JP2001149877A - 処理装置内のクリーニング方法及び装置 - Google Patents
処理装置内のクリーニング方法及び装置Info
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- JP2001149877A JP2001149877A JP33771699A JP33771699A JP2001149877A JP 2001149877 A JP2001149877 A JP 2001149877A JP 33771699 A JP33771699 A JP 33771699A JP 33771699 A JP33771699 A JP 33771699A JP 2001149877 A JP2001149877 A JP 2001149877A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、処理装置内にレーザ光を導入し、
反射ミラーでレーザ光を反射させることによって、内壁
に付着した付着物を除去することを目的とする。 【解決手段】 本発明による処理装置内のクリーニング
方法及び装置は、処理装置(1)内にレーザ光(5)を導入
し、レーザ光(5)を反射ミラー(8)で反射させて処理装置
(1)の内壁(2a)に付着した付着物を除去する構成であ
る。
反射ミラーでレーザ光を反射させることによって、内壁
に付着した付着物を除去することを目的とする。 【解決手段】 本発明による処理装置内のクリーニング
方法及び装置は、処理装置(1)内にレーザ光(5)を導入
し、レーザ光(5)を反射ミラー(8)で反射させて処理装置
(1)の内壁(2a)に付着した付着物を除去する構成であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置内のクリ
ーニング方法及び装置に関し、特に、レーザクリーニン
グ装置及びエッチング装置等の処理装置の内壁に付着し
た付着物等をレーザ光の照射により除去するための新規
な改良に関する。
ーニング方法及び装置に関し、特に、レーザクリーニン
グ装置及びエッチング装置等の処理装置の内壁に付着し
た付着物等をレーザ光の照射により除去するための新規
な改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、用いられていたこの種の処理装置
内のクリーニング方法としては、例えば、エッチング装
置の場合、塩素等でレジスト膜をエッチングすると、除
去された物質がエッチング装置の内壁に付着するため、
定期的にアセトンやアルコール等でクリーニングしてい
た。また、レーザクリーニング装置の場合には、シリコ
ンウェハー上の付着物がレーザ光により除去され、この
付着物が内壁に付着・堆積していたため、定期的にアセ
トンやアルコール等でクリーニングを行っていた。
内のクリーニング方法としては、例えば、エッチング装
置の場合、塩素等でレジスト膜をエッチングすると、除
去された物質がエッチング装置の内壁に付着するため、
定期的にアセトンやアルコール等でクリーニングしてい
た。また、レーザクリーニング装置の場合には、シリコ
ンウェハー上の付着物がレーザ光により除去され、この
付着物が内壁に付着・堆積していたため、定期的にアセ
トンやアルコール等でクリーニングを行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の処理装置内のク
リーニング方法は、以上のように構成されていたため、
次のような課題が存在していた。すなわち、内壁に付着
した付着物を人手によってアセトンやアルコール等でク
リーニングをする場合、装置のメンテナンス用ハッチか
ら作業する場合が多く、作業性が悪い。また、ウェット
クリーニングのため、真空装置の場合はクリーニング後
の装置立ち上げ時に真空排気に時間がかかってしまうこ
とがある。エッチング装置の場合、プロセスに塩素等の
人体に影響を及ぼすガスを使用することがあり、処理チ
ャンバー内をクリーニングする際に、チャンバー内の堆
積物を吸ってしまうことがあり危険であった。
リーニング方法は、以上のように構成されていたため、
次のような課題が存在していた。すなわち、内壁に付着
した付着物を人手によってアセトンやアルコール等でク
リーニングをする場合、装置のメンテナンス用ハッチか
ら作業する場合が多く、作業性が悪い。また、ウェット
クリーニングのため、真空装置の場合はクリーニング後
の装置立ち上げ時に真空排気に時間がかかってしまうこ
とがある。エッチング装置の場合、プロセスに塩素等の
人体に影響を及ぼすガスを使用することがあり、処理チ
ャンバー内をクリーニングする際に、チャンバー内の堆
積物を吸ってしまうことがあり危険であった。
【０００４】本発明は、以上のような課題を解決するた
めになされたもので、特に、レーザクリーニング装置及
びエッチング装置等の処理装置の内壁に付着した付着物
等をレーザ光の照射により除去するようにした処理装置
内のクリーニング方法及び装置を提供することを目的と
する。
めになされたもので、特に、レーザクリーニング装置及
びエッチング装置等の処理装置の内壁に付着した付着物
等をレーザ光の照射により除去するようにした処理装置
内のクリーニング方法及び装置を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による処理装置内
のクリーニング方法は、処理装置内にレーザ光を導入
し、前記レーザ光を反射ミラーで反射させて前記処理装
置の内壁に照射し、前記内壁に付着した付着物を除去す
る方法であり、また、前記反射ミラーは、平板状又は多
面体を用いる方法であり、また、前記処理装置はレーザ
クリーニング装置よりなり、前記レーザ光は半導体ウェ
ハーをクリーニングするためと共用する方法であり、ま
た、本発明による処理装置内のクリーニング装置は、処
理装置内にレーザ光を導入するため前記処理装置に設け
られたレーザ光導入窓と、前記処理装置内に設けられ前
記レーザ光を前記処理装置の内壁に照射するための反射
ミラーとを備え、前記レーザ光により前記内壁に付着し
ている付着物を除去する構成であり、また、前記反射ミ
ラーは、平板状又は多面体よりなる構成であり、また、
前記処理装置は、半導体ウェハーを取付ける試料台を有
するレーザクリーニング装置よりなり、前記レーザ光は
前記半導体ウェハーをクリーニングするためと共用する
ようにした構成である。
のクリーニング方法は、処理装置内にレーザ光を導入
し、前記レーザ光を反射ミラーで反射させて前記処理装
置の内壁に照射し、前記内壁に付着した付着物を除去す
る方法であり、また、前記反射ミラーは、平板状又は多
面体を用いる方法であり、また、前記処理装置はレーザ
クリーニング装置よりなり、前記レーザ光は半導体ウェ
ハーをクリーニングするためと共用する方法であり、ま
た、本発明による処理装置内のクリーニング装置は、処
理装置内にレーザ光を導入するため前記処理装置に設け
られたレーザ光導入窓と、前記処理装置内に設けられ前
記レーザ光を前記処理装置の内壁に照射するための反射
ミラーとを備え、前記レーザ光により前記内壁に付着し
ている付着物を除去する構成であり、また、前記反射ミ
ラーは、平板状又は多面体よりなる構成であり、また、
前記処理装置は、半導体ウェハーを取付ける試料台を有
するレーザクリーニング装置よりなり、前記レーザ光は
前記半導体ウェハーをクリーニングするためと共用する
ようにした構成である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による処
理装置内のクリーニング方法及び装置の好適な実施の形
態について説明する。図１において符号１で示されるも
のは全体形状が箱形をなす処理装置であり、この処理装
置１は、この場合、レーザクリーニング装置より構成さ
れている。前記処理装置１の壁２には、石英等からなる
レーザ光導入窓３が設けられ、レーザ光発生装置４から
のレーザ光５がこのレーザ光導入窓３を壁２の内側に設
けられた試料台６上の半導体ウェハー７に照射されるよ
うに構成されている。
理装置内のクリーニング方法及び装置の好適な実施の形
態について説明する。図１において符号１で示されるも
のは全体形状が箱形をなす処理装置であり、この処理装
置１は、この場合、レーザクリーニング装置より構成さ
れている。前記処理装置１の壁２には、石英等からなる
レーザ光導入窓３が設けられ、レーザ光発生装置４から
のレーザ光５がこのレーザ光導入窓３を壁２の内側に設
けられた試料台６上の半導体ウェハー７に照射されるよ
うに構成されている。
【０００７】前記処理装置１内の前記試料台６の近傍位
置には、反射ミラー８がその反射角度を例えば周知の多
軸駆動装置によって自在に変えられるように構成されて
おり、この試料台６が移動した場合に、反射ミラー８が
レーザ光５が照射される位置に移動できるように構成さ
れている。
置には、反射ミラー８がその反射角度を例えば周知の多
軸駆動装置によって自在に変えられるように構成されて
おり、この試料台６が移動した場合に、反射ミラー８が
レーザ光５が照射される位置に移動できるように構成さ
れている。
【０００８】次に、動作について述べる。まず、図１の
状態で、レーザ光５を半導体ウェハー７上に照射し、試
料台６を周知のＸ−Ｒ−θの３軸駆動装置（図示せず）
によって移動させることにより、半導体ウェハー７全面
又は所定部位のクリーニングが行われる。前述のような
半導体ウェハー７のクリーニングが長時間行われると、
このクリーニングによって半導体ウェハー７から飛散し
た除去物質が処理装置１の内壁２ａに付着して堆積す
る。
状態で、レーザ光５を半導体ウェハー７上に照射し、試
料台６を周知のＸ−Ｒ−θの３軸駆動装置（図示せず）
によって移動させることにより、半導体ウェハー７全面
又は所定部位のクリーニングが行われる。前述のような
半導体ウェハー７のクリーニングが長時間行われると、
このクリーニングによって半導体ウェハー７から飛散し
た除去物質が処理装置１の内壁２ａに付着して堆積す
る。
【０００９】前述の状態で、試料台６を移動させ、反射
ミラー８を移動手段（図示せず）でレーザ光５が照射さ
れる位置に移動した後、反射ミラー８を前述の多軸駆動
装置によって全方位に作動させることにより、レーザ光
５は処理装置１の内壁２ａ全般にわたって照射され、内
壁２ａに付着した付着物を除去することができる。な
お、このレーザ光５によって除去された付着物は、図示
しない真空ポンプによる排気手段によって外部に排出さ
れる。
ミラー８を移動手段（図示せず）でレーザ光５が照射さ
れる位置に移動した後、反射ミラー８を前述の多軸駆動
装置によって全方位に作動させることにより、レーザ光
５は処理装置１の内壁２ａ全般にわたって照射され、内
壁２ａに付着した付着物を除去することができる。な
お、このレーザ光５によって除去された付着物は、図示
しない真空ポンプによる排気手段によって外部に排出さ
れる。
【００１０】また、前述の形態においては、平板状の反
射ミラー８を用いた場合について述べたが、図３で示さ
れるように、多面体からなるミラーボールのような多面
体反射ミラー８を用いても効果的なクリーニングを達成
することができる。また、前述の説明では、処理装置１
をレーザクリーニング装置としてレーザ光５を共用した
場合について述べたが、例えば、エッチング装置等の半
導体製造プロセスで用いられる他の処理装置においてレ
ーザ光を別に導入するように適用することもできること
は述べるまでもないことである。
射ミラー８を用いた場合について述べたが、図３で示さ
れるように、多面体からなるミラーボールのような多面
体反射ミラー８を用いても効果的なクリーニングを達成
することができる。また、前述の説明では、処理装置１
をレーザクリーニング装置としてレーザ光５を共用した
場合について述べたが、例えば、エッチング装置等の半
導体製造プロセスで用いられる他の処理装置においてレ
ーザ光を別に導入するように適用することもできること
は述べるまでもないことである。
【００１１】
【発明の効果】本発明による処理装置内のクリーニング
方法及び装置は、以上のように構成されているため、次
のような効果を得ることができる。すなわち、各種処理
装置にレーザ光を導入し、このレーザ光で内壁の付着物
等を除去するため、アルコール等を用いて人手でクリー
ニングをする必要がなく、迅速でかつ完全で安全なクリ
ーニングを行うことができる。また、レーザ光は、石英
からなるレーザ光導入窓を介して導入されるため、処理
装置（チャンバー）内をドライに保つことができ、次の
処理に対して直ちに立上ることができる。
方法及び装置は、以上のように構成されているため、次
のような効果を得ることができる。すなわち、各種処理
装置にレーザ光を導入し、このレーザ光で内壁の付着物
等を除去するため、アルコール等を用いて人手でクリー
ニングをする必要がなく、迅速でかつ完全で安全なクリ
ーニングを行うことができる。また、レーザ光は、石英
からなるレーザ光導入窓を介して導入されるため、処理
装置（チャンバー）内をドライに保つことができ、次の
処理に対して直ちに立上ることができる。
【図１】本発明による処理装置内のクリーニング装置を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】図１の反射ミラーを示す拡大斜視図である。
【図３】図２の他の形態を示す構成図である。
１ 処理装置 ２ 壁 ２ａ 内壁 ３ レーザ光導入窓 ５ レーザ光 ６ 試料台 ７ 半導体ウェハー ８ 反射ミラー
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:40 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ (72)発明者 石田 稔幸 神奈川県横浜市金沢区福浦２丁目２番１号 株式会社日本製鋼所内 Ｆターム(参考） 2G059 AA10 BB16 CC20 DD13 GG01 JJ13 3B116 AA47 AB51 BC01 CD11 4E068 AH00 CD12 CG02 DA10 5F004 AA15 AA16 BB03 BB31
Claims (6)
- 【請求項１】 処理装置(1)内にレーザ光(5)を導入し、
前記レーザ光(5)を反射ミラー(8)で反射させて前記処理
装置(1)の内壁(2a)に照射し、前記内壁(2a)に付着した
付着物を除去することを特徴とする処理装置内のクリー
ニング方法。 - 【請求項２】 前記反射ミラー(8)は、平板状又は多面
体を用いることを特徴とする請求項１記載の処理装置内
のクリーニング方法。 - 【請求項３】 前記処理装置(1)はレーザクリーニング
装置よりなり、前記レーザ光(5)は半導体ウェハー(7)を
クリーニングするためと共用することを特徴とする請求
項１又は２記載の処理装置内のクリーニング方法。 - 【請求項４】 処理装置(1)内にレーザ光(5)を導入する
ため前記処理装置(1)に設けられたレーザ光導入窓(3)
と、前記処理装置(1)内に設けられ前記レーザ光(5)を前
記処理装置(1)の内壁(2a)に照射するための反射ミラー
(8)とを備え、前記レーザ光(5)により前記内壁(2a)に付
着している付着物を除去する構成としたことを特徴とす
る処理装置内のクリーニング装置。 - 【請求項５】 前記反射ミラー(8)は、平板状又は多面
体よりなることを特徴とする請求項４記載の処理装置内
のクリーニング装置。 - 【請求項６】 前記処理装置(1)は、半導体ウェハー(7)
を取付ける試料台(6)を有するレーザクリーニング装置
よりなり、前記レーザ光(5)は前記半導体ウェハー(7)を
クリーニングするためと共用するように構成したことを
特徴とする請求項４又は５記載の処理装置内のクリーニ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33771699A JP2001149877A (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | 処理装置内のクリーニング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33771699A JP2001149877A (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | 処理装置内のクリーニング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001149877A true JP2001149877A (ja) | 2001-06-05 |
Family
ID=18311301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33771699A Withdrawn JP2001149877A (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | 処理装置内のクリーニング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001149877A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1319732A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and method and cleaning method |
| KR100520502B1 (ko) * | 2003-04-28 | 2005-10-11 | 동부아남반도체 주식회사 | 공정 챔버의 세정 방법 |
| JP2007152308A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Digital Network:Kk | 洗浄方法および洗浄装置 |
| US7583020B2 (en) | 2002-12-12 | 2009-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, film-forming method and manufacturing apparatus thereof, and cleaning method of the manufacturing apparatus |
| JP2014099619A (ja) * | 2006-10-19 | 2014-05-29 | Quantam Global Technologies Llc | 基板処理構成部品からの残留物の除去 |
| KR20240010918A (ko) * | 2022-07-18 | 2024-01-25 | 차동호 | 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템 |
-
1999
- 1999-11-29 JP JP33771699A patent/JP2001149877A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1319732A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and method and cleaning method |
| US6776847B2 (en) | 2001-12-12 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
| US7316983B2 (en) | 2001-12-12 | 2008-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
| US7763320B2 (en) | 2001-12-12 | 2010-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
| US7583020B2 (en) | 2002-12-12 | 2009-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, film-forming method and manufacturing apparatus thereof, and cleaning method of the manufacturing apparatus |
| US8709540B2 (en) | 2002-12-12 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, film-forming method and manufacturing apparatus thereof, and cleaning method of the manufacturing apparatus |
| KR100520502B1 (ko) * | 2003-04-28 | 2005-10-11 | 동부아남반도체 주식회사 | 공정 챔버의 세정 방법 |
| JP2007152308A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Digital Network:Kk | 洗浄方法および洗浄装置 |
| JP2014099619A (ja) * | 2006-10-19 | 2014-05-29 | Quantam Global Technologies Llc | 基板処理構成部品からの残留物の除去 |
| KR20240010918A (ko) * | 2022-07-18 | 2024-01-25 | 차동호 | 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템 |
| KR102667398B1 (ko) | 2022-07-18 | 2024-05-20 | 차동호 | 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060313 |
|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |