JP6009350B2 - 電子部品が接合した回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品が接合した回路基板の製造方法、はんだバンプが形成された回路基板の製造方法、及び、はんだバンプの形成方法に関する。

はんだバンプを回路基板に形成する方法として、特許文献１は、転写シートを用いて、回路基板のはんだ付けすべき部分に選択的に固相拡散接合によってはんだバンプを形成する方法（“固相拡散転写法”）を開示する。

プラスチック除去用洗浄剤として、特許文献２は、芳香族化合物、有機系アルカリ剤、アルキレンオキサイド化合物などを含有する洗浄剤組成物を開示する。

はんだフラックス除去用洗浄剤として、特許文献３は、ベンジルアルコール、アミノアルコール、グリコールエーテルなどを含有する洗浄剤を開示する。

国際公開第２０１０／０９３０３１号 特開平１１−１７０２７０号公報 国際公開第２００５／０２１７００号

電子機器の小型化に対応して、電極ピッチが５０μｍ又はそれ以下と微細な電極を有する回路基板のはんだ付け部（例えば、電極など）にはんだバンプを形成することが求められるようになってきた。この流れに対応するため、転写シートを用いて、回路基板のはんだ付けすべき部分に選択的に固相拡散接合によってはんだバンプを形成する方法（固相拡散転写法）が特許文献１に記載されている。しかし、特許文献１の固相拡散転写法では、ＩＣチップなどの電子部品がはんだ付けされた回路基板が、例えば、長時間の加温加湿条件で絶縁不良を起こすなど、信頼性が損なわれる場合があることが見出された。

本発明は、一態様において、固相拡散転写法により形成されたはんだバンプを有する回路基板から製造される、電子部品がはんだ付けされた回路基板の信頼性を向上できる製造方法、及び／又は、はんだバンプの形成方法を提供する。

本発明は、一態様において、下記工程（ａ）〜（ｆ）を含む、電子部品が接合した回路基板の製造方法に関する。
（ａ） 支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、回路基板のはんだ付け部を有する第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置する工程、ここで前記はんだ層は、１層に密に隙間なく存在させたはんだ粒子が粘着剤層を介して前記支持基材に付着している層である。
（ｂ） 工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせる工程。
（ｃ） 工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得る工程。
（ｄ） 工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの２以上の組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄する工程。
（ｅ） 工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄する工程。
（ｆ） 工程（ｅ）で得られた回路基板上に電子部品を乗せ、前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱して、電子部品のはんだ付け部と回路基板のはんだ付け部とを接合する工程。

本発明は、その他の態様において、下記工程（ａ）〜（ｅ）を含む、はんだ付けすべき部分（以下、はんだ付け部という）にはんだバンプが形成された回路基板の製造方法に関する。
（ａ） 支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、回路基板のはんだ付け部を有する第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置する工程、ここで前記はんだ層は、１層に密に隙間なく存在させたはんだ粒子が粘着剤層を介して前記支持基材に付着している層である。
（ｂ） 工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせる工程。
（ｃ） 工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得る工程。
（ｄ） 工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄する工程。
（ｅ） 工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄する工程。

本発明は、その他の態様において、下記工程（ａ）〜（ｅ）を含む、回路基板の第１の面上のはんだ付けすべき部分（以下、はんだ付け部という）にはんだバンプを形成する方法に関する。
（ａ） 支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、回路基板のはんだ付け部を有する第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置する工程、ここで前記はんだ層は、１層に密に隙間なく存在させたはんだ粒子が粘着剤層を介して前記支持基材に付着している層である。
（ｂ） 工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせる工程。
（ｃ） 工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得る工程。
（ｄ） 工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄する工程。
（ｅ） 工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄する工程。

本開示によれば、一態様において、電子部品が接合した回路基板の信頼性を向上できる。

図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係るはんだ粒子層を有するはんだ転写シートの製造方法の工程の一実施形態を示す説明図。 回路基板へのフラックス塗布を示す説明図。 図３（ａ）〜（ｃ）は、はんだ粒子層を有するはんだ転写シートを用いたはんだ付け部の形成方法の工程の一実施形態を示す説明図。 図４（ａ）〜（ｄ）は、電子部品を回路基板に搭載する工程の一実施形態を示す説明図。 図５は、本発明の一実施形態における、ＩＣチップが接合した回路基板の製造方法の工程フロー図。

本発明は、一態様において、転写シートを用いた固相拡散接合により回路基板上にはんだバンプを形成する方法（固相拡散転写法）において、特定の工程の後に、特定の溶剤を含む洗浄剤での洗浄工程を採用することで、電子部品が接合した回路基板の信頼性が大きく改善できるという知見に基づく。

すなわち、本発明は、一態様において、下記工程（ａ）〜（ｆ）を含む、電子部品が接合した回路基板の製造方法に関する。
（ａ） 支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、回路基板のはんだ付け部を有する第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置する工程、ここで前記はんだ層は、１層に密に隙間なく存在させたはんだ粒子が粘着剤層を介して前記支持基材に付着している層である。
（ｂ） 工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせる工程。
（ｃ） 工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得る工程。
（ｄ） 工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの２以上の組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄する工程。
（ｅ） 工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄する工程。
（ｆ） 工程（ｅ）で得られた回路基板上に電子部品を乗せ、前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱して、電子部品のはんだ付け部と回路基板のはんだ付け部とを接合する工程。

本態様の製造方法によれば、信頼性の向上した、電子部品が接合した回路基板を製造することができる。本態様の製造方法により電子部品が接合した回路基板の信頼性が向上するメカニズムは以下のように推察される。すなわち、信頼性が低い電子部品が接合された回路基板、すなわち、長時間の加温加湿後に絶縁不良を起した回路基板では、アンダーフィルに空孔が多数あることが判明した。この空孔が、吸湿などを生じ、絶縁性の悪化の原因である考えられる。この空孔が生じる原因は、アンダーフィル充填する工程より前の段階での回路基板に付着した残渣によるものと推定された。しかし、従来の回路基板の製造工程におけるフラックス残渣洗浄の工程（ｅ）やフラックス洗浄の工程（ｆ３）で、フラックス洗浄剤やそれ以外の洗浄剤で回路基板を洗浄しても空孔は低減されなかった。ところが、フラックスを塗布する前の工程（ｄ）で特定の溶剤で洗浄した場合のみ、この空孔が低減されることが判明した。このことから、空孔の発生原因は、工程（ａ）〜（ｃ）ではんだ粒子を転写する時に、フラックスよりも水に難溶性の転写シートの粘着剤がなんらかの理由により回路基板上に残留し、工程（ｅ）〜（ｆ２）のフラックス塗布やリフロー時の熱より変質すると推定され、フラックス残渣を洗浄する工程（ｅ）やフラックス洗浄の工程（ｆ３）では、工程（ｄ）で特定の洗浄剤で洗浄することが重要であると推定される。

本開示において、「固相拡散」とは、固体中での熱による原子の移動をいい、本開示の場合には、金属の結晶格子内での原子の移動をいう。したがって、「固相拡散接合」は、接合界面を越えたそのような固相拡散に基づく接合をいう。

［はんだ転写シート］
本開示において、はんだ転写シートは、はんだ層を有する。一又は複数の実施形態において、はんだ転写シートのはんだ層ははんだ粒子を１層に存在させたはんだ粒子層からなる。図１（ａ）〜（ｃ）は、はんだ粒子層を有するはんだ転写シートの製造方法の一連の工程を示す説明図である。このはんだ転写シートの製造方法は、一又は複数の実施形態において、ＷＯ２００６／０６７８２７に記載されている方法を採用できる。限定されない一又は複数の実施形態において、はんだ転写シートは、支持基材上に粘着剤層を形成する工程（図１（ａ））、この粘着剤層上にはんだ粒子を散布してはんだ粒子層を粘着剤層に付着させる工程（図１（ｂ））、そして前記粘着剤層に付着していないはんだ粒子を除去する工程（図１（ｃ））を含む製造方法で製造できる。以下、限定されない一又は複数の実施形態にてさらに説明する。

まず、支持基材１上に粘着剤層２を形成する（図１（ａ））。支持基材１は、固相拡散温度、つまり、はんだの固相線から数℃〜数十℃低い温度に加熱されても形状を保つ耐熱性があり、しかもはんだが付着しにくい材料から製造される。支持基材の材質は、アルミニウム、ステンレスのような金属、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステル（例、ポリエチレンテレフタレート）などの耐熱性のよい樹脂、ガラスエポキシなどの複合材、又はセラミックでよい。支持基材の厚みは、典型的には２５〜２００μｍの範囲内で十分であり、従って、フィルムと呼ばれる厚みのものも使用できる。特に好ましい支持基材は、屈曲性に優れるポリエステル、特にポリエチレンテレフタレートのフィルムであり、その場合の厚みは５０μｍ前後が適している。

支持基材１上に設けた粘着剤層２は、はんだ粒子を一層だけ層状に付着させて支持基材上に固定する作用と、回路基板のはんだ付け部に圧着させた時に回路基板の部材表面の凹凸に追従して塑性変形又は塑性流動し、はんだ粒子をはんだ付け部に密着させる作用とを果たす。また、加圧下での加熱によりはんだ粒子層をはんだ付け部に転写した後に転写シートを剥がすとき、固相拡散接合しなかった非はんだ付け部のはんだ粒子を保持できる粘着力をなお有している必要がある。

粘着剤としては、上述の機能を発揮できるものであれば特に制限はないが、好ましくは、常温もしくは常温以上の温度で粘着性を発現する粘着剤である。例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、及びフッ素系粘着剤から選ばれた少なくとも１種を使用することができる。性能面でアクリル系粘着剤及びシリコーン系粘着剤が好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましい。アクリル系粘着剤としては、例えば、アクリル酸とアクリル酸エステルの共重合体を含む粘着剤が挙げられる。

固相拡散加熱後にはんだ転写シートを剥がす際に、粘着剤が固相拡散接合されていないはんだ層回路基板上へ残留することによる転写不良を抑制する観点から、粘着剤層の粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に規定する１８０°引きはがし粘着力の測定法で３〜２０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。粘着剤層の厚さは、１０〜１００μｍが好ましく、２０〜５０μｍの範囲がより好ましい。また、第１の態様では、粘着剤層の厚みがはんだ粒子の平均粒径より大きいことも好ましい。粘着剤は接着剤であってもよい。

粘着剤層２は、粘着剤の融液又は溶液を支持基材１上に塗布し、必要に応じて乾燥することにより形成することができる。別の方法として、例えば両面に離型フィルムが被覆された粘着剤シートを用意し、片面の離型フィルムを剥がして支持基材１に貼付し、他方の面の離型フィルムを剥がすことにより粘着剤層２を形成することもできる。また、支持基材の片面に既に粘着剤層を設け、粘着層の表面を離型フィルムで保護した市販の粘着性シート又はフィルムを使用してもよい。

支持基材１と粘着剤層２の大きさは、回路基板に設けた少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさであり、好ましくは回路基板の全てのはんだ付け部を覆う大きさである。支持基材１の大きさは、粘着剤層２と同じでもよいが、少なくとも１方向の寸法を粘着剤層２より大きくして、少なくとも１辺に持ち手を付与してもよい。

また、大きな支持基材１の上に粘着剤層をブロック状に分散させて形成してもよい。各ブロックの大きさは、回路基板上の隣接する少なくとも２以上、好ましくは全部のはんだ付け部を覆う大きさである。回路基板の電極がブロック状に配置している場合には、その電極ブロックに応じた形状に粘着剤層をブロック化してもよい。また、支持基材は長尺シートとし、ブロック状に粘着剤層とはんだ粒子層とを設けたはんだ転写シートをロール状に巻き取って保管してもよい。この場合は、使用時にロール状のはんだ転写シートを巻き出し、ブロックごとに切り離し、又は切り離さずに、はんだバンプ形成に使用することができる。

次に支持基材１上に形成された粘着剤層２の上にはんだ粒子を散布し、粘着剤層に接触したはんだ粒子３を粘着剤層２に、好ましくは密に隙間なく存在させて付着させる（図１（ｂ））。図示のように、粘着剤層２が全体的に隠れるように、過剰のはんだ粒子を散布することが好ましい。その後、粘着剤層２に付着していないはんだ粒子を除去すると、粘着剤層に付着したはんだ粒子を１層に存在させたはんだ転写シートが得られる（図１（ｃ））。この除去は、毛先の柔らかいブラシで軽く掃き均したり、弱い圧縮空気で吹き飛ばしたり、或いは支持基材を逆さまに引っくり返して軽く振動を与えたりする方法がある。除去されたはんだ粒子は再利用可能である。はんだ粒子３は粘着剤層２上に可及的に密に存在させることが好ましい。

はんだ粒子層の形成に使用するはんだ粒子は、はんだバンプの高さや形状を精確に調整できることから、球状粒子、即ち、はんだボールと称される粒子であることが好ましい。ただし、安価な不定形のはんだ粒子でも、固相拡散によりはんだ付け部に接合できる。従って、所定量のはんだがはんだ付け部に供給できれば、粒子形状に特に制限はない。

本開示で使用するはんだ粒子は、例えば、５〜１５μｍというように、ある範囲内の粒径分布をもつように分級されたはんだ粉末の粒子であることが好ましい。本開示では、１電極上に複数（例えば１０個以上）のはんだ粒子が存在するため、はんだ粒子の粒径の多少のバラツキは許容される。形成されるはんだバンプの高さのバラツキ及びコストを考えると、目標粒径の±４０％、より好ましくは±３０％の粒径分布をもったはんだ粒子を使用することが好ましい。例えば、安価に入手できるガスアトマイズ法により得られたはんだ粉末の球状粒子を適当な篩で分級して使用することができる。

はんだ粒子層は１層のはんだ粒子からなり、この層の厚みによって形成されるはんだバンプの高さが決まる。従って、はんだ粒子の平均粒径が大きいほど、形成されるはんだバンプの高さが大きくなるので、形成したいはんだバンプの高さ及び回路基板のはんだ付け部（電極）の直径に応じて、はんだ粒子の粒径を選択する。はんだ粒子の平均粒径は５〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、かつ電極径の１／２以下が好ましく、１／３以下がより好ましい。不定形粒子を使用する場合、その粒径は体積球相当径とする。

はんだ粒子を構成するはんだ合金は、典型的には錫ベースのはんだ合金であるが、例えば、インジウム系合金などの非錫系はんだ合金も、金又は銅と固相拡散接合が可能であって、本開示において使用できる。従来の一般的な錫−鉛共晶はんだ合金の粒子も使用できるが、好ましくは鉛フリーはんだ合金の粒子を使用する。好ましい鉛フリーはんだ合金としては、錫−銀系、錫−銅系、錫−銀−銅系などが例示される。代表的組成例を挙げると次の通りである（％は質量％）：
Ｓｎ：残部、Ａｇ：０．３％、Ｃｕ：０．５％
Ｓｎ：残部、Ａｇ：３．５％、Ｃｕ：０．７％
Ｓｎ：残部、Ａｇ：３．５％
Ｓｎ：残部、Ｃｕ：０．７％。

次に、こうして形成された１層のはんだ粒子からなるはんだ層を有するはんだ転写シートを用いて、本開示に従って電子部品が接合した回路基板する方法の限定されない一又は複数の実施形態について、図２及び図３（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。

［工程（ａ）］
工程（ａ）は、支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、回路基板のはんだ付け部を有する第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置することを含む工程である。図２は、回路基板５の限定されない一又は複数の実施形態における模式的断面を示す。回路基板５は、限定されない一又は複数の実施形態において、その少なくとも片面に、多数のはんだ付け部（電極）６を所定パターンで（例、５０μｍピッチで縦横に複数列状に）有している。はんだ付け部６は、限定されない一又は複数の実施形態において、表面が金めっきにより被覆された電極、又は銅電極もしくは銅配線である。

本開示は電極径が１００μｍ以下、電極ピッチ（隣接する電極の中心間距離）が１５０μｍ以下の回路基板におけるはんだバンプの形成に適用できる。特に、電極径が１０〜５０μｍ、電極ピッチ２０〜１００μｍ、電極高さ５〜２０μｍといった微細回路基板にもブリッジを発生させずにはんだバンプを形成することができる。

図示の限定されない一又は複数の実施形態では、回路基板５のはんだ付け部６を有する表面のはんだ付け部以外の領域（非はんだ付け部）はソルダレジスト９により被覆されている。ソルダレジストは、溶融はんだに濡れず、はんだ付け温度に耐え、かつフラックスや洗浄用溶剤にも耐性のある樹脂（例、メラミン、エポキシ、アクリル、ポリイミドなど）から形成される。通常は、図示のように、ソルダレジスト９の方がはんだ付け部６より厚みが大きいが、両者が同じ厚みであるか、又ははんだ付け部６がソルダレジストより厚くてもよい。

ソルダレジストは、はんだとは固相拡散接合を生じない。従って、回路基板の非はんだ付け部をソルダレジストで被覆することにより、はんだ付け部において選択的に固相拡散接合を生じさせることができる。しかし、非はんだ付け部をソルダレジストで被覆しなくても、非はんだ付け部に回路基板の支持体を構成する樹脂又は複合材（例、エポキシ樹脂又はガラスエポキシ複合材）が露出し、かつはんだ付け部の表面が金又は銅であれば、はんだはこの非はんだ付け部とは固相拡散接合を生じず、金又は銅とは容易に固相拡散接合を生じるので、やはりはんだ付け部において選択的に固相拡散接合を生じさせることができる。従って、非はんだ付け部のソルダレジストによる被覆は省略可能である。

図示の限定されない一又は複数の実施形態では、回路基板５のはんだ付け部６が形成された面にスプレー式フラクサー７を用いて液状フラックス８を塗布する。その後、必要に応じてはんだ付け部以外のレジスト９のような非はんだ付け部に塗布されたフラックスを除去してもよい。フラックスは、接合表面から酸化物皮膜を除去し、固相拡散接合を容易にする作用を果たす。従って、固相拡散のための加熱条件下でフラックス作用を発揮できるフラックス（本開示では固相接合用フラックスと称する）を使用する。ただし、特にはんだ付け表面が金である場合には、金は酸化物皮膜を形成しにくいため、固相接合用フラックスを塗布しなくても、転写シートのはんだ粒子の表面が何らかの手段によって活性に保持されていれば、固相拡散接合を達成できる。従って、固相接合用フラックスの塗布も必ずしも必須ではない。はんだ付け部の表面が銅である場合や、転写シートのはんだ粒子が表面に酸化物皮膜を有する場合には、固相接合用フラックスを回路基板の少なくともはんだ付け部に塗布して、固相接合界面にこのフラックスが存在するようにしておくことが望ましい。固相接合用フラックスを、回路基板の代わりに、はんだ転写シートのはんだ層の方に塗布することも可能である。

固相拡散接合は、使用するはんだ合金の固相線温度より低温で短時間（例えば、１分以内）の加熱により行われる。このような固相拡散接合条件下でフラックス機能を発揮する固相接合用フラックスの活性成分としては、有機アミンのハロゲン酸塩が最も有効である。別の有効な活性剤としては、有機カルボン酸単体及びカルボン酸のアミン塩が挙げられる。これらの活性成分は水溶性又はアルコール可溶性であることが望ましい。

有効な活性成分の具体例を例示すると次の通りである。有機アミンのハロゲン酸塩としては、エチルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン塩化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ジシクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、アラニン臭化水素酸塩、などが挙げられる。有機カルボン酸の例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、アジピン酸、セバシン酸などの脂肪族カルボン酸類、マロン酸、りんご酸、グリコール酸、ジグリコール酸などのヒドロキシカルボン酸類などが挙げられる。これらのカルボン酸を有機アミンと反応させて塩とすると、水溶性が増して、有効性が高まる。この有機アミンは幅広いものが使用できる。例えば、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどが挙げられる。

固相接合用フラックスは、１種又は２種以上の活性成分と、必要に応じて界面活性剤を溶剤に溶解させることにより調製される。界面活性剤は、例えば、ポリエチレングリコール・ノニルフェノールエーテルなどの非イオン系界面活性剤でよい。固相接合用フラックスの好ましい組成は、活性成分０．１質量％以上、界面活性剤０．５質量％以上、残部溶剤である。溶剤は水系又はアルコール系溶剤を使用できる。

固相接合用フラックスの塗布厚さは、フラックス中の活性成分濃度により異なるが、一般的には数μｍから５０μｍの範囲である。フラックスは、必要な箇所に供給するディスペンス法又は全面に供給するスプレー法などの手段で塗布される。

固相接合用フラックスは、回路基板のはんだ付け部に必要な量が存在し、レジスト面など非はんだ付け部の表面では極力少なくすることが望ましい。回路基板のはんだ付け部は、通常は図２に示すようにレジスト被覆の上面より低くなっているため、回路基板全面にフラックス塗布後、ゴムブレードのようなものでレジスト表面のフラックスをはんだ付け部に掻き落すことにより、スプレー法を用いてはんだ付け部だけに固相接合用フラックスを塗布することができる。

こうしてフラックスを塗布し、又は塗布していない回路基板の上に、図１（ｃ）に示した、支持基材１に粘着剤層２を介して１層のはんだ粒子３からなるはんだ層が粘着しているはんだ転写シートを、そのはんだ層が回路基板５のはんだ付け部６に対向するように、回路基板５に重ね合わせて配置する（図３（ａ）参照）。この配置は、はんだ転写シートのはんだ層が、回路基板のはんだバンプを形成したいはんだ付け部、好ましくは全てのはんだ付け部を覆うようにすればよく、厳密な位置決めは必要ない。図示とは逆に、回路基板が上になるように配置してもよい。

［工程（ｂ）］
工程（ｂ）は、工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせることを含む工程である。

固相拡散接合の機構を、電極（はんだ付け部）とはんだボール（はんだ粒子）の接合を例にとって説明する。電極にはんだボールを十分に接近させると、電極とはんだボールのそれぞれの表面が、酸化物などの存在がない活性状態のときには、はんだボールの構成元素の原子の一部が電極の金属内に移動し、及び／又は電極の構成元素の原子の一部がはんだボールの金属内に移動するという、接触した二つの物体の一方又は両方の構成元素の原子の接合界面を超えた移動が起こって、固相拡散接合が達成される。この固相拡散が進行するにつれて、はんだボールと電極との間の接合は強固になる。接合面が加熱されると、固相拡散が促進される。原子が接合界面を越えて拡散するためには、そのためのエネルギーが必要であり、本開示では加熱によりエネルギーを供給することが好ましい。室温に加圧下で放置した場合には、固相拡散に非常な長時間を要する。

固相拡散接合のための加熱温度は、はんだ粒子を構成するはんだ合金の固相線温度より低温であり、この固相線温度より５℃以上低い温度が好ましく、１０℃以上低い温度がより好ましい。加熱温度の下限は、固相拡散接合が起こる限り特に制限されない。固相線温度（℃）の６０％を下回る温度では固相拡散速度の低下を抑制する観点から、加熱温度の下限は固相線温度の６０％以上とし、７０％以上が好ましく、８０％以上よりが好ましい。従って、はんだ合金の固相線温度が２２０℃前後である場合、加熱温度は１５５〜２１５℃とすることが好ましく、１７５〜２１０℃がより好ましい。はんだ粒子が固相線温度が１６０℃前後の低温はんだから構成される場合は、加熱温度は１１２〜１５５℃が好ましく、１３０〜１５０℃がより好ましい。必要な加熱温度は使用する固相接合用フラックスの活性によっても変動する。

加熱温度の下限は、はんだ層のはんだ付け部への接合強度が弱くなり転写が不安定化されない温度であることが好ましく、上述の温度であることが好ましい。一方、加熱温度の上限は、融点に近くなりすぎて正確な選択的転写が損なわれない温度であることが好ましく、上述の温度であることが好ましい。加熱温度を制御する必要があるので、加熱は正確な温度制御が可能で、かつ加圧が可能な加熱装置により行う。加熱と加圧は、回路基板側と転写シート側のどちらから行ってもよく、また両方から行ってもよい。

加圧によって、図３（ａ）に示すように、転写シートの粘着剤層２は塑性変形又は塑性流動し、はんだ粒子３は回路基板５の対向するはんだ付け部６又はソルダレジスト９に接触する。それに必要な加圧力は、回路基板の表面形状、粘着剤層の特性などの因子により変動するが、良好な圧着精度を得るための加圧力は０．０１〜１．０Ｎ／ｍｍ²が好ましい。加圧は、はんだ粒子がはんだ付け部に接触することができる圧力とすることが好ましい。

この加圧下での加熱により、回路基板のはんだ付け部に接触しているはんだ粒子は、溶融せずに固体粒子状態を保ちながら、はんだ付け部との接触界面においては相互に固相拡散を生じ、接触界面において両者が接合する。この固相拡散接合は、加熱温度や界面の表面状態にもよるが、典型的には１分以内で起こる。加熱時間は３０〜６０秒が好ましい。

接合界面を越えた原子の拡散を促進するには、界面が活性である必要がある。界面に酸化物皮膜などが存在する場合には、前述した固相接合用フラックスを界面に存在させて、加熱時に界面の活性化を図ることが好ましい。

固相拡散接合は溶接法の一種として実用化された技術である。溶接の場合、加熱雰囲気は真空や不活性ガス中などの制御された雰囲気である。本開示では、溶接のように高い接合強度は必要なく、固相拡散接合によるはんだ付け部とはんだ粒子層との間の接合強度が粘着剤層とはんだ粒子層との間の接合強度を上回ればよいため、接合界面が活性化されていれば、加熱雰囲気は大気雰囲気でよい。もちろん、コストを考えなければ、真空又は不活性ガス雰囲気を使用することにより、固相拡散接合に要する加熱時間を大幅に短縮でき、また固相接合用フラックスの塗布を不要にできることもある。

このようにして固相拡散接合によりはんだ付け部に付着させたはんだ粒子は、その後に溶融されても、はんだ付け部以外の領域にははんだ粒子が存在しにくいことから、ブリッジ発生の機会が激減する。この効果は、固相拡散接合を利用するかぎり、はんだ粒子の大きさには関係しないので、例えば１０μｍ程度までの比較的大きな粒径のはんだ粒子を用いても、５０μｍピッチの電極に対してブリッジの発生を生じないはんだバンプの形成が可能となる。

［工程（ｃ）］
工程（ｃ）は、工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得ることを含む工程である。工程（ｂ）において固相拡散接合によってはんだ粒子を下回路基板のはんだ付け部に接合させた後、重ね合わせた回路基板と転写シートを直ちに冷却し、転写シートを回路基板から剥離する。冷却は単に加熱装置から取り出して放冷することにより行うことができるが、冷風を吹き付けてもよい。剥離は、転写シートシートを回路基板から単に引き離すだけで実施できる。それにより、回路基板のはんだ付け部に固相拡散接合されたはんだ粒子がはんだ付け部上に残留して、粒子状のはんだバンプ１０となり、残りのはんだ粒子は転写シートに付着したまま回路基板から引き離される（図３（ｂ）参照）。こうして、回路基板のはんだ付け部へのはんだ粒子の選択的転写が達成される。

本開示に係るはんだバンプの形成方法では、形成されたはんだバンプの膜厚を高精度で制御できる。その理由は、はんだ転写シートの粘着剤層に付着するはんだ粒子の量が単位面積当りでバラツキが少ないことにある。転写シートと回路基板とを重ね合わせて圧力をかけたときに、転写シートのはんだ粒子が回路基板のはんだ付け部と接するため、該はんだ粒子が固相拡散接合したときにも、はんだ付け部にはある一定量のはんだ粒子が接合し、膜厚精度が良くなる。はんだ付け部以外のソルダレジスト面に接するはんだ粒子も粒子同士が横方向で固相拡散接合するが、その結合力は電極（はんだ付け部）との固相拡散接合による結合力より弱いと考えられる。転写シートを回路基板から引き剥がすことにより、回路基板のはんだ付け部に固相拡散接合したはんだ粒子は回路基板側に残り、転写が完了する。転写されたはんだ粒子の量がほぼ一定しているため、高精細なはんだ付け部のパターンの場合でもブリッジが発生し難い。

［工程（ｄ）］
工程（ｄ）は、工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの２又は２以上の組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄することを含む工程である。工程（ｃ）で得られた回路基板には、はんだ層の粘着剤の一部と考えられる残渣が付着することがある。限定されない一又は複数の実施形態において、この残渣を工程（ｅ）のリフロー前に洗浄することで、アンダーフィルの空孔を低減でき、また、電子部品が接合した回路基板の信頼性を向上できる。

工程（ｄ）において、工程（ｃ）で得られた回路基板を洗浄剤Ａで洗浄する方法としては、超音波洗浄法、スプレー法、浸漬揺動法、浸漬法、手拭き法の各種の洗浄手段が挙げられるが、回路基板の種類にあわせて、これらの手段を単独で又は適宜組み合わせて粘着剤残渣を洗浄することができる。回路基板への影響を抑制する観点と、洗浄性の観点からスプレー法、浸漬揺動法又は浸漬法が好ましい。洗浄剤Ａは、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。

工程（ｄ）における洗浄剤Ａの温度は、洗浄性の観点から、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上であり、また、水分の蒸発を抑制する観点から、９０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。

工程（ｄ）における洗浄時間は、付着している粘着剤残渣の量及び種類によっても異なるので一概にはいえないが、洗浄性の観点から３分以上が好ましく、５分以上がより好ましく、回路基板の製造の時間を短縮する観点から、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましい。

［洗浄剤Ａ］
洗浄剤Ａは、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、又は、これらの２若しくは２以上の組み合わせの溶剤を含む。洗浄性向上、アンダーフィル空孔の低減、及び、電子部品接合回路基板の信頼性向上の観点から、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルホルムアミドが好ましく、ベンジルアルコールがより好ましい。また、ポリイミド膜への影響を抑える観点から、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペートが好ましい。また、引火点が高い安全性の観点からベンジルアルコール、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペートが好ましい。これらを総合するとベンジルアルコールとブチルジグリコールアセテートが好ましく、ベンジルアルコールがより好ましい。

［溶剤の含有量］
洗浄剤Ａ中のベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、又は、これらの２又は２以上の組み合わせの溶剤の含有量は、洗浄性向上、アンダーフィル空孔の低減、及び、電子部品接合回路基板の信頼性向上の観点から、５０質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、６５質量％以上がさらに好ましい。また、洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から１００質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、７５質量％以下がさらに好ましい。

［アミン化合物］
洗浄剤Ａは、洗浄性向上、アンダーフィル空孔の低減、及び、電子部品接合回路基板の信頼性向上の観点から、さらにアミン化合物を含有することが好ましい。アミン化合物としては、一又は複数の実施形態において、アルカノールアミンが挙げられる。洗浄性向上、アンダーフィル空孔の低減、及び、電子部品接合回路基板の信頼性向上の観点から、アルカノールアミンとしては、メチルジエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、メチルモノエタノールアミン、ブチルモノエタノールアミン、又はこれらの２若しくは２以上の組み合わせが好ましく、ブチルジエタノールアミン、メチルモノエタノールアミン、ブチルモノエタノールアミンがより好ましく、ブチルジエタノールアミンがさらに好ましい。又はんだ腐食を抑える観点から、エチルジエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、メチルモノエタノールアミン、ブチルモノエタノールアミンが好ましい。

［アミンの含有量］
洗浄剤Ａにおけるアミン化合物の含有量は、洗浄性向上、アンダーフィル空孔の低減、及び、電子部品接合回路基板の信頼性向上の観点から、０．３質量％以上が好ましく、１．０質量％以上がより好ましく、２．０質量％以上がさらに好ましい。また、はんだ等の部材の腐食を抑える観点から、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、６．０質量％以下がさらに好ましい。

［グリコールエーテル］
洗浄剤Ａは、工程（ｄ）の洗浄のすすぎ性向上の観点から、さらにグリコールエーテルを含有することが好ましい。限定されない一又は複数の実施形態において、グリコールエーテルとして、下記一般式（Ｉ）で表されるグリコールエーテルが挙げられる。
Ｒ¹−Ｏ−（Ｒ²−Ｏ）_m−Ｒ³ （Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｒ¹は炭素数１以上８以下のアルキル基、又は、フェニル基を示し、Ｒ²は炭素数２以上４以下のアルキレン基を示し、Ｒ³は水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、又は炭素数１以上４以下のアシル基若しくはアリル基を示し、ｍは１以上８以下の数を示す。］

前記一般式（Ｉ）で表される化合物として、限定されない一又は複数の実施形態において、トリエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｒ¹がブチル基、Ｒ²がエチレン基、Ｒ³が水素原子、ｍ＝３）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（Ｒ¹がヘキシル基、Ｒ²がエチレン基、Ｒ³が水素原子、ｍ＝２）、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル（Ｒ¹がフェニル基、Ｒ²がエチレン基、Ｒ³が水素原子、ｍ＝３）又は、これらの２若しくは２以上の組み合わせが挙げられる。

洗浄剤Ａにおけるグリコールエーテルの含有量は、すすぎ性向上の観点から、１質量％以上が好ましく、５．０質量％以上がより好ましく、１０質量％以上がさらに好ましい。また、洗浄性向上の観点から、３５質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。

［水］
洗浄剤Ａは、取扱性及び安全性向上の観点から水を含有することが好ましい。水としては、電子部品が接合した回路基板の電気的信頼性向上の観点から、イオン交換水、純水、超純水が好ましい。電子部品が接合した回路基板の生産性向上の観点からイオン交換水がより好ましい。イオン交換水は、イオン交換水製造装置によって得ることができる。

［水の含有量］
洗浄剤Ａにおける水の含有量は、取扱性及び安全性向上の観点から、３．０質量％以上が好ましく、５．０質量％以上がより好ましく、７．０質量％以上がさらに好ましい。また、洗浄性向上の観点から、４０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。

さらに、工程（ｄ）は、洗浄処理が終了した後、回路基板上に残存している洗浄剤Ａに可溶化した汚れ及び／又は洗浄剤Ａの成分を回路基板から取り除く観点から、すすぎ処理を行うことが好ましい。すすぎ処理では、水又はアルコールを用いることが好ましい。さらに洗浄処理又はすすぎ処理が終了した後、回路基板表面に残存している水分を除去するために、乾燥処理を行うことが好ましい。

すすぎ処理の方法としては、浸漬法、超音波洗浄法、浸漬揺動法、スプレー法の各種の方法が挙げられる。すすぎ性の観点から、スプレー法及び浸漬法が好ましく、スプレー法及び浸漬法を併用することがより好ましい。リンス処理の温度は、すすぎ性の観点から、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上であり、また、水分の蒸発を抑制する観点から、９０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。すすぎ処理の時間は、すすぎ性の観点から３分以上が好ましく、５分以上がより好ましく、回路基板の製造の時間を短縮する観点から、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましい。

また、乾燥処理における乾燥方法としては、例えば、オーブンや送風乾燥機で乾燥させる方法が挙げられ、その乾燥温度は、乾燥性の観点から８０℃以上が好ましく、回路基板への影響を抑制する観点から１２０℃以下に加熱することが好ましく、１００℃以下がより好ましい。

［工程（ｅ）］
工程（ｅ）は、工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄することを含む工程である。すなわち、工程（ｄ）で得られた回路基板、すなわち、はんだ付け部の上に固相拡散接合されたはんだ粒子を有する回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板、はんだ粒子を構成するはんだ合金の液相線温度以上に加熱して、はんだ粒子を溶融（リフロー）させることにより、図３（ｃ）に示すように、溶融凝集し、表面張力により中心部が高くなって丸くなったはんだバンプ１０’を回路基板のはんだ付け部に形成できる。それにより、回路基板のはんだ付け部へのはんだバンプの接合信頼性が高まる。また、固相拡散接合されたはんだ粒子の状態では回路基板に強い衝撃が加わった場合に一部のはんだ粒子が脱落する可能性があるが、その脱落も防止できる。従って、はんだ粒子をリフローすることにより回路基板の取扱性が改善される。

このはんだ粒子のリフローを行う場合には、加熱前にリフロー用フラックスを回路基板の全体に又はそのはんだ付け部（すなわち、はんだバンプ）に塗布する。また、リフロー後、冷却した回路基板を洗浄してフラックス残渣を除去する。使用するフラックスはリフローはんだ付けに慣用のものでよい。洗浄は、使用したフラックスに応じて、例えば、水溶性フラックスでは温水を用いて、樹脂系フラックスではアルコールなどの有機溶剤を用いて行うことができる。加熱条件は、通常のリフローはんだ付けと同程度でよい。例えば、はんだ合金の液相線温度より５〜４０℃高い温度に１〜３０秒程度加熱することにより実施できる。

［工程（ｆ）］
工程（ｆ）は、工程（ｅ）で得られた回路基板上に電子部品を乗せ、前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱して、電子部品のはんだ付け部と回路基板のはんだ付け部とを接合することを含む工程である。

工程（ｆ）では、その他の一又は複数の実施形態において、工程（ｅ）で得られた回路基板上のはんだ付け部のはんだバンプ１０’に、必要に応じてフラックスを塗布した後、その上にはんだ付けすべき電子部品を乗せてリフローすることにより、電子部品の回路基板へのはんだ付けを行う。

工程（ｆ）は、その他の一又は複数の実施形態において、下記（ｆ１）〜（ｆ４）を含む工程である。
（ｆ１） 工程（ｅ）で得られた回路基板上に電子部品を乗せる工程。
（ｆ２） 工程（ｆ１）で得られた電子部品を乗せた回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱して、電子部品のはんだ付け部と回路基板のはんだ付け部とを接合する工程。
（ｆ３） 工程（ｆ２）で得られた電子部品と接合された回路基板を洗浄する工程。
（ｆ４） 工程（ｆ３）で得られた、電子部品と接合された回路基板において、電子部品と回路基板の隙間にアンダーフィル（液状硬化樹脂）を充填し、アンダーフィルを硬化させる工程。

工程（ｆ１）の限定されない一又は複数の実施形態を図４（ａ）に示す。はんだ付け部（電極）４２及びはんだバンプ４３を有する電子部品４１が、工程（ｅ）で得られた基板５の上に配置される。工程（ｆ２）の限定されない一又は複数の実施形態を図４（ｂ）に示す。電子部品４１を搭載した回路基板５をリフローすることにより、はんだ４４が形成され、はんだ付け部（電極）４２とはんだ付け部（電極）６とが接合される。工程（ｆ４）の限定されない一又は複数の実施形態を図４（ｃ）及び（ｄ）に示す。工程（ｆ３）により洗浄された後、ノズル４５からアンダーフィル４６が供給される（図４（ｃ））。アンダーフィルは、毛管現象で電子部品４１と回路基板５との間に充填される。充填後、アンダーフィルを硬化し、電位部品４１の搭載が完了する（図４（ｄ））。

本開示において、回路基板に接合する電子部品は、限定されない一又は複数の実施形態において、ＩＣチップが挙げられ、その種類は特に限定されない。また、本開示において電子部品が接合した回路基板は、限定されない一又は複数の実施形態において、半導体パッケージが挙げられ、その種類は特に限定されない。

また、前記工程（ａ）〜（ｅ）の工程によれば、はんだバンプが形成された回路基板を製造できる。したがって、本発明は、その他の態様において、前記工程（ａ）〜（ｅ）を含む、はんだ付け部にはんだバンプが形成された回路基板の製造方法に関する。本態様の製造方法における工程（ａ）〜（ｅ）は前述のとおりとすることができる。本態様の製造方法によれば、一又は複数の実施形態において、電子部品が接合した回路基板の信頼性を向上できる回路基板を製造できる。

さらに、前記工程（ａ）〜（ｅ）の工程によれば、回路基板上にはんだバンプを形成できる。したがって、本発明は、その他の態様において、前記工程（ａ）〜（ｅ）を含む、回路基板の第１の面上のはんだ付け部にはんだバンプを形成する方法に関する。本態様の方法における工程（ａ）〜（ｅ）は前述のとおりとすることができる。本態様の方法によれば、一又は複数の実施形態において、電子部品が接合した回路基板の信頼性を向上できるはんだバンプを形成できる。

上述した実施形態に関し、本開示はさらに以下の組成物、製造方法、或いは用途を開示する。

＜１＞下記工程（ａ）〜（ｆ）を含む、電子部品が接合した回路基板の製造方法。
（ａ） 支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、回路基板のはんだ付け部を有する第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置する工程、ここで前記はんだ層は、１層に密に隙間なく存在させたはんだ粒子が粘着剤層を介して前記支持基材に付着している層である。
（ｂ） 工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせる工程。
（ｃ） 工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得る工程。
（ｄ） 工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの２以上の組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄する工程。
（ｅ） 工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄する工程。
（ｆ） 工程（ｅ）で得られた回路基板上に電子部品を乗せ、前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱して、電子部品のはんだ付け部と回路基板のはんだ付け部とを接合する工程。

＜２＞ 下記工程（ａ）〜（ｅ）を含む、はんだ付けすべき部分（以下、はんだ付け部という）にはんだバンプが形成された回路基板の製造方法。
（ａ） 支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、回路基板のはんだ付け部を有する第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置する工程、ここで前記はんだ層は、１層に密に隙間なく存在させたはんだ粒子が粘着剤層を介して前記支持基材に付着している層である。
（ｂ） 工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせる工程。
（ｃ） 工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得る工程。
（ｄ） 工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄する工程。
（ｅ） 工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄する工程。
＜３＞ 下記工程（ａ）〜（ｅ）を含む、回路基板の第１の面上のはんだ付けすべき部分（以下、はんだ付け部という）にはんだバンプを形成する方法。
（ａ） 支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、前記回路基板の第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置する工程、ここで前記はんだ層は、１層に密に隙間なく存在させたはんだ粒子が粘着剤層を介して前記支持基材に付着している層である。
（ｂ） 工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせる工程。
（ｃ） 工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得る工程。
（ｄ） 工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄する工程。
（ｅ） 工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄する工程。
＜４＞ 前記はんだ層が、前記回路基板の全てのはんだ付け部を覆う大きさである、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の方法。
＜５＞ 前記はんだが鉛フリーはんだである、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の方法。
＜６＞ 前記工程（ａ）において、前記はんだ層と前記回路基板のはんだ付け部との界面にフラックスを介在させる、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の方法。
＜７＞ 前記工程（ｂ）における加熱温度が、前記はんだ合金の固相線温度より少なくとも５℃低い温度である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の方法。
＜８＞ 前記はんだ層が、支持基材上に粘着剤層を形成し、この粘着剤層上にはんだ粒子を散布してはんだ粒子層を粘着剤層に付着させ、前記粘着剤層に付着していないはんだ粒子を除去することにより形成されたものである、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の方法。
＜９＞ 粘着剤層の粘着剤が、好ましくは常温もしくは常温以上の温度で粘着性を発現する粘着剤であり、又は、好ましくはアクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、及びフッ素系粘着剤から選ばれた少なくとも１種である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の方法。
＜１０＞ 前記回路基板のはんだ付け部が金及び白金から選ばれた金属の表面を有する、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の方法。
＜１１＞ 前記回路基板のはんだ付け部以外の部が、ソルダレジストにより被覆されている表面、及び樹脂が露出している表面から選ばれた表面を有する、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の方法。
＜１２＞ 工程（ｄ）における洗浄方法が、好ましくは、超音波洗浄法、スプレー法、浸漬揺動法、浸漬法、手拭き法、又はこれらの手段の２以上の組み合わせであり、より好ましくは、スプレー法、浸漬揺動法又は浸漬法である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の方法。
＜１３＞ 工程（ｄ）における洗浄剤Ａの温度が、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上、及び／又は、好ましくは９０℃以下、より好ましくは８０℃以下である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の方法。
＜１４＞ 工程（ｄ）における洗浄時間が、好ましくは３分以上、より好ましくは５分以上であり、及び／又は、好ましくは３０分以下、より好ましくは２０分以下である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の方法。
＜１５＞ 洗浄剤Ａが、好ましくはベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート若しくはジメチルホルムアミド、より好ましくはベンジルアルコールであり、又は、好ましくはベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド若しくはジメチルアジペートであり、又は、好ましくはベンジルアルコール、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド若しくはジメチルアジペートであり、又は、好ましくはベンジルアルコール若しくはブチルジグリコールアセテート、より好ましくはベンジルアルコールである、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の方法。
＜１６＞ 洗浄剤Ａ中のベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、又は、これらの２又は２以上の組み合わせの溶剤の含有量が、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは６５質量％以上であり、及び／又は、好ましくは１００質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは７５質量％以下である、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の方法。
＜１７＞ 洗浄剤Ａが、好ましくはさらにアミン化合物を含有する、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の方法。
＜１８＞ アミン化合物が、好ましくはアルカノールアミンとしては、メチルジエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、メチルモノエタノールアミン、ブチルモノエタノールアミン、又はこれらの２若しくは２以上の組み合わせ、より好ましくはブチルジエタノールアミン、メチルモノエタノールアミン若しくはブチルモノエタノールアミン、さらに好ましくはブチルジエタノールアミンであり、又は、好ましくはエチルジエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、メチルモノエタノールアミン若しくはブチルモノエタノールアミンである、＜１７＞記載の方法。
＜１９＞ 洗浄剤Ａにおけるアミン化合物の含有量が、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは２．０質量％以上であり、及び／又は、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下である、＜１７＞又は＜１８＞に記載の方法。
＜２０＞ 洗浄剤Ａが、好ましくはさらにグリコールエーテルを含有する、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の方法。
＜２１＞ グリコールエーテルが、好ましくは下記一般式（Ｉ）で表されるグリコールエーテルである、＜２０＞記載の方法。
Ｒ¹−Ｏ−（Ｒ²−Ｏ）_m−Ｒ³ （Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｒ¹は炭素数１以上８以下のアルキル基、又は、フェニル基を示し、Ｒ²は炭素数２以上４以下のアルキレン基を示し、Ｒ³は水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、又は炭素数１以上４以下のアシル基若しくはアリル基を示し、ｍは１以上８以下の数を示す。］
＜２２＞ 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、好ましくはトリエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｒ¹がブチル基、Ｒ²がエチレン基、Ｒ³が水素原子、ｍ＝３）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（Ｒ¹がヘキシル基、Ｒ²がエチレン基、Ｒ³が水素原子、ｍ＝２）、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル（Ｒ¹がフェニル基、Ｒ²がエチレン基、Ｒ³が水素原子、ｍ＝３）又は、これらの２若しくは２以上の組み合わせである、＜２１＞記載の方法。
＜２３＞ 洗浄剤Ａにおけるグリコールエーテルの含有量が、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５．０質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上であり、及び／又は、好ましくは３５質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である、＜２０＞から＜２２＞のいずれかに記載の方法。
＜２４＞ 洗浄剤Ａにおける水の含有量が、好ましくは３．０質量％以上、より好ましくは５．０質量％以上、さらに好ましくは７．０質量％以上であり、及び／又は、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の方法。
＜２５＞ 工程（ｄ）は、洗浄処理が終了した後、好ましくはすすぎ処理を行う、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の方法。
＜２６＞ 回路基板のはんだ付け部が電極であり、回路基板の電極径が好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは１０〜５０μｍであり、又は、電極ピッチ（隣接する電極の中心間距離）が好ましくは１５０μｍ以下、より好ましくは２０〜１００μｍであり、電極高さが好ましくは５〜２０μｍである、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載の方法。
＜２７＞ 前記工程（ｆ）が、下記（ｆ１）〜（ｆ４）を含む工程である、＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の方法。
（ｆ１） 工程（ｅ）で得られた回路基板上に電子部品を乗せる工程。
（ｆ２） 工程（ｆ１）で得られた電子部品を乗せた回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱して、電子部品のはんだ付け部と回路基板のはんだ付け部とを接合する工程。
（ｆ３） 工程（ｆ２）で得られた電子部品と接合された回路基板を洗浄する工程、
（ｆ４） 工程（ｆ３）で得られた、電子部品と接合された回路基板において、電子部品と回路基板の隙間にアンダーフィル（液状硬化樹脂）を充填し、アンダーフィルを硬化させる工程。

以下の実施例は本開示の例示を目的とし、本開示をいかなる意味でも制限する意図はない。実施例中、％は特に指定しない限り質量％である。

［実施例１、比較例１〜３］
図５に示すフロー図に従ってＩＣチップが接合した回路基板を製造した。
〔はんだ転写シート〕
５０μｍ厚のポリエステル（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの片面に、アクリル系粘着剤を用いて厚み２５μｍの粘着剤層が形成されている市販の粘着シート（千住金属工業株式会社製、型番ＳＡＳ−０１）を、１００×１００ｍｍの大きさの切断し、粘着剤層を備えた支持基材として用いた。
錫―銀３．５％共晶はんだ合金（固相線温度と液相線温度は共に２２１℃）の球状粉末を粒径５μｍから１０μｍの範囲に分級して得たはんだ粒子を、図１（ｂ）および（ｃ）に示すようにして、粘着シートの粘着層に粒子１層分の厚みで付着させ、はんだ転写シートを作製した。はんだ粒子は、付着の直前に５重量％のブタンテトラカルボン酸のイソプロピルアルコール溶液中に１分間浸漬後、水洗乾燥して表面酸化物皮膜を除去してから使用した。
〔回路基板〕
はんだバンプの形成に用いた回路基板は、厚さ３００μｍ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍのガラスエポキシ基板であった。この基板は、直径２５μｍの銅表面の電極を、５０μｍのピッチで１チップあたり３６００個有していた。基板表面の電極周囲は、電極より高い高さ１５μｍのソルダレジストで囲まれていた。

〔はんだ粒子の転写〕
まず、回路基板と同じサイズに切断したはんだ転写シートを、そのはんだ粒子層が回路基板の電極と対向するよう回路基板に重ね合わせ（工程（ａ））、プレスにより加圧力１５０Ｎ（＝０．６７Ｎ／ｍｍ²）で加圧し、加熱手段としてパルスヒーターを用いて２００℃の温度設定で回路基板側から６０秒間加熱した（工程（ｂ））。加圧下での加熱が終了した後、放冷により室温まで冷却し、転写シートを回路基板から手で剥がしたところ、回路基板の電極だけにはんだ粒子が転写され、粒子状のはんだバンプを形成していた（工程（ｃ））。はんだ粒子の外観は元の球状を維持しており、溶融はしていなかった。また、マイクロスコープで観察したところ、レジストにははんだ粒子は全く付着していなかった。しかし、転写シートの粘着剤は、はんだ粒子の表面、及びレジスト表面に付着していた。

〔洗浄Ａ〕
次に、転写されたはんだ粒子を有する回路基板を下記条件で洗浄した。（工程（ｄ））
＜洗浄方法−１＞
洗浄Ａは、シャワー式洗浄装置を用いて行った。シャワー式洗浄装置は、洗浄する基板をはさんで互いに対向する位置に配置された一対のノズルを備え、基板の両側から基板へ向けて洗浄液を噴射可能とする構成とした。ノズルは、株式会社いけうち製のＪ０７０を用いた。シャワー式洗浄装置は、噴射された洗浄液をバット内に戻してポンプで吸引し再びノズルから噴射する構成とし、洗浄液を循環して使用した。まず、テストピースを６０℃の洗浄液でシャワー圧力０．３ＭＰａで１５分間シャワー洗浄した後、同装置内で６０℃のイオン交換水にてシャワー圧力０．３ＭＰａで５分間シャワーリンス、さらに新たな６０℃のイオン交換水に５分間浸漬リンスを行った。次いで８５℃の送風乾燥機で１５分間乾燥した。洗浄剤Ａとして、ベンジルアルコール（１００質量％）を使用した。

〔リフローによるはんだバンプ形成〕
形成された粒子状のはんだバンプは、リフロー加熱してはんだ粒子を溶融させてから、はんだ付けに使用した。リフロー時にはんだ粒子が溶融凝集し、電極ピッチが微小でも、ブリッジの生成は見られなかった。

本例では、粒子状のはんだバンプに、リフロー用フラックスとして市販の千住金属工業社製樹脂系フラックス（商品名：ガンマラックス３４１−３０Ｐ）を約２０μｍの厚さに塗布し、窒素雰囲気リフロー炉中で最高温度２５０℃、加熱時間１０秒間でリフローしてはんだ粒子を溶融させた。その後、フラックス残渣を洗浄剤で洗浄除去した（洗浄Ｂ）（工程（ｅ））。洗浄Ｂは、以下の方法で実施した。この洗浄にてはんだバンプ形成が完了し、続いてＩＣチップ搭載の工程を行った。
洗浄Ｂ ＜洗浄方法−２＞
洗浄Ｂは、洗浄Ａで使用したシャワー式洗浄装置と同様の構成のシャワー式洗浄装置を用いて行った。洗浄前の基板テストピースに６０℃の洗浄剤Ｂをシャワー圧力０．３ＭＰａで３分間シャワーした後、同装置内で６０℃のイオン交換水にてシャワー圧力０．３ＭＰａで５分間シャワーリンスで第１リンスを行い、さらに同装置内で新たな６０℃のイオン交換水に５分間浸漬して第２リンスを行った。次いで８５℃の送風乾燥機で１５分間乾燥した。洗浄剤Ｂとして、グリコールエーテル系洗浄剤組成（ブチルジグリコール（９２質量％）、ジエタノールアミン（１質量％）、水（７質量％））を使用した。

〔ＩＣチップの搭載〕
上述のように形成したはんだバンプとＩＣチップとの接続に際し、前記バンプ上にＩＣチップ−バンプ接続用フラックス（千住金属製、商品名：ＰＯ−Ｆ−１０１０Ｓ）を約１０μの厚さに塗布し、ＩＣチップを搭載した（工程（ｆ１））。ＩＣチップは、１０ｍｍ角のＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）用ＩＣチップを用い、５０μｍのピッチで３６００個の電極を有していた。ＩＣチップの表面にはポリイミドの絶縁膜を有している。窒素雰囲気リフロー炉中で最高温度２５０℃、加熱時間１０秒間でリフローしてはんだ粒子を溶融、ＩＣチップと接合させた（工程（ｆ２））。その後、フラックス残渣を洗浄剤で洗浄除去した（洗浄Ｃ）（工程（ｆ３））。洗浄方法は、前記洗浄方法−２と同様であるが、洗浄期間をすべて１０分でおこなった。

〔アンダーフィルの充填・硬化〕
その後、基板−ＩＣチップ間にアンダーフィル剤（日立化成工業製、商品名：ＣＥＬ−Ｃ−３７２０）を充填する。アンダーフィルの充填は、基板を１００℃に加温し、ディスペンサーでＩＣチップ-基板の隙間に隙間が十分に満たされる量滴下し、その後、１６５℃の恒温槽内で、２時間かけて基板-ＩＣチップ間に浸透、硬化させ、ＩＣチップが接合した回路基板を得た（工程（ｆ４））。得られた回路基板について、下記の条件でアンダーフィル充填性評価を行った。その結果を下記表１に示す。なお、比較例として、洗浄Ａを行なわず、洗浄Ｂを実施例１の洗浄剤Ａを用いて行った例（比較例１）、洗浄Ａを実施例１の洗浄剤Ｂを用いて行った例（比較例２）、洗浄Ａを行わなかった例（比較例３）を行った。それらの結果も下記表１に示す。

＜アンダーフィルの充填性評価方法＞
ＩＣチップ搭載後基板のアンダーフィル部に空孔がどの程度あるかは、透過型Ｘ線検査装置型式ＴＵＸ−３１００を用いて測定した。その結果を、１０μｍ径を空孔１個と換算した個数を、アンダーフィル部の空孔の個数として下記表１に示す。空孔が多いほど製品後の電気信頼性が低いことを表す。よって、電気信頼性の判定の基準として、下記の基準とした。
〔判定基準〕
Ａ（良好）・・アンダーフィル部の空孔個数：０〜３
Ｂ（許容）・・アンダーフィル部の空孔個数：４〜１９
Ｃ（不良）・・アンダーフィル部の空孔個数：２０以上

前記表１に示す通り、実施例１は、比較例１〜３に比べて、アンダーフィル特性が向上していた。

［実施例２〜１１］
洗浄剤Ａの組成を下記表２に示す組成とした他は、実施例１と同様に図５のフローに従いＩＣチップが接合した回路基板を製造し、洗浄Ａを行った後の洗浄性評価及びアンダーフィルの充填性評価を行った。実施例４〜８にはアミン化合物が添加され、実施例９〜１１では、アミン化合物及びグリコールエーテルが添加されている。すすぎ性評価及び部材への影響評価は、洗浄性評価及びアンダーフィルの充填性評価とは別のテストピースを用いて行った。各評価条件を以下に、その結果を下記表２に示す。

＜洗浄性評価方法＞
洗浄性評価は、洗浄Ａ後の粘着剤残留個数で行い、指標は、バンプ周辺の２００μｍ角のエリア内の１０μｍサイズの残留を１個と換算した残留個数で示した。洗浄性評価には、粘着剤付着シートを剥がした後でばらつきがあるが、回路基板の洗浄前の粘着剤付着個数が、１００個以上（およそ１００〜３００個）のものを使用した。観察は、マイクロスコープでおこなった。ソルダレジスト上の残渣は、上記同様にバンプを形成していない２００μｍ角の範囲を観察し１０μｍサイズの残留を１個と換算した残留個数で示した。

＜洗浄剤のすすぎ性評価方法＞
すすぎ性の評価は、洗浄Ｂまで行ったはんだバンプが完成した基板をテストピースとして実施した。基板を６０℃の洗浄液に１分間浸漬後、６０℃のイオン交換水に５秒間浸漬した。その後イオン交換水への浸漬を繰り返し、表面の洗浄剤をすべてすすげる回数を測定した。すすぎの状態は目視で確認し、水をはじく部分が無くなったときにすすぎ完了と判断した。評価指標は、完全に洗浄剤がすすげる浸漬回数とした。
〔判定基準〕
Ａ（良好）・・３回以下ですすぎ完了。
Ｂ（許容）・・４〜７回ですすぎ完了。
Ｃ（不良）・・８回以上のすすぎが必要。

＜部材への影響評価方法＞
使用される可能性が高い部材への影響評価方法は、テストピースを洗浄剤に３０分浸漬し、材料の変色、表面あれ、クラックの発生の有無を目視にて判定した。判定は、マイクロスコープ１０００倍にて実施し、変色、表面あれ、クラックをチェックし、結果を表２、３に記載した。各種部材のモデルとして、はんだバンプ、ニッケル−金、ポリイミド及びガラスエポキシ基板を使用した。テストピースとして、はんだバンプ、ニッケル−金、ポリイミドは、基板上に形成した材料を用いた。ガラスエポキシ基板は、市販のガラスエポキシ基板（ＦＲ−４）をテストピースとして使用した。

前記表２に示す通り、アミン化合物が添加された実施例４〜８では、実施例２及び３に比べて洗浄性が向上した。また、アミン化合物及びグリコールエーテルが添加された実施例９〜１１では、実施例２及び３に比べて洗浄性が向上し、さらに、すすぎ性が向上した。

［実施例１２〜１７、比較例４〜７］
洗浄剤Ａの溶剤を下記表３に示す溶剤とした他は、実施例１と同様に図５のフローに従いＩＣチップが接合した回路基板を製造した。洗浄Ａを行った後の洗浄性評価及び部材への影響評価を前述と同様の条件で行った。その結果を下記表３に示す。洗浄性評価及び部材への影響評価は、実施例１３のテトラヒドロフラン、比較例４のイソプロピルアルコール、比較例５のエタノール及び比較例６のトルエンは室温（２０℃）で、実施例１５のジメチルスルホオキシドは８０℃で、実施例１７のジメチルホルムアミドは５０℃の温度で洗浄した以外は、実施例２と同様の方法で評価した。

前記表３に示す通り、実施例１３〜１７のベンジルアルコール以外の溶剤を用いた場合は、実施例１２のベンジルアルコールと同等以上の洗浄性であった。実施例１３のテトラヒドロフラン及び実施例１７のジメチルホルムアミドは、ベンジルアルコール以上の洗浄性を有しているが、テトラヒドロフランは沸点が低いため洗浄温度が制限され、ジメチルホルムアミドはポリイミド膜に対してクラックが観察されたことから、洗浄対象の部材が制限されると考えられる。一方、比較例４〜７の溶剤を用いた場合の粘着剤の洗浄性判定は、洗浄性におけるレジスト上及びバンプ上の粘着剤の残留数を１００以上としたが、目視観察では洗浄前の粘着剤付着状態と比較して全く変化が見られず、洗浄効果を示さなかった。

Claims (13)

1. 下記工程（ａ）〜（ｆ）を含む、電子部品が接合した回路基板の製造方法。
   （ａ） 支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、回路基板のはんだ付け部を有する第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置する工程、ここで前記はんだ層は、１層に密に隙間なく存在させたはんだ粒子が粘着剤層を介して前記支持基材に付着している層である。
   （ｂ） 工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせる工程。
   （ｃ） 工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得る工程。
   （ｄ） 工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの２以上の組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄する工程。
   （ｅ） 工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄する工程。
   （ｆ） 工程（ｅ）で得られた回路基板上に電子部品を乗せ、前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱して、電子部品のはんだ付け部と回路基板のはんだ付け部とを接合する工程。
2. 下記工程（ａ）〜（ｅ）を含む、はんだ付けすべき部分（以下、はんだ付け部という）にはんだバンプが形成された回路基板の製造方法。
   （ａ） 支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、回路基板のはんだ付け部を有する第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置する工程、ここで前記はんだ層は、１層に密に隙間なく存在させたはんだ粒子が粘着剤層を介して前記支持基材に付着している層である。
   （ｂ） 工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせる工程。
   （ｃ） 工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得る工程。
   （ｄ） 工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄する工程。
   （ｅ） 工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄する工程。
3. 下記工程（ａ）〜（ｅ）を含む、回路基板の第１の面上のはんだ付けすべき部分（以下、はんだ付け部という）にはんだバンプを形成する方法。
   （ａ） 支持基材の少なくとも片面に付着した、少なくとも隣接する２以上のはんだ付け部を覆う大きさのはんだ層を有するはんだ転写シートを、前記回路基板の第１の面に、前記転写シートのはんだ層を対向させて配置する工程、ここで前記はんだ層は、１層に密に隙間なく存在させたはんだ粒子が粘着剤層を介して前記支持基材に付着している層である。
   （ｂ） 工程（ａ）で得られた、前記転写シートが配置された前記回路基板を、前記転写シートのはんだ層を構成するはんだ合金の固相線温度より低温に加圧下で加熱して、回路基板のはんだ付け部と転写シートのはんだ層との間で選択的に固相拡散接合を生じさせる工程。
   （ｃ） 工程（ｂ）の後で、前記転写シートと前記回路基板とを剥離して、はんだ付け部に前記はんだ層が付着した回路基板を得る工程。
   （ｄ） 工程（ｃ）で得られた回路基板を、ベンジルアルコール、テトラヒドロフラン、ブチルジグリコールアセテート、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルホルムアミド、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる溶剤を含む洗浄剤Ａで洗浄する工程。
   （ｅ） 工程（ｄ）で得られた回路基板にフラックスを塗布した後、回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱してはんだ層を溶融し、はんだを固化させ、回路基板上のフラックス残渣を洗浄する工程。
4. 前記洗浄剤Ａが、さらにアミン化合物を含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
5. 前記洗浄剤Ａが、さらにグリコールエーテルを含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
6. 前記はんだ層が、前記回路基板の全てのはんだ付け部を覆う大きさである、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
7. 前記はんだが鉛フリーはんだである、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
8. 前記工程（ａ）において、前記はんだ層と前記回路基板のはんだ付け部との界面にフラックスを介在させる、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
9. 前記工程（ｂ）における加熱温度が、前記はんだ合金の固相線温度より少なくとも５℃低い温度である、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
10. 前記はんだ層が、支持基材上に粘着剤層を形成し、この粘着剤層上にはんだ粒子を散布してはんだ粒子層を粘着剤層に付着させ、前記粘着剤層に付着していないはんだ粒子を除去することにより形成されたものである、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
11. 前記回路基板のはんだ付け部が金及び白金から選ばれた金属の表面を有する、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
12. 前記回路基板のはんだ付け部以外の部が、ソルダレジストにより被覆されている表面、及び樹脂が露出している表面から選ばれた表面を有する、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
13. 前記工程（ｆ）が、下記（ｆ１）〜（ｆ４）を含む工程である、請求項１及び４から１２のいずれかに記載の方法。
    （ｆ１） 工程（ｅ）で得られた回路基板上に電子部品を乗せる工程。
    （ｆ２） 工程（ｆ１）で得られた電子部品を乗せた回路基板を前記はんだ合金の液相線温度以上の温度に加熱して、電子部品のはんだ付け部と回路基板のはんだ付け部とを接合する工程。
    （ｆ３） 工程（ｆ２）で得られた電子部品と接合された回路基板を洗浄する工程、
    （ｆ４） 工程（ｆ３）で得られた、電子部品と接合された回路基板において、電子部品と回路基板の隙間にアンダーフィル（液状硬化樹脂）を充填し、アンダーフィルを硬化させる工程。

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