JP2010532570A5

JP2010532570A5 -

Info

Publication number: JP2010532570A5
Application number: JP2010514829A
Authority: JP
Filing date: 2008-06-26
Publication date: 2011-08-11
Anticipated expiration: 2028-06-26

Claims

半導体ウェハの作製方法であって、
a. 第1の平均粒子径を有する第1の粒子構造を有する50ミクロン超の厚さの自立構造の原半導体ウェハを提供するステップと、
b. 前記ウェハの表面に薄膜カプセルを提供してカプセル封入されたウェハを形成するステップと、
c. 前記原ウエハが溶融し、その後前記第1の平均粒子径より大きな第2の平均粒子径の第2の粒子構造に再結晶化し、前記薄膜がほぼ完全な状態のままでいるような条件下で、前記カプセル封入されたウェハを加熱および冷却するステップと、
を含む、方法。
前記加熱および冷却するステップが大気中で実行される、請求項1に記載の方法。
前記第1の平均粒子径が10mm²未満であって、前記第2の平均粒子径が1mm²以上である、請求項1に記載の方法。
前記薄膜カプセルが、加熱および再結晶化中に前記ウェハが上下動するのを防止する、請求項1に記載の方法。
前記薄膜カプセルが、再結晶化中の粒子の核形成を強力に促進しない表面を有する、請求項1に記載の方法。
前記薄膜カプセルが、再結晶が起こる前記環境内での要素による前記再結晶ウェハの汚染を防止する、請求項1に記載の方法。
前記薄膜を除去する前記ステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
薄膜を提供する前記ステップが好ましくはシリコン酸化である酸化膜カプセルを提供することを含む、請求項1に記載の方法。
薄膜カプセルを提供する前記ステップが、スピンオンガラス工程、スパッタリング、物理気相成長、及び化学気相蒸着から成る群から選ばれる方法を用いて、前記原ウェハ上に薄膜を直接蒸着し、又は、乾燥酸化物の成長及び湿潤酸化物の成長から成る群から選ばれる方法を用いて、ウェハ上に薄膜を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
前記再結晶化するステップの前に、前記薄膜カプセルのうち少なくとも1つの表面に隣接する少なくとも1つの支持要素を提供することをさらに含み、前記支持要素がほぼ平坦な状態を維持するように前記ウェハ及びそのウェハの薄膜カプセルを支持し、加熱および再結晶化中に、前記薄膜と剥離材料の少なくとも1つが原ウェハの前記少なくとも1つの支持要素に付着するのを防ぐ材料を含む、請求項1に記載の方法。
前記剥離材料が微粒子を含む、請求項10に記載の方法。
前記少なくとも1つの支持要素が一対の支持要素を含み、そのそれぞれが前記薄膜カプセルの2つの向面の一方と隣接する、請求項10に記載の方法。
前記少なくとも1つの支持要素が一対の支持要素を含み、前記少なくとも1つの一対の支持要素が不均一な厚さ及び互いに異なる熱特性を有する、請求項10に記載の方法。
前記少なくとも1つの支持要素が炭化ケイ素を含む、請求項10に記載の方法。
少なくとも1つの支持要素を提供する前記ステップが、前記ウェハ中央面に直角な線が局所重力場に対して垂直でない成分を含むような位置に前記ウェハを提供することを含む、請求項10に記載の方法。
前記冷却するステップが、前記加熱されたカプセル封入ウェハ内に、液状帯と再結品半導体帯との問に凝結界面を確立することを含み、前記凝結界面が前記ウェハ中央面に関して非対称である、請求項1に記載の方法。
前記加熱および冷却するステップが、前記加熱されたウェハの前記中央面に関して非対称な冷却環境を提供することを含む、請求項1に記載の方法。
前記薄膜がシリコン化合物と窒素、炭素、および酸素から成る群のうち少なくとも1つとを含む、請求項1に記載の方法。
前記原ウェハが50ミクロン〜400ミクロンの間の厚さを有し、前記カプセルの薄膜が0.25ミクロン〜5ミクロンの間の厚さを有する、請求項1に記載の方法。
原ウェハを提供する前記ステップが、テクスチャ表面を有するウェハの提供を含む、請求項1に記載の方法。
薄膜カプセルを提供する前記ステップが、一緒に前記原ウェハのほぼ全表面を囲む複数の入れ子状薄膜カプセルを提供し、好ましくは少なくとも1つの前記薄膜カプセルがシリコン酸化を含んで、好ましくは少なくとも1つの前記薄膜カプセルがシリコン窒化を含むことを含む、請求項1に記載の方法。
支持要素を間に有する少なくとも2つのカプセル封入されたウェハを少なくとも2つ以上の支持要素間に積み重ねるステップをさらに含み、前記ウェハを加熱および冷却する前記ステップが、一緒に積み重ねられた前記少なくとも2つのカプセル封入されたウェハを加熱および冷却する、請求項10に記載の方法。
前記ウェハを加熱および冷却する前記ステップが、前記再結晶ウェハの後端部分が前記再結晶ウェハの他の部分よりも大きな不純物中央濃度を有するようにして、前記ウェハと前記ウェハ内で溶融帯を確立する加熱環境との間の相対運動を提供することを含み、前記再結晶ウェハの前記他の部分から後端部分を除去するステップをさらに含み、再結晶ウェハの噴出部が生じ、前記再結晶ウェハの前記他の部分から前記噴出部を除去するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。