JP2010507252A5

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Publication number: JP2010507252A5
Application number: JP2009533334A
Authority: JP
Filing date: 2007-10-15
Publication date: 2010-12-02

Claims

ポリマーコーティングと、前記ポリマーコーティング上に形成される残留物とを有する表面を備える基板処理構成部品を洗浄する方法であって、
（ａ）前記基板処理構成部品の前記表面上の前記ポリマーコーティングを有機溶媒と接触させるステップと、
（ｂ）前記ポリマーコーティングを除去することなく前記有機溶媒によって前記残留物を除去するステップと、
を備える方法。
前記基板処理構成部品の前記表面上の前記ポリマーコーティングを有機溶媒と接触させる前記ステップが、
（i）前記有機溶媒を染み込ませた雑巾（wipe）と前記表面を接触させる工程であって、前記雑巾が、複数の染み込ませた雑巾と共にあらかじめ同梱された容器から選択される工程、
（ii）前記表面上に前記有機溶媒を吹き付ける工程、
（iii）前記有機溶媒に前記基板処理構成部品の前記表面を浸漬する工程、または
（iv) 前記有機溶媒に前記基板処理構成部品の前記表面を浸漬し、前記浸漬ステップ中に超音波エネルギによって前記有機溶媒を撹拌する工程、
のうち少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
前記有機溶媒が、シクロヘキサノン、エタノールアミン、酢酸エチル、２−エトキシエタノールアミン、ヘプタン、ヒドロキシルアミン、メチルエチルケトン、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフランおよびトルエンのうち少なくとも１つを備える、請求項２に記載の方法。
前記ポリマーコーティングが、
（ａ）メタクリレートを備えるポリマーシーラント、または
（ｂ）接着剤残留物
のうち少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
前記基板処理構成部品の前記表面を接触させる前記ステップが、（i）ニッケルめっき、（ii）陽極酸化アルミニウム、（iii）炭化ケイ素、または（iv）ポリマーシーラントを備えるポリマーコーティングで被覆されているアルミニウム構造を備える基板処理チャンバ壁を接触させる工程を備える、請求項１に記載の方法。
接着剤により下層セラミック構造に付着しているポリマー層を備える基板処理構成部品を改装する方法であって、
（ａ）前記セラミック構造から前記ポリマー層を除去し、それにより前記セラミック構造に残留接着剤を残すステップと、
（ｂ）前記残留接着剤を有機溶媒と接触させて、前記下層セラミック構造から前記残留接着剤を除去するステップと、
（ｃ）前記セラミック構造上の前記ポリマー層を取り換えるステップと、
を備える方法。
前記有機溶媒が、シクロヘキサノン、エタノールアミン、酢酸エチル、２−エトキシエタノールアミン、ヘプタン、ヒドロキシルアミン、メチルエチルケトン、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフランおよびトルエンのうち少なくとも１つを備える、請求項６に記載の方法。
基板処理構成部品の表面から接着剤残留物をアブレーションする（ablating）方法であって、
（ａ）前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させるステップを含む方法。
前記基板処理構成部品が前記アクリル残留物より下にポリマーコーティングを備え、前記ステップ（ａ）が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記ポリマーコーティングおよび前記アクリルコーティングをアブレーションする工程を備える、請求項８に記載の方法。
前記ステップ（ａ）が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記構成部品の前記表面上の特徴部をスクライブする工程を備える、請求項８に記載の方法。
前記基板処理構成部品が保持リングまたはガス分配板を備える、請求項８に記載の方法。
下層金属構造を覆うポリマー層の上に接着剤残留物を備える表面を備える基板処理構成部品を改装する方法であって、
（ａ）前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度レベルで、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させるステップと、
（ｂ）前記金属構造に新しいポリマー層を形成するステップと、
を備える方法。
前記レーザビームが、以下の特性、
（i）前記ビームが、約９．６×１０^６Ｗ／ｃｍ^２〜約８．６×１０^７Ｗ／ｃｍ^２のワット数を提供すること、
（ii）前記ビームがパルス波ビームであること、
（iii）前記ビームが連続波ビームであること、
（iv）前記ビームが、ＣＯ_２レーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ｅｒ：Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、高出力ダイオードレーザまたは他の固体レーザによって生成されること、および
（v）前記ビームが、約１００ワット〜約５０００ワットの出力領域を有すること、のうちの少なくとも１つを有する、請求項８または１２に記載の方法。
基板処理構成部品を洗浄する方法であって、
（ａ）残留物を有する前記基板処理構成部品の表面を、プラズマ流と接触させるステップと、
（ｂ）前記残留物を蒸発させるために十分に高い温度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたって前記プラズマ流を走査させるステップと、
を備える方法。
前記プラズマ流が、
（i）酸素または空気、
（ii）アルゴン、窒素またはヘリウム、
の少なくとも一方を含む、請求項１４に記載の方法。