JP5773496B2 - 石英ガラスルツボ - Google Patents
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Description
即ち、これら特許文献1,2には、結晶化促進剤としてバリウム、マグネシウム、ストロンチウム等を含有する結晶化促進剤を用い、前記結晶化促進剤を核として、石英ガラスルツボの内表面等に連続的なβ―クリストバライト層を形成し、石英ガラスルツボの変形を抑制することが示されている。
そのため、単結晶引上げの際、前記欠け、凹み、クラックから脱離したアルゴンガスの気泡がシリコン融液の対流等により単結晶引上げ界面に移動し、引上げられた単結晶内に取り込まれエアポケットが生じる。このエアポケットはウエハ等にスライスした際に、穴、クボミ等となり、ウエハの不良になるという課題があった。
即ち、底部コーナの外周面とカーボンルツボの内周面の間に不均一な隙間が生じて、カーボンルツボから石英ガラスルツボへの熱の伝わりにムラが生じるという課題があった。
そのため、単結晶引上げの際に、ルツボ底部の極表面から脱離したアルゴンガスの気泡がシリコン融液の対流等により単結晶引上げ界面に移動し、引上げられた単結晶内に取り込まれエアポケットが生じるという課題があった。
尚、ルツボ内表面のうち底部の中心部分の領域とは、ルツボ底部中心を含む、所定の面積を有する略円形の領域をいう。但し、底部の中心部分の領域の中心は、ルツボ底部中心と必ずしも一致しなくても良く、ルツボ底部中心が前記領域内にあれば良い。
ポリシリコンが溶ける前にルツボの底部コーナが結晶化すると、石英ガラスのルツボ外周がカーボンルツボ内周面と密着せず、底部コーナの外周面とカーボンルツボの内周面の間に不均一な隙間が生じて、カーボンルツボから石英ガラスルツボへの伝熱にムラが生じるため、好ましくない。
その結果、内表面の欠け、凹み、クラックによるアルゴンガスの捕捉が抑制され、引上げられた単結晶におけるエアポケットの発生を抑制することができる。
ここで、結晶化促進剤の塗布範囲(領域)が、直胴部上端の開口端の外径の25%未満の直径を有する、前記底部中心を含む底部中心部分領域である場合、ポリシリコンが接触することによって生じる、内表面の欠け、凹み、クラックを抑制できる範囲が狭く、引上げられた単結晶におけるエアポケットの発生抑制効果が低い。
一方、結晶化促進剤の塗布範囲(領域)が直胴部上端の開口端の外径の40%を超える直径を有する、前記底部中心を含む底部中心部分領域である場合には、ルツボの形状によっては底部コーナにまで結晶化促進剤の塗布範囲が及ぶ場合があり、底部コーナに結晶化促進剤が塗布されると、前記したようにカーボンルツボ内周面と密着せず、熱伝導にバラツキが生じる等の弊害が生じるため好ましくない。
また、前記塗布層の厚さが450μmを超える場合には、結晶化促進剤の塗布膜が厚くなり過ぎることにより、ポリシリコン充填時にその衝撃により塗布膜の剥離が生じ、また結晶化促進剤の量が多くなるためシリコン単結晶の無転位率(DF率)が低下するため好ましくない。
このように、石英ガラスルツボ内表面におけるOH基の濃度が、底部コーナよりも底部の方が高く、更に底部よりも直胴部の方が高く形成することにより、結晶化速度をコントロールすることができ、内面を均一な厚さで結晶化することができる。
また、前記底部、前記底部コーナ、前記直胴部における外層が不透明な天然質シリカガラス層であり、前記外層の内周面に形成された内層が透明な合成シリカガラス層からなることが望ましい。
前記外層である不透明な天然質シリカガラス層は耐熱性に優れ、前記内層である透明な合成シリカガラス層は高純度であるため、引上げられる半導体材料に対する不純物汚染を抑制することができる。
石英ガラスルツボの耐変形性向上のためには、前記ルツボ外表面にも結晶化促進剤を塗布したほうが好ましいが、底部コーナの外周面に塗布した場合には、カーボンルツボとの密着性に欠け、温度制御が難しくなるので、前記直胴部の外周面にのみ、結晶化促進剤からなる塗布層を形成するのが好ましい。
図1、2に示すように、本発明に係る石英ガラスルツボ1、10は、半導体材料を溶融及び保持する石英ガラスルツボであって、底部2と、前記底部2の周囲に形成された底部コーナ3と、前記底部コーナ3から上方に延設され、上端が開口する直胴部4と、前記ルツボ内表面1aのうち底部2の中心部分の領域にのみ形成された結晶化促進剤からなる塗布層6とを有している。
即ち、本発明に係る石英ガラスルツボ1は有底円筒状に形成され、半導体材料を溶融及び保持する収容部5が形成されている。
前記不透明層からなる外層F1は耐熱性に優れ、透明層からなる内層F2は、高純度であるため、引上げられる半導体材料に対する不純物汚染を抑制することができる。
最も高温となるルツボの底部コーナ3におけるOH基の濃度分布を下げることにより、結晶化の速度を調整し、ルツボ内表面を均一に結晶化させることができる。
尚、OH基の濃度分布は、天然原料と合成原料とを混合することにより、部位により変更することができる。また、合成ガラスルツボの場合には、焼成等によりOH基を意図的に制御し、部位によってOH濃度の異なる原料を使用すればよい。またOH基濃度の分布は、各部位の比率で、例えば、直胴部1.35:底部1:底部コーナ0.65の場合が好ましい。
尚、底部が湾曲しており、所定量のスラリーを底部中央部に垂らし入れても、底部コーナ部を結晶化促進剤が覆うことがなければ、マスキングせずに、スラリーを垂らし入れた後に溶媒を揮発させることにより、塗布層6をルツボの底部内表面に形成しても良い。
このルツボ内表面のうち底部の中心部分の領域とは、ルツボ底部中心Oを含む、所定の面積を有する略円形の領域をいう。但し、底部の中心部分の領域の中心は、ルツボ底部中心と必ずしも一致しなくても良く、ルツボ底部中心が底部の中心部分の領域内にあれば良い。尚、前記底部中心部分領域(塗布層)は、底部コーナ部3に形成されるものであつてはならない。
ここで、前記厚さが300μm未満である場合、結晶化促進剤の量が不足し、十分な結晶化が望めず、また厚さが薄いために、ルツボ内表面の欠け、凹み、クラックの発生を抑制できず、エアポケットの発生を抑制できない。
一方、前記厚さが450μmを超える場合、結晶化促進剤の塗布膜が厚くなり過ぎることにより、ポリシリコン充填時にその衝撃により塗布膜の剥離が生じ、また結晶化促進剤の量が多くなるためシリコン単結晶の無転位率(DF率)が低下するため好ましくない。
しかも、石英ガラスルツボの底部の内表面のみに結晶化促進剤を塗布することにより、結晶化促進剤に捕捉されたアルゴンガスが結晶化促進剤の溶解と共にシリコン融液に溶け込んでしまうため、これを効率的に抑制することができる。
続いて、図4(e)に示すように回転状態の前記外枠101内に、加熱手段としての電極104a,104b,104cからなるアーク放電装置がその上部から挿入され、外枠101から吸気しながら、電極104a,104b,104cに発生するアーク放電熱により、原料粉末G1、G2がアーク溶融によってガラス化させる。
尚、底部が湾曲しており、所定量のスラリーを底部中央部に垂らし入れても、底部コーナ部を結晶化促進剤が覆うことがなければ、マスキングせずに、スラリーを垂らし入れた後に溶媒を揮発させることにより、結晶化促進剤の塗布層6がルツボの底部内表面に形成される。
回転モールド法により、図1に示すようなルツボ形状のルツボを形成した後、炭酸バリウムを含有する結晶化促進剤を、前記直胴部上端の開口端の外径Aの15%から50%なるように直径Bを変化させる(塗布径/開口の外径を変化させる)と共に、結晶化促進剤の厚さを200μmから500μmと変化させて、塗布した石英ガラスルツボを作製した。ルツボ内層には、高純度天然シリカ原料を使用し、外層には、不透明な天然質シリカガラス層を使用した。
尚、結晶化促進剤の塗布層の外形は略円形とし、その中心とルツボ底部の中心とが一致するように形成した。
エアポケット発生数は、引上げたシリコン単結晶の直胴部から得られたウエハに生じたエアポケットの総数を前記ウエハ枚数で割った値とした。
このとき、塗布径/開口の外径比が35%、結晶化促進剤の塗布厚さを350μmとした場合のエアポケット発生数を1.0として、各条件におけるエアポケット発生数を、前記塗布径/開口の外径比が35%、結晶化促進剤の塗布厚さを350μmにおけるエアポケット発生数に対する比をもって表した。
このとき、塗布径/開口の外径比が35%、結晶化促進剤の塗布厚さを350μmにおける引き上げられた単結晶インゴット重量を、投入したシリコン原料重量で割った値を単結晶化率(DF率)100%とした。
そして、各条件における単結晶化率(DF率)を、前記塗布径/開口の外径比が35%、結晶化促進剤の塗布厚さを350μmにおける単結晶化率(DF率)に対する百分率をもって表した。
これらの測定結果を表1にまとめて示す。
また、ルツボ開口端の外径の40%を超える直径を有する底部中心部分領域(塗布層)が形成されている場合には、単結晶化率も低いことが判明した。またルツボ開口端の外径の40%を超える直径を有する底部中心部分領域(塗布層)が形成されている場合には、ルツボの形状によっては底部コーナにまで結晶化促進剤の塗布範囲が及ぶ場合があり、底部コーナに結晶化促進剤が塗布されると、底部コーナの結晶化が促進されカーボンルツボ内周面と密着せず、熱伝導にバラツキが生じる等の弊害が生じるため好ましくない。
先ず、回転モールド法により、図1に示すようなルツボ形状のルツボを形成した後、炭酸バリウムを含有する結晶化促進剤を、底部中心部分領域に、塗布径/開口の外径比が35%、結晶化促進剤の塗布厚さ350μmをもって塗布したルツボ(実施例1)を用意した。尚、結晶化促進剤の塗布層の外形は略円形とし、その中心とルツボ底部の中心とが一致するように形成した。
更に図1に示すようなルツボ形状のルツボを形成した後、炭酸バリウムを含有する結晶化促進剤を、直胴部の内表面全体と底部コーナ部の内表面全体に200μm塗布したルツボ(比較例2)を用意した。
また図1に示すようなルツボ形状のルツボを形成した後、炭酸バリウムを含有する結晶化促進剤を、直胴部の内表面全体と底部コーナ部の内表面全体に100μm塗布すると共に、底部の内表面全体に200μm塗布したルツボ(比較例3)を用意した。
この評価に際しては、上記実験例にしたがって、実施例1のエアポケット発生数に対する比をもって表した。また、単結晶化率(DF率)を、実施例1における単結晶化率(DF率)に対する百分率をもって表した。
2 底部
3 底部コーナ
4 直胴部
6 塗布層(結晶化促進剤)
A 石英ガラスルツボの開口部の直径
B 塗布層の直径
F1 石英ガラスルツボの外層
F2 石英ガラスルツボの内層
O ルツボの底部中心
Claims (4)
- 半導体材料を溶融及び保持する石英ガラスルツボであって、
底部と、前記底部の周囲に形成された底部コーナと、前記底部コーナから上方に延設され、上端が開口する直胴部と、前記ルツボ内表面のうち底部の中心部分の領域にのみ形成された結晶化促進剤からなる塗布層とを有し、
前記結晶化促進剤からなる塗布層が、
前記直胴部上端の開口端の外径の25%以上40%以下の直径を有する、前記底部中心を含む底部中心部分領域に、かつ前記塗布層の厚さが300μm以上450μm以下に形成されていることを特徴とする石英ガラスルツボ。 - 半導体材料を溶融及び保持する石英ガラスルツボであって、
底部と、前記底部の周囲に形成された底部コーナと、前記底部コーナから上方に延設され、上端が開口する直胴部と、前記ルツボ内表面のうち底部の中心部分の領域にのみ形成された結晶化促進剤からなる塗布層とを有し、
石英ガラスルツボ内表面におけるOH基の濃度が、底部コーナよりも底部の方が高く、更に底部よりも直胴部の方が高いことを特徴とする石英ガラスルツボ。 - 前記底部、前記底部コーナ、前記直胴部における外層が不透明な天然質シリカガラス層であり、前記外層の内周面に形成された内層が透明な合成シリカガラス層からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された石英ガラスルツボ。
- 前記ルツボ外表面のうち前記直胴部の外周面にのみ、結晶化促進剤からなる塗布層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された石英ガラスルツボ。
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