TW201444438A - 接合電子零件之電路基板之製造方法 - Google Patents

接合電子零件之電路基板之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201444438A
TW201444438A TW102148870A TW102148870A TW201444438A TW 201444438 A TW201444438 A TW 201444438A TW 102148870 A TW102148870 A TW 102148870A TW 102148870 A TW102148870 A TW 102148870A TW 201444438 A TW201444438 A TW 201444438A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solder
circuit board
layer
transfer sheet
circuit substrate
Prior art date
Application number
TW102148870A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI618463B (zh
Inventor
Hirokazu Kawashimo
Takeo Saitoh
Atsushi Ikeda
Manabu Muraoka
Hiroki Oshima
Kaichi Tsuruta
Original Assignee
Kao Corp
Senju Metal Industry Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kao Corp, Senju Metal Industry Co filed Critical Kao Corp
Publication of TW201444438A publication Critical patent/TW201444438A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI618463B publication Critical patent/TWI618463B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81193—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83102—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus using surface energy, e.g. capillary forces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0338—Transferring metal or conductive material other than a circuit pattern, e.g. bump, solder, printed component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/0425—Solder powder or solder coated metal powder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/043—Reflowing of solder coated conductors, not during connection of components, e.g. reflowing solder paste
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/0485—Tacky flux, e.g. for adhering components during mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本發明提供一種可提高焊接有電子零件之電路基板之可靠性之製造方法、或焊料凸塊之形成方法。本發明係關於一種接合電子零件之電路基板之製造方法，其包括下述步驟(a)~(e)：(a)將焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與電路基板之具有焊接部之第1面對向之方式進行配置之步驟；(b)將配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用洗淨劑A將上述電路基板洗淨之步驟；及(e)於上述電路基板塗佈助焊劑後，將電路基板加熱至焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使其固化，並將助焊劑殘渣洗淨之步驟。

Description

接合電子零件之電路基板之製造方法
本發明係關於一種接合電子零件之電路基板之製造方法、形成有焊料凸塊之電路基板之製造方法、及焊料凸塊之形成方法。
作為於電路基板形成焊料凸塊之方法，國際公開第2010/093031號中揭示使用轉印片，於電路基板之應進行焊接之部分選擇性地藉由固相擴散接合而形成焊料凸塊之方法(“固相擴散轉印法”)。
作為塑膠去除用洗淨劑，日本專利特開平11-170270號公報中揭示含有芳香族化合物、有機系鹼劑、及環氧烷化合物等之洗淨劑組合物。
作為助焊劑(solder flux)去除用洗淨劑，國際公開第2005/021700號中揭示含有苄醇、胺基醇、及二醇醚等之洗淨劑。
對應於電子機器之小型化，要求於具有電極間距為50μm或其以下之微細之電極的電路基板之焊接部(例如電極等)形成焊料凸塊。為了應對該趨勢，國際公開第2010/093031號中記載有使用轉印片，於電路基板之應進行焊接之部分選擇性地藉由固相擴散接合而形成焊料凸塊的方法(固相擴散轉印法)。然而，發現於國際公開第2010/093031號之固相擴散轉印法中，存在焊接有IC(Integrated Circuit，積體電路)晶片等電子零件之電路基板例如於長時間之加溫加濕條件下引起絕緣 不良等可靠性受損的情況。
本發明於一態樣中提供一種可提高由具有藉由固相擴散轉印法形成之焊料凸塊之電路基板製造的焊接有電子零件之電路基板之可靠性之製造方法、及/或焊料凸塊之形成方法。
本發明於一態樣中，係關於一種接合電子零件之電路基板之製造方法，其包括下述步驟(a)~(f)：(a)將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上之焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與電路基板之具有焊接部之第1面對向之方式進行配置之步驟，此處，上述焊料層為以1層緊密無間隙地存在之焊料粒子經由黏著劑層而附著於上述支持基材之層；(b)將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之兩種以上之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨之步驟；(e)將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，並將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨之步驟；及(f)於步驟(e)中所獲得之電路基板上載置電子零件，並加熱至上 述焊料合金之液相線溫度以上之溫度，而將電子零件之焊接部與電路基板之焊接部接合之步驟。
本發明於另一態樣中，係關於一種於應進行焊接之部分(以下，稱為焊接部)形成有焊料凸塊的電路基板之製造方法，其包括下述步驟(a)~(e)：(a)將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上之焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與電路基板之具有焊接部之第1面對向之方式進行配置之步驟，此處，上述焊料層為以1層緊密無間隙地存在之焊料粒子經由黏著劑層而附著於上述支持基材之層；(b)將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨之步驟；及(e)將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，並將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨之步驟。
本發明於另一態樣中，係關於一種於電路基板之第1面上之應進行焊接之部分(以下，稱為焊接部)形成焊料凸塊之方法，其包括下述步驟(a)~(e)：(a)將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上 之焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與電路基板之具有焊接部之第1面對向之方式進行配置之步驟，此處，上述焊料層為以1層緊密無間隙地存在之焊料粒子經由黏著劑層而附著於上述支持基材之層；(b)將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨之步驟；及(e)將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，並將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨之步驟。
根據本揭示，於一態樣中，可提高接合電子零件之電路基板之可靠性。
1‧‧‧支持基材
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧焊料粒子
5‧‧‧電路基板
6‧‧‧焊接部(電極)
7‧‧‧助焊劑塗敷器
8‧‧‧液狀助焊劑
9‧‧‧阻焊劑
10‧‧‧焊料凸塊
10'‧‧‧焊料凸塊
41‧‧‧電子零件
42‧‧‧焊接部(電極)
43‧‧‧焊料凸塊
44‧‧‧焊料
45‧‧‧噴嘴
46‧‧‧底部填充劑
圖1(a)~(c)係表示本發明之具有焊料粒子層之焊料轉印片之製造方法之步驟之一實施形態的說明圖。
圖2係表示向電路基板塗佈助焊劑之說明圖。
圖3(a)~(c)係表示使用具有焊料粒子層之焊料轉印片的焊接部之形成方法之步驟之一實施形態的說明圖。
圖4(a)~(d)係表示將電子零件搭載於電路基板之步驟之一實施形 態之說明圖。
圖5係本發明之一實施形態中之接合IC晶片之電路基板之製造方法之步驟流程圖。
本發明於一態樣中，係基於如下見解：於使用了轉印片之藉由固相擴散接合而於電路基板上形成焊料凸塊之方法(固相擴散轉印法)中，於特定之步驟後，採用利用包含特定之溶劑之洗淨劑之洗淨步驟，藉此可大幅改善接合電子零件之電路基板之可靠性。
即，本發明於一態樣中，係關於一種接合電子零件之電路基板之製造方法，其包括下述步驟(a)~(f)：(a)將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上之焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與電路基板之具有焊接部之第1面對向之方式進行配置之步驟，此處，上述焊料層為以1層緊密無間隙地存在之焊料粒子經由黏著劑層而附著於上述支持基材之層；(b)將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之兩種以上之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨之步驟；(e)將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板 加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，從而將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨之步驟；及(f)於步驟(e)中所獲得之電路基板上載置電子零件，並加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度，而將電子零件之焊接部與電路基板之焊接部接合之步驟。
根據本態樣之製造方法，可製造提高可靠性之接合電子零件之電路基板。藉由本態樣之製造方法提高接合電子零件之電路基板之可靠性的機制推測如下。即，可知，於接合可靠性較低之電子零件之電路基板、即於長時間之加溫加濕後引起絕緣不良之電路基板中，於底部填充劑中存在大量孔隙。一般認為，該孔隙會產生吸濕等，而導致絕緣性之惡化。推測產生該孔隙之原因係由於較填充底部填充劑之步驟靠前之階段中的附著於電路基板之殘渣所導致。然而，於先前之電路基板之製造步驟中的助焊劑殘渣洗淨之步驟(e)或助焊劑洗淨之步驟(f3)中，即便利用助焊劑洗淨劑或其他洗淨劑將電路基板洗淨，孔隙亦未減少。然而，得知，僅於塗佈助焊劑前之步驟(d)中利用特定的溶劑進行洗淨之情形時，該孔隙減少。因此孔隙之產生原因推測為於步驟(a)~(c)中將焊料粒子轉印時，較助焊劑更難溶於水之轉印片之黏著劑因某些理由而殘留於電路基板上，因步驟(e)~(f2)之助焊劑塗佈或回焊時之熱而產生變質，且推測，於將助焊劑殘渣洗淨之步驟(e)或助焊劑洗淨之步驟(f3)中，較重要的是於步驟(d)中利用特定之洗淨劑進行洗淨。
於本揭示中，所謂「固相擴散」，係指由固體中之熱所導致之原子之移動，於本揭示之情形時，係指金屬之晶格內之原子之移動。因此，「固相擴散接合」係指基於越過接合界面之此種固相擴散之接合。
[焊料轉印片]
於本揭示中，焊料轉印片具有焊料層。於一種或複數種實施形態中，焊料轉印片之焊料層包含以於1層存在之焊料粒子焊料粒子層。圖1(a)~(c)係表示具有焊料粒子層之焊料轉印片之製造方法之一系列的步驟之說明圖。該焊料轉印片之製造方法於一種或複數種實施形態中，可採用WO2006/067827中所記載之方法。於並未限定之一種或複數種實施形態中，焊料轉印片可藉由包括如下步驟之製造方法而製造，即，於支持基材上形成黏著劑層之步驟(圖1(a))、於該黏著劑層上散佈焊料粒子而使焊料粒子層附著於黏著劑層之步驟(圖1(b))、並且將未附著於上述黏著劑層之焊料粒子去除之步驟(圖1(c))。以下，藉由並未限定之一種或複數種實施形態進一步加以說明。
首先，於支持基材1上形成黏著劑層2(圖1(a))。支持基材1可由如下材料製造，其具有即便加熱至固相擴散溫度、即較焊料之固相線低數℃~數十℃之溫度亦保持形狀之耐熱性，並且焊料不易附著。支持基材之材質可為如鋁、不鏽鋼之金屬，聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚酯(例如聚對苯二甲酸乙二酯)等耐熱性良好之樹脂，玻璃環氧樹脂等複合材料，或陶瓷。支持基材之厚度典型地於25~200μm之範圍內即足夠，因此，亦可使用被稱為膜之厚度者。尤佳之支持基材為彎曲性優異之聚酯、尤其是聚對苯二甲酸乙二酯之膜，該情形時之厚度較佳為50μm左右。
設置於支持基材1上之黏著劑層2發揮使焊料粒子以層狀僅附著一層而固定於支持基材上之作用、及於壓合於電路基板之焊接部時，追隨電路基板之構件表面之凹凸而進行塑性變形或塑性流動，使焊料粒子與焊接部密接之作用。又，必須更具有於藉由加壓下之加熱將焊料粒子層轉印於焊接部後將轉印片剝離時，可保持未進行固相擴散接合之非焊接部之焊料粒子之黏著力。
作為黏著劑，只要為可發揮上述功能者，則並無特別限制，較 佳為於常溫或者常溫以上之溫度下表現出黏著性之黏著劑。例如可使用選自丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、及氟系黏著劑中之至少一種。於性能方面而言，較佳為丙烯酸系黏著劑及聚矽氧系黏著劑，更佳為丙烯酸系黏著劑。作為丙烯酸系黏著劑，例如可列舉包含丙烯酸與丙烯酸酯之共聚物之黏著劑。
於固相擴散加熱後將焊料轉印片剝離時，就抑制由黏著劑殘留於未經固相擴散接合之焊料層電路基板上所導致之轉印不良的觀點而言，黏著劑層之黏著力於JIS Z0237中所規定之180°剝離黏著力之測定法中，較佳為3~20N/25mm。黏著劑層之厚度較佳為10~100μm，更佳為20~50μm之範圍。又，於第1態樣中，亦較佳為，黏著劑層之厚度大於焊料粒子之平均粒徑。黏著劑亦可為接著劑。
黏著劑層2可藉由將黏著劑之熔融液或溶液塗佈於支持基材1上，視需要進行乾燥而形成。作為其他方法，例如亦可藉由準備於雙面被覆有脫模膜之黏著劑片，將單面之脫模膜剝離而貼附於支持基材1，剝離另一面之脫模膜，而形成黏著劑層2。又，亦可使用於支持基材之單面已設置黏著劑層、並利用脫模膜保護黏著層之表面的市售之黏著性片或膜。
支持基材1與黏著劑層2之大小為被覆設置於電路基板之至少鄰接的2個以上之焊接部之大小，較佳為被覆電路基板之所有焊接部之大小。支持基材1之大小可與黏著劑層2相同，亦可使至少1個方向之尺寸大於黏著劑層2，而對至少1邊賦予把手。
又，可於較大之支持基材1之上以塊體狀分散形成黏著劑層。各塊體之大小為將電路基板上之鄰接之至少2個以上、較佳為全部焊接部覆蓋之大小。於將電路基板之電極以塊體狀配置之情形時，可對應於該電極塊體之形狀而將黏著劑層塊體化。又，支持基材可製成長條 片，將於以塊體狀設置有黏著劑層與焊料粒子層之焊料轉印片捲取為輥狀而保管。於該情形時，可於使用時將輥狀之焊料轉印片展開，切分為各塊體，或不切斷而用於焊料凸塊形成。
繼而，於形成於支持基材1上之黏著劑層2之上散佈焊料粒子，使與黏著劑層接觸之焊料粒子3附著於黏著劑層2，較佳為緊密無間隙地存在附著於黏著劑層2(圖1(b))。如圖所示，較佳為以將黏著劑層2整體性地隱藏之方式散佈過量之焊料粒子。其後，若將未附著於黏著劑層2之焊料粒子去除，則可獲得使附著於黏著劑層之焊料粒子以1層存在之焊料轉印片(圖1(c))。該去除存在如下方法，即，利用毛尖柔軟之刷子輕輕掃掉，或利用微弱之壓縮空氣吹飛，或將支持基材翻轉至發面而輕微地施加振動。經去除之焊料粒子可再利用。較佳為使焊料粒子3儘可能緊密地存在於黏著劑層2上。
關於焊料粒子層之形成所使用之焊料粒子，由於可精確地調整焊料凸塊之高度或形狀，因此較佳為球狀粒子、即被稱為焊料球之粒子。但是，即便為廉價之不定形之焊料粒子，亦可藉由固相擴散而接合於焊接部。因此，只要將特定量之焊料供給至焊接部，則對於粒子形狀並無特別限制。
本揭示中所使用之焊料粒子較佳為以例如成為5~15μm之方式、以具有某種範圍內之粒徑分佈之方式被分級的焊料粉末之粒子。於本揭示中，由於在1個電極上存在複數個(例如10個以上)焊料粒子，故而容許焊料粒子之粒徑之少許不均。若考慮所形成之焊料凸塊之高度之不均及成本，則較佳為使用具有目標粒徑之±40%、更佳為±30%之粒徑分佈之焊料粒子。例如，可利用適當之篩網將可廉價地獲取之藉由氣體霧化法獲得之焊料粉末的球狀粒子分級而使用。
焊料粒子層包含1層焊料粒子，根據該層之厚度而決定所形成之焊料凸塊的高度。因此，由於焊料粒子之平均粒徑越大，所形成之焊 料凸塊之高度越增大，故而根據所欲形成之焊料凸塊之高度及電路基板的焊接部(電極)之直徑，選擇焊料粒子之粒徑。焊料粒子之平均粒徑較佳為5~50μm之範圍內，且較佳為電極徑之1/2以下，更佳為1/3以下。於使用不定形粒子之情形時，其粒徑係設為體積球相當徑。
構成焊料粒子之焊料合金典型地為錫基質之焊料合金，例如亦可使銦系合金等非錫系焊料合金與金或銅進行固相擴散接合，而可於本揭示中使用。亦可使用先前之通常之錫-鉛共晶焊料合金之粒子，較佳為使用無鉛焊料合金之粒子。作為較佳之無鉛焊料合金，可例示錫-銀系、錫-銅系、錫-銀-銅系等。若列舉代表性組成例，則如下所述(%為質量%)：Sn：剩餘部分、Ag：0.3%、Cu：0.5%
Sn：剩餘部分、Ag：3.5%、Cu：0.7%
Sn：剩餘部分、Ag：3.5%
Sn：剩餘部分、Cu：0.7%。
繼而，參照圖2及圖3(a)~(c)，對使用具有以上述方式形成之包含1層焊料粒子之焊料層之焊料轉印片，依據本揭示製造接合電子零件之電路基板之方法之並未限定之一種或複數種實施形態進行說明。
[步驟(a)]
步驟(a)為包括如下操作之步驟，即，將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上之焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與電路基板之具有焊接部之第1面對向之方式進行配置。圖2表示電路基板5之並未限定之一種或複數種實施形態之模式性剖面。電路基板5於並未限定之一種或複數種實施形態中，於其至少單面，以特定圖案(例如以50μm間距於縱橫方向排成複數列狀)具有較多焊接部(電極)6。焊接部6於並未限定之一種或複數種實施形態中，為表面經鍍金層被覆之電極、或銅電極或者銅配線。
本揭示可適用於電極徑為100μm以下、且電極間距(鄰接之電極之中心間距離)為150μm以下之電路基板中之焊料凸塊的形成。尤其是於電極徑為10~50μm、電極間距20~100μm、電極高度5~20μm之微細電路基板中亦可不產生橋接而形成焊料凸塊。
於圖示之並未限定之一種或複數種實施形態中，電路基板5之具有焊接部6之表面的焊接部以外之區域(非焊接部)係經阻焊劑9被覆。阻焊劑係由不因熔融焊料潤濕、可耐受焊接溫度、且對助焊劑或洗淨用溶劑亦具有耐受性之樹脂(例如三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺樹脂等)形成。通常，如圖所示，阻焊劑9雖厚於焊接部6，但兩者可為相同之厚度，或者焊接部6亦可厚於阻焊劑。
阻焊劑不會與焊料產生固相擴散接合。因此，藉由利用阻焊劑被覆電路基板之非焊接部，可於焊接部選擇性地產生固相擴散接合。然而，即便未利用阻焊劑被覆非焊接部，只要於非焊接部露出構成電路基板之支持體之樹脂或複合材料(例如環氧樹脂或玻璃環氧樹脂複合材料)，且焊接部之表面為金或銅，則焊料不與該非焊接部產生固相擴散接合，而與金或銅容易地產生固相擴散接合，因此仍可於焊接部選擇性地產生固相擴散接合。因此，可省略非焊接部之利用阻焊劑之被覆。
於圖示之並未限定之一種或複數種實施形態中，於電路基板5之形成有焊接部6之面使用噴霧式助焊劑塗敷器(fluxer)7塗佈液狀助焊劑8。其後，視需要可去除焊接部以外之抗蝕劑9之類的被塗佈至非焊接部的助焊劑。助焊劑發揮自接合表面去除氧化物皮膜，而易於進行固相擴散接合之作用。因此，使用可於用於固相擴散之加熱條件下發揮助焊劑作用之助焊劑(於本揭示中，稱為固相接合用助焊劑)。但是，尤其是於焊接表面為金之情形時，由於金難以形成氧化物皮膜，故而即便未塗佈固相接合用助焊劑，只要藉由某些方法將轉印片之焊 料粒子之表面保持為活性，則亦可達成固相擴散接合。因此，固相接合用助焊劑之塗佈並非必需。於焊接部之表面為銅之情形時、或轉印片之焊料粒子於表面具有氧化物皮膜之情形時，較理想為，將固相接合用助焊劑塗佈於電路基板之至少焊接部，而使該助焊劑存在於固相接合界面。亦可將固相接合用助焊劑不塗佈於電路基板，而塗佈於焊料轉印片之焊料層。
固相擴散接合係藉由低於所使用之焊料合金之固相線溫度的溫度下之短時間(例如為1分鐘以內)之加熱而進行。作為於此種固相擴散接合條件下發揮助焊劑功能之固相接合用助焊劑之活性成分，最有效的是有機胺之氫鹵酸鹽。作為其他有效之活性劑，可列舉有機羧酸單體及羧酸之胺鹽。該等活性成分較理想為水溶性或醇可溶性。
若例示有效之活性成分之具體例，則如下所述。作為有機胺之氫鹵酸鹽，可列舉：乙胺氫溴酸鹽、乙胺氫氯酸鹽、環己胺氫溴酸鹽、二環己胺氫溴酸鹽、丙胺酸氫溴酸鹽等。作為有機羧酸之例，可列舉：甲酸、乙酸、丙酸、己二酸、癸二酸等脂肪族羧酸類，丙二酸、蘋果酸、乙醇酸、二乙醇酸等羥基羧酸類等。若使該等羧酸與有機胺反應而形成鹽，則水溶性增加，有效性提高。該有機胺可使用範圍較廣者。例如可列舉：乙胺、丙胺、丁胺、單乙醇胺、二乙醇胺等。
固相接合用助焊劑係藉由一種或兩種以上之活性成分與視需要之界面活性劑溶解於溶劑中而製備。界面活性劑例如可為聚乙二醇．壬基苯酚醚等非離子系界面活性劑。固相接合用助焊劑之較佳之組成中，活性成分為0.1質量%以上，界面活性劑為0.5質量%以上，剩餘部分為溶劑。溶劑可使用水系或醇系溶劑。
固相接合用助焊劑之塗佈厚度根據助焊劑中之活性成分濃度而不同，通常為數μm至50μm之範圍。助焊劑係藉由向必需之部位供給 之分配法或全面地供給的噴霧法等方法而進行塗佈。
固相接合用助焊劑較理想為於電路基板之焊接部存在所需之量，且於抗蝕劑面等非焊接部之表面儘可能少。電路基板之焊接部通常如圖2所示低於抗蝕劑被覆之上表面，因此於將助焊劑塗佈於電路基板整個面後，藉由利用如橡膠刮刀者將抗蝕劑表面之助焊劑向焊接部刮落，可使用噴霧法僅於焊接部塗佈固相接合用助焊劑。
於以上述方式塗佈有助焊劑、或未塗佈助焊劑之電路基板之上，將圖1(c)所示之於支持基材1上經由黏著劑層2黏著有包含1層焊料粒子3之焊料層的焊料轉印片，以使其焊料層與電路基板5之焊接部6對向之方式與電路基板5重疊而配置(參照圖3(a))。該配置只要使焊料轉印片之焊料層覆蓋欲形成電路基板之焊料凸塊的焊接部、較佳為所有焊接部即可，無需嚴密之定位。亦可與圖示相反，以使電路基板成為上方之方式進行配置。
[步驟(b)]
步驟(b)為包括如下操作之步驟，即，將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合。
以電極(焊接部)與焊料球(焊料粒子)之接合為例，對固相擴散接合之機構進行說明。若使焊料球充分地接近電極，則於在電極與焊料球之各自之表面不存在氧化物等之活性狀態時，會引起焊料球之構成元素之原子的一部分向電極之金屬內移動、及/或電極之構成元素之原子的一部分向焊料球之金屬內移動之進行了接觸之二個物體之一者或兩者之構成元素之原子的越過接合界面之移動，而達成固相擴散接合。隨著該固相擴散進行，焊料球與電極間之接合變得牢固。若加熱接合面，則固相擴散得以促進。由於原子越過接合界面而擴散，因此 需要用於其之能量，於本揭示中，較佳為藉由加熱供給能量。於以室溫於加壓下放置之情形時，固相擴散需要非常長之時間。
用於固相擴散接合之加熱溫度為低於構成焊料粒子之焊料合金的固相線溫度之溫度，較佳為較該固相線溫度低5℃以上之溫度，更佳為低10℃以上之溫度。關於加熱溫度之下限，只要產生固相擴散接合，則並無特別限制。就若為低於固相線溫度(℃)之60%之溫度，則抑制固相擴散速度之下降之觀點而言，將加熱溫度之下限設為固相線溫度之60%以上，較佳為設為70%以上，更佳為設為80%以上。因此，於焊料合金之固相線溫度為220℃左右之情形時，加熱溫度較佳為設為155~215℃，更佳為設為175~210℃。於焊料粒子包含固相線溫度為160℃左右之低溫焊料之情形時，加熱溫度較佳為112~155℃，更佳為130~150℃。所需之加熱溫度亦根據所使用之固相接合用助焊劑之活性而變動。
加熱溫度之下限較佳為不會使對焊料層之焊接部的接合強度變弱，而使轉印變得不穩定之溫度，較佳為上述溫度。另一方面，加熱溫度之上限較佳為不過於接近熔點而損及正確之選擇性轉印之溫度，較佳為上述溫度。由於必須控制加熱溫度，因此加熱係藉由可控制正確之溫度、且可進行加壓之加熱裝置進行。加熱與加壓可自電路基板側與轉印片側之某一側進行，又，亦可自兩側進行。
藉由加壓，如圖3(a)所示，轉印片之黏著劑層2產生塑性變形或塑性流動，焊料粒子3與電路基板5之對向之焊接部6或阻焊劑9接觸。其所需之加壓力根據電路基板之表面形狀、黏著劑層之特性等因子而變動，但用以獲得良好之壓合精度之加壓力較佳為0.01~1.0N/mm2。加壓較佳為設為可使焊料粒子與焊接部接觸之壓力。
藉由該加壓下之加熱，與電路基板之焊接部接觸之焊料粒子不會熔融而保持固體粒子狀態，且於與焊接部之接觸界面處相互產生固 相擴散，而於接觸界面將兩者接合。該固相擴散接合雖亦取決於加熱溫度或界面之表面狀態，但典型地於1分鐘以內產生。加熱時間較佳為30~60秒鐘。
為了促進越過接合界面之原子之擴散，界面必須為活性。於在界面處存在氧化物皮膜等之情形時，較佳為使上述固相接合用助焊劑存在於界面，於加熱時實現界面之活化。
固相擴散接合係作為焊接法之一種而得以實用化之技術。於焊接之情形時，加熱氣氛係於真空或惰性氣體中等受到控制之氣氛。於本揭示中，無需如焊接般較高之接合強度，利用固相擴散接合之焊接部與焊料粒子層間的接合強度只要超過黏著劑層與焊料粒子層間之接合強度即可，因此只要將接合界面活化，則加熱氣氛可為大氣環境。毋庸置疑，若不考慮成本，則有時亦可藉由使用真空或惰性氣體氣氛，而大幅縮短固相擴散接合所需之加熱時間，又，可無需塗佈固相接合用助焊劑。
關於以上述方式藉由固相擴散接合而附著於焊接部之焊料粒子，即便於其後被熔融，亦不易於焊接部以外之區域存在之焊料粒子，因此產生橋接之機會驟減。該效果只要利用固相擴散接合，則與焊料粒子之大小無關，因此例如即便使用粒徑最多達到10μm左右之相對較大之焊料粒子，亦可於50μm間距之電極上形成不產生橋接之焊料凸塊。
[步驟(c)]
步驟(c)係包括如下操作之步驟，即，於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板。於步驟(b)中，藉由固相擴散接合將焊料粒子與下電路基板之焊接部接合後，立即將重疊之電路基板與轉印片冷卻，將轉印片自電路基板上剝離。冷卻可僅藉由自加熱裝置中取出並放置冷卻而進行， 亦可吹附冷風。剝離可僅藉由將轉印片自電路基板上單純地拉離而實施。藉此，與電路基板之焊接部固相擴散接合之焊料粒子殘留於焊接部上，而成為粒子狀之焊料凸塊10，剩餘之焊料粒子於附著於轉印片之狀態下自電路基板上被拉離(參照圖3(b))。以上述方式達成焊料粒子向電路基板之焊接部之選擇性轉印。
藉由本揭示之焊料凸塊之形成方法，可以高精度控制所形成之焊料凸塊之膜厚。其理由在於，附著於焊料轉印片之黏著劑層之焊料粒子之量於每單位面積中的不均較少。於使轉印片與電路基板重疊而施加壓力時，轉印片之焊料粒子與電路基板之焊接部接觸，因此於該焊料粒子進行固相擴散接合時，亦會於焊接部接合某一定量之焊料粒子，膜厚精度變良好。認為，關於與焊接部以外之阻焊劑面接觸之焊料粒子，粒子彼此亦於橫向進行固相擴散接合，但其結合力弱於與電極(焊接部)之固相擴散接合所導致之結合力。藉由將轉印片自電路基板上剝離，固相擴散接合於電路基板之焊接部之焊料粒子殘留於電路基板側，從而完成轉印。由於經轉印之焊料粒子之量大致為一定，因此即便於高精細之焊接部之圖案之情形時，亦不易產生橋接。
[步驟(d)]
步驟(d)為包括如下操作之步驟，即，利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之兩種或兩種以上之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨。於步驟(c)中所獲得之電路基板上，有時會附著被認為係焊料層之黏著劑之一部分的殘渣。於並未限定之一種或複數種實施形態中，藉由在步驟(e)之回焊前將該殘渣洗淨，可減少底部填充劑之孔隙，又，可提高接合電子零件之電路基板之可靠性。
於步驟(d)中，作為利用洗淨劑A將步驟(c)中所獲得之電路基板 洗淨之方法，可列舉：超音波洗淨法、噴霧法、浸漬振盪法、浸漬法、手拭法之各種洗淨方法，根據電路基板之種類，可單獨使用該等方法或適當地組合該等方法而將黏著劑殘渣洗淨。就抑制對電路基板之影響之觀點與洗淨性之觀點而言，較佳為噴霧法、浸漬振盪法或浸漬法。洗淨劑A可未稀釋而直接用於洗淨。
步驟(d)中之洗淨劑A之溫度就洗淨性之觀點而言，較佳為25℃以上，更佳為40℃以上，又，就抑制水分之蒸發之觀點而言，較佳為90℃以下，更佳為80℃以下。
步驟(d)中之洗淨時間根據所附著之黏著劑殘渣的量及種類亦會不同，故而無法一概而論，就洗淨性之觀點而言，較佳為3分鐘以上，更佳為5分鐘以上，就縮短電路基板之製造時間之觀點而言，較佳為30分鐘以下，更佳為20分鐘以下。
[洗淨劑A]
洗淨劑A包含苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、或該等之兩種或兩種以上之組合之溶劑。就提高洗淨性、減少底部填充劑孔隙、及提高電子零件接合電路基板之可靠性之觀點而言，較佳為苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基甲醯胺，更佳為苄醇。又，就抑制對聚醯亞胺膜之影響之觀點而言，較佳為苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯。又，就閃點較高之安全性之觀點而言，較佳為苄醇、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯。若綜合該等，則較佳為苄醇與二乙二醇丁醚乙酸酯，更佳為苄醇。
[溶劑之含量]
關於洗淨劑A中之苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、或該等之兩種或兩種以上之組合之溶劑的含量，就提高洗淨性、減少底部填充劑孔隙、及提高電 子零件接合電路基板之可靠性之觀點而言，較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，進而較佳為65質量%以上。又，就提高洗淨性及提高沖洗性之觀點而言，較佳為100質量%以下，更佳為90質量%以下，進而較佳為75質量%以下。
[胺化合物]
洗淨劑A就提高洗淨性、減少底部填充劑孔隙、及提高電子零件接合電路基板之可靠性之觀點而言，較佳為進而含有胺化合物。作為胺化合物，於一種或複數種實施形態中，可列舉烷醇胺。就提高洗淨性、減少底部填充劑孔隙、及提高電子零件接合電路基板之可靠性之觀點而言，作為烷醇胺，較佳為甲基二乙醇胺、乙基二乙醇胺、丁基二乙醇胺、甲基單乙醇胺、丁基單乙醇胺、或該等之兩種或兩種以上之組合，更佳為丁基二乙醇胺、甲基單乙醇胺、丁基單乙醇胺，進而較佳為丁基二乙醇胺。又，就抑制焊料腐蝕之觀點而言，較佳為乙基二乙醇胺、丁基二乙醇胺、甲基單乙醇胺、丁基單乙醇胺。
[胺之含量]
關於洗淨劑A中之胺化合物之含量，就提高洗淨性、減少底部填充劑孔隙、及提高電子零件接合電路基板之可靠性之觀點而言，較佳為0.3質量%以上，更佳為1.0質量%以上，進而較佳為2.0質量%以上。又，就抑制焊料等構件之腐蝕之觀點而言，較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下，進而較佳為6.0質量%以下。
[二醇醚]
洗淨劑A就提高步驟(d)之洗淨之沖洗性之觀點而言，較佳為進而含有二醇醚。於並未限定之一種或複數種實施形態中，作為二醇醚，可列舉下述通式(I)所表示之二醇醚，R1-O-(R2-O)m-R3 (I)
[式(I)中，R1表示碳數1以上且8以下之烷基、或苯基，R2表示碳 數2以上且4以下之伸烷基，R3表示氫原子、碳數1以上且4以下之烷基、或碳數1以上且4以下之醯基或烯丙基，m表示1以上且8以下之數]。
作為上述通式(I)所表示之化合物，於並未限定之一種或複數種實施形態中，可列舉：三乙二醇單丁醚(R1為丁基，R2為伸乙基，R3為氫原子，m=3)、二乙二醇單己醚(R1為己基，R2為伸乙基，R3為氫原子，m=2)、三乙二醇單苯醚(R1為苯基，R2為伸乙基，R3為氫原子，m=3)或該等之兩種或兩種以上之組合。
關於洗淨劑A中之二醇醚之含量，就提高沖洗性之觀點而言，較佳為1質量%以上，更佳為5.0質量%以上，進而較佳為10質量%以上。又，就提高洗淨性之觀點而言，較佳為35質量%以下，更佳為30質量%以下，進而較佳為20質量%以下。
[水]
洗淨劑A就提高操作性及安全性之觀點而言，較佳為含有水。作為水，就提高接合電子零件之電路基板之電性可靠性之觀點而言，較佳為離子交換水、純水、超純水。就提高接合電子零件之電路基板之生產性之觀點而言，更佳為離子交換水。離子交換水可藉由離子交換水製造裝置而獲得。
[水之含量]
關於洗淨劑A中之水之含量，就提高操作性及安全性之觀點而言，較佳為3.0質量%以上，更佳為5.0質量%以上，進而較佳為7.0質量%以上。又，就提高洗淨性之觀點而言，較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下，進而較佳為20質量%以下。
進而，步驟(d)就將於洗淨處理結束後，將殘存於電路基板上之可溶於洗淨劑A之污漬及/或洗淨劑A之成分自電路基板上去除的觀點而言，較佳為進行沖洗處理。於沖洗處理中，較佳為使用水或醇。進 而，於洗淨處理或沖洗處理結束後，為了去除殘存於電路基板表面之水分，較佳為進行乾燥處理。
作為沖洗處理之方法，可列舉：浸漬法、超音波洗淨法、浸漬振盪法、噴霧法之各種方法。就沖洗性之觀點而言，較佳為噴霧法及浸漬法，更佳為將噴霧法及浸漬法併用。關於沖洗處理之溫度，就沖洗性之觀點而言，較佳為25℃以上，更佳為40℃以上，又，就抑制水分之蒸發之觀點而言，較佳為90℃以下，更佳為80℃以下。關於沖洗處理時間，就沖洗性之觀點而言，較佳為3分鐘以上，更佳為5分鐘以上，就縮短電路基板之製造時間之觀點而言，較佳為30分鐘以下，更佳為20分鐘以下。
又，作為乾燥處理中之乾燥方法，例如可列舉利用烘箱或送風乾燥機進行乾燥之方法，其乾燥溫度就乾燥性之觀點而言，較佳為80℃以上，就抑制對電路基板之影響之觀點而言，較佳為加熱至120℃以下，更佳為100℃以下。
[步驟(e)]
步驟(e)為包括如下操作之步驟，即，將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，從而將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨。即，將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板、即於焊接部之上具有經固相擴散接合之焊料粒子的電路基板後，將電路基板加熱至構成焊料粒子之焊料合金之液相線溫度以上，而使焊料粒子熔融(回焊)，藉此如圖3(c)所示，進行熔融凝聚，而可於電路基板之焊接部形成因表面張力中心部變高而變圓之焊料凸塊10'。藉此，對電路基板之焊接部之焊料凸塊之接合可靠性增高。又，雖於在經固相擴散接合之焊料粒子之狀態下，對電路基板施加較強之衝擊之情形時，一部分之焊料粒子有可能脫落，但亦可防止其脫落。因此，藉由 將焊料粒子回焊，而改善電路基板之操作性。
於進行該焊料粒子之回焊之情形時，於加熱前將回焊用助焊劑塗佈於電路基板之整體或其焊接部(即焊料凸塊)。又，於回焊後，將冷卻之電路基板洗淨而去除助焊劑殘渣。所使用之助焊劑可為回流焊中所慣用者。洗淨可根據所使用之助焊劑，例如對水溶性助焊劑使用溫水而進行，對樹脂系助焊劑使用醇等有機溶劑而進行。加熱條件可與通常之回流焊為相同程度。例如，可藉由以較焊料合金之液相線溫度高5~40℃之溫度加熱1~30秒鐘左右而實施。
[步驟(f)]
步驟(f)為包括如下操作之步驟，即，於步驟(e)中所獲得之電路基板上載置電子零件，並加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度，而將電子零件之焊接部與電路基板之焊接部接合。
於步驟(f)中，於其他一種或複數種實施形態中，於步驟(e)中所獲得之電路基板上之焊接部的焊料凸塊10'上，視需要塗佈助焊劑後，於其上載置應進行焊接之電子零件而進行回焊，藉此進行對電子零件之電路基板之焊接。
步驟(f)於其他一種或複數種實施形態中，包括下述(f1)~(f4)之步驟：(f1)於步驟(e)中所獲得之電路基板上載置電子零件之步驟；(f2)將步驟(f1)中所獲得之載置有電子零件之電路基板加熱至上述焊料合金的液相線溫度以上之溫度，而將電子零件之焊接部與電路基板之焊接部接合之步驟；(f3)將步驟(f2)中所獲得之與電子零件接合之電路基板洗淨之步驟；(f4)於步驟(f3)中所獲得之與電子零件接合之電路基板中，於電子零件與電路基板之間隙填充底部填充劑(液狀硬化樹脂)，並使底部 填充劑硬化之步驟。
將步驟(f1)之並未限定之一種或複數種實施形態示於圖4(a)中。具有焊接部(電極)42及焊料凸塊43之電子零件41係配置於步驟(e)中所獲得的基板5之上。將步驟(f2)之並未限定之一種或複數種實施形態示於圖4(b)中。藉由將搭載有電子零件41之電路基板5回焊，形成焊料44，而將焊接部(電極)42與焊接部(電極)6接合。將步驟(f4)之並未限定之一種或複數種實施形態示於圖4(c)及(d)中。於藉由步驟(f3)進行洗淨後，自噴嘴45供給底部填充劑46(圖4(c))。底部填充劑係藉由毛細管現象而填充至電子零件41與電路基板5之間。填充後，使底部填充劑硬化，而完成電位零件41之搭載(圖4(d))。
於本揭示中，接合於電路基板之電子零件於並未限定之一種或複數種實施形態中，可列舉IC晶片，其種類並無特別限定。又，於本揭示中，接合電子零件之電路基板於並未限定之一種或複數種實施形態中，可列舉半導體封裝，其種類並無特別限定。
又，根據上述步驟(a)~(e)之步驟，可製造形成有焊料凸塊之電路基板。因此，本發明於其他態樣中，係關於一種於焊接部形成有焊料凸塊之電路基板之製造方法，其包括上述步驟(a)~(e)。本態樣之製造方法中之步驟(a)~(e)可設為如上所述。根據本態樣之製造方法，於一種或複數種實施形態中，可製造能提高接合電子零件之電路基板之可靠性之電路基板。
進而，根據上述步驟(a)~(e)之步驟，可於電路基板上形成焊料凸塊。因此，本發明於其他態樣中，係關於一種於電路基板之第1面上之焊接部形成焊料凸塊之方法，其包括上述步驟(a)~(e)。本態樣之方法中之步驟(a)~(e)可設為如上所述。根據本態樣之方法，於一種或複數種實施形態中，可形成能提高接合電子零件之電路基板之可靠性之焊料凸塊。
關於上述實施形態，本揭示進而揭示以下之組合物、製造方法、或用途。
<1>一種電路基板之製造方法，該電路基板接合有電子零件，且該製造方法包括下述步驟(a)~(f)：(a)將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上之焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與電路基板之具有焊接部之第1面對向之方式進行配置之步驟，此處，上述焊料層為以1層緊密無間隙地存在之焊料粒子經由黏著劑層而附著於上述支持基材之層；(b)將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之兩種以上之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨之步驟；(e)將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，從而將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨之步驟；及(f)於步驟(e)中所獲得之電路基板上載置電子零件，並加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度，而將電子零件之焊接部與電路基板之焊接部接合之步驟。
<2>一種電路基板之製造方法，該電路基板於應進行焊接之部 分(以下，稱為焊接部)形成有焊料凸塊，且該製造方法包括下述步驟(a)~(e)：(a)將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上之焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與電路基板之具有焊接部之第1面對向之方式進行配置之步驟，此處，上述焊料層為以1層緊密無間隙地存在之焊料粒子經由黏著劑層而附著於上述支持基材之層；(b)將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨之步驟；(e)將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，從而將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨之步驟。
<3>一種焊料凸塊之形成方法，其係於電路基板之第1面上之應進行焊接之部分(以下，稱為焊接部)形成焊料凸塊之方法，且其包括下述步驟(a)~(e)：(a)將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上的焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與上述電路基板之第1面使對向之方式進行配置之步驟，此處，上述焊料層為以1層緊密無間隙地存在之焊料粒子經由黏著劑層而附著於上述 支持基材之層；(b)將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨之步驟；(e)將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，從而將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨之步驟。
<4>如上述<1>至<3>中任一項之方法，其中上述焊料層為覆蓋上述電路基板之所有焊接部之大小。
<5>如上述<1>至<4>中任一項之方法，其中上述焊料為無鉛焊料。
<6>如上述<1>至<5>中任一項之方法，其中於上述步驟(a)中，使助焊劑介存於上述焊料層與上述電路基板之焊接部之界面。
<7>如上述<1>至<6>中任一項之方法，其中上述步驟(b)中之加熱溫度為較上述焊料合金之固相線溫度低至少5℃之溫度。
<8>如上述<1>至<7>中任一項之方法，其中上述焊料層係藉由在支持基材上形成黏著劑層，於該黏著劑層上散佈焊料粒子而使焊料粒子層附著於黏著劑層，並去除未附著於上述黏著劑層之焊料粒子而形成者。
<9>如上述<1>至<8>中任一項之方法，其中黏著劑層之黏 著劑較佳為於常溫或者常溫以上之溫度下表現出黏著性之黏著劑，或較佳為選自丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、及氟系黏著劑中之至少一種。
<10>如上述<1>至<9>中任一項之方法，其中上述電路基板之焊接部具有選自金及鉑中之金屬之表面。
<11>如上述<1>至<10>中任一項之方法，其中上述電路基板之焊接部以外之部分具有選自經阻焊劑被覆之表面、及露出樹脂之表面中之表面。
<12>如上述<1>至<11>中任一項之方法，其中步驟(d)中之洗淨方法較佳為超音波洗淨法、噴霧法、浸漬振盪法、浸漬法、手拭法、或該等方法之兩種以上之組合，更佳為噴霧法、浸漬振盪法或浸漬法。
<13>如上述<1>至<12>中任一項之方法，其中步驟(d)中之洗淨劑A之溫度較佳為25℃以上，更佳為40℃以上，及/或較佳為90℃以下，更佳為80℃以下。
<14>如上述<1>至<13>中任一項之方法，其中步驟(d)中之洗淨時間較佳為3分鐘以上，更佳為5分鐘以上，及/或較佳為30分鐘以下，更佳為20分鐘以下。
<15>如上述<1>至<14>中任一項之方法，其中洗淨劑A較佳為苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯或二甲基甲醯胺，更佳為苄醇，或較佳為苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸或己二酸二甲酯，或較佳為苄醇、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸或己二酸二甲酯，或較佳為苄醇或二乙二醇丁醚乙酸酯，更佳為苄醇。
<16>如上述<1>至<15>中任一項之方法，其中洗淨劑A中之苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲 酯、二甲基甲醯胺、或該等之兩種或兩種以上之組合之溶劑的含量較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，進而較佳為65質量%以上，及/或較佳為100質量%以下，更佳為90質量%以下，進而較佳為75質量%以下。
<17>如上述<1>至<16>中任一項之方法，其中洗淨劑A較佳為進而含有胺化合物。
<18>如上述<17>之方法，其中胺化合物較佳為作為烷醇胺，為甲基二乙醇胺、乙基二乙醇胺、丁基二乙醇胺、甲基單乙醇胺、丁基單乙醇胺、或該等之兩種或兩種以上之組合，更佳為丁基二乙醇胺、甲基單乙醇胺或丁基單乙醇胺，進而較佳為丁基二乙醇胺，或較佳為乙基二乙醇胺、丁基二乙醇胺、甲基單乙醇胺或丁基單乙醇胺。
<19>如上述<17>或<18>之方法，其中洗淨劑A中之胺化合物之含量較佳為0.3質量%以上，更佳為1.0質量%以上，進而較佳為2.0質量%以上，及/或較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下，進而較佳為6.0質量%以下。
<20>如上述<1>至<19>中任一項之方法，其中洗淨劑A較佳為進而含有二醇醚。
<21>如上述<20>之方法，其中二醇醚較佳為下述通式(I)所表示之二醇醚，R1-O-(R2-O)m-R3 (I)
[式(I)中，R1表示碳數1以上且8以下之烷基、或苯基，R2表示碳數2以上且4以下之伸烷基，R3表示氫原子、碳數1以上且4以下之烷基、或碳數1以上且4以下之醯基或烯丙基，m表示1以上且8以下之數]9
<22>如上述<21>之方法，其中上述通式(I)所表示之化合物較佳為三乙二醇單丁醚(R1為丁基，R2為伸乙基，R3為氫原子，m= 3)、二乙二醇單己醚(R1為己基，R2為伸乙基，R3為氫原子，m=2)、三乙二醇單苯醚(R1為苯基，R2為伸乙基，R3為氫原子，m=3)或該等之兩種或兩種以上之組合。
<23>如上述<20>至<22>中任一項之方法，其中洗淨劑A中之二醇醚之含量較佳為1質量%以上，更佳為5.0質量%以上，進而較佳為10質量%以上，及/或較佳為35質量%以下，更佳為30質量%以下，進而較佳為20質量%以下。
<24>如上述<1>至<23>中任一項之方法，其中洗淨劑A中之水之含量較佳為3.0質量%以上，更佳為5.0質量%以上，進而較佳為7.0質量%以上，及/或較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下，進而較佳為20質量%以下。
<25>如上述<1>至<24>中任一項之方法，其中步驟(d)於洗淨處理結束後，較佳為進行沖洗處理。
<26>如上述<1>至<25>中任一項之方法，其中電路基板之焊接部為電極，電路基板之電極徑較佳為100μm以下，更佳為10~50μm，或電極間距(鄰接之電極之中心間距離)較佳為150μm以下，更佳為20~100μm，電極高度較佳為5~20μm。
<27>如上述<1>至<26>中任一項之方法，其中上述步驟(f)係包括下述(f1)~(f4)之步驟：(f1)於步驟(e)中所獲得之電路基板上載置電子零件之步驟；(f2)將步驟(f1)中所獲得之載置有電子零件之電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上的溫度，而將電子零件之焊接部與電路基板之焊接部接合之步驟；(f3)將步驟(f2)中所獲得之與電子零件接合之電路基板洗淨之步驟；及(f4)於步驟(f3)中所獲得之與電子零件接合之電路基板中，於電 子零件與電路基板之間隙填充底部填充劑(液狀硬化樹脂)，並使底部填充劑硬化之步驟。
<28>一種洗淨方法，其包括使用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將附著有焊料轉印片之黏著劑之電路基板洗淨。
<29>如上述<28>之洗淨方法，其中上述洗淨劑A中之苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、或該等之兩種或兩種以上之組合之溶劑的含量較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，進而較佳為65質量%以上，及/或較佳為100質量%以下，更佳為90質量%以下，進而較佳為75質量%以下。
<30>如上述<28>或<29>之洗淨方法，其中上述洗淨劑A進而含有胺化合物。
<31>如上述<30>之洗淨方法，其中上述洗淨劑A中之胺化合物之含量較佳為0.3質量%以上，更佳為1.0質量%以上，進而較佳為2.0質量%以上，及/或較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下，進而較佳為6.0質量%以下。
<32>如上述<28>至<31>中任一項之洗淨方法，其中上述洗淨劑A進而含有二醇醚。
<33>如上述<32>之洗淨方法，其中上述洗淨劑A中之二醇醚之含量較佳為1質量%以上，更佳為5.0質量%以上，進而較佳為10質量%以上，及/或較佳為35質量%以下，更佳為30質量%以下，進而較佳為20質量%以下。
<34>一種洗淨劑A之用途，其係用於洗淨附著有焊料轉印片之黏著劑之電路基板，且該洗淨劑A包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙 二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之兩種以上之組合所組成的群中之溶劑。
<35>如上述<34>之用途，其中上述洗淨劑A中之苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、或該等之兩種或兩種以上之組合之溶劑的含量較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，進而較佳為65質量%以上，及/或較佳為100質量%以下，更佳為90質量%以下，進而較佳為75質量%以下。
<36>如上述<34>或<35>之用途，其中上述洗淨劑A進而含有胺化合物。
<37>如上述<36>之用途，其中上述洗淨劑A中之胺化合物之含量較佳為0.3質量%以上，更佳為1.0質量%以上，進而較佳為2.0質量%以上，及/或較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下，進而較佳為6.0質量%以下。
<38>如上述<34>至<37>中任一項之用途，其中上述洗淨劑A進而含有二醇醚。
<39>如上述<38>之用途，其中上述洗淨劑A中之二醇醚之含量較佳為1質量%以上，更佳為5.0質量%以上，進而較佳為10質量%以上，及/或較佳為35質量%以下，更佳為30質量%以下，進而較佳為20質量%以下。
[實施例]
以下之實施例係以本揭示之例示為目的，於任何意義上均無意限制本揭示。於實施例中，%只要未特別指定，則為質量%。
[實施例1、比較例1~3]
根據圖5所示之流程圖製造接合IC晶片之電路基板。
[焊料轉印片]
將於50μm厚之聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯)膜之單面，使用丙烯 酸系黏著劑形成厚度25μm之黏著劑層之市售的黏著片(千住金屬工業股份有限公司製造，型號SAS-01)切斷為100×100mm之大小，而用作具備黏著劑層之支持基材。
將錫-銀3.5%共晶焊料合金(固相線溫度與液相線溫度均為221℃)之球狀粉末於粒徑5μm至10μm之範圍內進行分級，使所獲得之焊料粒子如圖1(b)及(c)所示般以1層粒子之厚度附著於黏著片之黏著層，而製作焊料轉印片。焊料粒子係於即將附著前於5重量%之丁烷四羧酸之異丙醇溶液中浸漬1分鐘後，進行水洗乾燥而去除表面氧化物皮膜後加以使用。
[電路基板]
焊料凸塊之形成所使用之電路基板為厚度300μm、尺寸15mm×15mm之玻璃環氧樹脂基板。該基板以50μm之間距於每1晶片中具有3600個直徑25μm之銅表面的電極。基板表面之電極周圍係經高於電極之高度15μm的阻焊劑包圍。
[焊料粒子之轉印]
首先，使切割為與電路基板相同之尺寸之焊料轉印片以使其焊料粒子層與電路基板的電極對向之方式與電路基板重疊(步驟(a))，藉由壓製以加壓力150N(=0.67N/mm2)進行加壓，使用脈衝加熱器作為加熱器件，以200℃之溫度設定自電路基板側加熱60秒鐘(步驟(b))。於加壓下之加熱結束後，藉由放置冷卻而冷卻至室溫，以手將轉印片自電路基板上剝離，結果僅於電路基板之電極處轉印有焊料粒子，而形成粒子狀之焊料凸塊(步驟(c))。焊料粒子之外觀維持原本之球狀，未進行熔融。又，利用顯微鏡進行觀察，結果於抗蝕劑上完全未附著焊料粒子。然而，轉印片之黏著劑附著於焊料粒子之表面、及抗蝕劑表面。
[洗淨A]
繼而，將具有經轉印之焊料粒子之電路基板於下述條件下洗 淨。(步驟(d))
<洗淨方法-1>
洗淨A係使用噴淋式洗淨裝置而進行。噴淋式洗淨裝置係設為如下構成：具備配置於隔著所洗淨之基板而相互對向之位置之一對噴嘴，而可自基板之兩側朝向基板噴射洗淨液。噴嘴使用Ikeuchi股份有限公司製造之J070。噴淋式洗淨裝置係設為使所噴射之洗淨液流回槽內，利用泵進行吸引，而再次自噴嘴噴射之構成，使洗淨液循環而使用。首先，將試片利用60℃之洗淨液於噴淋壓力0.3MPa下噴淋洗淨15分鐘後，於同一裝置內利用60℃之離子交換水於噴淋壓力0.3MPa下進行5分鐘噴淋沖洗，進而於新的60℃之離子交換水中進行5分鐘浸漬沖洗。繼而，利用85℃之送風乾燥機使其乾燥15分鐘。使用苄醇(100質量%)作為洗淨劑A。
[利用回焊之焊料凸塊形成]
所形成之粒子狀之焊料凸塊係於進行回焊加熱而使焊料粒子熔融後，而用於焊接。於回焊時，焊料粒子產生熔融凝聚，即便電極間距較微小，亦未觀察到橋接之產生。
於本例中，於粒子狀之焊料凸塊處，將作為回焊用助焊劑之市售之千住金屬工業公司製造的樹脂系助焊劑(商品名：Gammalux 341-30P)塗佈為約20μm之厚度，於氮氣氣氛回焊爐中於最高溫度250℃、加熱時間10秒鐘之條件下進行回焊，而使焊料粒子熔融。其後，利用洗淨劑將助焊劑殘渣洗淨去除(洗淨B)(步驟(e))。洗淨B係藉由以下之方法實施。藉由該洗淨，焊料凸塊形成結束，繼而進行IC晶片搭載之步驟。
洗淨B<洗淨方法-2>
洗淨B係使用與洗淨A中所使用之噴淋式洗淨裝置同樣之構成的噴淋式洗淨裝置進行。對洗淨前之基板試片於噴淋壓力0.3MPa下噴 淋60℃之洗淨劑B 3分鐘後，於同一裝置內藉由60℃之離子交換水於噴淋壓力0.3MPa下藉由5分鐘噴淋沖洗進行第1沖洗，進而於同一裝置內於新的60℃之離子交換水中浸漬5分鐘而進行第2沖洗。繼而，利用85℃之送風乾燥機使其乾燥15分鐘。使用二醇醚系洗淨劑組成(丁二醇(92質量%)、二乙醇胺(1質量%)、水(7質量%))作為洗淨劑B。
[IC晶片之搭載]
於如上所述般形成之焊料凸塊與IC晶片之連接時，於上述凸塊上將IC晶片-凸塊連接用助焊劑(千住金屬製造，商品名：PO-F-1010S)塗佈為約10μ之厚度，而搭載IC晶片(步驟(f1))。IC晶片使用10mm見方之TEG(Test Element Group，測試式元件組)用IC晶片，以50μm之間距具有3600個電極。於IC晶片之表面具有聚醯亞胺之絕緣膜。於氮氣氣氛回焊爐中，於最高溫度250℃、加熱時間10秒鐘之條件下進行回焊，使焊料粒子熔融，而使之與IC晶片接合(步驟(f2))。其後，利用洗淨劑將助焊劑殘渣洗淨去除(洗淨C)(步驟(f3))。洗淨方法係與上述洗淨方法-2同樣，於洗淨期間均以10分鐘進行。
[底部填充劑之填充、硬化]
其後，於基板-IC晶片間填充底部填充劑(日立化成工業製造，商品名：CEL-C-3720)。關於底部填充劑之填充，將基板加熱至100℃，利用分注器於IC晶片-基板之間隙中滴加充分地填滿間隙之量，其後，於165℃之恆溫槽內，花費2小時使基板-IC晶片間滲透、硬化，而獲得接合IC晶片之電路基板(步驟(f4))。對所獲得之電路基板，於下述條件下進行底部填充劑填充性評價。將其結果示於下述表1中。再者，作為比較例，實施未進行洗淨A而使用實施例1之洗淨劑A進行洗淨B之例(比較例1)、使用實施例1之洗淨A進行洗淨劑B之例(比較例2)、未進行洗淨A之例(比較例3)。該等結果亦示於下述表1中。
<底部填充劑之填充性評價方法>
使用穿透式X射線檢測裝置(型號TUX-3100)測定於IC晶片搭載後基板之底部填充劑部存在何種程度之孔隙。對其結果，以將10μm徑換算為孔隙1個而得之個數作為底部填充劑部之孔隙之個數，而示於下述表1中。孔隙越多，表示製品後之電性可靠性越低。因此，作為電性可靠性之判定之基準，設為下述基準。
[判定基準]
A(良好)‥底部填充劑部之孔隙個數：0~3
B(容許)‥底部填充劑部之孔隙個數：4~19
C(不良)‥底部填充劑部之孔隙個數：20以上
如上述表1所示，實施例1與比較例1~3相比，底部填充劑特性提高。
[實施例2~11]
除將洗淨劑A之組成設為下述表2所示之組成以外，與實施例1同樣地依據圖5之流程製造接合IC晶片之電路基板，進行實施過洗淨A後之洗淨性評價及底部填充劑之填充性評價。於實施例4~8中，添加有胺化合物，於實施例9~11中，添加有胺化合物及二醇醚。沖洗性評價及對構件之影響評價係使用與洗淨性評價及底部填充劑之填充性評價不同的試片進行。將各評價條件示於以下，並將其結果示於下述表2中。
<洗淨性評價方法>
洗淨性評價係藉由洗淨A後之黏著劑殘留個數進行，指標係以將凸塊周邊之200μm見方之區域內的10μm尺寸之殘留設為1個而換算之殘留個數表示。洗淨性評價使用於將黏著劑附著片剝離後雖存在不均，但電路基板之洗淨前之黏著劑附著個數為100個以上(約100~300個)者。觀察係利用顯微鏡進行。阻焊劑上之殘渣係以藉由與上述同樣地觀察未形成凸塊之200μm見方之範圍，將10μm尺寸之殘留設為1個而換算之殘留個數表示。
<洗淨劑之沖洗性評價方法>
沖洗性之評價係將進行至洗淨B為止之焊料凸塊完成之基板設為試片而實施。將基板於60℃之洗淨液中浸漬1分鐘後，於60℃之離子交換水中浸漬5秒鐘。其後重複於離子交換水中之浸漬，測定可將表面之洗淨劑完全沖洗掉之次數。目測確認沖洗之狀態，於斥水之部分消失時，判斷完成沖洗。評價指標係設為可完全沖洗掉洗淨劑之浸漬次數。
[判定基準]
A(良好)‥以3次以下完成沖洗。
B(容許)‥以4~7次完成沖洗。
C(不良)‥需要8次以上之沖洗。
<對構件之影響評價方法>
對使用之可能性較高之構件的影響評價方法，係將試片浸漬於洗淨劑中30分鐘，目測判定有無產生材料之變色、表面粗糙、龜裂。判定係以顯微鏡1000倍實施，檢查變色、表面粗糙、龜裂，將結果記載於表2、3中。使用焊料凸塊、鎳-金、聚醯亞胺及玻璃環氧樹脂基板作為各種構件之模型。焊料凸塊、鎳-金、聚醯亞胺係使用形成於基板上之材料作為試片。玻璃環氧樹脂基板係使用市售之玻璃環氧樹脂基板(FR-4)作為試片。
如上述表2所示，於添加有胺化合物之實施例4~8中，與實施例2及3相比洗淨性得以提高。又，於添加有胺化合物及二醇醚之實施例9~11中，與實施例2及3相比洗淨性得以提高，進而，沖洗性得以提高。
[實施例12~17、比較例4~7]
除將洗淨劑A之溶劑設為下述表3所示之溶劑以外，與實施例1同樣地依據圖5之流程製造接合IC晶片之電路基板。於與上述同樣之條件下進行實施過洗淨A後之洗淨性評價及對構件之影響評價。將其結果示於下述表3中。關於洗淨性評價及對構件之影響評價，實施例13之四氫呋喃、比較例4之異丙醇、比較例5之乙醇及比較例6之甲苯係於室溫(20℃)下進行洗淨，實施例15之二甲基亞碸係於80℃下進行洗淨，實施例17之二甲基甲醯胺係於50℃之溫度下進行洗淨，除此以外，藉由與實施例2同樣之方法進行評價。
如上述表3所示，於實施例13~17之使用苄醇以外之溶劑之情形時，為與實施例12之苄醇同等以上之洗淨性。認為，實施例13之四氫呋喃及實施例17之二甲基甲醯胺具有高於苄醇之洗淨性，但四氫呋喃之沸點較低，因此洗淨溫度受到限制，二甲基甲醯胺由於在聚醯亞胺膜中觀察到龜裂，因此洗淨對象之構件受到限制。另一方面，關於使用比較例4~7之溶劑之情形時的黏著劑之洗淨性判定，係將洗淨性中之抗蝕劑上及凸塊上之黏著劑的殘留數設為100以上，但於目測觀察時，與洗淨前之黏著劑附著狀態相比，完全未觀察到變化，未表現出洗淨效果。

Claims (20)

  1. 一種電路基板之製造方法，該電路基板接合有電子零件，且該製造方法包括下述步驟(a)~(f)：(a)將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上之焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與電路基板之具有焊接部之第1面對向之方式進行配置之步驟，此處，上述焊料層為以1層緊密無間隙地存在之焊料粒子經由黏著劑層而附著於上述支持基材之層；(b)將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之兩種以上之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨之步驟；(e)將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，並將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨之步驟；及(f)於步驟(e)中所獲得之電路基板上載置電子零件，並加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度，而將電子零件之焊接部與電路基板之焊接部接合之步驟。
  2. 一種電路基板之製造方法，該電路基板於應進行焊接之部分(以下，稱為焊接部)形成有焊料凸塊，且該製造方法包括下述步驟(a)~(e)：(a)將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上之焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊料層與電路基板之具有焊接部之第1面對向之方式進行配置之步驟，此處，上述焊料層為以1層緊密無間隙地存在之焊料粒子經由黏著劑層而附著於上述支持基材之層；(b)將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨之步驟；及(e)將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，並將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨之步驟。
  3. 一種焊料凸塊之形成方法，其係於電路基板之第1面上之應進行焊接之部分(以下，稱為焊接部)形成焊料凸塊之方法，且其包括下述步驟(a)~(e)：(a)將具有附著於支持基材之至少單面之至少覆蓋鄰接之2個以上之焊接部之大小之焊料層的焊料轉印片以使上述轉印片之焊 料層與上述電路基板之第1面對向之方式進行配置之步驟，此處，上述焊料層為以1層緊密無間隙地存在之焊料粒子經由黏著劑層而附著於上述支持基材之層；(b)將步驟(a)中所獲得之配置有上述轉印片之上述電路基板於加壓下加熱至低於構成上述轉印片之焊料層的焊料合金之固相線溫度之溫度，而於電路基板之焊接部與轉印片之焊料層之間選擇性地產生固相擴散接合之步驟；(c)於步驟(b)之後，將上述轉印片與上述電路基板剝離，而獲得於焊接部附著有上述焊料層之電路基板之步驟；(d)利用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將步驟(c)中所獲得之電路基板洗淨之步驟；及(e)將助焊劑塗佈於步驟(d)中所獲得之電路基板後，將電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度而使焊料層熔融，使焊料固化，並將電路基板上之助焊劑殘渣洗淨之步驟。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中上述洗淨劑A進而包含胺化合物。
  5. 如請求項4之方法，其中上述洗淨劑A進而包含二醇醚。
  6. 如請求項1至3中任一項之方法，其中上述焊料層為覆蓋上述電路基板之所有焊接部之大小。
  7. 如請求項1至3中任一項之方法，其中上述焊料為無鉛焊料。
  8. 如請求項1至3中任一項之方法，其中於上述步驟(a)中，使助焊劑介存於上述焊料層與上述電路基板之焊接部之界面。
  9. 如請求項1至3中任一項之方法，其中上述步驟(b)中之加熱溫度為較上述焊料合金之固相線溫度低至少5℃之溫度。
  10. 如請求項1至3中任一項之方法，其中上述焊料層係藉由在支持基材上形成黏著劑層，於該黏著劑層上散佈焊料粒子而使焊料粒子層附著於黏著劑層，並去除未附著於上述黏著劑層之焊料粒子而形成者。
  11. 如請求項1至3中任一項之方法，其中上述電路基板之焊接部具有選自金及鉑中之金屬的表面。
  12. 如請求項1至3中任一項之方法，其中上述電路基板之焊接部以外之部分具有選自經阻焊劑被覆之表面、及露出樹脂之表面中之表面。
  13. 如請求項1之方法，其中上述步驟(f)係包括下述(f1)~(f4)之步驟：(f1)於步驟(e)中所獲得之電路基板上載置電子零件之步驟；(f2)將步驟(f1)中所獲得之載置有電子零件之電路基板加熱至上述焊料合金之液相線溫度以上之溫度，而將電子零件之焊接部與電路基板之焊接部接合之步驟；(f3)將步驟(f2)中所獲得之與電子零件接合之電路基板洗淨之步驟；及(f4)於步驟(f3)中所獲得之與電子零件接合之電路基板中，於電子零件與電路基板之間隙填充底部填充劑(液狀硬化樹脂)，並使底部填充劑硬化之步驟。
  14. 一種洗淨方法，其包括使用包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之組合所組成之群中之溶劑的洗淨劑A，將附著有焊料轉印片之黏著劑之電路基板洗淨。
  15. 如請求項14之洗淨方法，其中上述洗淨劑A中之苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲 基甲醯胺、或該等之兩種以上之組合之溶劑的含量為50質量%以上且100質量%以下。
  16. 如請求項14或15之洗淨方法，其中上述洗淨劑A進而含有胺化合物。
  17. 如請求項16之洗淨方法，其中上述洗淨劑A進而含有二醇醚。
  18. 一種洗淨劑A之用途，其係用於洗淨附著有焊料轉印片之黏著劑之電路基板，且該洗淨劑A包含選自由苄醇、四氫呋喃、二乙二醇丁醚乙酸酯、二甲基亞碸、己二酸二甲酯、二甲基甲醯胺、及該等之兩種以上之組合所組成之群中的溶劑。
  19. 如請求項18之用途，其中上述洗淨劑A進而含有胺化合物。
  20. 如請求項19之用途，其中上述洗淨劑A進而含有二醇醚。
TW102148870A 2012-12-28 2013-12-27 Method for manufacturing circuit board for joining electronic parts TWI618463B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012288770A JP6009350B2 (ja) 2012-12-28 2012-12-28 電子部品が接合した回路基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201444438A true TW201444438A (zh) 2014-11-16
TWI618463B TWI618463B (zh) 2018-03-11

Family

ID=51021292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102148870A TWI618463B (zh) 2012-12-28 2013-12-27 Method for manufacturing circuit board for joining electronic parts

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6009350B2 (zh)
KR (1) KR20150102971A (zh)
CN (1) CN104885580B (zh)
TW (1) TWI618463B (zh)
WO (1) WO2014104218A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI699253B (zh) * 2015-01-07 2020-07-21 日商納美仕有限公司 無殘渣助焊劑及半導體封裝件之製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017059654A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 富士通株式会社 回路基板、回路基板の製造方法及び電子デバイス実装装置の製造方法
JP6685014B2 (ja) 2016-05-30 2020-04-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 回路部材の接続構造および接続方法
CN109560062B (zh) * 2017-09-26 2023-08-22 京瓷株式会社 接合构造及半导体封装
JP7087853B2 (ja) * 2018-03-06 2022-06-21 荒川化学工業株式会社 洗浄剤及び洗浄方法
CN111048428B (zh) * 2019-11-29 2022-02-22 深圳先进技术研究院 一种植入式医疗器件的制造方法
CN111168183A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 北京新雷能科技股份有限公司 一种腔体产品内元器件的焊接方法
TWI786773B (zh) * 2020-12-30 2022-12-11 致茂電子股份有限公司 助焊劑分布狀況的檢測方法及檢測設備
WO2024127974A1 (ja) * 2022-12-15 2024-06-20 サトーホールディングス株式会社 導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、電磁波シールドフィルムの製造方法、面状発熱体の製造方法および導電性基材

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5591037A (en) * 1994-05-31 1997-01-07 Lucent Technologies Inc. Method for interconnecting an electronic device using a removable solder carrying medium
WO2005021700A1 (ja) * 2003-08-27 2005-03-10 Kaken Tech Co., Ltd. 半田フラックス除去用洗浄剤および半田フラックスの洗浄方法
JP2007301575A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Hitachi Metals Ltd 金属球含有はんだシートの製造方法
JP4865406B2 (ja) * 2006-05-29 2012-02-01 パナソニック株式会社 半導体素子実装構造体
US20080092806A1 (en) * 2006-10-19 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Removing residues from substrate processing components
TWI462676B (zh) * 2009-02-13 2014-11-21 Senju Metal Industry Co The solder bumps for the circuit substrate are formed using the transfer sheet
JP4978723B2 (ja) * 2010-09-17 2012-07-18 千住金属工業株式会社 はんだ付け装置
CN103180079B (zh) * 2010-11-08 2016-03-30 松下知识产权经营株式会社 焊料转印基材的制造方法、焊料预涂方法、及焊料转印基材
EP2666550A4 (en) * 2011-01-18 2014-10-29 Denki Kagaku Kogyo Kk ULTRASONIC PURIFICATION METHOD AND DEVICE

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI699253B (zh) * 2015-01-07 2020-07-21 日商納美仕有限公司 無殘渣助焊劑及半導體封裝件之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI618463B (zh) 2018-03-11
JP6009350B2 (ja) 2016-10-19
WO2014104218A1 (ja) 2014-07-03
JP2014130956A (ja) 2014-07-10
CN104885580A (zh) 2015-09-02
CN104885580B (zh) 2018-07-13
KR20150102971A (ko) 2015-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI618463B (zh) Method for manufacturing circuit board for joining electronic parts
KR101206311B1 (ko) 전사 시트를 사용한 회로 기판에 대한 땜납 범프 형성
US7780801B2 (en) Flux composition and process for use thereof
US6786391B2 (en) Method of controlling solder deposition utilizing two fluxes and preform
JP4631851B2 (ja) はんだプリコート方法および電子機器用ワーク
JP6243792B2 (ja) はんだが固化された回路基板の製造方法、電子部品が搭載された回路基板の製造方法、及び、フラックス用洗浄剤組成物
JP6426741B2 (ja) アルミニウムへの接合
JP5345848B2 (ja) 半導体パッケージに使用されるヒートスプレッダ上へのはんだの堆積を制御する方法
JP2020040120A (ja) ジェットディスペンサー用はんだ組成物、および電子基板の製造方法
EP0884936A1 (en) Method for manufacturing electronic circuit device
TWI622644B (zh) Surface treatment method for semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor package, and water-soluble preflux for use in such methods
TW201607992A (zh) 助焊劑組成物
US6637641B1 (en) Systems and methods for manufacturing a circuit board
CN110883428A (zh) 喷射分配器用焊料组合物、及电子基板的制造方法
Sheng et al. A novel temporary adhesive for solder ball attachment in fluxless reflow system
TWI269393B (en) Process of shaping bumps on wafer by reflowing
JP2013229635A (ja) はんだプリコート法
JP2010245560A (ja) はんだ粉末付き支持体