CN110113035B - 一种高频功率mosfet驱动电路 - Google Patents
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Abstract
一种高频功率MOSFET驱动电路属于电力电子领域,适用于高频率下开关电源功率MOSFET驱动,适合于丁类放大器结构。驱动电路,包括驱动信号产生模块与驱动电路模块;驱动信号产生模块包括信号发生模块,MOSFET漏电流保护模块;驱动电路模块包括推挽式驱动电路结构与变压器结构;由驱动信号模块产生两路带死区的高频驱动信号,送至驱动电路模块,利用推挽电路结构来输出电流,通过多级推挽来实现电路驱动大电流的需求;将输出的驱动电流经隔直电容送至变压器结构,通过调节变压器原边电感、次级电感、以及变压器漏感的比值,与MOSFET的寄生栅极电容构成LLC谐振,使输出的驱动电流与驱动电压存在相位差,实现软开关驱动。
Description
技术领域
本发明属于电力电子技术领域,它是一种由分立器件构成的能够在高频工作下驱动大功率MOSFET的电路,尤其适用于较高频率下开关电源功率MOSFET驱动,较适合于丁类放大器结构。
背景技术
随着半导体器件的快速发展,功率MOSFET逐渐应用于高频电力电子中,大功率的开关电源也逐渐向高频化发展,但随着开关电源的工作频率增大,开关损耗也逐渐增大。于此同时,大功率的功率MOSFET栅源以及栅漏间存在寄生电容,一般功率MOSFE 的输入电容为1000PF~3000PF,在驱动此类功率MOSFET时,如果保持较快的开关速度,要求驱动电路不仅需要提供大于MOSFET阈值的开启电压,也需要提供对功率MOSFET输入电容充电的驱动电流。如果驱动电流不够,导致MOS管从关断到导通的过渡状态时间太长,加大MOS管的损耗.此外,在研究功率MOSFET驱动的课题中,功率MOSFET应用电路的工作频率一般较低,
而且开关电源的启动方式停留在硬开关启动上,当开关频率为兆赫兹的工作频率时,此类驱动不足以驱动电路中的功率 MOSFET。硬开关的驱动方式在高频开关电源电路中,所引起电路的损耗增大,以及要求电路能够承受较高的耗散功率。因此对高频下功率MOSFET的驱动电路研究是亟待解决的问题。本发明设计了一款,能够运用于兆赫兹开关频率下的功率MOSFET驱动电路。该电路可以通过FPGA来输出精确的可调节死区时间的驱动信号,除此之外,该电路提供功率MOSFET的漏电流的大小保护,在工作过程中,漏电流大于一定值时,电路反馈到驱动信号,调节驱动信号为低电平输出,关断MOSFET。此电路采用不同于传统的硬开关形式的驱动电路,采用软开关的开启形式,降低开关损耗,而且电路相对简单。
发明内容
在电力电子技术领域,开关电源逐渐向大功率、高频化的趋势发展。针对此问题,本发明提供了一种适用于工作在高频开关电源下的功率MOSFET驱动电路。该电路采用推挽式电路结构与变压器结构相连接,通过推挽式电路结构产生驱动电流输出,变压器结构与MOSFET管栅极电容实现LLC谐振输出,使推挽输出的驱动电流与电压产生相位差,使功率MOSFET处于软开启的工作状态,减小了功率管在高频工作下的驱动损耗,提高了电路的工作效率。
该电路的指标如下:
该电路能够工作在13.56MHz的开关频率下,功率MOSFET的开启时间为ns级。
本发明采用如下的技术方案:
高频功率MOSFET驱动电路,由驱动信号模块产生两路带死区的高频驱动信号,送至驱动电路模块,利用推挽电路结构来输出电流,通过多级推挽来实现电路驱动大电流的需求。将输出的驱动电流经隔直电容送至变压器结构,通过调节变压器原边电感、次级电感、以及变压器漏感的比值,与MOSFET的寄生栅极电容构成LLC谐振,使输出的驱动电流与驱动电压存在一定的相位差,从而实现软开关驱动。
1)所述信号发生模块,其特征是,该模块通过FPGA产生两路反相带死区的高频TTL驱动信号,经隔离送至驱动电路模块。该模块受MOSFET漏电流保护模块反馈调节,通过采样电路采样MOSFET 工作时刻漏电流的大小,调节TTL驱动信号的产生。
2)其中MOSFET漏电流保护模块主要通过MOSFET源极采样电阻将采样的电流信号转换为电压信号,经放大器输出至施密特触发器,将电压信号转换成逻辑信号送至或非门逻辑电路中,逻辑运算输出的电平信号经隔离送至驱动电路中。其中放大器电路选用集成运算放大器芯片,隔离采用磁隔离芯片,施密特触发器选用集成运算放大器芯片搭建。
3)所述推挽式电路结构,其特征是,通过权利要求2中的信号发生模块产生的驱动信号,送至推挽式驱动电路结构,推挽电路产生驱动电流经变压器结构做输出,其中推挽式驱动电路结构主要包括 NPN三极管Q3,PNP三极管Q4,其中Q3与Q4的集电极相连,基极分别与NPN三极管Q1、PNP管Q2相连。其中Q1,Q2的基极连接分压电阻R2与R3,发射级相连,通过电阻R1连接驱动信号。NPN 三极管Q3与NPN三极管Q5的发射级相连接,Q5的基极接反馈电阻R4与R5与变压器结构相连,Q5的集电极与Q1,Q2的基极相连。
4)所述变压器结构,通过隔直电容与推挽电路相连接,变压器的次级通过栅极电阻与MOSFET的栅极相连接。
附图说明:
图1:本发明的驱动电路的整体框架图;
图2:本发明的驱动电路的结构示意图;
图3:本发明的驱动电路模块电路原理图;
图4:本发明驱动电路中的MOSFET漏电流保护模块电路原理图;
图5:本发明的驱动电路软开关启动形式波形示意图;
具体实施方式
本发明设计了一种能够应用于高频工作下功率MOSFET的驱动电路,电路采用FPGA提供驱动信号,推挽式电路结构提供驱动电流输出,变压器结构实现LLC谐振实现软开关的启动形式。具本发明的电路整体框架如图1所示。
驱动信号产生模块采用Altera公司的FPGA控制芯片,能够精确输出一定工作频率的驱动信号,而且能精确控制两路驱动信号的死区时间。驱动信号产生模块中包括功率MOSFET工作时的漏电流保护模块,当工作漏电流大小大于一定值时,该模块调节驱动信号输出至低电平,关断MOSFET管。驱动信号经ADUM1402磁耦隔离芯片送至驱动电路模块。发明的驱动电路的结构示意图如图2所示。
驱动电路模块由推挽式电路结构和变压器结构组成。其中推挽式电路结构主要由三极管等分立器件组成,其中三极管Q1和Q2调节推挽管Q3与Q4的工作状态,三极管Q3与Q4做推挽输出.电阻R4与R5采样输出至变压器结构的电压值,R4,R5与PNP管Q5基极相连接,采样的电压反馈至Q1与Q2的基极,通过调节R4与R5的值保证输出的驱动电压大于功率MOSFET的阈值电压,R6控制输出至MOSFET 管的驱动电流。变压器结构主要利用变压器的初级电感、次级电感以及变压器的漏感与功率MOSFET的栅极电容构成LLC谐振,使驱动电压与驱动电流处于不同的相位,进而使MOSFET软开启,减小开通损耗。本发明的驱动电路模块电路原理图如图3所示。
MOSFET漏电流保护模块主要通过利用加在MOSFET源级的采样电阻,将采样得到的电流信号转换成电压信号,将电压信号经放大器输出至施密特触发器输出TTL电平信号,经降压送至逻辑门电路中,与输入的驱动信号进行逻辑运算,当采样电流大于设定值时,逻辑输出低电平,使MOSFET关断。其中放大器与施密特触发器使用集成运放芯片OP37搭建,逻辑门电路采用集成芯片74HC02搭建。发明驱动电路中的MOSFET漏电流保护模块电路原理图如图4所示。
驱动电路中软开关启动,主要是在MOSFET开关过程中,使驱动电流超前驱动电压一定的相位。使驱动电流先对MOSFET管输入电容进行充电,之后产生驱动电压使MOSFET管导通。这种软开关的启动方式避免了驱动电流与驱动电压的交叠,减小了开关损耗。发明的该驱动电路软开关启动形式的波形示意图如图5所示。
Claims (4)
1.一种高频功率MOSFET驱动电路,包括两部分:驱动信号产生模块与驱动电路模块;其特征在于:所述驱动信号产生模块包括信号发生模块,MOSFET漏电流保护模块;所述驱动电路模块包括推挽式驱动电路结构与变压器结构;
由驱动信号模块产生两路带死区的高频驱动信号,送至驱动电路模块,利用推挽电路结构来输出电流,通过多级推挽来实现电路驱动大电流的需求;将输出的驱动电流经隔直电容送至变压器结构,通过调节变压器原边电感、次级电感、以及变压器漏感的比值,与MOSFET的寄生栅极电容构成LLC谐振,使输出的驱动电流与驱动电压存在相位差,从而实现软开关驱动;
其中MOSFET漏电流保护模块通过MOSFET源极采样电阻将采样的电流信号转换为电压信号,经放大器输出至施密特触发器,将电压信号转换成逻辑信号送至或非门逻辑电路中,逻辑运算输出的电平信号经隔离送至驱动电路中;其中放大器电路选用集成运算放大器芯片,隔离采用磁隔离芯片,施密特触发器选用集成运算放大器芯片搭建。
2.根据权利要求1所述的一种高频功率MOSFET驱动电路,其特征在于:信号发生模块通过FPGA产生两路反相带死区的高频TTL驱动信号,经隔离送至驱动电路模块;该模块受MOSFET漏电流保护模块反馈调节,通过采样电路采样MOSFET工作时刻漏电流的大小,调节TTL驱动信号的产生。
3.根据权利要求1所述的一种高频功率MOSFET驱动电路,其特征在于:中的推挽式电路结构通过信号发生模块产生的驱动信号,送至推挽式驱动电路结构,推挽电路产生驱动电流经变压器结构做输出,其中推挽式驱动电路结构包括NPN三极管Q3,PNP三极管Q4,其中Q3与Q4的集电极相连,基极分别与NPN三极管Q1、PNP管Q2相连;其中Q1,Q2的基极连接分压电阻R2与R3,发射级相连,通过电阻R1连接驱动信号;NPN三极管Q3与NPN三极管Q5的发射级相连接,Q5的基极接反馈电阻R4与R5与变压器结构相连,Q5的集电极与Q1,Q2的基极相连。
4.根据权利要求1所述的一种高频功率MOSFET驱动电路,其特征在于:变压器结构,通过隔直电容与推挽电路相连接,变压器的次级通过栅极电阻与外加栅极电容与MOSFET的栅极相连接。
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