適用できる。例えば、ｐクラッド層として、ＡｌＧａＮ／ＧａＮの交互構造又は組成の異なるＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮの交互構造を有する超格子構造を用いた場合には、不純物としてＭｇが好適である。また、超格子構造を構成するｐ側第１層及びｐ側第２は、ＧａＩｎＮやＡｌＧａＮ、ＧａＮで代表される組成が同じであって、ドープ構造／未ドープ構造を組み合わせたものであってもよい。

ｐコンタクト層１４ｂは、正極を設けるための層である。ｐコンタクト層１４ｂは、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．４）が好ましい。Ａｌ組成が上記範囲であると、良好な結晶性の維持およびｐオーミック電極との良好なオーミック接触の点で好ましい。ｐ型不純物（ドーパント）を１×１０^１８〜１×１０^２１／ｃｍ^３の濃度、好ましくは５×１０^１９〜５×１０^２０／ｃｍ^３の濃度で含有していると、良好なオーミック接触の維持、クラック発生の防止、良好な結晶性の維持の点で好ましい。ｐ型不純物としては、特に限定されないが、例えば好ましくはＭｇが挙げられる。ｐコンタクト層１４ｂの膜厚は、特に限定されないが、０．０１〜０．５μｍが好ましく、より好ましくは０．０５〜０．２μｍである。ｐコンタクト層１４ｂの膜厚がこの範囲であると、発光出力の点で好ましい。

（ｎ型電極）
ｎ型電極１７はボンディングパットを兼ねており、積層半導体層２０のｎ型半導体層１２に接するように形成されている。このため、ｎ型電極１７を形成する際には、少なくとも発光層１３およびｐ半導体層１４の一部を除去してｎ型半導体層１２を露出させ、ｎ型半導体層１２の露出面２０ａ上にボンディングパッドを兼ねるｎ型電極１７を形成する。ｎ型電極１７としては、各種組成や構造が周知であり、これら周知の組成や構造を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。

（透光性電極）
透光性電極１５は、ｐ型半導体層１４の上に積層されるものであり、ｐ型半導体層１４との接触抵抗が小さいものであることが好ましい。また、透光性電極１５は、発光層１３からの光を効率良く半導体発光素子１の外部に取り出すために、光透過性に優れたものであることが好ましい。また、透光性電極１５は、ｐ型半導体層１４の全面に渡って均一に電流を拡散させるために、優れた導電性を有していることが好ましい。

透光性電極１５の構成材料としては、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、のいずれか一種を含む導電性の酸化物、硫化亜鉛または硫化クロムのうちいずれか一種からなる群より選ばれる透光性の導電性材料が好ましい。また、導電性の酸化物としては、ＩＴＯ（酸化インジウム錫（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２））、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ））、ＡＺＯ（酸化アルミニウム亜鉛（ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３））、ＧＺＯ（酸化ガリウム亜鉛（ＺｎＯ−Ｇａ_２Ｏ_３））、フッ素ドープ酸化錫、酸化チタン等が好ましい。これらの材料を、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることによって、透光性電極１５を形成できる。

また、透光性電極１５の構造も、従来公知の構造を含めて如何なる構造のものも何ら制限なく用いることができる。また、透光性電極１５は、ｐ型半導体層１４のほぼ全面を覆うように形成してもよく、隙間を開けて格子状や樹形状に形成してもよい。

（ｐ型ボンディングパッド電極）
ｐ型ボンディングパッド電極１６はボンディングパットを兼ねており、透光性電極１５の上に積層されている。ｐ型ボンディングパッド電極１６としては、各種組成や構造が周知であり、これら周知の組成や構造を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。

ｐ型ボンディングパッド電極１６は、透光性電極１５上であれば、どこへでも形成することができる。例えばｎ型電極１７から最も遠い位置に形成してもよいし、半導体発光素子１の中心などに形成してもよい。しかし、あまりにもｎ型電極１７に近接した位置に形成すると、ボンディングした際にワイヤ間、ボール間のショートを生じてしまうため好ましくない。

また、ｐ型ボンディングパッド電極１６の電極面積としては、できるだけ大きいほうがボンディング作業はしやすいが、発光の取り出しの妨げになる。例えば、チップ面の面積の半分を超える広い面積を覆った場合、発光の取り出しの妨げとなり、出力が著しく低下する。逆に、ｐ型ボンディングパッド電極１６の電極面積が小さすぎると、ボンディング作業がしにくくなり、製品の収率を低下させる。具体的には、ボンディングボールの直径よりもわずかに大きい程度が好ましく、直径１００μｍの円形程度であることが一般的である。

（保護膜層）
保護膜層は、必要に応じて透光性電極１５の上面及び側面と、ｎ型半導体層１２の露出面２０ａ、発光層１３およびｐ型半導体層１４の側面、ｎ型電極１７およびｐ型ボンディングパッド電極１６の側面や周辺部を覆うよう形成される。保護膜層を形成することにより、半導体発光素子１の内部への水分等の浸入を防止でき、半導体発光素子１の劣化を抑制できる。
保護膜層としては、絶縁性を有し、３００〜５５０ｎｍの範囲の波長において８０％以上の透過率を有する材料を用いることが好ましく、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等を用いることができる。このうちＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３は、ＣＶＤ成膜で緻密な膜が容易に作製でき、より好ましい。

『半導体発光素子の製造方法』
図１に示す半導体発光素子１を製造するには、まず、図２に示す積層半導体層２０を製造する。図２に示す積層半導体層２０を製造するには、はじめに、サファイア基板等の基板１１を用意する。
次に、基板１１を第１ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）装置の成長室内に設置し、ＭＯＣＶＤ法によって、基板１１上に、バッファ層２１と、下地層２２と、ｎコンタクト層１２ａ（第１ｎ型半導体層）の一部を構成する第１工程成長層１２ｃとを順次積層する（第１工程）。

第１工程成長層１２ｃを成長させる際には、水素雰囲気で、基板１１を１０００℃〜１１００℃の範囲とすることが好ましく、１０８０℃程度の温度とすることがより好ましい。
第１工程成長層１２ｃを成長させる原料としては、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）などのＩＩＩ族金属の有機金属原料とアンモニア（ＮＨ_３）などの窒素原料とを用い、熱分解によりバッファ層上にＩＩＩ族窒化物半導体層を堆積させる。ＭＯＣＶＤ装置の成長室内の圧力は１５〜８０ｋＰａとすることが好ましく、１５〜６０ｋＰａとすることがより好ましい。キャリアガスは水素ガスのみであってもよいし、水素ガスと窒素ガスとの混合ガスであってもよい。

その後、第１ＭＯＣＶＤ装置の成長室内からｎコンタクト層１２ａの第１工程成長層１２ｃまでの各層の形成された基板１１を取り出す。

次に、第１工程成長層１２ｃまでの各層の形成された基板１１を第２ＭＯＣＶＤ装置の成長室内に設置し、ＭＯＣＶＤ法によって、第１工程成長層１２ｃ上に、ｎコンタクト層１２ａの再成長層１２ｄとｎクラッド層１２ｂ（第２ｎ型半導体層）と発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する（第２工程）。

本実施形態においては、第２工程において、再成長層１２ｄを形成する前に、第１工程成長層１２ｃまでの各層の形成された基板１１を、窒素とアンモニアを含む雰囲気で熱処理温度５００℃〜１０００℃の熱処理を行うことが好ましい。熱処理の雰囲気は、窒素とアンモニアを含む雰囲気に代えて、例えば、窒素のみの雰囲気としてもよい。なお、水素のみの雰囲気では第１工程成長層１２ｃが昇華し、結晶性の悪化を招くため好ましくない。また、ＭＯＣＶＤ装置の成長室内の圧力は１５〜１００ｋＰａとすることが好ましく、６０〜９５ｋＰａとすることがより好ましい。

このような熱処理を行った場合、第１工程終了後、ｎコンタクト層１２ａの第１工程成長層１２ｃまでの各層の形成された基板１１が第１ＭＯＣＶＤ装置の成長室内から取り出されることにより、第１工程成長層１２ｃの表面が汚染されたとしても、再成長層１２ｄを形成する前に汚染物質を除去することができる。その結果、再成長層１２ｄの結晶性が向上して、再成長層１２ｄ上に形成されるｎクラッド層１２ｂや発光層１３の結晶性がより一層良好なものとなる。なお、第１工程成長層１２ｃの表面が汚染されたままである場合、逆方向電流（ＩＲ）が十分に低くならなかったり、静電気放電（ＥＳＤ）耐圧が不足したりする恐れがあり、半導体発光素子１の信頼性が低下する。

また、本実施形態においては、第１工程における第１工程成長層１２ｃの成長条件と、第２工程における再成長層１２ｄの成長条件とを同一とすることが好ましい。この場合、第１ＭＯＣＶＤ装置と第２ＭＯＣＶＤ装置の２つの装置を用い、第１ＭＯＣＶＤ装置においてｎコンタクト層１２ａを形成している途中の段階でｎコンタクト層１２ａの成長を中断し、成長室内から取り出して第２ＭＯＣＶＤ装置の成長室に移動し、その後ｎコンタクト層１２ａの成長を再開したことによるｎコンタクト層１２ａの結晶性への影響を少なくすることができるので、第１工程成長層１２ｃと再成長層１２ｄとからなるｎコンタクト層１２ａの結晶性が良好なものとなる。
また、本実施形態においては、再成長層１２ｄの厚みを０．０５μｍ〜２μｍとすることが好ましい。

また、再成長層１２ｄを成長させる際には、基板１１の温度を１０００℃〜１１００℃の範囲とすることが好ましい。再成長層１２ｄを成長させるときの基板１１の温度を上記範囲とすることで、第１工程成長層１２ｃまでの各層の形成された基板１１が、第１ＭＯＣＶＤ装置の成長室内から取り出されることにより、ｎコンタクト層１２ａの第１工程成長層１２ｃの表面が汚染されていたとしても、再成長層１２ｄを形成する際に汚染物質を除去することができる。その結果、再成長層１２ｄ上に形成されるｎクラッド層１２ｂや発光層１３の結晶性をより一層良好なものとすることができる。これに対し、再成長層１２ｄを成長させるときの基板１１の温度が１０００℃未満である場合、逆方向電流（ＩＲ）が十分に低くならなかったり、静電気放電（ＥＳＤ）耐圧が不足したりする恐れがある。また、再成長層１２ｄを成長させるときの基板１１の温度が１１００℃を超える場合、半導体発光素子１の出力が不十分となる恐れがある。

また、第２工程において、薄膜層を２０層〜４０層繰り返し成長させてなる超格子構造からなるｎクラッド層１２ｂを形成することが好ましい。なお、ｎクラッド層１２ｂを超格子構造とする場合、膜厚１００オングストローム以下のＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ側第１層と、ｎ側第１層と組成が異なる膜厚１００オングストローム以下のＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ側第２層とを、交互に繰り返し積層し、薄膜層が２０層〜４０層となるように形成することが好ましい。

また、発光層１３は、障壁層１３ａと井戸層１３ｂとを交互に繰り返して積層し、且つ、ｎ型半導体層１２側及びｐ型半導体層１４側に障壁層１３ａが配されるように順に積層すればよい。井戸層１３ｂおよび障壁層１３ａの組成や膜厚は、所定の発光波長になるように設定される。発光層１３の成長温度は６００〜９００℃とすることができ、キャリアガスとしては窒素ガスを用いることができる。

ｐ型半導体層１４は、ｐクラッド層１４ａと、ｐコンタクト層１４ｂとを順次積層すればよい。なお、ｐクラッド層１４ａを、超格子構造を含む層とする場合には、膜厚１００オングストローム以下のＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ側第１層と、ｐ側第１層と組成が異なる膜厚１００オングストローム以下ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ側第２層とを交互に繰返し積層すればよい。
以上のようにして、図２に示す積層半導体層２０が製造される。

その後、積層半導体層２０のｐ型半導体層１４上に透光性電極１５を積層し、例えば一般に知られたフォトリソグラフィーの手法によって所定の領域以外の透光性電極１５を除去する。
続いて、例えばフォトリソグラフィーの手法によりパターニングして、所定の領域の積層半導体層２０の一部をエッチングしてｎコンタクト層１２ａの第１工程成長層１２ｃの一部を露出させ、ｎコンタクト層１２ａの露出面２０ａにｎ型電極１７を形成する。
その後、透光性電極１５の上にｐ型ボンディングパッド電極１６を形成する。
以上のようにして、図１に示す半導体発光素子１が製造される。

本実施形態の半導体発光素子１の製造方法によれば、第１ＭＯＣＶＤ装置において、基板１１上に、ｎコンタクト層１２ａの第１工程成長層１２ｃを積層する第１工程と、第２ＭＯＣＶＤ装置において、第１工程成長層１２ｃ上に、ｎコンタクト層１２ａの再成長層１２ｄとｎクラッド層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第２工程とを具備しているので、第１工程において形成される第１工程成長層１２ｃが、第２工程において形成されるｐ型半導体層１４とは別の成長室内で形成されることになる。このため、本実施形態の半導体発光素子１の製造方法によれば、ｎ型半導体層１２を形成する際に用いたドーパントに起因するｐ型半導体層１４の不良を生じにくくすることができ、逆方向電流（ＩＲ）が十分に低く、静電気放電（ＥＳＤ）耐圧に優れたものとなる。
しかも、本発明の半導体素子の製造方法では、第２工程において、第１工程成長層１２ｃ上に、再成長層１２を形成してからｎクラッド層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層するので、高い出力の得られる半導体発光素子１が得られる。

『ランプ』
本実施形態のランプは、本発明の半導体発光素子を備えるものであり、上記の半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせてなるものである。本実施形態のランプは、当業者周知の手段によって当業者周知の構成とすることができる。また、従来より、半導体発光素子と蛍光体と組み合わせることによって発光色を変える技術が知られており、本実施形態のランプにおいてもこのような技術を何ら制限されることなく採用することが可能である。

図３は、図１に示した半導体発光素子１を備えるランプの一例を示した断面模式図である。図３に示すランプ３は、砲弾型のものであり、図１に示す半導体発光素子１が用いられている。図３に示すように、半導体発光素子１のｐ型ボンディングパッド電極１６がワイヤー３３で２本のフレーム３１、３２の内の一方（図３ではフレーム３１）に接着され、半導体発光素子１のｎ型電極１７（ボンディングパッド）がワイヤー３４で他方のフレーム３２に接合されることにより、半導体発光素子１が実装されている。また、半導体発光素子１の周辺は、透明な樹脂からなるモールド３５で封止されている。

本実施形態のランプ３は、上記の半導体発光素子１が用いられてなるものであるので、高い出力が得られ、優れた発光特性を備えたものとなる。

また、本実施形態のランプ３を組み込んだバックライト、携帯電話、ディスプレイ、各種パネル類、コンピュータ、ゲーム機、照明などの電子機器や、それらの電子機器を組み込んだ自動車などの機械装置は、優れた発光特性を有する半導体発光素子１を備えたものとなる。特に、バックライト、携帯電話、ディスプレイ、ゲーム機、照明などのバッテリ駆動させる電子機器において、優れた発光特性を有する半導体発光素子１を具備した優れた製品を提供することができ、好ましい。

（実施例１）
以下に示す方法により、図１に示す半導体発光素子１を製造した。
実施例１の半導体発光素子１では、サファイアからなる基板１１上に、ＡｌＮからなるバッファ層２１、厚さ５μｍのアンドープＧａＮからなる下地層２２、厚さ３μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮからなる第１工程成長層１２ｃと表１に示すように厚さ０.２μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮからなる再成長層１２ｄとからなる厚さ３．２μｍのｎコンタクト層１２ａ、ＧａＩｎＮからなる厚さ２ｎｍのｎ側第１層と、ＧａＮからなる厚さ２ｎｍのｎ側第２層とからなる薄膜層を表１に示すように２０層（ペア数）繰り返し成長させてなる厚さ８０ｎｍの超格子構造のｎクラッド層１２ｂ、厚さ５ｎｍのＳｉドープＧａＮ障壁層および厚さ３．５ｎｍのＩｎ_0.１５Ｇａ_0.8５Ｎ井戸層を６回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層１３、厚さ０．０１μｍのＭｇドープ単層Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｐクラッド層１４ａ、厚さ０．１５μｍのＭｇドープｐ型ＧａＮからなるｐコンタクト層１４ｂとを順に積層した。

なお、実施例１の半導体発光素子１では、バッファ層２１、下地層２２、第１工程成長層１２ｃは、第１ＭＯＣＶＤ装置を用いて積層（第１工程）し、再成長層１２ｄ、ｎクラッド層１２ｂ、発光層１３、ｐクラッド層１４ａ、ｐコンタクト層１４ｂは、第２ＭＯＣＶＤ装置を用いて積層（第２工程）した。また、第１工程成長層１２ｃと再成長層１２ｄは、以下に示す成長条件で成長させ、ｎクラッド層１２ｂは以下に示す成長条件で成長させた。また、実施例１においては、再成長層を形成する前に、以下に示す熱処理条件で熱処理を行った。

「第１工程成長層１２ｃの成膜条件」
基板の温度を１０８０℃とし、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）とアンモニア（ＮＨ_３）とを用い、水素雰囲気で成長室内の圧力を２０ｋＰａとして行った。アンモニアの量はＶ族とＩＩＩ族とのモル（Ｖ／ＩＩＩ）が４００となるように調節した。
「再成長層１２ｄの成膜条件」
基板の温度を１０８０℃とし、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）とアンモニア（ＮＨ_３）とを用い、水素雰囲気で成長室内の圧力を２０ｋＰａとして行った。アンモニアの量はＶ族とＩＩＩ族とのモル（Ｖ／ＩＩＩ）が４００となるように調節した。

「ｎクラッド層１２ｂの成長条件」
キャリアガスとして窒素ガスを用い、基板温度を７５０℃、成長室内の圧力を４０ｋＰａとして行った。
「熱処理条件」
窒素ガスとアンモニアを９：１の体積比率で流通させた雰囲気中で、成長室内の圧力を９５ｋＰａとし、基板温度９５０℃で、１０分間の熱処理を行った。

その後、ｐコンタクト層１４ｂ上に、厚さ２００ｎｍのＩＴＯからなる透光性電極１５を一般に知られたフォトリソグラフィの手法により形成した。
次に、フォトリソグラフィの手法を用いてエッチングを施し、所望の領域にｎコンタクト層１２ａの露出面２０ａを形成し、その上にＴｉ／Ａｕの二層構造のｎ型電極１７を形成した。
また、透光性電極１５の上に、２００ｎｍのＡｌからなる金属反射層と８０ｎｍのＴｉからなるバリア層と１１００ｎｍのＡｕからなるボンディング層とからなる３層構造のｐ型ボンディングパッド構造１６を、フォトリソグラフィの手法を用いて形成した。
以上のようにして、図１に示す実施例１の半導体発光素子１を得た。

このようにして得られた実施例１〜実施例１１の半導体発光素子１において、第１工程成長層１２ｃおよび再成長層１２ｄのキャリア濃度は８×１０^１８ｃｍ^−３であり、ｎクラッド層１２ｂのキャリア濃度は５×１０^１８ｃｍ^−３であり、ｐコンタクト層１４ｂのキャリア濃度は５×１０^１８ｃｍ^−３であり、ｐクラッド層１４ａのＭｇドープ量は５×１０^１９ｃｍ^−３であった。

（実施例２）
ｎクラッド層１２ｂを、Ｇａ_０．９９Ｉｎ_０．０１Ｎの単層構造からなるものとしたこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。
（実施例３）
ｎクラッド層１２ｂの薄膜層の積層数を３０層（表１にはペア数を記載）にしたこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。
（実施例４）
ｎクラッド層１２ｂの薄膜層の積層数を４０層にしたこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。

（実施例５）
再成長層の膜厚を０．４μｍにしたこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。
（実施例６）
再成長層の膜厚を０．６μｍとしたこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。
（実施例７）
再成長層の膜厚を１μｍとしたこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。

（実施例８）
再成長層を形成する前に熱処理を行わなかったこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。
（実施例９）
ｎクラッド層１２ｂの薄膜層の積層数を１０層にしたこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。

（実施例１０）
再成長層の膜厚を２μｍとしたこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。
（実施例１１）
再成長層の膜厚を０．０５μｍとしたこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。

（比較例１）
バッファ層２１からｐコンタクト層１４ｂまでの各層を１つのＭＯＣＶＤ装置を用いて連続して積層した（一貫成長した）こと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。
（比較例２）
再成長層を設けないこと以外は実施例１と同様にして半導体発光素子１を得た。

このようにして得られた実施例１〜実施例１１、比較例１および比較例２の半導体発光素子について、プローブ針による通電で電流印加値２０ｍＡにおける順方向電圧を測定した。
また、実施例１〜実施例１１、比較例１および比較例２の半導体発光素子について、ＴＯ−１８缶パッケージに実装してテスターによって、印加電流２０ｍＡにおける発光出力（Ｐｏ）を測定した。

また、実施例１〜実施例１１、比較例１および比較例２の半導体発光素子について、以下に示す方法により、逆方向電流（ＩＲ）と静電気放電（ＥＳＤ）耐圧を測定した。
逆方向電流（ＩＲ）として、発光素子に対して端子を逆方向に２０Ｖ印加した時の漏れ電流を測定した。静電気放電（ＥＳＤ）耐圧、ＥＩＡＪＥＤ−４７０（ＨＭＭ）試験方法３０４人体モデル静電破壊試験法に準じて測定した。
実施例１〜実施例１１、比較例１および比較例２の半導体発光素子の順方向電圧、発光出力（Ｐｏ）、逆方向電流（ＩＲ）、静電気放電（ＥＳＤ）耐圧の結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１〜実施例１１はいずれも、逆方向電流（ＩＲ）が十分に低く、静電気放電（ＥＳＤ）耐圧に優れ、順方向電圧が比較的低く、発光出力（Ｐｏ）が２０ｍＷ以上となり、高輝度で低消費電力であった。
一方、バッファ層２１からｐコンタクト層１４ｂまでの各層を１つのＭＯＣＶＤ装置を用いて連続して積層した比較例１、再成長層を設けない比較例２では、実施例１〜実施例１１と比較して発光出力（Ｐｏ）が低かった。

また、再成長層を形成する前に熱処理を行った実施例１〜実施例７、実施例９〜実施例１１は、再成長層を形成する前に熱処理を行わなかった実施例８と比較して、逆方向電流（ＩＲ）がより一層低かった。

１…半導体発光素子（半導体素子）、３…ランプ、１２…ｎ型半導体層、１２ａ…ｎコンタクト層（第１ｎ型半導体層）、１２ｂ…ｎクラッド層（第２ｎ型半導体層）、１２ｃ…第１工程成長層、１２ｄ…再成長層、１３…発光層（活性層）、１４…ｐ型半導体層。

Claims (9)

1. 第１有機金属化学気相成長装置において、基板上に、第１ｎ型半導体層を積層する工程（第１工程）と、
   第２有機金属化学気相成長装置において、前記第１ｎ型半導体層上に、前記第１ｎ型半導体層の再成長層と第２ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを順次積層する工程（第２工程）とを具備してなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
2. 前記第２工程において、薄膜層を２０層〜４０層繰り返し成長させてなる超格子構造からなる前記第２ｎ型半導体層を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
3. 前記第１工程における前記第１ｎ型半導体層の成長条件と、前記第２工程における前記再成長層の成長条件とが同一であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
4. 前記第１ｎ型半導体層が、ｎコンタクト層であり、前記第２ｎ型半導体層が、ｎクラッド層であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
5. 前記再成長層の厚みを０．０５μｍ〜２μｍとすることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
6. 前記再成長層を形成する前に、窒素を含む雰囲気で熱処理温度５００℃〜１０００℃の熱処理を行うことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
7. 請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体素子の製造方法を用いて製造された半導体素子を備えることを特徴とするランプ。
8. 請求項７に記載のランプが組み込まれていることを特徴とする電子機器。
9. 請求項８に記載の電子機器が組み込まれていることを特徴とする機械装置。

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