JP2010528575A - 電力損失が低減されたmosfetゲートドライブ - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2007年5月21日に出願された仮出願番号60/931,097号の優先権を主張し、この明細書中に引用により援用される。
本発明は、DC/DC変換のようなスイッチング用途における、個別あるいは集積型電力用MOSFETの駆動に関し、特に高周波数におけるスイッチングに関する。
スイッチングレギュレータ(調節器)は、電圧を上昇あるいは低下方向にステップさせることによって、または状態変化に応じて電圧を上昇あるいは低下方向にステップさせる能力を用いて、直流電圧を調整し、ある直流電圧から他の直流電圧に変換するために用いられる。DC/DCスイッチングコンバータおよび調節器の品質は、入力電圧、出力電圧、負荷電流および温度の範囲にわたって調節できる能力によって評価される。定常状態の動作時と同様に電圧および電流の過渡期においても良好な調整を保障するために、それは、十分に速く反応するべきである。いくつかの用途においては、それは、さらに、高入力電圧が出力端子と結合することを防止し、感電および火災の危険を排除するために、電気的絶縁を提供するべきである。
図1Aにおいて、降圧コンバータ1は、降圧電圧調節を提供し、これによって、High側の電力用MOSFET2は、パルス幅変調(PWM)を用いて、PWMコントローラ7に応じてインダクタ4の電流を制御する。キャパシタ5は、コンバータ1の出力端子の電圧リプルにフィルタをかける。High側のMOSFET2がオフのとき、電圧Vxが接地より低い値まで低下し、MOSFET2が再びターンオンされるまで、整流器3を順方向にバイアスをかけ、かつインダクタ電流を再循環させるので、インダクタ4の電流は維持される。ダイオード6は、通常動作の下では逆バイアスのままである。図示されるように、MOSFET2はPチャンネル型機器であるが、ゲート駆動回路を適切に変更することによって、Pチャンネル型機器をHigh側Nチャンネル型MOSFETに置換してもよい。
オード16を有するNチャンネル型MOSFET12を備える。ブレーク・ビフォー・メイク(break-before-make:MBB)回路18は、High側Pチャンネル型MOSFET11とLow側Nチャンネル型同期整流MOSFET12とが、同時に導通することを防止するために含まれる。同期降圧コンバータ10の動作には、ダイオード16が導通している時間、すなわちMOSFET11がオフの時間の一部の間、MOSFET12が導通することを除いて、非同期降圧コンバータ1で説明したのと同じ制御およびフィードバック技術を使用する。
SFET51が導通しているときには同相でエネルギが負荷へ伝達されているか、またはMOSFETがターンオフしているときには不一致の位相でエネルギが負荷へ伝達されているかどうかに応じて、フォワードコンバータとして、またはフライバックコンバータとして動作してもよい。
電力用MOSFETは、特に100V以下での動作では、他の半導体機器よりも高い電気的特性を提供するが、それらは理想的な電力用スイッチではなく、実際に電力を消費するとともに、それらが使用される回路の効率を低下させる。導通またはオン状態(on-state)においては、消費された電力は、電流倍のドレイン−ソース端子間の電圧、またはP=ID・VDSによって定められる。機器は常に導通しているわけではないので、平均電力は、クロック期間Tにおける機器がオンしている割合、すなわちton/Tで定められる。
制御された電流源として動作することによって、電力用MOSFETの電流の大きさは、低い値に保持されなければならず、そうでなければ、機器は加熱してしまう。回路設計においては、機器のゲートバイアスに作用する入力電圧変動を最小限にするために、注意が払われなければならない。ゲート制御を用いることにより、電力用MOSFETは切換
型の電流源として動作されてもよく、固定されたドレイン電流と機器の漏洩電流を除いた無電流のオフ状態とを交互に切換える。
RDS(on)の項は、機器がその線形領域で動作しており、ゲート電圧に応じて可変抵抗として作動することを想定している。
電圧はすぐには変化することができない。大きなドレイン電圧VDSを用い、VDS>VGSであり、かつMOSFETは飽和領域において動作している。飽和したMOSFETの電流は、VGSの値に比例したゲート電圧74によって制御されるにつれて傾斜する。このような状態および回路において、飽和したMOSFETは電圧ゲインを示し、絶えず変化しかつ量を増加することによってゲート−ドレイン間のフィードバックキャパシタンスを増幅するとともに、ゲートバッファに対して遷移期間中にMOSFETのゲートを滑らかに駆動することを次第に困難にさせる。
この式は、ミラー効果およびすべての電圧依存キャパシタンスを考慮しているが、ドレ
インバイアスVDS、ゲートドライブVGSおよび技術によって変化する。スイッチングレギュレータに使用される電力用MOSFETのトータル損失は、
従来のスイッチングレギュレータにおいては、MOSFETは意図的に飽和領域で動作されないが、スイッチング過渡現象およびダイオード回復期間において飽和領域を経験するのみである。このような場合、コンバータの周波数はあまり高くはないので、Pcond(sat)は無視でき、線形領域における導通損失Pcond(lin)のみが考慮される必要がある。低電圧時には、雑損失Potherは無視でき、電量損失式は、
られるトータル電荷は、ターンオフ期間にすべて接地へ失われてしまう。
これらのニーズは、本発明に従って動作されるMOSFETによって満足され、スイッチングMOSFETは、完全にターンオフせずに、その代わりに完全なターンオン状態と低電流状態とを交互に繰り返す。MOSFETの低電流状態は、従来のスイッチングシーケンスで用いられる完全オフ状態と置き換えられる。完全オン状態と低電流状態との間でMOSFETをスイッチングすることは、各スイッチングサイクル期間中に、MOSFETのゲートへ移動させ、そしてMOSFETのゲートから移動されるべき電荷量を低減し、それによって、ゲートの充電および放電において失われる電力を低減する。多くの状況において、この省電力は、その低電流状態においてMOSFETを流れ続けるドレイン電流から失われた追加電力を、単に補償することにとどまらない。従って、MOSFETの全体効率が改善される。
電力用MOSFETの設計および製作は、電力切替の用途に用いられる機器のオン抵抗ゲート充電製品(on-resistance gate-charge product)を最適化、または最小化するために用いることができるが、電力損失は、さらに、各スイッチング遷移期間に移動されるゲート電荷量を制限することによって最小化され得る。この課題は、最大ゲートドライブを最適点に制限すること、またはスイッチング遷移期間のゲート電荷の一部を保存することの2つの方法によって達成され得る。本用途は、連続するスイッチングサイクルの期間において、ゲート電荷の一部を保存する手段について開示する。
この状態においては、VD=VDS≪VGSおよびVGS≫Vtであり、ここでは、VtはMOSFET203のしきい値電圧である。
VBIASの値が小さく、典型的にはしきい値電圧に近いとした場合は、この状態においては、VDS>(VGS−Vt)であり、かつ、機器は、ドレイン電流がドレイン電圧VDSとは比較的独立した飽和状態であり、ドレイン電流IDは
ゲート電位VBIAS>0は、バイアス供給205によって確立され、バイアス供給205は、1つの固定値の基準電圧または複数の固定値の基準電圧を備え得る。あるいは、VBIASは、複数のVCCとして変化してもよい。図示されるように、ゲートドライバ202は、VBIASおよびVCCの2つの可能なゲート電位のうちの1つを選択する単極二投型スイッチとして機能する。MOSFET203のゲートは、MOSFETのゲートにバイアスをかける従来の方法とは違って、接地には駆動されない。
上述の省電力の概念が図7のグラフ280に示され、ゲート電荷QG(X軸)に対する
、VGS(左側のY軸)およびVDS(右側のY軸)のプロットを含む。実線は、本発明に従って動作される機器におけるゲートおよびドレイン電圧の範囲を示し、一方、実線および破線を合わせたものは、従来のゲート駆動技術を用いて動作された機器における同様の範囲を示す。
従来のゲート駆動方法においては、このゲート電荷変動は、
図7のグラフ280を再び参照して、本発明に従ってゲートが駆動されるときは、ゲート電荷は、曲線283および284に沿って、点286および287の間のみで交互に切替る。ゲートが改善された電荷変動ΔQ’Gは、
れる。
前述のように、本方法に従ったゲートを駆動することに関連した電力損失は、
高周波数MOSFETゲート駆動の期間における低減された電荷に関連した対応する省電力PGsavedは、
図7のグラフ280を再び参照し、本発明の技術を用いて、ドレイン電圧VDSは、曲線292に沿って点296から点294まで変化し、曲線290および291によって表わされるカットオフ動作領域をスキップする。点294において、電力用MOSFETにかかる電圧は、ID・RDS(on)によって与えられる。
図7を再び参照して、点296の低電流状態において、MOSFET203にかかる電圧は、VDS=(VDD−δV)≒VDDによって与えられ、期間tsat=T−tonの、対応する電力損失は、
電力用MOSFETのトータル導通損失は、MOSFETがその線形領域において完全オンにバイアスがかけられているときの導通損失Pcondと、MOSFETが動作の飽和領域にあるときである間隔(interval)tsatの間におけるバイアス電流IDBIASによる電力損失PBIASとの合計であり、または、
開示された技術を用いることにより、機器における導通損失およびゲート駆動損失のトータルは、
開示された方法において、電力を節約するためには、P’loss<Plossすなわち、
低減されたゲートドライブにおける省電力が、バイアス電流からもたらされる追加された電力消費PBIASよりもっと有益であるときに、この状態はより高い周波数fおよびより低いVDD入力状態においてより容易に満足される。
この式は、降圧コンバータの出力および入力電圧の差が増加するにつれて、開示された低ゲート駆動損失技術の効果が小さくなることを意味している。
昇圧コンバータにおいては、すなわちVout>Vinであるので、より大きな出力電圧がより小さい入力電圧から生成されるときに、開示された方法はより有効となる。
図10は、本発明に従う他の実施例を示す。多くの用途において、電力用MOSFETがスイッチングしていないとき、たとえば、コンピュータがスタンバイモードやスリープモードのときのように、延長された期間が生じ得る。このような動作状態の期間では、バッテリから負荷および電力用MOSFETを通って流れるどのような導通電流も、たとえそれがIBIASのように少量であっても、時間とともにバッテリを放電するだろう。延長されたオフ時間の問題に対する解決策は、開示された発明を遮断モードを含むように修正することである。
ラフ400の矢印線によって示される論理入力電圧遷移404、405、406および407に従う。この期間は、破線で示される有効信号ENは、高いままのVCC(曲線401)である。同様に、片対数グラフ420に示されるように、ドレイン電流IDは、方形波421,422、423および424によって示されるように、IDBIASからVDS/RDS(on)まで交互に切替わり、そして、グラフ430に示されるように、ドレイン電圧VDSは、波形431,432、433および434を用いて、(VDD−δV)およびID・RDS(on)の間で交互に切替わる。
図13A〜図13Eは、低減された駆動損失を有する電力用MOSFETゲート駆動を実行するための、いくつかの回路を示す。図13Aにおいては、High側のPチャンネル型MOSFET451およびLow側のNチャンネル型MOSFET453を備える、相補型MOSFETゲートドライバが、MOSFET454のゲートを駆動する。Nチャンネル型パストランジスタ452は、さらに、MOSFET454のゲートを基準電圧源455によって供給される基準電圧Vrefへ接続する。MOSFET452のゲート電圧は、MOSFET452をターンオンするために、そのソース電圧と比較して十分に正で
なければならない。適当なタイミング回路および論理回路によって制御されることにより、一度に1つの機器だけがターンオンされる。High側のMOSFET451がオンのときは、VGS=Vbattであり、かつMOSFET451は、線形領域で動作している。MOSFET452がオンのときは、VGS=Vrefであり、MOSFET454は電流源としてバイアスがかけられる。Low側のMOSFET453がオンのときは、VGS=0であり、MOSFET454はオフとなる。
れなければならない。
IDBIASの値の設定において、変化する柔軟性の度合いを提供する一方で、上述の回路およびゲート駆動方法は、固定バイアス電圧を採用しており、製造や動作状態変化による電力用MOSFETの変動を自動的に補償しない。
上述の技術では、IDBIASの値を低電流状態に設定するために電流フィードバックを用いるが、電流の精度および回路の複雑さは、多くの用途のために必要とされるものよりも大きくなるかもしれない。飽和したMOSFETは、
プログラミングは、OTP MOSFET731a〜731eのうちの与えられた1つ
をプログラマ727に接続し、かつ、高電圧において機器を飽和領域にバイアスをかける。プロセスは、ホットキャリア(hot carrier)を創生するとともに、ゲート酸化物(gate oxide)を充電し、通常の動作においてはOTP MOSFETが導通しないようにするために恒久的に機器のしきい値電圧をより高い値に増加する。これによって、並列の抵抗729a〜729eの1つは、電圧分割器728に挿入され、抵抗分割比およびVBIASの値を調整する。抵抗729a〜729eの値は、等しくてもよいし異なっていてもよく、これによって、トリミングは線形であっても非線形であってもよい。抵抗729a〜729eの値によって、トリムされた出力は、Vrefと同じ高さからVref/mのいくらかの割合までの範囲を取り得る。図16Cに示されるように、コードが多くの組み合わせで配列され得る。図示されるように、コードC1〜C8は、プログラムされていないOTP MOSFET730a〜730eによって、どの抵抗が短絡されたかということに依存する、様々な抵抗の組み合わせに相当する。コードC1は、VBIASの最低電圧(直線741)をスタートし、OTP MOSFET730a〜730eの個々をターンオフすることによって、様々なビットがプログラムされるにつれて増加する(直線742)。線743によって示されるもう一方のパターンは非線形のステップを用い、大きさVrefの最大電圧(直線744)で終了する。
上述の技術においては、IDBIASの大きさは電力用MOSFETのしきい値に依存する。1つのケースにおいては、VDBIASの値が目標とされるIDBIASの値を生成するように調整するために、能動的トリミング(active trimming)が採用された。他方のケースでは、閉ループ動作の下で、IDを目標電流IDBIASにするために、電流フィードバックが採用された。
ETのしきい値変動に対して鈍感なゲート駆動技術を利用する。しきい値に対する感度を排除するためのこのような方法の1つは、図17Aに示される、カレントミラーゲート駆動回路を利用する。この技術は、電流を実際に検出せず、一体的(モノリシック)に製造された2つのMOSFETが、実質的に一致したしきい値電圧を示し、同一のゲート駆動状態の下で、飽和領域において、ドレイン電流は、MOSFETのゲート幅におおよそ比例してスケーリングされる。
MOSFET824Aおよび824Bのしきい値電圧は、ぴったりと合致しているので、プロセスの変動や温度に起因する、どのようなVtの変化が両方の機器に発生しても、共通モードノイズ(common-mode noise)として排除される。たとえば、もしVtが、なんらかの理由で(Vt−ΔVt)に低下した場合は、VBIASが同じ量だけ低下して(VBIAS−ΔVt)となる。MOSFET824Aのゲートドライブは、(VBIAS−Vt)から、
電流Irefは、MOSFET862Bを駆動するためにMOSFET867によって映される。Pチャンネルしきい値電圧Vtpが与えられることによって、この電流が目標値IDBIAS/nに設定されるように、抵抗869の抵抗値Rが調整される。
回路880は、また、三状態ゲートドライバの他の実行例を示す。ゲートドライバは、論理「AND」ゲート892,893および反転器894,895,896によって駆動される、VCC接続されたPチャンネル型MOSFET884と、VBIAS接続されたNチャンネル型MOSFET885と、接地接続されたNチャンネル型MOSFET891とを
備える。有効信号(enable signal)ENが、論理Low状態のときは、ANDゲート892,893の出力はLowであり、MOSFET885をターンオフし、そしてMOSFET894によって反転され、ANDゲート892の出力は、Pチャンネル型MOSFET884のゲートをHighにバイアスをかけて、ターンオフする。反転器896によって反転されたLowの有効信号は、接地MOSFET891をHighのゲートバイアスで駆動し、それをターンオンし、電力用MOSFET882Aのゲートを接地と短絡する。このような状態では、MOSFET891がオンであり、MOSFET884および885がオフとなる。
する、一体的に製造されたMOSFET対902を含む。
このような一例が図22Aに示され、IDlinに対するIDBIASが図示される。グラフ980中の曲線983は、線形領域電流のアナログフィードバックを用いて制御された一定比率を示す。一方、曲線982a、982bおよび982cに示される電流を含む階段状の増加は、D/Aコンバータおよびデジタル制御を用いて達成され得る。一定のIDBIASが、参考のために直線981で示される。図22Bのグラフ990においては、IDBIASは、一定のまま(直線991)というよりは、周波数fの関数として変化させられる(曲線992)。
先のカレントミラー駆動回路では、電力用MOSFETゲートバイアスは、VCC、VBIASおよび任意的に接地の中から選択する、多重(multiplexing)ゲートドライバによって定められた。このような実行例においては、VBIASは、しきい値接続機器として配線接続された、すなわちVGS=VDSを有する、カレントミラーMOSFETに電流を供給する電流源によって確立される。
、Highの有効信号によって、ゲートドライバ1005はミラーMOSFET1002Bのゲートをそのドレインと短絡する。同時に、MOSFET1006がターンオンされ、そして基準電圧源1008が抵抗1007を通して、しきい値接続されたMOSFET1002Bへ電流Irefを供給する。ミラーMOSFET1002Bは、VGS1=VBIASとなる期間だけ、しきい値接続される。結果として、電力用MOSFET1002AはIDBIASのドレイン電流によって飽和状態にバイアスがかけられる。
電力用MOSFETを低ゲート駆動損失で駆動するための上述の方法および回路は、Low側、High側またはプッシュプル構成の、NチャンネルあるいはPチャンネル導通型の電力用MOSFETに適用され得る。図24A〜図24Dは、Nチャンネル型電力用MOSFETを用いる低損失ゲートドライブを示し、一方、図25Aおよび図25Bは、Pチャンネル型および相補型電力用MOSFETを用いる低損失ゲートドライブを示す。
とによって、ゲート電荷変動が低減され、スイッチング期間中の電力用MOSFET1101の効率が改善される。
1171にかかる順バイアス電圧である。
チャンネル型MOSFET1181を駆動する。ブートストラップ・キャパシタ1185は、MOSFET1181がオフ、かつ電圧Vxが接地または供給電圧Vbattより小さいときに、ブートストラップ・ダイオード1184を通してVbattから充電される。ブートストラップ・キャパシタ1185は、VGSH=Vboot≒VbattかつMOSFET1181が低抵抗で完全オンしている期間にゲートドライバ1282に電力を供給する。
り大きなドレイン電圧遷移を示すので、ゲート電荷変動を制限する本発明の利点は、ゲートドライバ1222がHigh側Pチャンネル型MOSFET1221を駆動しているときに最大となる。しかしながら、同期整流MOSFET1224を駆動するゲートドライバ1225は、ゲート駆動損失にいくらかの低下を与え、そしてより重要なことには、整流ダイオード1227のダイオード回復から生成された効率損失およびノイズを低減する。
Claims (17)
- ゲートドライバおよび電力用MOSFETとを備える組み合わせであって、前記ゲートドライバの出力端子は前記電力用MOSFETのゲート端子に接続され、
前記ゲートドライバは、
第1の入力端子および第2の入力端子をさらに備え、
前記第1の入力端子は、第1の電圧源に接続され、
前記第2の入力端子は、第2の電圧源に接続され、
前記ゲートドライバは、
前記第1の入力端子と前記第2の入力端子との間で、前記出力端子を切替えるためのスイッチング素子をさらに備え、
前記第1の電圧源によって供給される第1の電圧は、前記ゲート端子に供給されたときに、前記電力用MOSFETを完全オン状態にさせ、
前記第2の電圧源によって供給される第2の電圧は、前記ゲート端子に供給されたときに、前記電力用MOSFETを低電流状態にさせる、組み合わせ。 - 前記第1および第2の入力端子間で、前記出力端子を繰り返し切替えるため前記ゲートドライバに接続されるバッファをさらに備える、請求項1に記載の組み合わせ。
- 前記スイッチング素子は、
CMOS対を備え、
前記CMOS対の第1のMOSFETは、前記第1の入力端子と前記出力端子との間に接続され、
前記CMOS対の第2のMOSFETは、前記第2の入力端子と前記出力端子との間に接続される、請求項1に記載の組み合わせ。 - 前記ゲートドライバは、
第3の入力端子を備え、
前記第3の入力端子は、前記電力用MOSFETのソース端子に接続され、
前記スイッチング素子は、前記第1、第2および第3の入力端子間で前記出力端子を切換え可能である、請求項1に記載の組み合わせ。 - 前記ゲートドライバは、
CMOS対と、
第3のMOSFETとを備え、
前記CMOS対の第1のMOSFETは、前記第1の入力端子と前記出力端子との間に接続され、
前記CMOS対の第2のMOSFETは、前記第3の入力端子と前記出力端子との間に接続され、
前記第3のMOSFETは、前記第2の入力端子と前記出力端子との間に接続される、請求項4に記載の組み合わせ。 - 前記電力用MOSFETは、電源回路内の負荷に接続され、
前記組み合わせは、
前記電源回路と前記ゲートドライバの前記第2の端子との間に接続されたフィードバック回路をさらに備え、
前記フィードバック回路は、前記電力用MOSFETの低電流状態において電流を目標値に維持するエラー信号を生成する、請求項1に記載の組み合わせ。 - 前記フィードバック回路は、
前記電源回路に接続された電流センサと、
増幅器とを備え、
前記第2の電圧源は、
可変電圧源を備え、
前記電流センサは、前記増幅器の第1の入力端子に接続され、
前記増幅器の第2の入力端子は、基準電流源に接続され、
前記増幅器の出力端子は、前記可変電圧源に接続される、請求項6に記載の組み合わせ。 - 前記電源回路は、
検出抵抗器を含み、
前記フィードバック回路は、
増幅器と、
基準電圧源とを備え、
前記増幅器の第1の入力端子は、前記検出抵抗器に接続され、
前記増幅器の第2の入力端子は、前記基準電圧源に接続され、
前記増幅器の出力端子は、前記ゲートドライバの前記第2の端子に接続される、請求項6に記載の組み合わせ。 - 前記フィードバック回路は、
ミラー電流を生成するためのカレントミラー配列を備え、
前記ミラー電流の大きさは、前記電源回路の電流の大きさに比例し、
前記フィードバック回路は、
前記ミラー電流が前記カレントミラー配列に接続された検出抵抗器をさらに備え、
前記ミラー電流は前記検出抵抗器を通って流れ、
前記フィードバック回路は、
増幅器をさらに備え、
前記増幅器の第1の入力端子は、基準電圧源に接続され、
前記増幅器の第2の入力端子は、前記検出抵抗器に接続され、
前記増幅器の出力端子は、前記ゲートドライバの前記第2の入力端子に接続される、請求項6に記載の組み合わせ。 - 前記フィードバック回路は、
前記電力用MOSFETに直列に接続された第2のMOSFETを備える、請求項9に記載の組み合わせ。 - 前記電力用MOSFETは、電源回路内の負荷に接続され、
前記第2の電圧源は、
可変電圧源を備え、
前記組み合わせは、
前記電源回路内に接続された電流センサと、
前記電流センサおよび前記可変電圧源に接続されたトリム回路とをさらに備え、
前記トリム回路は、前記電流センサからの出力信号に応じて、前記第2の電圧の大きさを調整するように適合される、請求項1に記載の組み合わせ。 - 前記トリム回路は、
複数の抵抗器と、
複数のワンタイム・プログラマブルMOSFETとを備え、
前記抵抗器の各々は、前記ワンタイム・プログラマブルMOSFETの対応する1つに並列に接続される、請求項11に記載の組み合わせ。 - 前記電力用MOSFETは、電源回路内の負荷に接続され、
前記組み合わせは、
カレントミラーMOSFETをさらに備え、
前記カレントミラーMOSFETのゲートおよびドレイン端子は、一緒に短絡され、かつ前記ゲートドライバの前記第2の端子に接続され、
前記組み合わせは、
前記電源回路内に接続された電流センサと、
前記カレントミラーMOSFETに接続された可変電流源と、
前記電流源および前記可変電流源に接続されたトリム回路とをさらに備え、
前記トリム回路は、前記電流センサからの出力信号に応じて、前記可変電流源により供給される電流の大きさを調整するように適合される、請求項1に記載の組み合わせ。 - 前記電力用MOSFETは、電源回路内の負荷に接続され、
前記組み合わせは、
カレントミラーMOSFETをさらに備え、
前記カレントミラーMOSFETのゲートおよびドレイン端子は、一緒に短絡され、かつ前記ゲートドライバの前記第2の端子に接続され、
前記組み合わせは、
前記カレントミラーMOSFETに接続された電流源をさらに備え、
前記電流源は、低電流状態において、前記電力用MOSFETにおける所望の電流の大きさに対する特定の比率に等しい大きさを有する電流を供給するように適合される、請求項1に記載の組み合わせ。 - 前記電流源は、
可変電流源を備え、
前記組み合わせは、
前記可変電流源の入力端子に接続されたD/Aコンバータと、
前記D/Aコンバータの入力端子に接続されたデジタル機器とをさらに備える、請求項14に記載の組み合わせ。 - 前記電力用MOSFETは、昇圧コンバータの要素であり、
前記電力用MOSFETは、インダクタに直列に接続され、
同期整流MOSFETは、前記昇圧コンバータの出力端子と、前記電力用MOSFETおよび前記インダクタの共通ノードとの間に接続される、請求項1に記載の組み合わせ。 - 前記電力用MOSFETは、降圧コンバータの要素であり、
前記電力用MOSFETは、同期整流MOSFETに直列に接続され、
インダクタは、前記降圧コンバータの出力端子と、前記電力用MOSFETおよび前記同期整流MOSFETの共通ノードとの間に接続される、請求項1に記載の組み合わせ。
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|---|---|
JP2010509331A Expired - Fee Related JP5261777B2 (ja) | 2007-05-21 | 2008-04-30 | 電力損失が低減されたmosfetゲートドライブ |
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---|---|
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TW (1) | TWI369846B (ja) |
WO (1) | WO2008153631A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015510382A (ja) * | 2011-12-23 | 2015-04-02 | アマンティス・リミテッドAmantys Limited | 半導体装置制御器 |
JP2017532945A (ja) * | 2014-10-24 | 2017-11-02 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 電圧コンバータのためのアダプティブコントローラ |
JP2019041295A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 照明光通信装置および通信モジュール |
JP2019533869A (ja) * | 2016-11-14 | 2019-11-21 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 診断用フォルト通信 |
JP2020058229A (ja) * | 2014-10-24 | 2020-04-09 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 電圧コンバータのためのアダプティブコントローラ |
KR20230035155A (ko) * | 2020-09-09 | 2023-03-10 | 퀄컴 인코포레이티드 | 전력 게이티드 도메인들에 대한 누설 감소를 제공하는 시스템들 및 방법들 |
Families Citing this family (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7876133B1 (en) * | 2006-09-27 | 2011-01-25 | Cypress Semiconductor Corporation | Output buffer circuit |
US7839131B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-11-23 | International Rectifier Corporation | Gate driving scheme for depletion mode devices in buck converters |
US7960997B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-06-14 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | Cascode current sensor for discrete power semiconductor devices |
US7948194B2 (en) * | 2008-02-15 | 2011-05-24 | Intersil Americas Inc. | Waveform current monitor using RDSon of low-side bridge FET |
CN101593016B (zh) * | 2008-05-30 | 2011-03-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电源控制电路 |
US20100060257A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Firas Azrai | Current sensor for power conversion |
JP4856200B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2012-01-18 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
US8461880B2 (en) * | 2009-04-02 | 2013-06-11 | Silicon Labs Spectra, Inc. | Buffer with an output swing created using an over-supply voltage |
US8325453B2 (en) * | 2009-05-28 | 2012-12-04 | Qualcomm, Incorporated | Short-circuit protection for switched output stages |
EP2299569B1 (de) | 2009-09-21 | 2014-07-16 | BIONIC Engineering 5D+ AG | Gleichspannungsschaltwandler und Gleichspannungsschaltwandlungsverfahren |
JP5139391B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2013-02-06 | 株式会社東芝 | ばらつき分布シミュレーション装置及び方法 |
US8985850B1 (en) | 2009-10-30 | 2015-03-24 | Cypress Semiconductor Corporation | Adaptive gate driver strength control |
US20130006039A1 (en) * | 2010-02-10 | 2013-01-03 | Sadler John W | Power management in transcranial magnetic stimulators |
DE102010024128A1 (de) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | Diehl Ako Stiftung & Co. Kg | Wechselspannungssteller |
JP5367651B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2013-12-11 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電流制御用半導体素子、およびそれを用いた制御装置 |
US8334683B2 (en) * | 2010-08-24 | 2012-12-18 | Intersil Americas Inc. | System and method for current limiting a DC-DC converter |
US8680895B2 (en) * | 2010-10-08 | 2014-03-25 | Texas Instruments Incorporated | Controlling power chain with same controller in either of two different applications |
DE112010006027T5 (de) * | 2010-12-22 | 2013-10-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Gate-Treiber für einen MOSFET-Schalter, MOSFET-Schalter-System und Verfahren |
US8373449B2 (en) | 2010-12-30 | 2013-02-12 | Infineon Technologies Ag | Circuit arrangement including a common source sense-FET |
US9136836B2 (en) | 2011-03-21 | 2015-09-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Converter including a bootstrap circuit and method |
JP6042091B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2016-12-14 | ローム株式会社 | スイッチングレギュレータの制御回路、スイッチングレギュレータおよび電子機器、スイッチング電源装置、テレビ |
US8525559B2 (en) * | 2011-07-29 | 2013-09-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Non-overlap circuit |
US8811037B2 (en) * | 2011-09-05 | 2014-08-19 | Texas Instruments Incorporated | Adaptive driver delay compensation |
US8638080B2 (en) * | 2011-09-14 | 2014-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Circuits and methods for controlling PWM input of driver circuit |
US8847631B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-09-30 | General Electric Company | High speed low loss gate drive circuit |
TWI463798B (zh) * | 2012-04-05 | 2014-12-01 | Anpec Electronics Corp | 責任週期產生器及電源轉換器 |
US9024677B2 (en) * | 2012-06-27 | 2015-05-05 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for drain switching with replication loop for fast LED turn on time |
KR101900722B1 (ko) | 2012-07-10 | 2018-09-20 | 삼성전자주식회사 | 파워 모스 트랜지스터의 게이트 구동회로 |
DE102012015787B3 (de) | 2012-08-08 | 2013-12-12 | Fairchild Semiconductor Corp. | Gepulster Gate-Treiber |
CN103684378B (zh) * | 2012-08-29 | 2017-05-24 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 用于驱动晶体管的电路 |
US9178506B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-11-03 | Crydom, Inc. | High speed charge control for power switching devices |
JP5460835B1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-04-02 | 三菱電機株式会社 | Dc/dc電圧変換装置およびその電圧変換制御方法 |
US9105310B2 (en) * | 2013-02-05 | 2015-08-11 | Qualcomm Incorporated | System and method of programming a memory cell |
TWI485948B (zh) * | 2013-06-07 | 2015-05-21 | Asustek Comp Inc | 電力系統及其短路保護電路 |
KR101800560B1 (ko) | 2013-09-26 | 2017-11-22 | 인텔 코포레이션 | 디지털 전력 게이트 드라이버와 통합된 ldo 전압 조정기 |
CN103633848B (zh) * | 2013-10-23 | 2015-12-09 | 泉芯电子技术(深圳)有限公司 | 一种隔离型ac-dc电源的输出电压控制方法及其电路 |
CN103683908B (zh) * | 2013-12-19 | 2015-11-25 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 开关电源控制电路、开关电源及其控制方法 |
US9543821B2 (en) * | 2014-06-10 | 2017-01-10 | Power Integrations, Inc. | MOSFET driver with pulse timing pattern fault detection and adaptive safe operating area mode of operation |
US9312848B2 (en) | 2014-06-30 | 2016-04-12 | Qualcomm, Incorporated | Glitch suppression in an amplifier |
JP6164183B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2017-07-19 | トヨタ自動車株式会社 | 電流制御回路 |
US11088609B2 (en) | 2014-11-14 | 2021-08-10 | Keithley Instruments, Llc | Low noise power supply MOSFET gate drive scheme |
US9344078B1 (en) * | 2015-01-22 | 2016-05-17 | Infineon Technologies Ag | Inverse current protection circuit sensed with vertical source follower |
TWI548187B (zh) * | 2015-01-23 | 2016-09-01 | Dynamic drive capability adjustment of the power control device | |
KR101593873B1 (ko) * | 2015-02-11 | 2016-02-16 | 성균관대학교산학협력단 | 차동 스큐와 차동 비대칭성을 최소화한 고속 저전압 차동 신호 전송 송신기 및 이를 포함하는 전자 회로 장치 |
CN104917359B (zh) * | 2015-06-01 | 2017-11-07 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 一种上开关管驱动电路及应用其的同步boost电路 |
US9755636B2 (en) | 2015-06-23 | 2017-09-05 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Insulated gate device discharging |
CN104953859B (zh) * | 2015-07-06 | 2019-03-22 | 安徽省东科半导体有限公司 | 一种同步二极管 |
CN105119590A (zh) * | 2015-09-18 | 2015-12-02 | 江苏中科君芯科技有限公司 | Igbt高效驱动电路 |
US9571104B1 (en) * | 2015-10-19 | 2017-02-14 | Texas Instruments Incorporated | Programmable body bias power supply |
DE102015221636A1 (de) * | 2015-11-04 | 2017-05-04 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors |
FR3046309B1 (fr) * | 2015-12-24 | 2018-02-23 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Circuit de commande d'un transistor a grille |
US9742398B2 (en) * | 2016-01-13 | 2017-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for sensing current through power semiconductor devices with reduced sensitivity to temperature and process variations |
CN107024957B (zh) * | 2016-01-29 | 2019-04-02 | 丰田自动车工程及制造北美公司 | 用于电流/功率平衡的方法和装置 |
ITUB20160122A1 (it) * | 2016-01-29 | 2017-07-29 | St Microelectronics Srl | Circuito di pilotaggio per un transistor di potenza a effetto di campo, relativo sistema e circuito integrato |
CN107302234B (zh) * | 2016-04-14 | 2019-09-27 | 中国科学院声学研究所 | 预浓缩管快速加热电路及其方法 |
US9966837B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-05-08 | Vpt, Inc. | Power converter with circuits for providing gate driving |
JP2018078721A (ja) * | 2016-11-09 | 2018-05-17 | 富士電機株式会社 | ゲート駆動回路およびスイッチング電源装置 |
US10144296B2 (en) * | 2016-12-01 | 2018-12-04 | Ford Global Technologies, Llc | Gate driver with temperature compensated turn-off |
CN108155875B (zh) * | 2016-12-02 | 2021-05-25 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 功率放大器 |
CN107425836A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-12-01 | 上海绘润实业有限公司 | 一种mosfet驱动器 |
CN108062054B (zh) * | 2017-12-22 | 2020-11-24 | 深圳市英威腾电气股份有限公司 | 一种模拟量信号输出电路 |
CN108322045A (zh) * | 2018-02-08 | 2018-07-24 | 中国航天空气动力技术研究院 | 一种基于buck电路的宽范围可调自通断电压源 |
JP7026531B2 (ja) | 2018-02-23 | 2022-02-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、半導体システム、及び、制御システム |
TWI742257B (zh) * | 2018-03-16 | 2021-10-11 | 力智電子股份有限公司 | 脈寬調變控制器及第三態電壓產生方法 |
TWI715096B (zh) * | 2018-07-02 | 2021-01-01 | 極創電子股份有限公司 | 過電流保護裝置及方法 |
TWI671988B (zh) | 2018-07-10 | 2019-09-11 | 群光電能科技股份有限公司 | 電源轉換裝置及其控制方法 |
CN110113035B (zh) * | 2018-07-17 | 2023-01-13 | 北京工业大学 | 一种高频功率mosfet驱动电路 |
CN110798199B (zh) * | 2018-08-01 | 2024-04-26 | 联合汽车电子有限公司 | Mos管驱动电路 |
US10469068B1 (en) * | 2018-09-26 | 2019-11-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Adaptive gate driver |
TWI692187B (zh) * | 2018-12-24 | 2020-04-21 | 財團法人工業技術研究院 | 驅動裝置 |
US10673337B1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-06-02 | Texas Instruments Incorporated | Switched-mode DC/DC converter having a bootstrapped high-side driver |
US11415623B2 (en) * | 2019-03-28 | 2022-08-16 | Teradyne, Inc. | Test system supporting reverse compliance |
KR102119405B1 (ko) * | 2019-04-10 | 2020-06-05 | 백종학 | 전원공급장치 및 구동 방식 |
US11277127B1 (en) * | 2019-05-15 | 2022-03-15 | H. Alan Mantooth | Intelligent multi-level voltage gate driving system for semiconductor power devices |
US11728808B1 (en) | 2019-05-15 | 2023-08-15 | H. Alan Mantooth | Intelligent multi-level voltage gate driving system for semiconductor power devices |
US10862472B1 (en) | 2019-07-11 | 2020-12-08 | Infineon Technologies Ag | System and method of charging a buffer capacitor |
US10830799B1 (en) * | 2019-07-12 | 2020-11-10 | Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. | Temperature and VGS compensation for current sensing using Rdson in MOSFETS |
US11239656B2 (en) * | 2019-07-19 | 2022-02-01 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for current sensing and current limiting |
JP2021069080A (ja) * | 2019-10-28 | 2021-04-30 | 株式会社三社電機製作所 | ゲートドライブ回路 |
CN111146931B (zh) * | 2019-12-23 | 2021-12-14 | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 | 一种功率器件的驱动电路以及电子设备 |
JP2021129255A (ja) * | 2020-02-17 | 2021-09-02 | ミツミ電機株式会社 | パルス信号送信回路 |
CN111211764B (zh) * | 2020-02-18 | 2023-10-24 | 恩智浦有限公司 | 栅极电压控制 |
US11196385B2 (en) * | 2020-02-18 | 2021-12-07 | Silicon Laboratories Inc. | System and method of improving blocking immunity of radio frequency transceiver front end |
US11201463B2 (en) | 2020-03-18 | 2021-12-14 | Analog Devices International Unlimited Company | Inductor discharge techniques for switch controller |
US11611338B2 (en) * | 2020-09-25 | 2023-03-21 | Apple Inc. | Transistor aging reversal using hot carrier injection |
US11888384B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-01-30 | Stmicroelectronics S.R.L. | DC-DC switching converter with adjustable driving voltages |
CN112468131B (zh) * | 2020-11-30 | 2023-12-12 | 珠海格力电器股份有限公司 | 驱动电路和驱动装置 |
CN112187048B (zh) * | 2020-12-02 | 2021-03-26 | 深圳市南方硅谷半导体有限公司 | 一种输出电压的低功耗校正电路及自动校正方法 |
CN115411912A (zh) | 2021-05-27 | 2022-11-29 | 恩智浦有限公司 | 开关电容变换器 |
WO2023110726A1 (en) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | Signify Holding B.V. | Solar powered battery charger |
CN117465306A (zh) * | 2022-07-20 | 2024-01-30 | 比亚迪股份有限公司 | 可调节推背感的座椅和车辆 |
DE102022209659A1 (de) | 2022-09-14 | 2024-03-14 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben eines Leistungshalbleiter-Moduls und Gate-Treiberbaustein |
DE102022210650A1 (de) | 2022-10-10 | 2024-04-11 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben eines Leistungshalbleiter-Moduls |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11346147A (ja) * | 1998-06-02 | 1999-12-14 | Nec Corp | スルーレート出力回路 |
JP2002527024A (ja) * | 1998-09-28 | 2002-08-20 | トリパス テクノロジー インコーポレイテッド | ハーフブリッジ回路中のmosfetボディダイオードに流れ込む電流を低減する方法および装置 |
JP2005073423A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モータ駆動装置 |
JP2006320179A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Hitachi Ltd | 回転電機制御装置 |
JP2010506552A (ja) * | 2006-10-05 | 2010-02-25 | アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 制御されたダイオード導通を用いた低雑音dc/dcコンバータ |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4748351A (en) | 1986-08-26 | 1988-05-31 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Power MOSFET gate driver circuit |
FR2640960B1 (ja) * | 1988-12-28 | 1992-04-30 | Kagan Rubin | |
KR940010671B1 (ko) | 1992-07-25 | 1994-10-24 | 금성일렉트론 주식회사 | Cmos 3-스테이트 버퍼회로 및 그 제어방법 |
US5525925A (en) | 1992-09-25 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Simple power MOSFET low side driver switch-off circuit with limited di/dt and fast response |
US5334882A (en) * | 1992-12-14 | 1994-08-02 | National Semiconductor | Driver for backplane transceiver logic bus |
JPH0738408A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-02-07 | Sharp Corp | バッファ回路 |
FR2724072A1 (fr) * | 1994-08-25 | 1996-03-01 | Philips Composants | Etage amplificateur de puissance, de type suiveur. |
JPH08289483A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Rohm Co Ltd | 電源回路 |
US5737169A (en) | 1996-02-28 | 1998-04-07 | Eni, A Division Of Astec America, Inc. | Intrinsic element sensing integrated SOA protection for power MOSFET switches |
JP3421507B2 (ja) * | 1996-07-05 | 2003-06-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の駆動回路 |
JP3132648B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2001-02-05 | 富士電機株式会社 | 電力変換器におけるゲート駆動回路 |
US6127746A (en) * | 1996-10-21 | 2000-10-03 | International Rectifier Corp. | Method of controlling the switching DI/DT and DV/DT of a MOS-gated power transistor |
EP0845815A3 (en) * | 1996-11-28 | 1999-03-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device, method of designing the same and semiconductor integrated circuit device |
DE19730215C2 (de) * | 1997-07-15 | 2001-01-25 | Dialog Semiconductor Gmbh | Schaltungsanordnung mit einer ersten Steuereinheit und einer zweiten Steuereinheit |
US6040737A (en) * | 1998-01-09 | 2000-03-21 | S3 Incorporated | Output buffer circuit and method that compensate for operating conditions and manufacturing processes |
US6222103B1 (en) * | 1998-03-11 | 2001-04-24 | Pioneer Hi-Bred International, Inc. | Inbred maize line PH45A |
JP3432425B2 (ja) * | 1998-08-05 | 2003-08-04 | 株式会社東芝 | ゲート回路 |
JP3773664B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2006-05-10 | 三菱電機株式会社 | 駆動制御装置、モジュール、および、複合モジュール |
US6280000B1 (en) * | 1998-11-20 | 2001-08-28 | Joseph A. Zupanick | Method for production of gas from a coal seam using intersecting well bores |
DE19855604C5 (de) * | 1998-12-02 | 2004-04-15 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern einer Leistungsendstufe |
JP3770008B2 (ja) * | 1999-11-05 | 2006-04-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体電力変換装置 |
US6373266B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-04-16 | Agere Systems Guardian Corp. | Apparatus and method for determining process width variations in integrated circuits |
US6307330B1 (en) * | 2000-04-25 | 2001-10-23 | Ford Global Technologies, Inc. | System and method for operating incandescent lamps with high voltage source |
US6438005B1 (en) * | 2000-11-22 | 2002-08-20 | Linear Technology Corporation | High-efficiency, low noise, inductorless step-down DC/DC converter |
JP3674520B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2005-07-20 | 関西日本電気株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP3812353B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2006-08-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体電力変換装置 |
US6683482B2 (en) * | 2001-08-02 | 2004-01-27 | Agilent Technologies, Inc. | Slew rate control of output drivers using PVT controlled edge rates and delays |
US6888388B1 (en) * | 2003-05-08 | 2005-05-03 | National Semiconductor Corp. | Constant edge rate output driver |
US6897707B2 (en) * | 2003-06-11 | 2005-05-24 | Northrop Grumman Corporation | Isolated FET drive utilizing Zener diode based systems, methods and apparatus |
JP4502177B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2010-07-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 出力回路 |
JP4223379B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2009-02-12 | 三菱電機株式会社 | スイッチングデバイスの制御装置およびモーターの駆動回路の制御装置 |
JP2005304218A (ja) | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Renesas Technology Corp | 電源ドライバ装置及びスイッチング電源装置 |
DE102004018823B3 (de) * | 2004-04-19 | 2005-06-30 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung mit einem Leistungstransistor und einer Ansteuerschaltung für den Leistungstransistor |
US7164291B2 (en) * | 2004-08-11 | 2007-01-16 | Texas Instruments Incorporated | Integrated header switch with low-leakage PMOS and high-leakage NMOS transistors |
US7233179B2 (en) * | 2005-10-28 | 2007-06-19 | Analog Devices, Inc. | Output stage interface circuit for outputting digital data onto a data bus |
TW200727588A (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-16 | Richtek Techohnology Corp | Voltage-supply apparatus and control method thereof |
DE102006015024B3 (de) * | 2006-03-31 | 2007-09-06 | Infineon Technologies Ag | Treiberschaltung zum Bereitstellen eines Ausgangssignals |
US7932754B1 (en) * | 2006-08-17 | 2011-04-26 | National Semiconductor Corporation | Optimal control of charge-modulated gate drivers |
JP5186925B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-04-24 | 株式会社リコー | 半導体装置及びその製造方法 |
US7777532B2 (en) * | 2008-07-30 | 2010-08-17 | Infineon Technologies Ag | Method and circuit for protecting a MOSFET |
JP2011071174A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法 |
-
2007
- 2007-08-08 US US11/890,942 patent/US7812647B2/en not_active Expired - Fee Related
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2008
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-
2010
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-
2013
- 2013-08-26 HK HK13109921.0A patent/HK1182842A1/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11346147A (ja) * | 1998-06-02 | 1999-12-14 | Nec Corp | スルーレート出力回路 |
JP2002527024A (ja) * | 1998-09-28 | 2002-08-20 | トリパス テクノロジー インコーポレイテッド | ハーフブリッジ回路中のmosfetボディダイオードに流れ込む電流を低減する方法および装置 |
JP2005073423A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モータ駆動装置 |
JP2006320179A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Hitachi Ltd | 回転電機制御装置 |
JP2010506552A (ja) * | 2006-10-05 | 2010-02-25 | アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 制御されたダイオード導通を用いた低雑音dc/dcコンバータ |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015510382A (ja) * | 2011-12-23 | 2015-04-02 | アマンティス・リミテッドAmantys Limited | 半導体装置制御器 |
JP2017532945A (ja) * | 2014-10-24 | 2017-11-02 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 電圧コンバータのためのアダプティブコントローラ |
JP2020058229A (ja) * | 2014-10-24 | 2020-04-09 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 電圧コンバータのためのアダプティブコントローラ |
JP2019533869A (ja) * | 2016-11-14 | 2019-11-21 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 診断用フォルト通信 |
JP2019041295A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 照明光通信装置および通信モジュール |
JP6998520B2 (ja) | 2017-08-25 | 2022-01-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 照明光通信装置および通信モジュール |
KR20230035155A (ko) * | 2020-09-09 | 2023-03-10 | 퀄컴 인코포레이티드 | 전력 게이티드 도메인들에 대한 누설 감소를 제공하는 시스템들 및 방법들 |
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