JP2010503139A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 化学的規則垂直記録媒体の製造方法であって、以下の工程、
   基板上に、(002)配向を有する下層を堆積させる工程、
   前記下層上に、(002)配向を有する緩衝層を堆積させる工程、及び
   前記基板が400℃未満の温度を有している間に前記緩衝層上に磁気記録層を堆積させる工程であって、前記下層及び前記磁気記録層が、格子ミスフィットを有し、前記磁気記録層を前記緩衝層上に堆積中にひずみエネルギーを誘発し、かつ前記ひずみエネルギーが、化学的規則構造を有する前記磁気記録層を形成させる工程、
   を含むことを特徴とする方法。
2. 前記下層が、Crベース合金である、請求項1に記載の方法。
3. 前記Crベース合金が、CrRuである、請求項2に記載の方法。
4. 前記Crベース合金が、CrMo、CrMn、CrW、CrTi、CrZr及びCrVから成る群より選択されるCrベース合金である、請求項2に記載の方法。
5. 前記緩衝層が、MgOである、請求項1に記載の方法。
6. 前記緩衝層が、SrTiO₃である、請求項1に記載の方法。
7. 前記下層及び磁気記録層が、約3%〜約10%の格子ミスフィットを有する、請求項1に記載の方法。
8. 前記下層及び磁気記録層が、約6%の格子ミスフィットを有する、請求項7に記載の方法。
9. 更に以下の工程、
   前記基板上に前記下層を堆積させる前に、前記基板上に軟磁気下層及び非晶質層を堆積させる工程、
   を含む請求項１に記載の方法。
10. 更に以下の工程、
    前記基板上に前記下層を堆積させる前に、前記基板上に非晶質の軟磁気下層を堆積させる工程、
    を含む請求項1に記載の方法。
11. 更に以下の工程、
    前記磁気記録層中に添加剤を導入する工程であって、前記磁気記録層が、前記添加剤によって生じた境界相によって分離された磁気粒子で形成される工程、
    を含む請求項1に記載の方法。
12. 前記添加剤が、C、SiO₂、Al₂O₃、ZrO、又はその組合せから成る群より選択される、請求項11に記載の方法。